JPH039402Y2 - - Google Patents
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- JPH039402Y2 JPH039402Y2 JP1984164629U JP16462984U JPH039402Y2 JP H039402 Y2 JPH039402 Y2 JP H039402Y2 JP 1984164629 U JP1984164629 U JP 1984164629U JP 16462984 U JP16462984 U JP 16462984U JP H039402 Y2 JPH039402 Y2 JP H039402Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- emitting element
- circuit
- light emitting
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Communication System (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の技術分野〕
本考案は、発光素子に印加される直流バイアス
電流のモニタ回路を備えた発光素子の駆動回路に
関する。
電流のモニタ回路を備えた発光素子の駆動回路に
関する。
光通信装置の電気光変換回路においては、通
常、発光素子としてレーザダイオード（以下LD
と略す）が使用される。このレーザダイオード
は、発光に対してしきい値電流ITHを有するから、
そのしきい値電流の近くにバイアス電流IBを流し
た状態において、電気信号電流ISを印加し、発光
出力POを得るように設計される。従来から用い
られているこの種の代表的なLD駆動回路を第５
図に、また、この回路の動作時における電流の関
係を第６図に示した。第５図および第６図から判
るように、電気信号ｄ（DATA）はトランジスタ
１，２の組によつて構成される電流切換回路に印
加れ、LD駆動電流ISを得る。Vrは基準電圧であ
る。又、LD５にはトランジスタ７によつて直流
バイアス電流IBが供給され、結果として、LD５
にはISとIBの和の電流IOが流れ、所要の光出力PO
を得るように構成されている。一方、直流バイア
ス電流IBは、通常、しきい値電流ITHに対して一定
の割合を保つて供給されるように制約されるた
め、LD５のバイアス電流を正しくモニタするこ
とが、LDの動作状態を知るために重要な事項と
なつている。
常、発光素子としてレーザダイオード（以下LD
と略す）が使用される。このレーザダイオード
は、発光に対してしきい値電流ITHを有するから、
そのしきい値電流の近くにバイアス電流IBを流し
た状態において、電気信号電流ISを印加し、発光
出力POを得るように設計される。従来から用い
られているこの種の代表的なLD駆動回路を第５
図に、また、この回路の動作時における電流の関
係を第６図に示した。第５図および第６図から判
るように、電気信号ｄ（DATA）はトランジスタ
１，２の組によつて構成される電流切換回路に印
加れ、LD駆動電流ISを得る。Vrは基準電圧であ
る。又、LD５にはトランジスタ７によつて直流
バイアス電流IBが供給され、結果として、LD５
にはISとIBの和の電流IOが流れ、所要の光出力PO
を得るように構成されている。一方、直流バイア
ス電流IBは、通常、しきい値電流ITHに対して一定
の割合を保つて供給されるように制約されるた
め、LD５のバイアス電流を正しくモニタするこ
とが、LDの動作状態を知るために重要な事項と
なつている。
そのために、第５図の構成において、LD５の
バイアス電流IBを抵抗６（値をRMとする）の両
端の電圧降下VBを知ることにより求める方法を
採用している。一方、通常、光出力電力POは、
LDの発光特性にあわせてLD駆動電流ISを調整
し、所要の大きさを得る必要がある。第７図は、
この要求を満足するための回路構成を示してい
る。この図において、充分大きな振幅に保たれて
いるLD駆動電流ISは抵抗９，１０，１１，１２
により構成される減衰器の挿入によつて所要の光
出力POが得られるように、LD駆動電流iSに低減
される。この時、LD５のバイアスモニタ用の抵
抗６に流れる電流IBは、抵抗９，１０，１１およ
び１２の合成値RTにより流れこむ電流I1とLD５
に流れる電流IOとの和となり、バイアスモニタ抵
抗６に流れる電流値は真のLDに流れる電流とは
異なり、正しくモニタすることができないという
不都合がある。なお、第８図は、第７図における
直流電流の関係のみを説明するための回路を示し
たもので、LD駆動電流iSを０とした時のLDの流
れる直流バイアス電流をI′Oとしている。
バイアス電流IBを抵抗６（値をRMとする）の両
端の電圧降下VBを知ることにより求める方法を
採用している。一方、通常、光出力電力POは、
LDの発光特性にあわせてLD駆動電流ISを調整
し、所要の大きさを得る必要がある。第７図は、
この要求を満足するための回路構成を示してい
る。この図において、充分大きな振幅に保たれて
いるLD駆動電流ISは抵抗９，１０，１１，１２
により構成される減衰器の挿入によつて所要の光
出力POが得られるように、LD駆動電流iSに低減
される。この時、LD５のバイアスモニタ用の抵
抗６に流れる電流IBは、抵抗９，１０，１１およ
び１２の合成値RTにより流れこむ電流I1とLD５
に流れる電流IOとの和となり、バイアスモニタ抵
抗６に流れる電流値は真のLDに流れる電流とは
異なり、正しくモニタすることができないという
不都合がある。なお、第８図は、第７図における
直流電流の関係のみを説明するための回路を示し
たもので、LD駆動電流iSを０とした時のLDの流
れる直流バイアス電流をI′Oとしている。
本考案の目的は、発光素子が直流通過形インピ
ーダンス回路を介して駆動される形式の回路にお
いても、直流電流供給回路を通して発光素子に流
れる直流バイアス電流値を正しくモニタすること
のできるバイアス電流モニタ回路を備えた発光素
子の駆動回路を提供することにある。
ーダンス回路を介して駆動される形式の回路にお
いても、直流電流供給回路を通して発光素子に流
れる直流バイアス電流値を正しくモニタすること
のできるバイアス電流モニタ回路を備えた発光素
子の駆動回路を提供することにある。
本考案は、発光素子と、該発光素子に出力側が
接続され、電気信号により該発光素子を駆動する
ための直流弾過形インピーダンス回路と、該直流
通過形インピーダンス回路の出力側と前発光素子
との並列接続点に直列に接続され、電流値制御用
のトランジスタを介して該発光素子に直流バイア
ス電流を供給するための直流電流供給回路とから
なる発光素子の駆動回路において、前記直流電流
供給回路に前記電流値制御用トランジスタを介し
て流れる直流電流により電圧降下を生ぜしめるた
めの抵抗を接続し、かつ該接続された抵抗より前
記発光素子側の接続点に、前記電流値制御用トラ
ンジスタを含む回路と並列に第２のトランジスタ
を含む側路を接続し、前記電流値制御用トランジ
スタの制御入力の調整により前記抵抗に流れる電
流値を前記発光素子に流れる直流バイアス値に等
しくし、前記第２のトランジスタの制御入力の調
整により該側路に流れる直流値を前記直流通過形
インピーダンス回路に流れる直流値に等しくする
ようにしたことを特徴とする。
接続され、電気信号により該発光素子を駆動する
ための直流弾過形インピーダンス回路と、該直流
通過形インピーダンス回路の出力側と前発光素子
との並列接続点に直列に接続され、電流値制御用
のトランジスタを介して該発光素子に直流バイア
ス電流を供給するための直流電流供給回路とから
なる発光素子の駆動回路において、前記直流電流
供給回路に前記電流値制御用トランジスタを介し
て流れる直流電流により電圧降下を生ぜしめるた
めの抵抗を接続し、かつ該接続された抵抗より前
記発光素子側の接続点に、前記電流値制御用トラ
ンジスタを含む回路と並列に第２のトランジスタ
を含む側路を接続し、前記電流値制御用トランジ
スタの制御入力の調整により前記抵抗に流れる電
流値を前記発光素子に流れる直流バイアス値に等
しくし、前記第２のトランジスタの制御入力の調
整により該側路に流れる直流値を前記直流通過形
インピーダンス回路に流れる直流値に等しくする
ようにしたことを特徴とする。
ここで、本考案を考えるに至つた根拠について
述べる。前述の第８図における従来の回路の直流
電流の関係をグラフで示すと、第９図のようにな
る。第９図を参照し、モニタ用の抵抗６に流れる
電流IBは、LDバイアス流I′Oと、LDに並列に接続
された等価抵抗RTに流れる電流I1との合成値であ
る。したがつて、IBの変化に対し、等価抵抗RTに
流れる電流I1による電圧降下がLDの順方向電圧
Vfに関係する電流値IB1以上では、I1は一定値を保
ち、又I′OはIB1以上の電流値より流れ始めること
になる。このことは、言いかえれば、モニタされ
る電流IBは、VfとRTとによつて決まる電流I1と
LDバイアス電流I′Oの合成値であるから、真のLD
バイアス電流I′OをモニタするためにはLDのバイ
アス電流をモニタするために供される抵抗６にI1
とI′Oの和の電流が流れる以前にI1分だけ側路して
やればよいことを意味する。
述べる。前述の第８図における従来の回路の直流
電流の関係をグラフで示すと、第９図のようにな
る。第９図を参照し、モニタ用の抵抗６に流れる
電流IBは、LDバイアス流I′Oと、LDに並列に接続
された等価抵抗RTに流れる電流I1との合成値であ
る。したがつて、IBの変化に対し、等価抵抗RTに
流れる電流I1による電圧降下がLDの順方向電圧
Vfに関係する電流値IB1以上では、I1は一定値を保
ち、又I′OはIB1以上の電流値より流れ始めること
になる。このことは、言いかえれば、モニタされ
る電流IBは、VfとRTとによつて決まる電流I1と
LDバイアス電流I′Oの合成値であるから、真のLD
バイアス電流I′OをモニタするためにはLDのバイ
アス電流をモニタするために供される抵抗６にI1
とI′Oの和の電流が流れる以前にI1分だけ側路して
やればよいことを意味する。
次に、本考案による発光素子の駆動回路につい
て実施例を挙げ、図面を参照して説明する。
て実施例を挙げ、図面を参照して説明する。
第１図は、本考案による第１の実施例の回路図
を示す。この例は、前述の第７図における従来の
回路のLD５と抵抗６との接続点にトランジスタ
１４およびエミツタ抵抗１５からなるトランジス
タ回路を接続した点に従来技術との相違がある。
第２図は、第１図における直流電流の関係のみを
説明するための回路を示したものである。この第
２図の回路の動作について、第３図のグラフをも
とに説明すると、等価格にLD５に並列接続され
る抵抗１３（RT）に流れる電流I1に対し、それと
等しい電流I2を得るようにトランジスタ１４のベ
ース電位V2を調整する。この時、各部の電流は
第３図のグラフに見られるようになり、I2が電流
モニタ用抵抗６に流れ込む以前に側路される。そ
のために、V1によつて制御されるトランジスタ
７の直流電流I3はLD５のバイアス電流I′Oと等し
くなるから、そのときの抵抗６における電圧降下
VBを測定することにより、正しくLDのバイアス
電流を知ることが可能となる。
を示す。この例は、前述の第７図における従来の
回路のLD５と抵抗６との接続点にトランジスタ
１４およびエミツタ抵抗１５からなるトランジス
タ回路を接続した点に従来技術との相違がある。
第２図は、第１図における直流電流の関係のみを
説明するための回路を示したものである。この第
２図の回路の動作について、第３図のグラフをも
とに説明すると、等価格にLD５に並列接続され
る抵抗１３（RT）に流れる電流I1に対し、それと
等しい電流I2を得るようにトランジスタ１４のベ
ース電位V2を調整する。この時、各部の電流は
第３図のグラフに見られるようになり、I2が電流
モニタ用抵抗６に流れ込む以前に側路される。そ
のために、V1によつて制御されるトランジスタ
７の直流電流I3はLD５のバイアス電流I′Oと等し
くなるから、そのときの抵抗６における電圧降下
VBを測定することにより、正しくLDのバイアス
電流を知ることが可能となる。
第４図は、本考案による第２の実施例の回路図
を示す。この例においては、トランジスタ２の出
力側を同軸ケーブル１９を介して減衰器を構成す
る抵抗１０，１１および１２へ接続し、さらに、
トランジスタ７のエミツタに挿入れた抵抗１６に
より、その端子電圧VMを測定することによつて、
LD５の直流バイアス電流をモニタし、他方抵抗
１８を介してトランジスタ１４に接続するように
したものである。その他の回路要素については、
第１の実施例と同じである。なお、上記同軸ケー
ブル１９は、電気信号印加側と発光素子側との間
の設置位置が離れている場合に、信号伝送量の不
安定性を無くしたり、他からの妨害を阻止するた
めに使用される。
を示す。この例においては、トランジスタ２の出
力側を同軸ケーブル１９を介して減衰器を構成す
る抵抗１０，１１および１２へ接続し、さらに、
トランジスタ７のエミツタに挿入れた抵抗１６に
より、その端子電圧VMを測定することによつて、
LD５の直流バイアス電流をモニタし、他方抵抗
１８を介してトランジスタ１４に接続するように
したものである。その他の回路要素については、
第１の実施例と同じである。なお、上記同軸ケー
ブル１９は、電気信号印加側と発光素子側との間
の設置位置が離れている場合に、信号伝送量の不
安定性を無くしたり、他からの妨害を阻止するた
めに使用される。
以上の説明により明らかなように、本考案によ
れば、直流電流供給回路に挿入された電圧降下発
生用の抵抗より発光素子側の接続点に並列に、ト
ランジスタを含む側路を接続することによつて、
発光素子が直流通過形インピーダンス回路を介し
て駆動される形式の回路においても、直流電流供
給回路を通して発光素子に流れる直流バイアス電
流値を正確にモニタできる点において、動作性能
の信頼性を向上すべく得られる効果は大きい。
れば、直流電流供給回路に挿入された電圧降下発
生用の抵抗より発光素子側の接続点に並列に、ト
ランジスタを含む側路を接続することによつて、
発光素子が直流通過形インピーダンス回路を介し
て駆動される形式の回路においても、直流電流供
給回路を通して発光素子に流れる直流バイアス電
流値を正確にモニタできる点において、動作性能
の信頼性を向上すべく得られる効果は大きい。
第１図は本考案による第１の実施例を示す回路
図、第２図は、第１図における直流電流の関係の
みを説明するための回路図、第３図は、第２図の
回路の動作を説明するためのグラフ、第４図は本
考案による第２の実施例を示す回路図、第５図は
従来の代表的な発光素子駆動回路の例を示す回路
図、第６図は、第５図の回路の動作時における電
流の関係を示すグラフ、第７図は従来の直流通過
形駆動回路の例を示す回路図、第８図は、第７図
における直流電流の関係のみを説明するための回
路図、第９図は、第８図の回路の動作を説明する
ためのグラフである。 図において、１，２，７，１４はトランジス
タ、３，４，６，８，９〜１２，１５〜１８は抵
抗、５は発光素子、１９は同軸ケーブルである。
図、第２図は、第１図における直流電流の関係の
みを説明するための回路図、第３図は、第２図の
回路の動作を説明するためのグラフ、第４図は本
考案による第２の実施例を示す回路図、第５図は
従来の代表的な発光素子駆動回路の例を示す回路
図、第６図は、第５図の回路の動作時における電
流の関係を示すグラフ、第７図は従来の直流通過
形駆動回路の例を示す回路図、第８図は、第７図
における直流電流の関係のみを説明するための回
路図、第９図は、第８図の回路の動作を説明する
ためのグラフである。 図において、１，２，７，１４はトランジス
タ、３，４，６，８，９〜１２，１５〜１８は抵
抗、５は発光素子、１９は同軸ケーブルである。
Claims (1)
- 発光素子と、該発光素子に出力側が接続され、
電気信号により該発光素子を駆動するための直流
通過形インピーダンス回路と、該直流通過形イン
ピーダンス回路の出力側と前記叛光素子との並列
接続点に直列に接続され、電流値制御用のトラン
ジスタを介して該発光素子に直流バイアス電流を
供給するための直流電流供給回路とからなる発光
素子の駆動回路において、前記直流電流供給回路
に前記電流値制御用トランジスタを介して流れる
直列電流により電圧降下を生ぜしめるための抵抗
を接続し、かつ該接続された抵抗より前記発光素
子側の接続点に、前記電流値制御用トランジスタ
を含む回路と並列に第２のトランジスタを含む側
路を接続し、前記電流値制御用トランジスタの制
御入力の調整により前記抵抗に流れる電流値を前
記発光素子に流れる直流バイアス値に等しくし、
前記第２のトランジスタの制御入力の調整により
該側路に流れる直流値を前記直流通過形インピー
ダンス回路に流れる直流値に等しくするようにし
たことを特徴とするバイアス電流モニタ回路を備
えた発光素子の駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984164629U JPH039402Y2 (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984164629U JPH039402Y2 (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6181240U JPS6181240U (ja) | 1986-05-29 |
| JPH039402Y2 true JPH039402Y2 (ja) | 1991-03-08 |
Family
ID=30722490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1984164629U Expired JPH039402Y2 (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH039402Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2523141B2 (ja) * | 1987-10-02 | 1996-08-07 | 富士通株式会社 | 発光素子駆動回路 |
-
1984
- 1984-11-01 JP JP1984164629U patent/JPH039402Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6181240U (ja) | 1986-05-29 |
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