JPH0391920A - 電解研磨液 - Google Patents
電解研磨液Info
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- JPH0391920A JPH0391920A JP1227606A JP22760689A JPH0391920A JP H0391920 A JPH0391920 A JP H0391920A JP 1227606 A JP1227606 A JP 1227606A JP 22760689 A JP22760689 A JP 22760689A JP H0391920 A JPH0391920 A JP H0391920A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は電解研磨液に関し、更に詳しくは、Ｘ線光学及
びＸ線リソグラフィー等に用いられるマスク（メンプラ
ン）の作成に有用である電解研磨ｌ夜に関する。
びＸ線リソグラフィー等に用いられるマスク（メンプラ
ン）の作成に有用である電解研磨ｌ夜に関する。
（従来の技術及びその問題点）
従来、Ｘ線マスクを製造する方法としては、シリコン等
の基板上に有機又は無機のＸ線透過膜を形成し、この透
過膜上にＸ線吸収体パターンを作成し、しかる後シリコ
ン基板を、周囲を残して中央部を裏面からバックエッチ
ングしてマスクメンプランを作成する方法が行われてい
る。
の基板上に有機又は無機のＸ線透過膜を形成し、この透
過膜上にＸ線吸収体パターンを作成し、しかる後シリコ
ン基板を、周囲を残して中央部を裏面からバックエッチ
ングしてマスクメンプランを作成する方法が行われてい
る。
上記方法で使用するエッチング方法即ち電解研磨方法は
、例えば、苛性ソーダ、苛性カリ等の２０乃至６０重量
％溶液を使用し、処理温度８０乃至１２０℃で行ってお
り、冴の飛敗等、作業者にとって非常に危険であるとい
う問題があり、又添加剤としてアルコールを使用してい
るため、その蒸発制御等が煩雑であるという問題がある
。
、例えば、苛性ソーダ、苛性カリ等の２０乃至６０重量
％溶液を使用し、処理温度８０乃至１２０℃で行ってお
り、冴の飛敗等、作業者にとって非常に危険であるとい
う問題があり、又添加剤としてアルコールを使用してい
るため、その蒸発制御等が煩雑であるという問題がある
。
一方、電解研磨液として、例えば、５乃至２０重量％濃
度の弗化水素酸を使用する方法もあるが、同様に作業者
にとって危険であるという問題がある。又、この弗化水
素酸は、薄膜を保持するシリコン基板に対して腐蝕作用
が強力過ぎる為、積層した薄膜の維持が困難で剥離する
という問題もあった。
度の弗化水素酸を使用する方法もあるが、同様に作業者
にとって危険であるという問題がある。又、この弗化水
素酸は、薄膜を保持するシリコン基板に対して腐蝕作用
が強力過ぎる為、積層した薄膜の維持が困難で剥離する
という問題もあった。
更に有機アルカリとして、例えば，ヒドラジンとアルコ
ールとによる高温研磨方法も知られているが、液の酸化
防止や蒸発薬剤の還流時の問題がある。
ールとによる高温研磨方法も知られているが、液の酸化
防止や蒸発薬剤の還流時の問題がある。
従って本発明の目的は、作業者に危険がなく、且つ簡便
な装置でシリコン基板の電解研磨が可能な電解研磨液を
提供することである。
な装置でシリコン基板の電解研磨が可能な電解研磨液を
提供することである。
（問題点を解決する為の手段）
上記目的は以下の本発明によって達成される。
即ち、本発明は、濃度ｌ乃至２０重量％の酸性弗化アン
モニウム溶液を主体としてなることを特徴とするシリコ
ン基板用電解研磨液である。
モニウム溶液を主体としてなることを特徴とするシリコ
ン基板用電解研磨液である。
（作 用）
本発明は、前記従来技術の種々の問題を解決したもので
、本発明では、濃度ｌ乃至２０重量％の酸性弗化アンモ
ニウム溶ｌ夜を主体としてなる電解研磨液を使用し、ｌ
Ｏ乃至１，０００ｍＡ／ｃｒｒ？の電流密度で、常温で
１０乃至１，０００μ／ｈの高速エッチングが可能であ
る。
、本発明では、濃度ｌ乃至２０重量％の酸性弗化アンモ
ニウム溶ｌ夜を主体としてなる電解研磨液を使用し、ｌ
Ｏ乃至１，０００ｍＡ／ｃｒｒ？の電流密度で、常温で
１０乃至１，０００μ／ｈの高速エッチングが可能であ
る。
特に電解研磨時、電解研磨液が一種の緩衝溶戚として働
くために、ｐＨ４．５乃至６の中性に近い状態でエッチ
ング処理が出来、積層された薄膜の維持（ダメージを受
けない）に優れた効果を示す。
くために、ｐＨ４．５乃至６の中性に近い状態でエッチ
ング処理が出来、積層された薄膜の維持（ダメージを受
けない）に優れた効果を示す。
本発明において研磨に用いるシリコン基板は、結晶方位
（オリエンテーション）は特に制限されないが、電気抵
抗の低い材料が望ましい。好ましくは０．１Ωｃｍ以下
のもの、望ましくは０，ＯｌΩｃｍ以下で、特にドーパ
ントの種類には制限されない。本発明の電解研磨液の処
方例の１例を以下に示す。
（オリエンテーション）は特に制限されないが、電気抵
抗の低い材料が望ましい。好ましくは０．１Ωｃｍ以下
のもの、望ましくは０，ＯｌΩｃｍ以下で、特にドーパ
ントの種類には制限されない。本発明の電解研磨液の処
方例の１例を以下に示す。
Ａ 酸性弗化アンモニウム ５０ｇ水
９５０ 計 １，０００ｇ Ｂ 酸性弗化アンモニウム ４０ｇ蒸留水
９４０ｇ エタノール ２０ 計 ｉ，ＯＯＯｇ ここでエタノールは、エッチングムラの改良に効果がみ
られる。他のアルコール、例えば、メタノール、ブタノ
ール、プロパノール等の添加でも同様の効果がみられる
。アルコールの添加量は０．１乃至２０重量％で効果が
みられるが、特にｌ乃至５％の添加が好ましい。
９５０ 計 １，０００ｇ Ｂ 酸性弗化アンモニウム ４０ｇ蒸留水
９４０ｇ エタノール ２０ 計 ｉ，ＯＯＯｇ ここでエタノールは、エッチングムラの改良に効果がみ
られる。他のアルコール、例えば、メタノール、ブタノ
ール、プロパノール等の添加でも同様の効果がみられる
。アルコールの添加量は０．１乃至２０重量％で効果が
みられるが、特にｌ乃至５％の添加が好ましい。
（実施例）
次に実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明する。
実施例ｌ
結晶面方位１，１，１、電気抵抗値が０．００２５Ωｃ
ｍ、厚さ３５０Ｌｉｍ、３インチψのシリコーンウエハ
ー基板の裏面に０．５μｍの熱酸化膜を設けた。
ｍ、厚さ３５０Ｌｉｍ、３インチψのシリコーンウエハ
ー基板の裏面に０．５μｍの熱酸化膜を設けた。
上記基板表面上にポリイミド前駆体溶液（Ｐ．Ｉ．Ｑ．
、日立化成■！！）をスビンコート機を用いて２，ＯＯ
ＯＲＰＭで約２ＬＬｍ厚に塗工後、Ｏ乃至３５０℃で約
４時間ベーキングした。
、日立化成■！！）をスビンコート機を用いて２，ＯＯ
ＯＲＰＭで約２ＬＬｍ厚に塗工後、Ｏ乃至３５０℃で約
４時間ベーキングした。
基板裏面に、所望の２０ｍｍφの穴と電極用端部を残し
てタール系塗料で塗工した。ｌ８０″Ｃで１時間の乾燥
の後、弗硝酸（１：Ｎ！＞を用いて中央部と端部の酸化
膜を除去した後、１Ｑの前記Ａ電解液を入れた容器に，
白金メッシュ電極４０Ｘ４０ｍｍを負極に、シリコン基
板を正極にセットし、定電流電源を用いて電極間距離ｉ
ｏａｍで約６００ｍＡの電流を流した。撹拌は両電極の
中央部をマグネチックスクーラーで１８０回／ｍｉｎ．
の撹拌を行った。３時間４０分の処理の後、２０ｍｍφ
のＳｔ基板のエッチングとポリイミド膜を残した平面性
に優れたメンプランを作成することが出来た。
てタール系塗料で塗工した。ｌ８０″Ｃで１時間の乾燥
の後、弗硝酸（１：Ｎ！＞を用いて中央部と端部の酸化
膜を除去した後、１Ｑの前記Ａ電解液を入れた容器に，
白金メッシュ電極４０Ｘ４０ｍｍを負極に、シリコン基
板を正極にセットし、定電流電源を用いて電極間距離ｉ
ｏａｍで約６００ｍＡの電流を流した。撹拌は両電極の
中央部をマグネチックスクーラーで１８０回／ｍｉｎ．
の撹拌を行った。３時間４０分の処理の後、２０ｍｍφ
のＳｔ基板のエッチングとポリイミド膜を残した平面性
に優れたメンプランを作成することが出来た。
比較例ｌ
電解液として弗化水素５重量％冴を用いて実施例１と同
様の条件でエッチングを行った。３時間の後、基板のエ
ッチングは七分通り進んだが、ポリイミド（Ｐ．Ｉ．Ｑ
）膜が基板から分離して当初の目的を達することが出
来なかった。原因はポリイミド膜とシリコン基板の間に
電解蔽がｄ人する為と考えられる。
様の条件でエッチングを行った。３時間の後、基板のエ
ッチングは七分通り進んだが、ポリイミド（Ｐ．Ｉ．Ｑ
）膜が基板から分離して当初の目的を達することが出
来なかった。原因はポリイミド膜とシリコン基板の間に
電解蔽がｄ人する為と考えられる。
実施例２
実施例１において電解液をＢに変更して同様の条件で処
理を行った。実施例１においてはＳｉ基阪のエッチング
に部分的にエッチングバラッキがみられたが、この実施
例では均一なエッチングが行われ、極めて良好な仕上り
が出来た。
理を行った。実施例１においてはＳｉ基阪のエッチング
に部分的にエッチングバラッキがみられたが、この実施
例では均一なエッチングが行われ、極めて良好な仕上り
が出来た。
実施例３
Ｃ 弗化アンモニウム ４０ｇ酸性弗化アンモ
ニウム ４０ｇ 水 ９２０ｇ実施例ｌの電
解液に代えて上記電解液を使用して同様に処理を行った
。この場合ポリイミド膜を更に薄く０．５μｍ塗工した
が，十分簡便にマスクメンプランを作成することが出来
た。
ニウム ４０ｇ 水 ９２０ｇ実施例ｌの電
解液に代えて上記電解液を使用して同様に処理を行った
。この場合ポリイミド膜を更に薄く０．５μｍ塗工した
が，十分簡便にマスクメンプランを作成することが出来
た。
Claims (2)
- （１）濃度１乃至２０重量％の酸性弗化アンモニウム溶
液を主体としてなることを特徴とするシリコン基板用電
解研磨液。 - （２）更にアルコールを含む請求項１に記載の電解研磨
液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1227606A JPH0391920A (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 | 電解研磨液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1227606A JPH0391920A (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 | 電解研磨液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0391920A true JPH0391920A (ja) | 1991-04-17 |
Family
ID=16863578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1227606A Pending JPH0391920A (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 | 電解研磨液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0391920A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100412996B1 (ko) * | 1999-12-22 | 2003-12-31 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 무-슬러리 화학-기계적 폴리싱 |
| JP2007150505A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Casio Comput Co Ltd | 遠隔制御システム、被遠隔制御装置、及び、被遠隔制御装置の設定方法 |
-
1989
- 1989-09-04 JP JP1227606A patent/JPH0391920A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100412996B1 (ko) * | 1999-12-22 | 2003-12-31 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 무-슬러리 화학-기계적 폴리싱 |
| JP2007150505A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Casio Comput Co Ltd | 遠隔制御システム、被遠隔制御装置、及び、被遠隔制御装置の設定方法 |
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