JPH0390589A - 電気メッキ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はパラジウム−砒素合金の電気メ、キ方法に関す
る。

［従来の技術］ 電気メッキされたパラジウムおよびパラジウム合金は、
化学的に腐食性の液体および気体に暴露された様々な客
語および造作にお、ける宝石、時計などのような装飾品
の保護被膜メッキおよび各種の電気および電子装置にお
ける保護被膜ならびに電気接点被膜として、広範な用途
に使用されている。このよ゛うな用途にパラジウムおよ
びパラジウム合金が使用される殆どの動機は金および白
金などのような従来から使用されている金属に比べて安
価なためである。

［発明が解決しようとする課Ｍ］ 従来のパラジウムおよびパラジウム合金の電気メッキは
非常に困難な問題に直面していた。電気メッキされたパ
ラジウム金属は大抵、付着力が弱く、多孔質になりやす
＜、ｆｎ裂が発生しやすく、しかも、−膜内に極めて脆
かった。このため、このようなパラジウムメッキ被膜は
電気接点としても、また、装飾被膜としても不満足なも
のであった。

電気メッキされたパラジウム被膜がこのように劣悪な品
質をボす原因を追及したところ、これは電気メッキパラ
ジウム被膜中に水素が取り込まれているためであること
がたちどころに判明した。

水の電気分解電位がパラジウムの電気メッキ電位と挿め
て近いために、パラジウムの電気メッキには、大抵、水
素の発生を伴う。電気メ、キバラジウム被膜中への水素
の取込みは、電気メッキパラジウムの特性劣化の原因で
あることが判明した。

実際、多くのパラジウム電気メッキ方法は、メッキ電位
を入念にコントロールすることができ、これにより水素
発生電位を避けることができるような実験室条件下では
ト分に上手く行オ）れるものと思われる。このような条
件下におけるメッキ速度は低い。しかし、商業的なメッ
キ条件下では、使用されるメッキ電位は正確にコントロ
ールされないか、または、電気メッキ中に水素の発生を
引き起こすメッキ電位を必要とする高いメッキ速度のた
めに、これらのメッキ方法は信頼性のないことが判明し
た。

パラジウム重置メッキ技術における大きな進歩は、特定
のパラジウム錯体イオンが水素発生電位と著しくかけ離
れた電気メッキ電位を示すという発見により為された。

錯生成剤は特定の脂肪族ポリアミン類であり、ｌ、３−
ジアミノプロパンにより最良の結果が得られた。これら
の一連の研究成果は米国特許第４４８８２７４号明細δ
に記載されている。

この発見はパラジウム電気メッキにおいて多大な商業的
な成果を導いた。この方法は、電気的コネクタのような
各押の装置の電気接点表面に一般的にパラジウムをメッ
キするのに米［ｉ４の他、１１（界中で広く使用されて
いる。これは、従来の金接点表面を必要とする用途で−
・膜内に使用され、しかも、金に比べて安価であり、か
つパラジウムの低密度のために、かなりのコスト削減を
果たしている。別の発展的研究の成果は、米円特苧１第
４４６８２９６号明細、Ｊ（パラジウム電気メッキ方法
川の補充化合物）および米国特許第４４９３７５４号明
細書（パラジウム電気メッキ方法で使用するための狛特
な電極構造物）などの文献に開示されている。大抵の場
合、接点表血のパラジウム被膜は・耐摩耗性および接触
特性を改善するために、極めて薄い金の被膜で被膜され
ている。

脂肪族アミン類を用いるパラジウム電気メッキ方法の成
功により、電気メッキ方法および電気メッキされたパラ
ジウムの特性の一層の改善が望まれるようになった。特
に、パラジウム電気メッキ種の選択に関する広範な融通
性はそのままにして、パラジウム電気メッキ方法のコス
ト削減が望まれる。また、特に比較的厚い被膜について
は、電気メッキパラジウムの高い延性と付着力が望まれ
る。

パラジウムおよびパラジウム合金のこのような厚い被膜
は、高耐岸耗性が必要とされる装置について特に有用で
あろう。様々な用途について、２５μｍ以上の厚さが望
ましい。

更に、水素の発生により悪影響を受けない不活性なパラ
ジウム合金物質が特に望ましい。このような物質によれ
ば、高電気メッキ速度であっても電気メッキは容易であ
り、十分な延性と厚さを有りる？ｔｆ気メツメッキ被膜
成する。従って、このような物ｆｌ（は電鋳方法により
製品を製造するのに有用である。

米田特許第４４８７６８５号明細と１米円特許第４４９
１５０７号明細書、米国特許第４５４５８６９号明細書
などの各種文献にパラジウム電気メッキ方法が開示され
ている。米国特許第４６２２１１０号明細と、米国特許
第４５５２６２８号明細啄および米国特許第４８２８１
６５号明細書に開示されているような多数のパラジウム
電気メッキ方法では、パラジウム源としてパラジウム−
テトラアミン錯体が使用されている。

［課題を解決するための手段］ 本発明はバラジーラム源と砒素源を含む電気メッキ浴中
でパラジウム−砒素合金を電気メッキする方法を提供す
る。本発明を実施するのに、様々な挿類のパラジウム源
と砒素源を使用することができる。２８類の好都合なパ
ラジウム源はパラジウムと１．３−ジアミノプロパンま
たはアンモニアとの錯体である。好都合な砒素源はＡｓ
２Ｏ，３およびＡｓ２Ｏ５である。パラジウム錯体イオ
ンは、内方のパラジウム源とも、約ｏ、ｏｏｏｏｔモル
〜飽和濃度までの広い範囲にわたって変化することがで
き、また、砒素錯体イオンは０．０１〜０゜１モルの範
囲内で変化することができる。必要に応じて、界面活性
剤、光沢剤およびメッキ溶液のｐＨを維持するための緩
衝剤のような各種の添加剤などのその他の成分を電気メ
ッキ浴に含有させることもできる。本発明の方法によれ
ば、被膜が非常に厚くても、付着力が高く、ｍ裂が蝿＜
、かつ、高延性の優れた電気メッキ被膜が得られる。

また、本発明の方法によれば、電鋳方法により無支柱物
品（例えば、ベロー）を製造すると優れた結果が得られ
る。

［実施例］ 本発明は、パラジウム源と砒素源を含有する水性浴から
金属物質を電気メッキすると、４延性でｍ裂がなく、シ
かも、高付着力を有し、かなりの厚さ（例えば、１０μ
ｍ以上）にまで電気メッキされたとしてもこれらの特性
を失わない、パラジウムと砒素からなる金属被膜が得ら
れるという知見に）＾づく。史に、電気メッキされた金
属物質は４００以上のヌープ硬さ（ＫＨＮ）を有する極
めて硬質なものである。この金属被膜はパラジウムと砒
素の合金であると思われる。この金属被膜は電鋳方法に
よりベローのような無支柱物品を製造するのにイｆ用な
十分に高い延性と強度を示す。電気メッキされた金属被
膜の特性に悪影響を及ぼすことなく、極めて高いメッキ
速度（例えば、カソードで３００，５００または１００
ＯＡＳＦ以上）を使用できる。電気メッキされたパラジ
ウム−砒素合金の桁外れに優れた特性の原因は完全に解
明されていないが、これらの電気メッキされた物質の特
性に水素が悪影響を及ぼさないことが一因と思われる。

メッキ浴に相溶性であれば、各種のパラジウム化合物を
本発明の電気メッキ方法におけるパラジウム源として使
用することができる。特に＜ｆ川なパラジウム化合物は
、錯生成剤としてアンモニアを有するパラジウム錯体イ
オン化合物、例えば、Ｐｄ　ＣＮＨａ　）２　Ｃ７０お
よびこれらの対応する臭化物およびヨウ化物などである
。また、Ｐｄ（ＮＨａ　）／１１　Ｃ７０およびこれら
の対応する臭化物およびヨウ化物などのようなパラジウ
ムテトラアミン塩類も有用である。硫酸塩などのような
その他の安定なアニオン類も使用できる。錯生成剤がア
ミンのような有機化合物（米国特許第４４８６２７４号
明細書参照）であるパラジウム錯体も有用である。ｌ、
３−ジアミノプロパンにより優れた結果が得られる。有
機アミンおよびポリアミンなどのような各種の有機化合
物で錯化したパラジウム水酸化物およびアンモニアで錯
化したパラジウム水酸化物（例えば、ジ−μｍヒドロキ
ソ−ビス−［シス−ジアミンパラジウム（ＩＩ）　］ジ
ヒドロキサイド）のようなパラジウム錯体水酸化物もパ
ラジウム源として有用である。ＰｄＣＪｚおよび対応す
る臭化物ならびにヨウ化物、Ｐｄ５ＯＱ。

Ｐｄ　ＣＮ０ａ　）２などのような各種の単純なパラジ
ウム化合物も使用できる。

広い７６度範囲のパラジウム源および砒素源を使用する
ことにより優れた結果を得ることができる。

他室４−１数種類の浸出な浴導電率を使用すべきである
。この導電率は一般的に、０　、００１　ｗｈｏ−ｃｍ
よりも高い。パラジウム錯体イオンはｏ、ｏｏｏ。

５モルから飽和濃度までの範囲内で変化させることがで
きる。優れた結果は０．００５モル〜１゜０モルの範囲
内の濃度で得られる。０．０５〜０゜３モルの濃度範囲
が最も好ましい。濃度が低すぎると頻繁に補充しなけれ
ばならない。一方、濃度が高すぎるとすくい出しにより
パラジウムの損失が増大する。パラジウム源が錯体パラ
ジウムイオンである場合、過剰量の錯生成剤がしばしば
使用される。過剰量の錯生成剤の濃度は一般的に、パラ
ジウムのモル濃度の約０．５〜３０倍の範囲内である。

パラジウムが１，３−ジアミノプロパンで錯化されてい
る場合、パラジウム錯体０．０８モルと０．７モルの過
剰錯生成剤により優れた結果が得られる。

本発明の電気メッキ方法と親和性があり、かつ、メッキ
浴に易溶解性であれば、全ての砒素源を使用できる。代
表的な砒素源はＡｓ２Ｑｓ、Ａｓ２０ｓｓ　ＫＨ２ＡＳ
Ｏ／１１％　Ｋ２　ＨＡＳＯ／１１、Ｋａ　Ａｓ０Ｑｓ
　ＮａＨ２ＡＳＯ４ｓＮａ２　ＨＡｓ０４ｖ　Ｎａ３　
ＡＳＯＪ　Ｋ３　ＡＳＯＪ、ＫＡＳＯ２、Ｎａａ　ＡＳ
ＯＪ　、ＮａＡｓ０ｚおよびＮａ４　Ａｓ２０７などで
ある。その他の砒素化合物も有用である。Ａｓ２Ｑｓお
よびＡｓ２Ｑｓが好ましい。メッキ洛中に砒素を混和さ
せる好都合な方法は濃水酸化カリウムまたは水酸化ナト
リウム溶液にＡｓ２Ｑｓを溶解することにより砒酸のア
ルカリ金属塩を生成し、この溶液を電気メッキ浴に添加
することからなる。

メッキ浴中の砒素の濃度は、例えば、１，３−ジアミノ
プロパンでの極めて広い範囲にわたって変化することが
できる。０．０００５〜０．５モルの範囲内の濃度で優
れた結果が得られる。０．０１〜０．１モルの範囲内の
濃度で最良の結果が得られる。大抵の場合、パラジウム
対砒素のモル比をメッキ溶液からメッキされる物質のモ
ル比とほぼ同等に維持することが挿めて好ましい。これ
らの条件下では、電気メッキ塔中のパラジウム対砒素の
モル比は電気メッキ処理の全体を通して−・定に維持す
る。例えば、メッキされた物質のモル組成が砒素２０％
でパラジウムが８０％の場合、洛中のパラジウム対砒素
のモル比は２〜６、好ましくは４であることが奸ましい
。この合金は極めて硬質であり、４００以上のヌープ硬
さ（ＫＨＮ）を有する。

溶解外の観点から、７超のｐＨ，−膜内に、８〜１３．
５、好ましくは、１０−１２．５の範囲内のｐＨを有す
ることが好ましい。水酸化カリウムまたは水酸化ナトリ
ウムのようなアルカリ金属水酸化物を添加することによ
りｐＨは容易に調節できる。

所望により、追加物質を電気メッキ浴に添加し、電気メ
ッキ物質の品質を改善したり、ｐＨをコントロールした
り、メッキ浴の導電率を高めたりすることができる。例
えば、界面活性剤およ光沢剤の両方を電気メッキ浴に添
加することができる。

本発明で有用な代表的な界面活性剤は、４〜３５個の炭
素原子を有する脂肪族４級アンモニウム塩類である。炭
素原子８〜１８個の鎖長を有する脂肪族直鎖トリメチル
アンモニウムクロリドが好ましい。−層好ましい界面活
性剤は、炭素原子１１〜１３個の鎖長の４級塩（例えば
、ウンデシルトリメチルアンモニｅンムクロリド、ドデ
シルトリメチルアンモニウムクロリドおよびトリデシル
トリメチルアンモニウムクロリド）である。ドデシルト
リメチルアンモニウムクロリドが最も好ましい。

界面活性剤の濃度は極めて広い範囲にわたって変化させ
ることができる。−膜内な濃度範囲は０゜０００２モル
〜０．４モルであり、０．００４モル〜０．０２モルの
範囲内が好ましい。界面活性剤の濃度が低すぎると、所
期の効果（例えば、湿潤剤としてカソードから気泡を除
去する；−層均一なメッキを行わせる；および、光沢剤
を分配する）が制限される。−ｈ１濃度が高すぎると、
時により、メッキ浴の発泡、界面活性剤の相分離または
光沢剤の効果低減などを起こすことがある。

本発明を実施する際、各種の光沢剤を使用することもで
きる。本発明を実施するのに有用な光沢剤は大抵、硫苦
含有有機酸およびその塩知である。

代表例は、０−ベンズアルデヒドスルホン酸、ｌ−ナフ
タレンスルホン酸、２−す７タレンスルホン酸、ベンゼ
ンスルフィン酸、オキシ−４，４−ビス（ベンゼン）ス
ルフィン酸、ｐ−トルエンスルフィン スルフィン ニ４Ｔ　用すその他の光沢剤は、アリルフェニルスルホ
・ン、〇−安息香酸スルファミド、ベンジルスルホニル
プロピオンアミド、フェニルスルホニルアセトアミド、
３−（フェニルスルホニル）プロピオンアミド、ベンゼ
ンスルホンアミド、ビス（フェニルスルホニル）メタン
、グアニジンカーボネート、スルファグアニジンおよび
ニコチン酸などテアル。奸ましい光沢剤は、ベンゼンス
ルフィン酸、３−トリフルオロメチルベンゼンスルフィ
ン酸およびアリルフェニルスルホンである。アリルフェ
ニルスルホンが最も好ましい。光沢剤の濃度が低すぎる
と時として、メッキ被膜の光沢が不良になり、一方、濃
度が高すぎると、メッキ被膜に縞が発生することがある
。光沢剤の濃度は掬めて広い範囲にわたって変化するこ
とができる。例えば、１，３−ジアミノプロパンでの範
囲内で変化することができる。０．００５〜０．　２モ
ルが好ましい。０．０１〜０．０５モルが最も好ましい
。

最も好ましい態様は、界面活性剤としてドデシルトリメ
チルアンモニウムクロリドと光沢剤としてアリルフェニ
ルスルホンを、界面活性剤は０。

０１モルの濃度で、光沢剤は０．０３モルの濃度で併用
することである。

緩衝剤を使用し、メッキ浴のｐＨをコントロールし、同
時に、メッキ浴の導電率を高めることもできる。所望の
ｐＨおよび本発明のメッキ方法と矛盾しない緩衝剤なら
ば全て使用できる。本発明で好ましいｐＨ値川用代表的
な緩衝剤はホスフェート系緩衝剤（例えば、ＨＰＯｑ２
−イオン）である。−膜内な濃度は０．０１〜２．０モ
ルであり、０．５±０．２モルが好ましい。ｐＨは通常
、酸（例えば、塩酸または燐酸）または塩基（例えば、
アンモニア水または水酸化カリウム）を添加することに
より調整される。導電外環（塩化アンモニウム）を添加
し、電気メッキ浴の導電率を高めることもできる。

本発明の電気メッキ方法を実施する温度は極めて広い範
囲にわたって変化することができる。例えば、電気メッ
キ浴の凍結点から浴の沸点までの範囲にわたって変化す
ることができる。成る場合には、室温付近の温度が都合
よく使用されるが、通常は、室温よりも高い温度（例え
ば、３５〜６０℃）が使用され、浴成分の溶解度を高め
、これにより−Ｈ高いメッキ速度と一層均質なメッキを
１−ＩＪ能にする。好ましい電気メッキ温度は約５５℃
である。

以ド、具体例により本発明を例証する。

Ｌ血鮭上 Ｐｄ　（ＮＨＪ　）ｑ　ＣＪ２２　０．０８モル、ＡＳ
２０ａ　０．０５モルおよびに２　ＨＰＯ４０−０１モ
ルを使用し、水Ｉ＃Ｌ電気メ、フキ浴を調製した。

このメッキ溶液は界面活性剤（ドデシルトリメチルアン
モニウムクロリド）０．０１モルと光沢剤（アリルフェ
ニルスルホン＞０．０３モルｆａ：　含４’Ｉ’してい
た。このメッキ浴の導電率はｌ　Ｏ−３ｍｈａｃｍであ
った。導電外表面（例えば、銅、ニッケル、パラジウム
などのような金属表面）に電気メ・ンキすることにより
優れた結果が得られた。

Ｌ息旌４ Ｐｄ　（ＮＨ，？　）ｔｔ　ＣＮ１２の代わりに、Ｐｄ
　（ＮＨ３）ｑＢｒ２、ｐｃｔ　（ＮＨ３）ｑＩ２、Ｐ
ｄ　ＣＮＨａ　）　ｔｔ　ＳＯ／Ｊ　、　Ｐｄ　（ＮＨ
Ｊ　）　ｔｔ　（Ｎ０３）２、Ｐｄ　（ＮＨＪ）２　Ｃ
Ｎ２および対応する臭化物、ヨウ化物、硫酸塩、硝酸塩
、ならびに、１、３−ジアミノプロパン、ｌ、２−ジア
ミノプロパン、ジエチレントリアミン、１，４−ジアミ
ノブタン、１，６−ジアミツヘキサン、Ｎ、Ｎ’−’）
ｆｉｓル−１，３−プロパンジアミン、Ｎ、Ｎ。

Ｎ’、Ｎ’−テトラメチル−エチレンジアミン、および
エチレンジアミンのようなイ「機アミン類で錯化された
パラジウムをパラジウム源として使用し、父施例１と同
じメッキ浴を用いて優れた結果が得られた。

Ｌ直肚よ パラジウム源を、０．００００５モル、０．０００５モ
ル、０．００５モル、０．３モル、１゜０モルおよび飽
和濃度で用いたこと以外は実施例１と同様に実施した。

丈撫立」１ 砒素源として、Ａｓ２０５．ＫＨ２Ａｓ０４　。

Ｋ２　ＨＡＳＯ４，Ｋａ　Ａｓ１ａｓ ＮａＨｚ　ＡＳＯ４ｓ　Ｎａ２ＨＡＳＯ／／　。

Ｎａａ　Ａｓ１３ＫＪ　Ａｓ０３、ＫＡｓＯ２、Ｎａ３
　Ａｓ０３、−ＮａＡｓ０２およびＮａ４　ＡＳ２０７
を使用したこと以外は実施例１と同様なメッキ浴により
優れた結果が得られた。

実ＪＩＵ残１− 砒素源を、０．００００５モル、０．０００５モル、０
．０１モル、０．１モル、０．５モルおよび飽和濃度で
使用したこと以外は実地例１と同様に実施した。

Ｌ胤旌止 炭素原子８〜１８個の鎖長の脂肪族直釦トリメチルアン
モニウムクロリド類からなる群から選択される界面活性
剤により優れた結果が得られた。

夫丑律１Ｌ 界面活性剤を、０．０００２モル、０．００４モル、０
．０１モル、０．０２モル、０．４モルおよび飽和濃度
で使用し、優れた結果が得られた。

Ｌ息銖走 ０−ベンズアルデヒドスルホン レンスルホン酸、２−ナフタレンスルホン酸、ベンゼン
スルフィン酸、オキシ−４．４−ビス（ベンゼン）スル
フィン酸、ｐ−トルエンスルフィン酸および３−トリフ
ルオロメチルベンゼンスルフィン酸、アリルフェニルス
ルホン、ｏ　−安息香ｆｍスルファミド、ベンジルスル
ホニルプロピオンアミドフェニルスルホニル ンスルホンアミド、ビス（フェニルスルホニルメタン、
グアニジンカーボネート、スルファグアニジンおよびニ
コチン酸などの各種の光沢剤化合物を使用し、優れた結
果が得られた。

実１処ｊ− 光沢剤を、０．００００５モル、０．００５モル、０．
０１モル、０．０３モル、０．０５モル０、２モルおよ
び飽和濃度で使用し、優れた結果を得た。

１１１ｍカー ｐＨを６．０、？．０，７．５、８．０．８。

５、９．０１　１０．０，１１．０，１１．５、１２、
０，１３．０および１３．５に調節したこと以外は実施
例１と同様に実施した。

本発明の電気メッキ方法はエツジカードコネクタを製造
するのに特に奸適である。厚さが２．５〜５μｍおよび
これ以−１−であっても、光沢に優れ、ｒ０裂がなく、
優れた延ｔ’ｌと付青力を斥す電気メッキ被膜が得られ
る。特に比較的厚いメッキ被膜が必要な場合（リレー用
接点、電気プラグなど）、その他の電気接点表面も本発
明により好適に製造できる。大抵、パラジウム−砒素被
膜の最表面に薄い金の被膜が積層され、耐岸耗性を改ぷ
すると共に、電気的性能も改善する。

電着被膜は１７＜形成することができ、しかも、電着波
膜は好都合な物虹と化学的性質ををするので、本発明の
電気メッキ方法は様々な電鋳方法においても都合よく使
用される。電鋳において、パラジウム−砒素合金はモー
ルドおよびマンドレルに被着され、その後、この合金は
モールドおよびマンドレルから分離される。１９７８年
にマグロ−ヒル出版から発行された、エフ・ニー・レー
ベンハイム（Ｆ、Ａ、Ｌｏｗｅｎｈｅｉ■）の“電気メ
ッキにおける電鋳”の第２０αなど様々な文献に電鋳方
法は記載されている。

レコードマスター、スタンパ−、エンボスプレート、薄
肉製品（例えば、フォイル）、シート、細目スクリーン
、シームレス管、ハイドロホン装置用ベロー、ゴムおよ
びプラスチック用のモールドとダイなどのような各種の
製品も電鋳方法により都合よく製造される。特に好都合
なことは、高度な化７′的安定姓と耐蘂品姓と共に、硬
さ、延性、柔軟性などのような優れた冶金特性を併せ持
つことである。

［発明の効果］ 以−［−説明したように、本発明の電気メンキ方法によ
れば、パラジウム源と砒素源を含有する水４７１名から
金属物質を電気メッキすると、高延性でｍ裂がなく、シ
かも、高付着力を有し、かなりの厚さ（例えば、１０μ
ｍ以上）にまで電気メッキされたとしてもこれらの特外
を失わない、パラジウムと砒素からなる金属被膜が得ら
れる。

出頭人：アメリカン　テレフＡン　アンドテレグラフ　
カムパニ−

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. （１）表面上に金属物質を電気メッキする方法であり、
   該金属物質はパラジウムと砒素からなり、前記方法はカ
   ソードからメッキ浴およびアノードに電流を流すことか
   らなり、該アノードは金属物質を電気メッキするのに十
   分な大きさのカソード電位を有し、前記電気メッキ浴は
   パラジウム源と砒素源からなり、１０＾−＾３ｍｈｏ−
   ｃｍ超の導電率と７超のｐＨを有し、そして、パラジウ
   ム源は、アンモニアおよび有機アミンからなる群から選
   択される少なくとも１種類の錯生成剤を有するパラジウ
   ム錯体イオンからなる電気メッキ方法であって、砒素源
   は電気メッキ浴中の砒素の濃度が０．０１モル〜０．１
   モルの範囲内になるように供給されることを特徴とする
   電気メッキ方法。
2. （２）砒素源はＡｓ＿２Ｏ＿３、Ａｓ＿２Ｏ＿５、Ｎａ
   Ｈ＿２ＡｓＯ＿４、Ｎａ＿２ＨＡｓＯ＿４、Ｎａ＿３Ａ
   ｓＯ＿３、Ｋ＿３ＡｓＯ＿３、ＫＡｓＯ＿２、Ｎａ＿３
   ＡｓＯ＿３、ＮａＡｓＯ＿２およびＮａ＿４Ａｓ＿２Ｏ
   ＿７からなる群から選択される請求項１記載の電気メッ
   キ方法。
3. （３）砒素源はＡｓ＿２Ｏ＿３およびＡｓ＿２Ｏ＿５か
   らなる群から選択される請求項１記載の電気メッキ方法
   。
4. （４）前記有機アミンは脂肪族ポリアミンである請求項
   １記載の電気メッキ方法。
5. （５）脂肪族ポリアミンはジアミノプロパン（１，３−
   ジアミノプロパンを含む）、１，４−ジアミノブタン、
   １，６−ジアミノヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テト
   ラメチル−エチレンジアミン、および２−ヒドロキシ−
   １，３−ジアミノプロパンから選択される少なくとも１
   種類のポリアミンである請求項４記載の電気メッキ方法
   。
6. （６）パラジウム錯体イオンは１，３−ジアミノプロパ
   ンで錯化されたパラジウムである請求項４または５記載
   の電気メッキ方法。
7. （７）パラジウム源の濃度は０．００００５モルから飽
   和濃度までの範囲にわたる請求項１記載の電気メッキ方
   法。
8. （８）パラジウム源の濃度は０．０５モルから０．３モ
   ルまでの範囲にわたる請求項７記載の電気メッキ方法。
9. （９）メッキ浴中におけるパラジウム対砒素の比率は２
   〜６の範囲にわたる請求項１記載の電気メッキ方法。
10. （１０）電気メッキ浴は、パラジウム源と砒素源の他に
    、界面活性剤と光沢剤を含む請求項１記載の電気メッキ
    方法。
11. （１１）電気メッキ浴は、パラジウム源と砒素源の他に
    、緩衝剤を含む請求項１記載の電気メッキ方法。
12. （１２）緩衝剤はホスフェートからなる請求項１１記載
    の電気メッキ方法。
13. （１３）製品は電鋳法により製造される請求項１記載の
    電気メッキ方法。