JPH0389183A - 水蒸気圧力発生装置 - Google Patents

水蒸気圧力発生装置

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JPH0389183A
JPH0389183A JP1224400A JP22440089A JPH0389183A JP H0389183 A JPH0389183 A JP H0389183A JP 1224400 A JP1224400 A JP 1224400A JP 22440089 A JP22440089 A JP 22440089A JP H0389183 A JPH0389183 A JP H0389183A
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Yoshiki Matsuura
良樹 松浦
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は電子機器、電子部品・材料の耐湿寿命試験に用
いる不飽和型高温高湿試験槽、またはプレッシャ・クツ
カー・テスト(Pressure CookerTes
t)槽に関する。
[従来の技術] 不飽和型高温高温試験またはプレッシャ・クツカー・テ
スト(以下PCTと略称する)は、LSI。
抵抗器、コンデンサ等樹脂パッヶジーの電子部品、その
ための樹脂材、それら電子部品を搭載したプリント板、
モジュール、アッセンブリの耐湿寿命試験として多く用
いられる。
PCTは、例えば温度121℃、相対湿度85%の温湿
度環境を容器内に作り、その容器内に置いた試料に、常
温常温よりもできるだけ高い圧力で水蒸気を圧入して試
料の劣化を加速する。その加速係数は、通常の高温高湿
試験、例えば85℃、85%RHの環境に対して約6.
35倍になった例がある。(ICの例。「ブレシャー・
クツカー・テストに関する文献調査報告書j p、79
、昭和62年7月社団法人関西電子工業振興センター信
頼性分科会発行 参照) 加速係数を6.35とすれば
、85℃、85%RH(7)環境下テ1,000時間要
した試験が158時間で済み、これら電子機器、電子部
品・材料の開発、改良のための期間、コストを大幅に縮
小できる。相対湿度100%の飽和型PcTも多く用い
られているが、装置が簡単な代わりに試料が濡れるため
に、劣化モードが一般の高温高温試験の結果と異なるこ
と、試験中に試料に通電出来ないことのために、現在で
は不飽和PCTがより多く用いられる傾向にある。本発
明は不飽和PCTの装置に関する。
次に不飽和型PCT装置の従来例を説明する。
第1図は一槽式と通称されている不飽和型PCT装置の
例である。圧力容器上の底部に水30を入れ、加熱ヒー
タ32で所定温度に加熱すると、その温度に対応する飽
和水蒸気圧かえられ、すのこ28の上の試料に飽和水蒸
気雰囲気を与えることができる。外壁加熱ヒータ26は
、圧力容器上の内壁に結露して水滴が試料上に落下しな
いように壁面温度を容器内温度以上に加熱するのに用い
る。この場合、試料周辺(A部)を覆う試料収納部22
0を設け、その内部を収納部ヒータ27で加熱し、水3
0の温度で調整の前記飽和水蒸気圧温度以上の温度にす
ることにより、A部を不飽和水蒸気雰囲気とすることが
できる。
第2図は同じく一槽式の不飽和型PCT装置で空調式と
呼ばれる方式の例である。試料周辺の雰囲気をファンに
より強制的に均一としている。圧力容器上の底部に水3
4を入れ、加湿ヒータ38により所定温度に加熱して飽
和水蒸気雰囲気をつくることができる。この場合、試料
周辺(B部)を覆う内槽42を設け、加熱ヒータ4oで
加熱した前記飽和水蒸気をファン46で吹き込み、B部
を不飽和水蒸気雰囲気とする。ファン46は圧力容器3
00の外部に配設のモータ44により磁気カップリング
で駆動される。B部を通過した水蒸気流は、内槽42と
圧力容器上の内壁との間を還流し、再び加湿・加熱され
てB部に供給される。外壁加熱ヒータ36は第1図の例
と同様に結露防止用として用いられる。
第3図は二槽式と通称される不飽和型PCT装置の例で
ある。恒温槽伍の中に圧力容器■を収納し、槽外に蒸気
発生槽用を設けである。蒸気発生槽世中の水48は、加
湿ヒータ5oにより、飽和水蒸気として圧力容器川内C
部に供給される。この飽和水蒸気を恒温槽伍の加熱ヒー
タ54と補助ヒータUとにより、圧力容器用の外部より
加熱し0部を不飽和水蒸気雰囲気とすることができる。
試料は、0部に圧力容器440の内壁から距離をおいて
配設のすのこ60上におく。モータ56とファン58は
、恒温槽400の内部温度分布の均一化に用いる。
以上の従来例の特徴をまとめると、第2図の空調式は第
1図の例と比較して、内槽の試料収納部の容積を大きく
でき、温湿度分布の均一化が容易である。第3図の二槽
式は第1図の例と比較して、温度と湿度を個々に容易に
調節することができる。
[発明が解決しようとする課題] 上述のように、PCTは高温高温試験時間を大幅に短縮
でき、電子部品の封止樹脂の耐湿性向上、LSI内部配
線のマイグレーション対策、半田付けの劣化対策等に効
果を発揮した。(前記参考文献参照)しかし反面、不飽
和型PCT装置は、その有効性が知られているほどには
普及していない。その原因として、■試験結果の再現性
が他の高温高湿試験(例えば85℃、85%RH試験)
と比較して良くない。■装置が恒温恒温槽と比較すると
割高である、等が上げられる。
第■項の再現性の問題は、試験の立上り、中断、終了時
に試料が置かれる過渡的温湿度条件を一定にできにくい
ことと、加湿水の純度維持と汚染防止に関係する。過渡
的温湿度条件を一定にすることは、不飽和型PCT装置
外で試料の外観検査や精密特性測定を行なう際、雰囲気
条件とそれに曝露される時間を一定にしにくいことに大
きく制限を受ける。すなわち、PCT型装置以外の要因
が大きい。一方、加湿水の純度維持と汚染防止は高温高
湿試験共通の問題であるが、PCTは特に過酷な高温高
温条件を設定するので、槽壁と槽内部材より不純物イオ
ンを析出し易い。しがもその不純物イオンが試料の劣化
に大きく関係するにも拘らず、第1図、第2図、第3図
の例のように槽が二重であって洗浄しにくい構造となっ
ていることに原因がある。
第■項の装置が高価である原因として、同じく槽が二重
であること、ヒータを3か所以上に配置していることが
上げられる。
本発明はこのような不飽和型PCT装置に関する従来技
術の欠点を解消し、試験槽内が容易に洗浄でき、かつ廉
価な水蒸気圧力発生装置を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 本発明による水蒸気圧力発生装置は、水蒸気を発生させ
る手段として、局部的に加熱した容器の壁の一部、また
は容器内に配設した加熱板上に水滴を滴下させ、その滴
下量を加減することにより容器内の水蒸気圧力を調節す
ることを特徴とする。
[作 用] 本発明によれば、不飽和水蒸気発生を容器の壁面、また
は容器内に配設の加熱板上で行なうので、二重槽構造を
廃することができ、また水蒸気圧力を間欠滴下水量で調
節するので構造を簡単にでき、洗浄が容易で廉価な水蒸
気圧力発生装置を提供することができる。
[実施例] 次に添付図面を参照して本発明による水蒸気圧力発生装
置の実施例を詳細に説明する。
第4図は本発明の水蒸気圧力発生装置の一実施例を示す
原理図である。試験槽上の中間空間に貯水槽IOを支持
具(図示せず)で固定し、水18を入れる。この水18
は、貯水槽IOに設けた弁12と連結の弁支持棒14を
一定時間持ち上げることにより、貯水槽lOの底部の滴
下穴16を通って試験槽100底部H点に落下する。底
部Hはヒータ24であらかじめ加熱されており、滴下し
た水は直ちに気化がはじまって、圧力センサ20で検知
される試験槽層内圧力は上昇する。この圧力センサ20
の出力が圧力調節計(図示せず)の設定値に達しないと
、再び弁支持棒14を持ち上げて弁12を開き、滴下穴
16より底部Hに水滴を滴下させる。同様にして、圧力
センサ20の出力が圧力調節計の設定値に達するまで水
滴滴下と気化を繰り返す。ここで、ヒータ24はヒータ
22と共に試験槽100の内部温度調節にも用いられ、
主として微細温度調節用として、通常PIDの動作によ
る0N−OFF通電が行なわれている。従ってヒータ2
4には、試験槽iooの内部の温度調節動作に影響を与
えない程度の発熱通電を、常時続けるか水滴滴下時のみ
行なうようプログラムする。
第5図は水滴滴下時のみヒータ24をONとした時のシ
ーケンスである。試験槽■の内部圧力が設定値p1から
下限制御値p2に下がった時点toでヒータ24はON
となり、試験槽100の底部Hが充分加熱される時間t
2後に弁12がt3の時間開き、t4の時間開じる。こ
のデユティサイクルによる弁の開閉が何回か続き、内部
圧力が設定値p1に達した時点t、、でヒータ24はO
FFとなる。弁12の開閉動作はt、、よりtゎ早い時
点で終了する。ここで、弁12の開閉時間js、j、<
および−回ごとの滴下量は試験槽上の大きさ、槽内温度
、底部Hの温度、貯水槽IOから直接蒸発する水18の
量等、温・湿度調節系全体を勘案して事前に設定する。
更に、第6図により槽内圧力調節機構を中心として、実
施例を詳細に説明する。第6図の各部記号は、同一動作
目的の部品、部分について第4図の各部記号と同一にし
である。圧力センサ20により検出した槽内圧力は圧力
電気信号レベルpoとして圧力比較器72に入る。圧力
比較器72は設定値p+と比較する工回路と、下限制御
値p2と比較する■回路とからなる。先ずp0≦p2で
あると、■回路からON信号がヒータ制御回路80に送
られ、ヒータ24が通電する。同時に■回路からのON
信号が遅延回路74に入り、ヒータ24が充分加熱され
た時間後、更にこの遅延回路74からON信号が電磁石
駆動回路76に送る。電磁石駆動回路76がONすると
、電流パルス列が電磁石62に印加される。
電磁石62は試験槽±の外部に突出部を形成する試験槽
突出部上の先端外壁に装着されており、磁力線がステン
レスの外壁を貫通して試験槽突出部上の内部に及ぶ。試
験槽突出部■の内部には、電磁石62と対応する内壁面
eよりやや離れて自由にほぼ一軸方向に可動状態に内挿
された磁性感応体の弁駆動棒64があり、磁力線により
dの方向に引きつけられる。弁駆動棒64のd方向と反
対の一端は試験槽↓本体中に突出しており、その先端は
弁駆動板68を介して、先端に弁12をもつ弁支持棒1
4と連結している。弁駆動板68は貯水槽lOとも弁駆
動板支持部66を介して連結している。弁駆動板68は
、弁駆動棒64との連結部C点、弁支持棒14との連結
部a点、弁駆動板支持部66との連結部す点の3点で、
本紙面と同一面で回転可能である。したがって、電磁石
62により弁駆動棒64がd方向e点に引き付けられる
と、弁駆動板68は点すを軸としてf方向に回転し、弁
支持棒14と弁12はg方向に持ち上げられ、滴下穴1
6より水18がヒータ24と対応する試験槽■内部底面
H点に滴下し蒸発する。電磁石駆動回路76から電磁石
62に送出する電流は、第5図で説明したように短時間
の0N−OFFを繰り返すが、OFF時、弁駆動棒64
はe点での吸着が解放されるので、弁12と弁支持棒1
4は自重で落下し、滴下穴16が弁12で閉塞して滴下
が中断する。
滴下と蒸発が断続的に繰り返されて、試験槽100内の
圧力が上昇し、圧力センサ20からの圧力電気信号レベ
ルpoがp。≧p+(p+=設定値)となると、圧力比
較器72の工回路からOFF信号が電磁石駆動回路76
に直接送られ、電流パルス列の送出を終了する。一方、
工回路からOFF信号は遅延回路78に送られ、試験槽
迩底部Hの水滴が充分蒸発する時間後、さらに遅延回路
78かものOFF信号がヒータ制御回路80に送られ、
ヒータ24の通電を終了させる。
試料は金網82上におくが、試験槽100内の温度分布
を厳密に問題とする場合には、温度センサ70のリード
を延長して容易に試料近傍におくことができる。圧力セ
ンサ20による検出圧力は試験槽100内同−であるの
で、試料の置かれているD部雰囲気の温・湿度条件を正
確に設定・測定することができる。
貯水槽lOは、上部を一部または全部開放することによ
り、水18の自然蒸発を促進し、試験槽100内の水蒸
気圧の一部を構成・バイアスし、残る水蒸気圧をH部で
の水滴蒸発で微細に調整することができる。
また試験槽■は、内部水蒸気圧を維持するための水18
の量が充分で、滴下・蒸発速度も充分であるならば、完
全な密閉構造である必要はなく、若干の水蒸気の漏れは
許容できる。
試験槽100内壁および、その内部に装着されている圧
力センサ20の接圧部、金網82、温度センサ70の保
護管、弁駆動棒64、弁駆動板68、弁支持棒14、弁
12、貯水槽lO1弁駆動板支持部66、は全てステン
レスで構成できるので、腐食に強い上、不純物の水蒸気
または加湿水への析出を抑制できる。さらに、試験槽1
00内部の構造が簡単であるので、洗浄が容易であり、
試料に付着していた汚染物質が槽内に残留するのを防止
できる。
第7図は本発明の他の実施例である。第6図と同一機能
部分の図示は省略しである。また共通部分の記号は第6
図と同一としである。第6図の実施例では、水の滴下調
整に外部電磁石による弁の遠隔操作を応用しているが、
第7図の実施例では、気体、液体の圧力伝送による弁の
開閉を行なう。 弁支持棒14の上部に耐食性ベローズ
86が搭載されており、その上端がベローズ固定具88
で貯水槽lOに固定されている。ベローズ86内には気
体または液体が封入されており、バイブ90でその圧力
が試験槽上の外部に導出されている。今、電磁石駆動回
路76から電流パルスが電流パルス・圧力変換器92に
送られると、ベローズ86とバイブ9゜の内部圧力がp
3からp4となる。電流パルスの印加されない状態にな
るとpsに復帰する。p3は弁12が滴下穴16を閉め
るのに充分なベローズ86の伸長した状態を作る圧力で
あり、p4は同じく滴下穴16を開けるのに充分なベロ
ーズ86の収縮状態を作る圧力である。したつがって、
電流パルスが電流パルス・圧力変換器92に印加される
と、滴下穴12が開いて水18の滴下が始まり、印加が
中断すると水18の滴下も中断する。
第4図、第6図の実施例では、試験槽±の内壁の一部の
加熱部に水滴を滴下したが、同様の効果をつるための実
施例を第8図と第9図に示す。
共に各部の番号は同一機能を持つ第4図および第6図の
各部の番号と同一にしである。第8図は水滴を加熱板上
に滴下する実施例である。加熱板94は試験槽上の内壁
に一部または全部が接し、ヒータ24で加熱される。第
9図はさらに、この加熱板94内にヒータ24とヒータ
22、またはヒータ24だけを埋め込んだ実施例である
。第8図と第9図の動作は、既に説明の第4図および第
6図の動作と同じである。
[発明の効果] 以上詳細に説明したように、本発明によれば、試験槽内
の洗浄が容易な、構造が簡単で、廉価な水蒸気圧力発生
装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来技術を説明する図、 第2図も従来技術の他の例を説明する図、第3図も従来
技術のさらに他の例を説明する図、 第4図は本発明の実施例の基本概念を説明する図、 第5図は第4図の動作シーケンスを説明する図、 第6図は本発明の実施例の機構部と、圧力・電気信号の
処理の詳細を説明する図、 第7図は本発明の水滴滴下機構に関する他の実施例を説
明する図、 第8図、第9図は本発明の水滴加熱蒸発部に関する他の
実施例を説明する図である。 部 の・ の1〕 IO・ ・・・貯水槽 12・・・・・弁 14・・・・・弁支持部 16・・・・・滴下穴 20・ ・・・圧力センサ 22.24・・・ヒータ 62・・・・・電磁石 64・・・・・弁駆動棒 68・・・・・弁駆動板 70・・・・・温度センサ 72・・・・・圧力比較器 74.78・・・遅延回路 76・・・・・電磁石駆動回路 80・ 86・ 90・ 92・ 94・ 00 20 00 20 00 00 20 40 ・ヒータ制御回路 ・ベローズ ・パイプ ・電流パルス・圧力変換器 ・加熱板 ・試験槽 ・試験槽突出部 ・圧力容器 ・試料収納部 ・圧力容器 ・恒温槽 ・蒸気発生槽 ・圧力容器

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 水蒸気圧力発生装置において、局部的に加熱した容器の
    内壁の一部、または容器内に設置した加熱板上に水滴を
    間欠的に滴下させ、かつ該水滴の滴下量を加減すること
    により前記容器内水蒸気圧力の調節をすることを特徴と
    する水蒸気圧力発生装置。
JP1224400A 1989-09-01 1989-09-01 水蒸気圧力発生装置 Expired - Lifetime JP2863765B2 (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100468536B1 (ko) * 2002-12-10 2005-01-31 (주)명광엔지니어링건축사사무소 연약지반 도로의 물고임 방지를 위한 엘형측구 배수시설
CN104914342A (zh) * 2015-06-23 2015-09-16 广运机电(苏州)有限公司 电磁炉检测系统

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100468536B1 (ko) * 2002-12-10 2005-01-31 (주)명광엔지니어링건축사사무소 연약지반 도로의 물고임 방지를 위한 엘형측구 배수시설
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