JPH0388411A - 電圧制御発振器 - Google Patents
電圧制御発振器Info
- Publication number
- JPH0388411A JPH0388411A JP2008732A JP873290A JPH0388411A JP H0388411 A JPH0388411 A JP H0388411A JP 2008732 A JP2008732 A JP 2008732A JP 873290 A JP873290 A JP 873290A JP H0388411 A JPH0388411 A JP H0388411A
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- current
- voltage
- controlled oscillator
- voltage controlled
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- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 23
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は制御端子に加えられる電圧(電流)により発振
周波数を制御できる電圧制御発振器に関する。
周波数を制御できる電圧制御発振器に関する。
従来から入力端子に加える電圧(または流入する電流〉
によりその発振周波数を制御できる発振器(電圧制御発
振器〉が考案されている。第1図は従来の電圧制御発振
器の例を示す図である。この回路は位相固定ループ(P
LL)用の相補MO8集積回路に使われているもので、
半導体集積回路101と外イ1のコンデンサ102によ
り構成される。集積回路中の103..104はレベル
検出回路でコンデンサ102の両端の電圧を検出しレベ
ル検出回路103,104のスレッショルドレベルを超
えるたびにコンデンサ102を逆方向に接ぎかえ充電の
方向を逆にする。コンデンサ102に充電する電流量を
トランジスタ105及び抵抗106,107により変え
てやると充電速度が変わり、発振周波数を変化できる。
によりその発振周波数を制御できる発振器(電圧制御発
振器〉が考案されている。第1図は従来の電圧制御発振
器の例を示す図である。この回路は位相固定ループ(P
LL)用の相補MO8集積回路に使われているもので、
半導体集積回路101と外イ1のコンデンサ102によ
り構成される。集積回路中の103..104はレベル
検出回路でコンデンサ102の両端の電圧を検出しレベ
ル検出回路103,104のスレッショルドレベルを超
えるたびにコンデンサ102を逆方向に接ぎかえ充電の
方向を逆にする。コンデンサ102に充電する電流量を
トランジスタ105及び抵抗106,107により変え
てやると充電速度が変わり、発振周波数を変化できる。
この他に従来の例として発振回路を構成するコンデンサ
の容量を可変容量コンデンサ等で変更してやる方法等が
ある。
の容量を可変容量コンデンサ等で変更してやる方法等が
ある。
これ等の従来の電圧制御発振器の欠点を述べる前に理想
的な電圧制御発振器は集積回路により構成され第2図に
示すように集積回路201と接続される端子は出力端子
202と制m電圧を印加する入力端子203及び電源端
子のみであリコンデンサ等の接続のための端子を他に設
ける必要のないことである。人力y:11i′f−20
3、出力端子202に接続される回路は入組の場合、半
導体集積口1?δで構成できるので発JJ5 Ijil
Wδはすべてモノリシック集St化できる。また、コ
ンデンサ等、発振回路の発振周波数に直接関係する素子
を半導体集積回路回路の外に出すことは接続ビンの浮遊
容置の影響が出て高い周波数の発振はしにくくなる。高
い周波数を発振させようとずれは素子のインピータンス
を低くする必要があり、消費電力が増す。
的な電圧制御発振器は集積回路により構成され第2図に
示すように集積回路201と接続される端子は出力端子
202と制m電圧を印加する入力端子203及び電源端
子のみであリコンデンサ等の接続のための端子を他に設
ける必要のないことである。人力y:11i′f−20
3、出力端子202に接続される回路は入組の場合、半
導体集積口1?δで構成できるので発JJ5 Ijil
Wδはすべてモノリシック集St化できる。また、コ
ンデンサ等、発振回路の発振周波数に直接関係する素子
を半導体集積回路回路の外に出すことは接続ビンの浮遊
容置の影響が出て高い周波数の発振はしにくくなる。高
い周波数を発振させようとずれは素子のインピータンス
を低くする必要があり、消費電力が増す。
以上述べたように従来の電圧制卯11発振器の欠点をま
とめると、 1、コンデンサ、可変容量ダイオード等のディスクリー
ト部品を半導体集積回路に外イづしなければならない。
とめると、 1、コンデンサ、可変容量ダイオード等のディスクリー
ト部品を半導体集積回路に外イづしなければならない。
2、そのためにスペースファクタ、組立製逍時における
デメリットやコスI・が高くなる欠点がある。
デメリットやコスI・が高くなる欠点がある。
3、浮遊容置により高い周波数の発振が難しい。
無理に発振させようとすると消費電力が高くなる。
また周囲の影響も受は荷電体がコンデンサに近(−1く
と発振周波数が変動する。
と発振周波数が変動する。
本発明の目的は以」こに運べた従来の電圧制御発振器の
欠点のすべてを取り除き、完全にモノリシックな集積回
路により安定で低消費電力の電圧制御発振器の新たな回
路を示し、電子装置構成時の実装密度の向上、コストダ
ウン、高性能化を割ることである。
欠点のすべてを取り除き、完全にモノリシックな集積回
路により安定で低消費電力の電圧制御発振器の新たな回
路を示し、電子装置構成時の実装密度の向上、コストダ
ウン、高性能化を割ることである。
以下に本発明を相補MO3集積回路で実現する場合を例
に説明する。同様の考え方に基づき例えばバイポーラ集
積回路等の他のプロセスによる集積回路でも実現できる
。
に説明する。同様の考え方に基づき例えばバイポーラ集
積回路等の他のプロセスによる集積回路でも実現できる
。
第3図は本発明を図示する図である。301〜30nは
各々同一形状のセルを構成している。セル302を例に
内部の各素子の説明をする。トランジスタ306と30
7はゲートどうし、 ドレインどうしを接続しインバー
タ回路を形成している。
各々同一形状のセルを構成している。セル302を例に
内部の各素子の説明をする。トランジスタ306と30
7はゲートどうし、 ドレインどうしを接続しインバー
タ回路を形成している。
トランジスタ305及び306は、流入電流を制御する
ためのトランジスタで電源電位Van、 Vgsから
それぞれ対称にゲート電圧を制御することによりインバ
ータの流入電流を制御する。このような各セルを奇数段
縦続接続し最後段出力を最前段の人力に帰還する。、こ
のようにしてリングオシレータを構成する。トランジス
タ309,310は電流制御トランジスタ305,30
8のゲート電圧を対称に制御するためのものでスレッシ
ョルド電圧及び電流伝達率の等しいP、 Nチャネル
I・ランジスタを図のように接続することによりトラン
ジスタ310のゲート−ソース間電圧をVCとすればト
ランジスタ309のゲート−ソース間電圧は−VCとな
る。このようにしてP、 Nチャネルの両トランジス
タのゲー)・電圧を対称に変化させることにより発振出
力波形をほぼ電源の中央にもってくることができる。3
11は制御端子でここに与える制御電圧Vcで各インバ
ータの流入電流を制御し発振周波数をコントロールする
。312は増幅器で発振出力をロジックレベルに増幅す
る。313は出力端子である。
ためのトランジスタで電源電位Van、 Vgsから
それぞれ対称にゲート電圧を制御することによりインバ
ータの流入電流を制御する。このような各セルを奇数段
縦続接続し最後段出力を最前段の人力に帰還する。、こ
のようにしてリングオシレータを構成する。トランジス
タ309,310は電流制御トランジスタ305,30
8のゲート電圧を対称に制御するためのものでスレッシ
ョルド電圧及び電流伝達率の等しいP、 Nチャネル
I・ランジスタを図のように接続することによりトラン
ジスタ310のゲート−ソース間電圧をVCとすればト
ランジスタ309のゲート−ソース間電圧は−VCとな
る。このようにしてP、 Nチャネルの両トランジス
タのゲー)・電圧を対称に変化させることにより発振出
力波形をほぼ電源の中央にもってくることができる。3
11は制御端子でここに与える制御電圧Vcで各インバ
ータの流入電流を制御し発振周波数をコントロールする
。312は増幅器で発振出力をロジックレベルに増幅す
る。313は出力端子である。
第4図は本発明の他の例を示す図で第3図における流入
電流制御トランジスタ305,306を各段同一のトラ
ンジスタ401,402に置換えたものである。第3図
に比較し素子数及び消費電流を少なくできるが発振波形
が正または負のどちらか一方に片より易く、広い電源電
圧範囲で安定な動作をさせるには第3図の回路の方がす
ぐれている。
電流制御トランジスタ305,306を各段同一のトラ
ンジスタ401,402に置換えたものである。第3図
に比較し素子数及び消費電流を少なくできるが発振波形
が正または負のどちらか一方に片より易く、広い電源電
圧範囲で安定な動作をさせるには第3図の回路の方がす
ぐれている。
第3図、第4図の回路の制御電圧VCと発振周波数fを
プロットすると第5図の501のようになる。このよう
に制御電圧vcと周波数fの関係は非直線的に変化する
。この非直線性を補正し501のようにするには第3図
、第4図における流入電流制御トランジスタ305,3
08. または401.402のゲートに電圧を与え
る回路を第6図のように変更する。第6図(a)の回路
はカレントミラー回路を応用したものである。603は
第3図におけるトランジスタ305のゲート、602は
トランジスタ308のゲートに接続される。
プロットすると第5図の501のようになる。このよう
に制御電圧vcと周波数fの関係は非直線的に変化する
。この非直線性を補正し501のようにするには第3図
、第4図における流入電流制御トランジスタ305,3
08. または401.402のゲートに電圧を与え
る回路を第6図のように変更する。第6図(a)の回路
はカレントミラー回路を応用したものである。603は
第3図におけるトランジスタ305のゲート、602は
トランジスタ308のゲートに接続される。
トランジスタ604に流れる電流、すなわち制御端子6
01に流入する電流と同じ電流がトランジスタ610ま
たは612に流れる(ただしトランジスタの定数は3者
とも等しいとする)。従って制御端子604に流入する
電流icと発振周波fの関係をプロットすると第5図5
02のように直線化できる。第6図(b)はトランジス
タ605により制御電圧を緩衝増幅し制御電圧端子60
5の電J、Eを抵抗609に伝達する。同図(a)の回
路に緩衝増幅器を(=Jけ電圧制御を可能にしたもので
ある。
01に流入する電流と同じ電流がトランジスタ610ま
たは612に流れる(ただしトランジスタの定数は3者
とも等しいとする)。従って制御端子604に流入する
電流icと発振周波fの関係をプロットすると第5図5
02のように直線化できる。第6図(b)はトランジス
タ605により制御電圧を緩衝増幅し制御電圧端子60
5の電J、Eを抵抗609に伝達する。同図(a)の回
路に緩衝増幅器を(=Jけ電圧制御を可能にしたもので
ある。
以上、述べた回路を集積回路上に作り込むことにより数
百Hzから集積回路上の素子が応答できる最高の周波数
まで発振可能な電圧制御発振器を作ることができる。発
振回路の付加容量は集積回路上のトランジスタのゲート
容里、配線容量、PN接合容量(ドレイン)等の寄生容
量まで下げることができる。この容量は集積回路に外(
−Jコンデンサを(−1加する場合に比較し1〜2桁小
さいものである。従ってその分だけ回路インピーダンス
を高くでき発振時の電流を減らすことができる。また第
7図に示すように本発明による電圧制御発振器701の
制御端子702に半固定抵抗等で基ガ(電圧を分割し電
圧を与えることにより発振周波数を半固定化すれば通常
の発振Wr’r (jllu安定マルチバイブレータ)
としても使える。この場合制御端子702は与えられる
直流電位のみに影響を受ける。
百Hzから集積回路上の素子が応答できる最高の周波数
まで発振可能な電圧制御発振器を作ることができる。発
振回路の付加容量は集積回路上のトランジスタのゲート
容里、配線容量、PN接合容量(ドレイン)等の寄生容
量まで下げることができる。この容量は集積回路に外(
−Jコンデンサを(−1加する場合に比較し1〜2桁小
さいものである。従ってその分だけ回路インピーダンス
を高くでき発振時の電流を減らすことができる。また第
7図に示すように本発明による電圧制御発振器701の
制御端子702に半固定抵抗等で基ガ(電圧を分割し電
圧を与えることにより発振周波数を半固定化すれば通常
の発振Wr’r (jllu安定マルチバイブレータ)
としても使える。この場合制御端子702は与えられる
直流電位のみに影響を受ける。
従来のマルチバイブレータのように導体の接近等により
浮遊容量が変化しても発振周波数が変化するようなこと
もない。
浮遊容量が変化しても発振周波数が変化するようなこと
もない。
以上述べたように本発明による電圧制御発振器は完全に
モノリシックな集積回路上に構成でき発振周波数範囲も
広く、低消費電力である。本発明は無安定マルチバイブ
レータとしても使える。
モノリシックな集積回路上に構成でき発振周波数範囲も
広く、低消費電力である。本発明は無安定マルチバイブ
レータとしても使える。
第1図は従来の、第3図、第4図は本発明による電圧制
御発振器を例示する図、第2図は理想的な電圧制御発振
器を示す図、第5図は本発明による電圧制御発振器の制
御電圧、電流対発振周波数特性を示す図、第6図は電流
制限トランジスタのゲート電圧を制御する回路を示す図
、第7図は本発明による電圧制御発振器を無安定マルチ
バイブレータとして使用する場合を示す図である。 306.307,403,404・・・インバータを構
成するトランジスタ 305.308,401,402・・・インバータに流
入する電流を制限する電流制 限トランジスタ 703・・・出力端子 以 上
御発振器を例示する図、第2図は理想的な電圧制御発振
器を示す図、第5図は本発明による電圧制御発振器の制
御電圧、電流対発振周波数特性を示す図、第6図は電流
制限トランジスタのゲート電圧を制御する回路を示す図
、第7図は本発明による電圧制御発振器を無安定マルチ
バイブレータとして使用する場合を示す図である。 306.307,403,404・・・インバータを構
成するトランジスタ 305.308,401,402・・・インバータに流
入する電流を制限する電流制 限トランジスタ 703・・・出力端子 以 上
Claims (1)
- (1)奇数段のインバータを縦続接続し、前記インバー
タの初段の入力端子と、最後段インバータの出力端子を
接続し前記インバータの各段に流入する電源電流を制御
電圧(または電流)により制御する手段より成ることを
特徴とする電圧制御発振器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008732A JPH0388411A (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | 電圧制御発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008732A JPH0388411A (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | 電圧制御発振器 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62254867A Division JPS63119315A (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | 電圧制御発振器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0388411A true JPH0388411A (ja) | 1991-04-12 |
JPH0479170B2 JPH0479170B2 (ja) | 1992-12-15 |
Family
ID=11701128
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008732A Granted JPH0388411A (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | 電圧制御発振器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0388411A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0819802B2 (ja) * | 1991-07-17 | 1996-02-28 | 株式会社中西エンジニアリング | 窓障子の制御装置 |
-
1990
- 1990-01-18 JP JP2008732A patent/JPH0388411A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0479170B2 (ja) | 1992-12-15 |
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