JPH0388140A - 光メモリ装置 - Google Patents
光メモリ装置Info
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- JPH0388140A JPH0388140A JP1225592A JP22559289A JPH0388140A JP H0388140 A JPH0388140 A JP H0388140A JP 1225592 A JP1225592 A JP 1225592A JP 22559289 A JP22559289 A JP 22559289A JP H0388140 A JPH0388140 A JP H0388140A
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- Japan
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- light
- semiconductor laser
- optical
- wavelength
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- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 27
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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Landscapes
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、光メモリ装置に関する。特に、ホトケミカル
ホールバーニング現象を利用した波長多重光メモリ装置
に関する。
ホールバーニング現象を利用した波長多重光メモリ装置
に関する。
[従来の技術]
従来のホトケミカルホールバーニング現象を利用した波
長多重光メモリ装置の例としては、例えば公開特許公報
昭53−99735があ−る。
長多重光メモリ装置の例としては、例えば公開特許公報
昭53−99735があ−る。
[発明が解決しようとする課題]
ホトケミカルホールバーニング現象を利用した波長多重
光メモリの多重度Nは、°不均一な吸収帯の拡がり幅を
、dWτ、記録時に生じるホールの幅を7jWHとして
、おおよそ次のように表される。
光メモリの多重度Nは、°不均一な吸収帯の拡がり幅を
、dWτ、記録時に生じるホールの幅を7jWHとして
、おおよそ次のように表される。
N = A W r / A W H
これから言えることは、Nを大きくするにはAW■を大
きくするか、AWHを小さくするかであるということで
ある。これに対する従来の一般的な対応は、Nの大きい
材料を発見することであった。
きくするか、AWHを小さくするかであるということで
ある。これに対する従来の一般的な対応は、Nの大きい
材料を発見することであった。
もちろん、このような方法がNを大きくする有力な手段
であることは言うまでもない。しかし、記録する光にも
、ホール幅に対して充分小さい帯域幅を持っていること
、記録時間中その振動数が安定であること、零フォノン
線の全体にわたって同調できることとかのNを大きくす
るために必要な条件がある。これらの条件が実現されれ
ば、同じ記録材料を用いても大きなNを得られることに
なる0本発明はこのような側面からホトケミカルホール
バーニング現象を利用した波長多重−光メモリの多重度
Nを大きくしようというものである。
であることは言うまでもない。しかし、記録する光にも
、ホール幅に対して充分小さい帯域幅を持っていること
、記録時間中その振動数が安定であること、零フォノン
線の全体にわたって同調できることとかのNを大きくす
るために必要な条件がある。これらの条件が実現されれ
ば、同じ記録材料を用いても大きなNを得られることに
なる0本発明はこのような側面からホトケミカルホール
バーニング現象を利用した波長多重−光メモリの多重度
Nを大きくしようというものである。
[課題を解決するための手段]
本発明の光メモリ装置は、
光吸収帯が不均一拡がりを示し、かつ光を照射すると所
与の特定周波数光を吸収する分子だけが光誘起反応を起
こし、その結果前記光吸収帯に孔を生じる物質からなる
記録媒体と、該記録媒体に狭帯域モードで持久的なデー
タを記録するためのレーザを有する周波数選択的な光メ
モリ装置において、 a)ffi長可変半導体レーザと、 b〉該波長可変半導体レーザからの出射光の進行方向に
設置された光アイソレータと、 c)b)項記載の光アイソレータからの出射光の進行方
向に設置されたn個のビーム・スプリッタBSi(i=
1〜n) と、 d)c)項記載のビーム・スプリッタBSiで進行方向
の90度変化した光の進行方向に設置された、それぞれ
共振器長の異なるn個のファブリ・ペロー共振器F P
R+ (i = 1〜n )と、e)該ファブリ・ペ
ロー共振器F P R+とC)項記載のビーム・スプリ
ッタBSiを結ぶ光路上に該ビーム・スプリッタBSi
を該ファブリ・ペロー共振器F P R+との間に挟む
ように設けられたn個の光検出器PDi(i==1〜n
)と、 f)必要に応じてe)項記載のn個のPDi(i=1−
n )から1個を選択して、そのPDの出力を出力と
するマルチプレクサと、 g)f)項記載のマルチプレクサの出力を入力とし、前
記波長可変半導体レーザの発振波長を制御する電流を前
記波長可変半導体レーザに出力する制御回路と、 h〉前記波長可変半導体レーザの温度変動を抑制するた
めの温度コントローラ、 とからなる半導体レーザ波長サーボ回路と、半導体レー
ザの強度とパルス幅の変調を音響光学素子で行なうA
L P C(Automatic La5er Pow
er Con−trol ler )を有する光学ヘッ
ドを搭載したことを特徴とする。
与の特定周波数光を吸収する分子だけが光誘起反応を起
こし、その結果前記光吸収帯に孔を生じる物質からなる
記録媒体と、該記録媒体に狭帯域モードで持久的なデー
タを記録するためのレーザを有する周波数選択的な光メ
モリ装置において、 a)ffi長可変半導体レーザと、 b〉該波長可変半導体レーザからの出射光の進行方向に
設置された光アイソレータと、 c)b)項記載の光アイソレータからの出射光の進行方
向に設置されたn個のビーム・スプリッタBSi(i=
1〜n) と、 d)c)項記載のビーム・スプリッタBSiで進行方向
の90度変化した光の進行方向に設置された、それぞれ
共振器長の異なるn個のファブリ・ペロー共振器F P
R+ (i = 1〜n )と、e)該ファブリ・ペ
ロー共振器F P R+とC)項記載のビーム・スプリ
ッタBSiを結ぶ光路上に該ビーム・スプリッタBSi
を該ファブリ・ペロー共振器F P R+との間に挟む
ように設けられたn個の光検出器PDi(i==1〜n
)と、 f)必要に応じてe)項記載のn個のPDi(i=1−
n )から1個を選択して、そのPDの出力を出力と
するマルチプレクサと、 g)f)項記載のマルチプレクサの出力を入力とし、前
記波長可変半導体レーザの発振波長を制御する電流を前
記波長可変半導体レーザに出力する制御回路と、 h〉前記波長可変半導体レーザの温度変動を抑制するた
めの温度コントローラ、 とからなる半導体レーザ波長サーボ回路と、半導体レー
ザの強度とパルス幅の変調を音響光学素子で行なうA
L P C(Automatic La5er Pow
er Con−trol ler )を有する光学ヘッ
ドを搭載したことを特徴とする。
[実施例]
第1図に本発明の実施例を示す光メモリ装置の簡単な説
明図である。以下、この図に基づいて説明をする。波長
可変半導体レーザ1は、この場合チップの前方と後方に
光を出射するが、一方を光メモリのデータの記録、再生
および消去に用い、もう一方を波長のサーボに使用する
。アイソレータ2.11は、外部の反射によってレーザ
本体に光が戻るのを防ぐために設置されている。半導体
し−ザは、それに付加されている温度コントローラで温
度のゆらぎを0.001度にした。ファブリ・ペロー共
振器4はミラーの反射率が99.9%以上と高い。また
、ミラーの間隔は熱膨張率の小さい特殊なガラス材料を
使った。このファブリ・ペロー共振器の温度ゆらぎは0
.001度に抑えられている。波長可変半導体レーザの
注入電流を制御すると光周波数が変化する。それで、注
入電流を制御することによって光周波数のゆらぎを抑制
するわけであるが、どれだけ電流を変化させるかは波長
可変半導体レーザの光周波数のゆらぎに対応する。その
波長可変半導体レーザの一光周波数のゆらぎを検出する
のが、ファブリ・ペロー共振器である。半導体レーザの
光周波数が、共振器のミラー間隔で決まる共鳴周波数に
一致するときビーム・スプリッタ3からの光のファブリ
・ペロー共振器での反射光強度は最小となり、後は共振
器の共鳴周波数と半導体レーザの光周波数の差に比例し
た反射光強度が得られる。したがって、ファブリ・ペロ
ー共振器を反射してくる光の強度ゆらぎを光検出器5で
測定することが、とりもなおさずレーザの光周波数のゆ
らぎを測定・検出することになるのである0本実施例で
はファブリ・ペロー共振器は5個用いた。5個の共振器
長はそれぞれ異なり、それぞれ記録周波数に対応する共
鳴周波数を持っており、記録周波数に応じてマルチプレ
クサ22の出力を切り替える。このファブリ・ペロー共
振器からの反射光の周波数のゆらぎをエラー信号として
半導体レーザの注入電流をフィードバックすれば安定し
たレーザ周波数が得られる。
明図である。以下、この図に基づいて説明をする。波長
可変半導体レーザ1は、この場合チップの前方と後方に
光を出射するが、一方を光メモリのデータの記録、再生
および消去に用い、もう一方を波長のサーボに使用する
。アイソレータ2.11は、外部の反射によってレーザ
本体に光が戻るのを防ぐために設置されている。半導体
し−ザは、それに付加されている温度コントローラで温
度のゆらぎを0.001度にした。ファブリ・ペロー共
振器4はミラーの反射率が99.9%以上と高い。また
、ミラーの間隔は熱膨張率の小さい特殊なガラス材料を
使った。このファブリ・ペロー共振器の温度ゆらぎは0
.001度に抑えられている。波長可変半導体レーザの
注入電流を制御すると光周波数が変化する。それで、注
入電流を制御することによって光周波数のゆらぎを抑制
するわけであるが、どれだけ電流を変化させるかは波長
可変半導体レーザの光周波数のゆらぎに対応する。その
波長可変半導体レーザの一光周波数のゆらぎを検出する
のが、ファブリ・ペロー共振器である。半導体レーザの
光周波数が、共振器のミラー間隔で決まる共鳴周波数に
一致するときビーム・スプリッタ3からの光のファブリ
・ペロー共振器での反射光強度は最小となり、後は共振
器の共鳴周波数と半導体レーザの光周波数の差に比例し
た反射光強度が得られる。したがって、ファブリ・ペロ
ー共振器を反射してくる光の強度ゆらぎを光検出器5で
測定することが、とりもなおさずレーザの光周波数のゆ
らぎを測定・検出することになるのである0本実施例で
はファブリ・ペロー共振器は5個用いた。5個の共振器
長はそれぞれ異なり、それぞれ記録周波数に対応する共
鳴周波数を持っており、記録周波数に応じてマルチプレ
クサ22の出力を切り替える。このファブリ・ペロー共
振器からの反射光の周波数のゆらぎをエラー信号として
半導体レーザの注入電流をフィードバックすれば安定し
たレーザ周波数が得られる。
一方、 A L P C(Automatic La5
er Power Con−toroller)である
が、これはデータ再生1寺でのホール・バーニングの発
生を防ぐために光強度を充分弱くする必要があるとか、
記録時に生じるホールの形状が光強度に大きく依存する
ことから記録時のレーザ光強度を正確に制御する必要が
あるとかからの理由によって付加しである。本発明では
半導体レーザの光周波数を制御するためにレーザ駆動電
流を用いているので、半導体レーザの光強度とパルスの
変調は音響光学素子で行う、この変調パルスがデータに
対応する。第1図では、アイソレータ2.11があるの
で、半導体レーザ本体への戻り光はなく、高周波重畳の
必要もない、ビームスプリッタ14でデータの記録、消
去および再生に使われる光とALPCのモニタ用に使わ
れる光に分ける。後者の光量を光検出器15で検出し、
音響光学素子を用いた変調器10にフィードバックする
。
er Power Con−toroller)である
が、これはデータ再生1寺でのホール・バーニングの発
生を防ぐために光強度を充分弱くする必要があるとか、
記録時に生じるホールの形状が光強度に大きく依存する
ことから記録時のレーザ光強度を正確に制御する必要が
あるとかからの理由によって付加しである。本発明では
半導体レーザの光周波数を制御するためにレーザ駆動電
流を用いているので、半導体レーザの光強度とパルスの
変調は音響光学素子で行う、この変調パルスがデータに
対応する。第1図では、アイソレータ2.11があるの
で、半導体レーザ本体への戻り光はなく、高周波重畳の
必要もない、ビームスプリッタ14でデータの記録、消
去および再生に使われる光とALPCのモニタ用に使わ
れる光に分ける。後者の光量を光検出器15で検出し、
音響光学素子を用いた変調器10にフィードバックする
。
本実施例では、メモリ媒体を1.4Kに冷却した。記録
媒体材料には従来から知られているLiFにMg 2°
をドープしたものを用いた0本発明の構成の光メモリ装
置と例えば0PTICS Co聞UNICATIONS
Vol、44 No、3175−L791t’::−
記述されティるような構成とを比較するために記録・再
生・消去を繰り返した結果、ホールのシフトがおよそ1
2分の1に抑えられた。これは、共振器長の異なるファ
ビリ・ペロー共振器を複数用意すれば従来の方法に比較
して多重度を大きくすることができることを意味してい
る。
媒体材料には従来から知られているLiFにMg 2°
をドープしたものを用いた0本発明の構成の光メモリ装
置と例えば0PTICS Co聞UNICATIONS
Vol、44 No、3175−L791t’::−
記述されティるような構成とを比較するために記録・再
生・消去を繰り返した結果、ホールのシフトがおよそ1
2分の1に抑えられた。これは、共振器長の異なるファ
ビリ・ペロー共振器を複数用意すれば従来の方法に比較
して多重度を大きくすることができることを意味してい
る。
[発明の効果]
以上、本発明によればホトケミカルホールバーニング現
象を利用した波長多重光メモリ装置において多重度を従
来より1桁増やすことが期待できる。
象を利用した波長多重光メモリ装置において多重度を従
来より1桁増やすことが期待できる。
第1閃は、本発明による光メモリ装置に使用されている
光学ヘッドの実施例を示す図。 1 ・ 2゜ 3゜ 4 ・ 5゜ 6 ・ 7 ・ 8 ・ 9 ・ 10・ 12・ ・・波長可変半導体レーザ 11・・・アイソレータ 14、 17・・・ビーム・スプリッタ・・ファブリ・
ペロー共振器 15・・・光検出器 ・・半導体レーザ注入電流制御回路 ・・温度コントローラ ゛°コリメータレンズ ・・アナモルフィックプリズム ・・音響光学素子を用いた変調器 ・・空間フィルタ・ビームエクスパンダ−13・ 16・ 18・ 19・ 20・ 21・ 22・ “ざツー ・音響光学素子変調器のコントローラ ・プリアンプ ・シグナル・アナライザ ・デイスプレィ ・レンズ ・マルチプレクサ 以上。
光学ヘッドの実施例を示す図。 1 ・ 2゜ 3゜ 4 ・ 5゜ 6 ・ 7 ・ 8 ・ 9 ・ 10・ 12・ ・・波長可変半導体レーザ 11・・・アイソレータ 14、 17・・・ビーム・スプリッタ・・ファブリ・
ペロー共振器 15・・・光検出器 ・・半導体レーザ注入電流制御回路 ・・温度コントローラ ゛°コリメータレンズ ・・アナモルフィックプリズム ・・音響光学素子を用いた変調器 ・・空間フィルタ・ビームエクスパンダ−13・ 16・ 18・ 19・ 20・ 21・ 22・ “ざツー ・音響光学素子変調器のコントローラ ・プリアンプ ・シグナル・アナライザ ・デイスプレィ ・レンズ ・マルチプレクサ 以上。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 光吸収帯が不均一拡がりを示し、かつ光を照射すると所
与の特定周波数光を吸収する分子だけが光誘起反応を起
こし、その結果前記光吸収帯に孔を生じる物質からなる
記録媒体と、該記録媒体に狭帯域モードで持久的なデー
タを記録するためのレーザーを有する周波数選択的な光
メモリー装置において、 a)波長可変半導体レーザと、 b)該波長可変半導体レーザからの出射光の進行方向に
設置された光アイソレータと、 c)b)項記載の光、アイソレータからの出射光の進行
方向に設置されたn個のビーム・スプリッタBS_i(
i:1〜n)と、 d)c)項記載のビーム・スプリッタBS_iで進行方
向の90度変化した光の進行方向に設置された、それぞ
れ共振器長の異なるn個のファブリ・ペロー共振器FP
R_i(i=1〜n)と、 e)該ファブリ・ペロー共振器FPR_iとc)項記載
のビーム・スプリッタBS_iを結ぶ光路上に該ビーム
・スプリッタBS_iを該ファブリ・ペロー共振器FP
R_iとの間に挟むように設けられたn個の光検出器P
D_i(i=1〜n)と、 f)必要に応じてe)項記載のn個のPD_i(i=1
〜n)から1個を選択して、そのPDの出力を出力とす
るマルチプレクサと、 g)f)項記載のマルチプレクサの出力を入力とし、前
記波長可変半導体レーザの発振波長を制御する電流を前
記波長可変半導体レーザに出力する制御回路と、 h)前記波長可変半導体レーザの温度変動を抑制するた
めの温度コントローラ、 とからなる半導体レーザ波長サーボ回路と、半導体レー
ザの強度とパルス幅の変調を音響光学素子で行なうAL
PC(AutomaticLaserPowerCon
−troller)を有する光学ヘッドを搭載したこと
を特徴とする光メモリ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1225592A JPH0388140A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 光メモリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1225592A JPH0388140A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 光メモリ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0388140A true JPH0388140A (ja) | 1991-04-12 |
Family
ID=16831737
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1225592A Pending JPH0388140A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 光メモリ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0388140A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6540397B2 (en) * | 2000-04-07 | 2003-04-01 | Siro Technologies, Inc. | Optical information storage medium |
-
1989
- 1989-08-31 JP JP1225592A patent/JPH0388140A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6540397B2 (en) * | 2000-04-07 | 2003-04-01 | Siro Technologies, Inc. | Optical information storage medium |
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