JPH0388140A - 光メモリ装置 - Google Patents
光メモリ装置Info
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- JPH0388140A JPH0388140A JP1225592A JP22559289A JPH0388140A JP H0388140 A JPH0388140 A JP H0388140A JP 1225592 A JP1225592 A JP 1225592A JP 22559289 A JP22559289 A JP 22559289A JP H0388140 A JPH0388140 A JP H0388140A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 27
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
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- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、光メモリ装置に関する。特に、ホトケミカル
ホールバーニング現象を利用した波長多重光メモリ装置
に関する。
ホールバーニング現象を利用した波長多重光メモリ装置
に関する。
［従来の技術］
従来のホトケミカルホールバーニング現象を利用した波
長多重光メモリ装置の例としては、例えば公開特許公報
昭５３−９９７３５があ−る。
長多重光メモリ装置の例としては、例えば公開特許公報
昭５３−９９７３５があ−る。
［発明が解決しようとする課題］
ホトケミカルホールバーニング現象を利用した波長多重
光メモリの多重度Ｎは、°不均一な吸収帯の拡がり幅を
、ｄＷτ、記録時に生じるホールの幅を７ｊＷＨとして
、おおよそ次のように表される。
光メモリの多重度Ｎは、°不均一な吸収帯の拡がり幅を
、ｄＷτ、記録時に生じるホールの幅を７ｊＷＨとして
、おおよそ次のように表される。
Ｎ ＝ Ａ Ｗ ｒ ／ Ａ Ｗ Ｈ
これから言えることは、Ｎを大きくするにはＡＷ■を大
きくするか、ＡＷＨを小さくするかであるということで
ある。これに対する従来の一般的な対応は、Ｎの大きい
材料を発見することであった。
きくするか、ＡＷＨを小さくするかであるということで
ある。これに対する従来の一般的な対応は、Ｎの大きい
材料を発見することであった。
もちろん、このような方法がＮを大きくする有力な手段
であることは言うまでもない。しかし、記録する光にも
、ホール幅に対して充分小さい帯域幅を持っていること
、記録時間中その振動数が安定であること、零フォノン
線の全体にわたって同調できることとかのＮを大きくす
るために必要な条件がある。これらの条件が実現されれ
ば、同じ記録材料を用いても大きなＮを得られることに
なる０本発明はこのような側面からホトケミカルホール
バーニング現象を利用した波長多重−光メモリの多重度
Ｎを大きくしようというものである。
であることは言うまでもない。しかし、記録する光にも
、ホール幅に対して充分小さい帯域幅を持っていること
、記録時間中その振動数が安定であること、零フォノン
線の全体にわたって同調できることとかのＮを大きくす
るために必要な条件がある。これらの条件が実現されれ
ば、同じ記録材料を用いても大きなＮを得られることに
なる０本発明はこのような側面からホトケミカルホール
バーニング現象を利用した波長多重−光メモリの多重度
Ｎを大きくしようというものである。
［課題を解決するための手段］
本発明の光メモリ装置は、
光吸収帯が不均一拡がりを示し、かつ光を照射すると所
与の特定周波数光を吸収する分子だけが光誘起反応を起
こし、その結果前記光吸収帯に孔を生じる物質からなる
記録媒体と、該記録媒体に狭帯域モードで持久的なデー
タを記録するためのレーザを有する周波数選択的な光メ
モリ装置において、 ａ）ｆｆｉ長可変半導体レーザと、 ｂ〉該波長可変半導体レーザからの出射光の進行方向に
設置された光アイソレータと、 ｃ）ｂ）項記載の光アイソレータからの出射光の進行方
向に設置されたｎ個のビーム・スプリッタＢＳｉ（ｉ＝
１〜ｎ） と、 ｄ）ｃ）項記載のビーム・スプリッタＢＳｉで進行方向
の９０度変化した光の進行方向に設置された、それぞれ
共振器長の異なるｎ個のファブリ・ペロー共振器Ｆ Ｐ
Ｒ＋ （ｉ ＝ １〜ｎ ）と、ｅ）該ファブリ・ペ
ロー共振器Ｆ Ｐ Ｒ＋とＣ）項記載のビーム・スプリ
ッタＢＳｉを結ぶ光路上に該ビーム・スプリッタＢＳｉ
を該ファブリ・ペロー共振器Ｆ Ｐ Ｒ＋との間に挟む
ように設けられたｎ個の光検出器ＰＤｉ（ｉ＝＝１〜ｎ
）と、 ｆ）必要に応じてｅ）項記載のｎ個のＰＤｉ（ｉ＝１−
ｎ ）から１個を選択して、そのＰＤの出力を出力と
するマルチプレクサと、 ｇ）ｆ）項記載のマルチプレクサの出力を入力とし、前
記波長可変半導体レーザの発振波長を制御する電流を前
記波長可変半導体レーザに出力する制御回路と、 ｈ〉前記波長可変半導体レーザの温度変動を抑制するた
めの温度コントローラ、 とからなる半導体レーザ波長サーボ回路と、半導体レー
ザの強度とパルス幅の変調を音響光学素子で行なうＡ
Ｌ Ｐ Ｃ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｌａ５ｅｒ Ｐｏｗ
ｅｒ Ｃｏｎ−ｔｒｏｌ ｌｅｒ ）を有する光学ヘッ
ドを搭載したことを特徴とする。
与の特定周波数光を吸収する分子だけが光誘起反応を起
こし、その結果前記光吸収帯に孔を生じる物質からなる
記録媒体と、該記録媒体に狭帯域モードで持久的なデー
タを記録するためのレーザを有する周波数選択的な光メ
モリ装置において、 ａ）ｆｆｉ長可変半導体レーザと、 ｂ〉該波長可変半導体レーザからの出射光の進行方向に
設置された光アイソレータと、 ｃ）ｂ）項記載の光アイソレータからの出射光の進行方
向に設置されたｎ個のビーム・スプリッタＢＳｉ（ｉ＝
１〜ｎ） と、 ｄ）ｃ）項記載のビーム・スプリッタＢＳｉで進行方向
の９０度変化した光の進行方向に設置された、それぞれ
共振器長の異なるｎ個のファブリ・ペロー共振器Ｆ Ｐ
Ｒ＋ （ｉ ＝ １〜ｎ ）と、ｅ）該ファブリ・ペ
ロー共振器Ｆ Ｐ Ｒ＋とＣ）項記載のビーム・スプリ
ッタＢＳｉを結ぶ光路上に該ビーム・スプリッタＢＳｉ
を該ファブリ・ペロー共振器Ｆ Ｐ Ｒ＋との間に挟む
ように設けられたｎ個の光検出器ＰＤｉ（ｉ＝＝１〜ｎ
）と、 ｆ）必要に応じてｅ）項記載のｎ個のＰＤｉ（ｉ＝１−
ｎ ）から１個を選択して、そのＰＤの出力を出力と
するマルチプレクサと、 ｇ）ｆ）項記載のマルチプレクサの出力を入力とし、前
記波長可変半導体レーザの発振波長を制御する電流を前
記波長可変半導体レーザに出力する制御回路と、 ｈ〉前記波長可変半導体レーザの温度変動を抑制するた
めの温度コントローラ、 とからなる半導体レーザ波長サーボ回路と、半導体レー
ザの強度とパルス幅の変調を音響光学素子で行なうＡ
Ｌ Ｐ Ｃ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｌａ５ｅｒ Ｐｏｗ
ｅｒ Ｃｏｎ−ｔｒｏｌ ｌｅｒ ）を有する光学ヘッ
ドを搭載したことを特徴とする。
［実施例］
第１図に本発明の実施例を示す光メモリ装置の簡単な説
明図である。以下、この図に基づいて説明をする。波長
可変半導体レーザ１は、この場合チップの前方と後方に
光を出射するが、一方を光メモリのデータの記録、再生
および消去に用い、もう一方を波長のサーボに使用する
。アイソレータ２．１１は、外部の反射によってレーザ
本体に光が戻るのを防ぐために設置されている。半導体
し−ザは、それに付加されている温度コントローラで温
度のゆらぎを０．００１度にした。ファブリ・ペロー共
振器４はミラーの反射率が９９．９％以上と高い。また
、ミラーの間隔は熱膨張率の小さい特殊なガラス材料を
使った。このファブリ・ペロー共振器の温度ゆらぎは０
．００１度に抑えられている。波長可変半導体レーザの
注入電流を制御すると光周波数が変化する。それで、注
入電流を制御することによって光周波数のゆらぎを抑制
するわけであるが、どれだけ電流を変化させるかは波長
可変半導体レーザの光周波数のゆらぎに対応する。その
波長可変半導体レーザの一光周波数のゆらぎを検出する
のが、ファブリ・ペロー共振器である。半導体レーザの
光周波数が、共振器のミラー間隔で決まる共鳴周波数に
一致するときビーム・スプリッタ３からの光のファブリ
・ペロー共振器での反射光強度は最小となり、後は共振
器の共鳴周波数と半導体レーザの光周波数の差に比例し
た反射光強度が得られる。したがって、ファブリ・ペロ
ー共振器を反射してくる光の強度ゆらぎを光検出器５で
測定することが、とりもなおさずレーザの光周波数のゆ
らぎを測定・検出することになるのである０本実施例で
はファブリ・ペロー共振器は５個用いた。５個の共振器
長はそれぞれ異なり、それぞれ記録周波数に対応する共
鳴周波数を持っており、記録周波数に応じてマルチプレ
クサ２２の出力を切り替える。このファブリ・ペロー共
振器からの反射光の周波数のゆらぎをエラー信号として
半導体レーザの注入電流をフィードバックすれば安定し
たレーザ周波数が得られる。
明図である。以下、この図に基づいて説明をする。波長
可変半導体レーザ１は、この場合チップの前方と後方に
光を出射するが、一方を光メモリのデータの記録、再生
および消去に用い、もう一方を波長のサーボに使用する
。アイソレータ２．１１は、外部の反射によってレーザ
本体に光が戻るのを防ぐために設置されている。半導体
し−ザは、それに付加されている温度コントローラで温
度のゆらぎを０．００１度にした。ファブリ・ペロー共
振器４はミラーの反射率が９９．９％以上と高い。また
、ミラーの間隔は熱膨張率の小さい特殊なガラス材料を
使った。このファブリ・ペロー共振器の温度ゆらぎは０
．００１度に抑えられている。波長可変半導体レーザの
注入電流を制御すると光周波数が変化する。それで、注
入電流を制御することによって光周波数のゆらぎを抑制
するわけであるが、どれだけ電流を変化させるかは波長
可変半導体レーザの光周波数のゆらぎに対応する。その
波長可変半導体レーザの一光周波数のゆらぎを検出する
のが、ファブリ・ペロー共振器である。半導体レーザの
光周波数が、共振器のミラー間隔で決まる共鳴周波数に
一致するときビーム・スプリッタ３からの光のファブリ
・ペロー共振器での反射光強度は最小となり、後は共振
器の共鳴周波数と半導体レーザの光周波数の差に比例し
た反射光強度が得られる。したがって、ファブリ・ペロ
ー共振器を反射してくる光の強度ゆらぎを光検出器５で
測定することが、とりもなおさずレーザの光周波数のゆ
らぎを測定・検出することになるのである０本実施例で
はファブリ・ペロー共振器は５個用いた。５個の共振器
長はそれぞれ異なり、それぞれ記録周波数に対応する共
鳴周波数を持っており、記録周波数に応じてマルチプレ
クサ２２の出力を切り替える。このファブリ・ペロー共
振器からの反射光の周波数のゆらぎをエラー信号として
半導体レーザの注入電流をフィードバックすれば安定し
たレーザ周波数が得られる。
一方、 Ａ Ｌ Ｐ Ｃ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｌａ５
ｅｒ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎ−ｔｏｒｏｌｌｅｒ）である
が、これはデータ再生１寺でのホール・バーニングの発
生を防ぐために光強度を充分弱くする必要があるとか、
記録時に生じるホールの形状が光強度に大きく依存する
ことから記録時のレーザ光強度を正確に制御する必要が
あるとかからの理由によって付加しである。本発明では
半導体レーザの光周波数を制御するためにレーザ駆動電
流を用いているので、半導体レーザの光強度とパルスの
変調は音響光学素子で行う、この変調パルスがデータに
対応する。第１図では、アイソレータ２．１１があるの
で、半導体レーザ本体への戻り光はなく、高周波重畳の
必要もない、ビームスプリッタ１４でデータの記録、消
去および再生に使われる光とＡＬＰＣのモニタ用に使わ
れる光に分ける。後者の光量を光検出器１５で検出し、
音響光学素子を用いた変調器１０にフィードバックする
。
ｅｒ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎ−ｔｏｒｏｌｌｅｒ）である
が、これはデータ再生１寺でのホール・バーニングの発
生を防ぐために光強度を充分弱くする必要があるとか、
記録時に生じるホールの形状が光強度に大きく依存する
ことから記録時のレーザ光強度を正確に制御する必要が
あるとかからの理由によって付加しである。本発明では
半導体レーザの光周波数を制御するためにレーザ駆動電
流を用いているので、半導体レーザの光強度とパルスの
変調は音響光学素子で行う、この変調パルスがデータに
対応する。第１図では、アイソレータ２．１１があるの
で、半導体レーザ本体への戻り光はなく、高周波重畳の
必要もない、ビームスプリッタ１４でデータの記録、消
去および再生に使われる光とＡＬＰＣのモニタ用に使わ
れる光に分ける。後者の光量を光検出器１５で検出し、
音響光学素子を用いた変調器１０にフィードバックする
。
本実施例では、メモリ媒体を１．４Ｋに冷却した。記録
媒体材料には従来から知られているＬｉＦにＭｇ ２°
をドープしたものを用いた０本発明の構成の光メモリ装
置と例えば０ＰＴＩＣＳ Ｃｏ聞ＵＮＩＣＡＴＩＯＮＳ
Ｖｏｌ、４４ Ｎｏ、３１７５−Ｌ７９１ｔ’：：−
記述されティるような構成とを比較するために記録・再
生・消去を繰り返した結果、ホールのシフトがおよそ１
２分の１に抑えられた。これは、共振器長の異なるファ
ビリ・ペロー共振器を複数用意すれば従来の方法に比較
して多重度を大きくすることができることを意味してい
る。
媒体材料には従来から知られているＬｉＦにＭｇ ２°
をドープしたものを用いた０本発明の構成の光メモリ装
置と例えば０ＰＴＩＣＳ Ｃｏ聞ＵＮＩＣＡＴＩＯＮＳ
Ｖｏｌ、４４ Ｎｏ、３１７５−Ｌ７９１ｔ’：：−
記述されティるような構成とを比較するために記録・再
生・消去を繰り返した結果、ホールのシフトがおよそ１
２分の１に抑えられた。これは、共振器長の異なるファ
ビリ・ペロー共振器を複数用意すれば従来の方法に比較
して多重度を大きくすることができることを意味してい
る。
［発明の効果］
以上、本発明によればホトケミカルホールバーニング現
象を利用した波長多重光メモリ装置において多重度を従
来より１桁増やすことが期待できる。
象を利用した波長多重光メモリ装置において多重度を従
来より１桁増やすことが期待できる。
第１閃は、本発明による光メモリ装置に使用されている
光学ヘッドの実施例を示す図。 １ ・ ２゜ ３゜ ４ ・ ５゜ ６ ・ ７ ・ ８ ・ ９ ・ １０・ １２・ ・・波長可変半導体レーザ １１・・・アイソレータ １４、 １７・・・ビーム・スプリッタ・・ファブリ・
ペロー共振器 １５・・・光検出器 ・・半導体レーザ注入電流制御回路 ・・温度コントローラ ゛°コリメータレンズ ・・アナモルフィックプリズム ・・音響光学素子を用いた変調器 ・・空間フィルタ・ビームエクスパンダ−１３・ １６・ １８・ １９・ ２０・ ２１・ ２２・ “ざツー ・音響光学素子変調器のコントローラ ・プリアンプ ・シグナル・アナライザ ・デイスプレィ ・レンズ ・マルチプレクサ 以上。
光学ヘッドの実施例を示す図。 １ ・ ２゜ ３゜ ４ ・ ５゜ ６ ・ ７ ・ ８ ・ ９ ・ １０・ １２・ ・・波長可変半導体レーザ １１・・・アイソレータ １４、 １７・・・ビーム・スプリッタ・・ファブリ・
ペロー共振器 １５・・・光検出器 ・・半導体レーザ注入電流制御回路 ・・温度コントローラ ゛°コリメータレンズ ・・アナモルフィックプリズム ・・音響光学素子を用いた変調器 ・・空間フィルタ・ビームエクスパンダ−１３・ １６・ １８・ １９・ ２０・ ２１・ ２２・ “ざツー ・音響光学素子変調器のコントローラ ・プリアンプ ・シグナル・アナライザ ・デイスプレィ ・レンズ ・マルチプレクサ 以上。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 光吸収帯が不均一拡がりを示し、かつ光を照射すると所
与の特定周波数光を吸収する分子だけが光誘起反応を起
こし、その結果前記光吸収帯に孔を生じる物質からなる
記録媒体と、該記録媒体に狭帯域モードで持久的なデー
タを記録するためのレーザーを有する周波数選択的な光
メモリー装置において、 ａ）波長可変半導体レーザと、 ｂ）該波長可変半導体レーザからの出射光の進行方向に
設置された光アイソレータと、 ｃ）ｂ）項記載の光、アイソレータからの出射光の進行
方向に設置されたｎ個のビーム・スプリッタＢＳ＿ｉ（
ｉ：１〜ｎ）と、 ｄ）ｃ）項記載のビーム・スプリッタＢＳ＿ｉで進行方
向の９０度変化した光の進行方向に設置された、それぞ
れ共振器長の異なるｎ個のファブリ・ペロー共振器ＦＰ
Ｒ＿ｉ（ｉ＝１〜ｎ）と、 ｅ）該ファブリ・ペロー共振器ＦＰＲ＿ｉとｃ）項記載
のビーム・スプリッタＢＳ＿ｉを結ぶ光路上に該ビーム
・スプリッタＢＳ＿ｉを該ファブリ・ペロー共振器ＦＰ
Ｒ＿ｉとの間に挟むように設けられたｎ個の光検出器Ｐ
Ｄ＿ｉ（ｉ＝１〜ｎ）と、 ｆ）必要に応じてｅ）項記載のｎ個のＰＤ＿ｉ（ｉ＝１
〜ｎ）から１個を選択して、そのＰＤの出力を出力とす
るマルチプレクサと、 ｇ）ｆ）項記載のマルチプレクサの出力を入力とし、前
記波長可変半導体レーザの発振波長を制御する電流を前
記波長可変半導体レーザに出力する制御回路と、 ｈ）前記波長可変半導体レーザの温度変動を抑制するた
めの温度コントローラ、 とからなる半導体レーザ波長サーボ回路と、半導体レー
ザの強度とパルス幅の変調を音響光学素子で行なうＡＬ
ＰＣ（ＡｕｔｏｍａｔｉｃＬａｓｅｒＰｏｗｅｒＣｏｎ
−ｔｒｏｌｌｅｒ）を有する光学ヘッドを搭載したこと
を特徴とする光メモリ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1225592A JPH0388140A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 光メモリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1225592A JPH0388140A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 光メモリ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0388140A true JPH0388140A (ja) | 1991-04-12 |
Family
ID=16831737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1225592A Pending JPH0388140A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 光メモリ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0388140A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6540397B2 (en) * | 2000-04-07 | 2003-04-01 | Siro Technologies, Inc. | Optical information storage medium |
-
1989
- 1989-08-31 JP JP1225592A patent/JPH0388140A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6540397B2 (en) * | 2000-04-07 | 2003-04-01 | Siro Technologies, Inc. | Optical information storage medium |
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