JPH0387705A - 高効率プリズム結合装置及びその作成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光集積回路、光センサ、光デバイス等のプリ
ズムカップリングに用いられる高効率プリズム結合装置
及びその作成方法に関する。

従来の技術 従来、プリズムに入射した光ビームを光導波路層に導き
光結合を行わせる方法としては、その光導波路層の表面
に直接プリズムを圧着させるものがあり、これにより、
容易に接着することができ、しかも、高い結合効率を簡
単に得ている。しかし、このように光導波路層に直接プ
リズムを接着した装置の場合、機械的振動や衝撃等の影
響を受けやすく、これにより結合効率が変化してしまう
という問題がある。そこで、このような問題を解決する
ために、プリズムと光導波路層との間を一定間隔に保つ
方法がある。

その具体例として、第９図に示すように、基板１上に高
屈折率光導波路層２が形成され、この高屈折率光導波路
層２の表面に低屈折率ギャップ調整層３が形成され、さ
らに、この低屈折率ギャップ調整層３の表面の一部には
、接着剤としての高屈折率セメント層４を介して、高屈
折率プリズム５が形成されている。このように低屈折率
ギャップ調整層３を設けたことにより、振動等の影響を
受けにくくなるため、高屈折率光導波路層２と高屈折率
プリズム５との間の間隔を常に一定に保つ二とができる
ようになり、これにより光の結合効率を一定に保つこと
が可能となる。

発明が解決しようとする課題 しかし、高屈折率光導波路層２と結合する入射ビーム６
はその高屈折率光導波路層２の上部に作成した光学素子
により集光、反射、透過、結合等の作用を受ける。この
ため光結合効率を高めるためには、入射ビーム６をある
決まった方向（各層と直交する方向に対してＯをなす角
度）から入射させる必要があり、そのためには上述した
ような従来の装置の場合、入射ビーム６の入射位置を高
屈折率セメント層４の端部に到達するように入射させる
必要がある。

ここで、接着剤である高屈折率セメント層４の端部に入
射ビーム６を入射させる理由について説明する。第１０
図において、高屈折率セメント層４の中心付近に入射ビ
ーム６を入射させた時には、デカップリングという現象
により、−度、高屈折率光導波路層２に導波した光が再
び高屈折率プリズム５と結合してその後外部に出射して
しまい、その結果、光結合効率が悪いものとなる。従っ
て、入射ビーム６を高屈折率セメント層４の端部を目が
けて入射させれば、デカップリングして再び高屈折率プ
リズム５に導かれ外部に出射するというようなことをな
くすことができる。

しかし、高屈折率セメント層４である接着剤の端部はそ
の付き方によって場所が変わり、その結果、接着剤の端
部がどこに存在するのかを特定することが非常に困難で
ある。また、このように接着剤の付き方によってその端
部の位置が変わると、これに応じて入射ビーム６の入射
位置も変えなければならないが、ある決まった一定の方
向から入射させる必要がある装置ではそのように接着剤
の付き方によって入射位置が変わることは非常に不便で
ある。

課題を解決するための手段 そこで、このような問題点を解決するために、請求項１
記載の発明では、基板上に形成された光導波路層と、こ
の光導波路層の表面に形成されたその光導波路層の屈折
率よりも低い屈折率を有するギャップ調整層と、このギ
ャップ調整層の表面に形成された前記光導波路層よりも
高い屈折率を有する誘電性接着剤と、この誘電性接着剤
の表面に設けられた前記光導波路層よりも高い屈折率を
有する誘電体プリズムとよりなるプリズム結合装置にお
いて、前記誘電性接着剤と接する側の前記ギャップ調整
層の一部に入射ビームの導かれる開口部を設け、この開
口部の膜厚を最高の光結合効率が得られるようにその開
口部の周囲領域の膜厚よりも薄く形成した。

また、請求項２記載の発明では、基板上に形成された光
導波路層と、この光導波路層の表面に形成されたその光
導波路層の屈折率よりも低い屈折・率を有するギャップ
調整層と、このギャップ調整層の表面に形成された前記
光導波路層よりも高い屈折率を有する誘電性接着剤と、
この誘電性接着剤の表面に設けられた前記光導波路層よ
りも高い屈折率を有する誘電体プリズムとよりなるプリ
ズム結合装置において、前記ギャップ調整層と前記誘電
性接着剤との真に前記光導波路層の屈折率よりも低い屈
折率を有する第二のギャップ調整層を積層し、この第二
のギャップ調整層の前記誘電性接着剤と接する領域に入
射ビームの導かれる開口孔を形成した。

請求項３記載の発明では、基板上に光導波路層を形成し
、この光導波路層の表面に無機材料からなる第一ギャッ
プ調整層を成膜後、有機材料からなる第二ギャップ調整
層をスピンコートにより塗布し、この第二ギャップ調整
層の表面にホトレジストを塗布し、このホトレジストの
表面に開口孔に相当する部分を有する遮光マスクを載置
し、この状態で露光、現像を順次行うことにより前記開
口孔に対応した部分のホトレジストを除去し、その後、
エツチング剤により前記第二ギャップ調整層のエツチン
グを行うことにより前記開口孔を形成するようにした。

作用 請求項１記載の発明により、外部からの入射ビームは、
誘電体プリズムを介して、ギャップ調整層の開口部に導
かれ、最高の光結合効率の状態で光導波路層に導波され
ることになるため、従来のように一度光導波路層に入射
した光が再び誘電体プリズムに導かれ外部に出射すると
いう、いわゆる、デカップリング現象をなくすことが可
能となる。

また、請求項２記載の発明により、外部からの入射ビー
ムは、誘電体プリズムを介して、第二のギャップ調整層
の開口孔に導かれ、その下部に位置するギャップ調整層
を透過することにより最高の光結合効率の状態で光導波
路層に導波されることになり、これにより、第二のギャ
ップ調整層の膜厚を十分厚く設定することによって、従
来のように一度光導波路層に入射した光が再び誘電体プ
リズムに導かれ外部に出射するという、いわゆる、デカ
ップリング現象をなくすことが可能となる。

さらに、請求項３記載の発明により、無機材料からなる
第一ギャップ調整層の表面に有機材料からなる第二ギャ
ップ調整層を塗布し、エツチング剤によりエツチングを
行い開口孔を形成するようにしたので、第一ギャップ調
整層を第二ギャップ調整層のエッチストップ層として働
かせることができ、これによりエツチングのコントロー
ルを容易にすることが可能となる。

実施例 まず、請求項１記載の発明の一実施例を第１図ないし第
６図に基づいて説明する。なお、従来技術と同一部分に
ついては同一符号を用いる。

基板１上には光導波路層２が形成されている。

この光導波路層２の表面にはこの屈折率ｎｆよりも低い
屈折率ｎｇを有するギャップ調整層３が形成されている
。このギャップ調整層３の表面には前記光導波路層２よ
りも高い屈折率ｎａを有する誘電性接着剤４が形成され
ている。この誘電性接着剤４の表面には前記光導波路層
２よりも高い屈折率ｎｐを有する誘電体プリズム５が形
成されている。

前記ギャップ調整層３の前記誘電性接着剤４と接する側
の表面には入射ビーム６の導かれる開口部７が形成され
ている。この場合、第２図に示すように、前記開口部７
の肉厚ｄ１は、最高の光結合効率が得られるように、そ
の周囲領域８の肉厚ｄ２よりも薄く形成されている。

なお、ここで、各層の屈折率の大小関係を示しておく。

ｎ　ｐ　＃　ｎ　ａ　）　ｎ　ｆ　）　ｎ　ｇこのよう
な構成において、外部から誘電体プリズム５に入射した
入射ビーム６は、誘電性接着剤４を介して、ギャップ調
整層３の開口部７に入射する。この時、肉厚ｄ１　を有
する開口部７の光結合効率は波形Ａの頂点に位置してｅ
、と高く、その開口部７の周囲の肉厚ｄ２を有する周囲
領域８の光結合効率はｅ、（（ｅ、）と低く設定されて
いる。

このようにｅ、を低く設定することにより、デカップリ
ング現象により再び誘電体プリズム５に入射し外部へ出
射していく光量を少なくすることができ、これにより、
ｅ、−ｅｔの効率で先導波路２に結合されることになる
。従って、ギャップ調整層３の周囲領域８の肉厚ｄ、を
十分厚く設定することによって、デカップリングにより
外部へ出射する光量の値をほぼＯに設定することができ
、これにより最高の光結合効率を得ることができる。

次に５本実施例の具体例を第３図に基づいて説明する。

基板１：ｓｉ基板 バッファ層９：ＳｉＯ。

（ｎｂ＝１．４６、ｄｂ＝２μｍ） Ｓｉ基板を熱酸化して作製 光導波路層２：５ｉＯＮ （ｎｆ＝１．７０．ｄｆ＝１１Ｌｍ） ギャップ調整層３　：　Ｓ　ｉ　Ｏ，（ｎ　ｇ　＝１．
４６）ＣＶＤ、スパッタ等により 作製 誘電体プリズム５：高屈折率光学ガラス（ｎｐ＝１．８
０） 誘電性接着剤４：光学的に透明で高屈折率な材料、例え
ば、ポリイミド系 樹脂（バイラリン２５５５、 ｎａ＝１．７２） ただし、ｄｂ、ｄｆは各層の肉厚とし、また、ギャップ
調整層３の開口部７及びその周辺領域８の肉厚は、それ
ぞれｄ　、　＝０．２８μｍ、　ｄ　、　＝０．７０μ
ｍとする。

そこで、今、本実施例の主要部をなす開口部７の作製方
法について説明する。この開口部７は、周知のフォトリ
ゾグラフィ技術を用いてエツチングにより作製すること
ができる。すなわち、まず、光導波路層２の表面にギャ
ップ調整層３の全体の肉厚を０．７０μｍに均一に成膜
した後、ホトレジストを塗布し、開口部７に相当する箇
所にマスクをして露光、現像を行うことによって、開口
部７のレジストを除去する。その後、緩衝フッ酸により
エツチングを行い、開口部７の肉厚が０．２８μｍとな
るようにする。その後は、レジストを除去し、誘電体プ
リズム５を誘電性接着剤４にて接着する。この時、その
誘電性接着剤４が開口部７の領域に完全に入り込むよう
にする。本例の場合、ＴＥｏモードに対する等偏屈折率
ＮはＮ＝１．６８　となり、今、入射ビーム６の入射角
度θを６７°とすれば、ＴＥｏモードが光導波路Ｍ２を
導波する。なお、入射ビーム６の波長は、０゜６３２８
μｍ（Ｈｅ−Ｎｅレーザ）とする。

また、第４図は、ギャップ調整層３の厚さを変えた時の
光結合効率を示すものである。入射ビーム６の径は、開
口部７の横幅と同じで２ａ＋ｍである。

この第４図から明らかなように、開口部７での光結合効
率は８０％以上であり、しかも、その周囲のギャップ調
整層３の肉厚を０．７０μｍとしているので、デカップ
リングにより外部へ出射する効率はゼロとなっている。

これにより、本例では。

入射角６７°　　０．６３２８μｍの波長の入射ビーム
６を誘電体プリズム５に入射すれば、８０％以上の効率
をもって光導波路層２にＴＥｏモードを導波させること
ができる。

上述したように、開口部７はフォトリングラフィ技術に
より精度良く所望の位置に形成することができるため、
これにより所望の導波路の位置に光ビームを入射させ導
波させることが可能となる。

なお、導波モードによって最適なギャップ調整層３の膜
厚は異なるため、モードに合わせてそのギャップ調整層
３の膜厚を調整する必要がある。

次に、ギャップ調整層３に形成された開口部７の形状の
変形例について説明する。第５図は、前述した第１図に
おけるギャップ調整層３に形成された開口部７の垂直な
段差°形状をテーパ状にしたものである。このようなテ
ーパ形状にすることによって、垂直な段差形状の時に、
光導波路層２を導波する光に若干ではあるが影響を及ぼ
していた反射損や散乱損の影響をなくすことが可能とな
る。

また、第６図は、ギャップ調整層３の開口部７の平面形
状を示したものである。この図かられかるように、開口
部７の形状は矩形をしており、しかも、入射ビーム６の
径より若干小さめに設定しである。また、開口部７の形
状としてはこのような矩形の他に、例えば、入射ビーム
の形状に合わせるようにしてもよいが、その場合にはビ
ーム径に合わせて最適な膜厚をコントロールして形成す
る必要がある。

請求項２記載の発明及び請求項３記載の発明の一実施例
を第７図に基づいて説明する。基板１０上には屈折率ｎ
ｆを有する光導波路層１１が形成されている。この光導
波路層１１の表面にはこの屈折率ｎｆよりも低い屈折率
ｎ　ｇ　＋　を有するギャップ調整層としての第一ギャ
ップ調整層１２が形成されている。この第一ギャップ調
整層１２の表面には前記光導波路層１１の屈折率ｎｆよ
りも低い屈折率ｎｇ、を有するギャップ調整層としての
第二ギャップ調整層１３が積層されている。この第二ギ
ャップ調整層１３の表面には前記光導波路層１１よりも
高い屈折率ｎａを有する誘電性接着剤１４が形成されて
いる。この誘電性接着剤１４の表面には前記光導波路層
１１よりも高い屈折率ｎｐを有する誘電体プリズム１５
が形成されている。

そして、本実施例の場合、前記第二ギャップ調整層１３
の前記誘電性接着剤１４と接する領域には入射ビーム１
６の導かれる開口孔１７が形成されている。また、この
場合、第一ギャップ調整層１２は、入射ビーム１６の誘
電体プリズム１５の底面での入射ビーム１６の大きさ若
しくは第二ギャップ調整層１３の開口孔１７の長さΩに
対応して最適な屈折率と厚みとを有するようになってい
る。

なお、ここで、各層の屈折率の大小関係を示しておく。

ｎｐ＃ｎａ＞ｎｆ＞ｎｇ＋＃ｎｌｌ このような構成において、第二ギャップ調整層１３の開
口孔１７の長さ党に対して入射ビーム１６が光導波路層
１１へ最も効率良く結合できる第一ギャップ調整層１２
の最適膜厚ｄ、というのが存在する。この場合、第二ギ
ヤツブ調整層↓３の膜厚ｄ３が薄ければ薄いほど、デカ
ップリング現象により誘電体プリズム１５に入射してい
く光量が増え、これにより光導波路層１１に結合する光
量は減る。そこで、今、その第一ギャップ調整層１２の
最適膜厚をｄ、とした時、第二ギャップ調整層１３の膜
厚ｄ、を十分厚くとれば、デカップリングで出射する光
はほぼゼロにすることができ、これにより最適の光結合
効率を得ることができることになる。従って、このよう
なことから、第一ギャップ調整層１２の膜厚ｄ、は最適
膜厚とし、第二ギャップ調整層１３の膜厚ｄ２はできる
だけ厚く設定するようにする。

次に、上述した実施例の第一の具体例を第７図に基づい
て説明する。なお、入射ビーム１６の波長は０．６３２
８μｍとする。

各層の構成は以下のようになる。

基板；ガラス基板（石英、ｎ・１．４６）光導波路層：
　５ｉＯＮ　（ｎｆ＝１．７０、ｄｆ＝１．０μＩＩＩ
）ＣＶＤにより成膜 第一ギャップ調整層 ：　Ｓｉｎ、　（ｎｇ、＝１．４６、ｄｇ、　＝０．２
８　μｍ）第二ギャップ調整層 ：　ＯＣＤ　（Ｓｉｎ、系塗布膜、 ｄｇ、　＝０．５μｍ） 誘電体プリズム ：高屈折率光学ガラス（ｎｐ＝１．８０）誘電性接着剤
：光学的に透明な高屈折率材料ポリイミド系樹脂（ｎａ
：＋１．７２）また、第二ギャップ調整層１３の除去さ
れた開口孔１７の長さは２ｍｍとし、その開口孔Ｌ７は
以下のようにして作製した。

まず、第一ギャップ調整層１２を成膜後、スピンコート
によりＯＣＤを塗布する。さらに、この上にホトレジス
トを塗布し、開口孔１７に対応した部分を有する遮光マ
スクを置き、露光、現像を順次行うことにより開口孔１
７に対応する部分のホトレジストが除去される。その後
、エツチング剤としての緩衝フッ酸により第二ギャップ
調整層１３　（ＯＣＤ）をエツチングする。この時、ｏ
ｃＤのエッチレートは６００人／ｓｅｃ、また、第一ギ
ャップ調整層１２のＳｉ○、のエッチレートは１００人
／ｓｅｃである。エッチレートの比は約６：ｌの差があ
るので、第一ギャップ調整層１２（Ｓ　ｉ　Ｏ，）が実
質的なエッチストップ層として働く。このエッチレート
の比が大きければ大きいほど、エツチングのコントロー
ルは容易となる。

そして、本実施例では、ＴＥ、モードに対する透過屈折
率はＮ＝１．６８となり、入射ビーム６の入射角度を６
７°とすればＴＥ。モードが光導波路層１１を導波し、
この時の結合効率は約８０％が得られた。また、この場
合、第二ギャップ調整層１３の膜厚を０．５μｍとした
ので、デカップリングによる出射光量はほぼゼロとなっ
た。

次に、本実施例の第二の具体例を第８図に基づいて説明
する。

各層の構成は以下のようになる。

基板：Ｓｉ基板（石英、ｒ＋＝１．４６）バッファ層：
　Ｓｉｎ、　（ｎｆ＝１．４６、ｄｂ＝２　μｍ）光導
波路層：　５ｉＯＮ　（ｎｆ＝１．４６、ｄｆ＝１．０
μｍ）ＣＶＤにより成膜 第一ギャップ調整層 ：　Ｓｉｎ、　（ｎｇ、＝１．４６、ｄｇ、＝０．２８
μｍ）第二ギャップ調整層 ：　ＰＭＭＡ　　（ｎｇ、＝１．４８、ｄｇ、＝０．５
μＩＩＩ）誘電体プリズム ：高屈折率光学ガラス（ｎｐ・１．８０）誘電性接着剤
：光学的に透明な高屈折率材料ポリイミド系樹脂（ｎａ
；１．７２） また、第二ギャップ調整層１３の除去された開口孔１７
の長さは２ｍｍとし、その開口孔１７は以下のようにし
て作製した。

第一ギャップ調整層１２を成膜後、第二ギヤツブ調整Ｍ
１３となるＰＭＭＡを所定の膜厚にスビンコート（０，
５μｍ）する。その後、開口孔１７に対応した部分を電
子ビームで露光し、現像する。

これにより、開口孔１７の部分のＰＭＭＡは除去される
。この現像プロセスでは、第一ギャップ調整層１２はＳ
ｉｎ、のため、物理的に何らの変化も起さない。これに
より、第一の具体例と同様に、高い結合効率を得ること
ができた。なお、第一ギャップ調整層１２を無機材料、
第二ギャップ調整層１３を有機材料としたため、ここで
は、第一ギャップ調整層１２の膜厚を最適に制御するだ
けでよい。また、基板１０と光導波路層１１との真には
、バッファ層１８が設けられている。

発明の効果 請求項１記載の発明は、誘電性接着剤と接する側のギャ
ップ調整層の一部に入射ビームの導かれる開口部を設け
、この開口部の膜厚を最高の光結合効率が得られるよう
にその開口部の周囲領域の膜厚よりも薄く形成したので
、外部からの入射ビームは、誘電体プリズムを介して、
ギャップ調整層の開口部に導かれ、最高の光結合効率の
状態で光導波路層に導波されるため、従来のように一度
光導波路層に入射した光が再び誘電体プリズムに導かれ
外部に出射するという、いわゆる、デカップリング現象
をなくすことができ、これにより、従来のように照射ビ
ームをギャップ調整層と誘電体プリズムとの真に設けら
れた接着剤の端部に目がけて入射させる必要がなくなり
、しかも、デカップリング現象をなくすことができるた
め光利用効率を従来に比べ格段に上げることができるも
のである。

請求項２記載の発明では、ギャップ調整層と前記誘電性
接着剤との真に前記光導波路層の屈折率よりも低い屈折
率を有する第二のギャップ調整層を積層し、この第二の
ギャップ調整層の前記誘電性接着剤と接する領域に入射
ビームの導かれる開口孔を形成したので、外部からの入
射ビームは。

誘電体プリズムを介して、第二のギャップ調整層の開口
孔に導かれ、その下部に位置するギャップ調整層を透過
することにより最高の光結合効率の状態で光導波路層に
導波されることになり、これにより、第二のギャップ調
整層の膜厚を十分厚く設定することによって、従来のよ
うに一度光導波路層に入射した光が再び誘電体プリズム
に導かれ外部に出射するという、いわゆる、デカップリ
ング現象をなくし光利用効率を従来に比べ格段に上げる
ことができるものである。

請求項３記載の発明では、無機材料からなる第一ギャッ
プ調整層の表面に有機材料からなる第二ギャップ調整層
を塗布し、エツチング剤によりエツチングを行い開口孔
を形成するようにしたので、第一ギャップ調整層を第二
ギャップ調整層のエッチストップ層として働かせること
ができ、これによりエツチングのコントロールを容易に
することができるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は請求項１記載の発明の一実施例を示す側面図、
第２図はそのギャップ調整層の膜厚に対する光結合効率
の様子を示す波形図、第３図は本発明の具体例を示す側
面図、第４図はそのギャップ調整層の膜厚を変えた時の
光結合効率の様子を示す波形図、第５図はギャップ調整
層をテーパー状にした時の様子を示す側面図、第６図は
開口部の形成されたギャップ調整層の平面図、第７図は
請求項２記載の発明の一実施例である第一の具体例を示
す側面図、第８図はその第二の具体例を示す側面図、第
９図は従来例を示す側面図、第１０図はデカップリング
現象を示す側面図である。 １・・・基板、２・・・光導波路層、３・・・ギャップ
調整層、４・・・誘電性接着剤、５・・・誘電体プリズ
ム、６・・・入射ビーム、７・・・開口部、８・・・周
囲領域、１０・・・基板、１（・・・光導波路層、１２
．１３・・・ギャップ調整層、 １ ４・・・誘電性接着剤、 ５・・・誘電 体プリズム、 ６・・・入射ビーム、 ７・・・開口孔 出 願 人 株式会社 リ コ 」 陸 ５Ｚ図 キャフブ謂５止」勢Φ＃Ｊ！Ｊ−＄ｎ）、％、３ 図 」 ３住図 千＋ンブ郡駐独り邑の月罠４１−〕 ｑ ■ 」 ３」０ 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上に形成された光導波路層と、この光導波路層
   の表面に形成されたその光導波路層の屈折率よりも低い
   屈折率を有するギャップ調整層と、このギャップ調整層
   の表面に形成された前記光導波路層よりも高い屈折率を
   有する誘電性接着剤と、この誘電性接着剤の表面に設け
   られた前記光導波路層よりも高い屈折率を有する誘電体
   プリズムとよりなるプリズム結合装置において、前記誘
   電性接着剤と接する側の前記ギャップ調整層の一部に入
   射ビームの導かれる開口部を設け、この開口部の膜厚を
   最高の光結合効率が得られるようにその開口部の周囲領
   域の膜厚よりも薄く形成したことを特徴とする高効率プ
   リズム結合装置。 ２、基板上に形成された光導波路層と、この光導波路層
   の表面に形成されたその光導波路層の屈折率よりも低い
   屈折率を有するギャップ調整層と、このギャップ調整層
   の表面に形成された前記光導波路層よりも高い屈折率を
   有する誘電性接着剤と、この誘電性接着剤の表面に設け
   られた前記光導波路層よりも高い屈折率を有する誘電体
   プリズムとよりなるプリズム結合装置において、前記ギ
   ャップ調整層と前記誘電性接着剤との真に前記光導波路
   層の屈折率よりも低い屈折率を有する第二のギャップ調
   整層を積層し、この第二のギャップ調整層の前記誘電性
   接着剤と接する領域に入射ビームの導かれる開口孔を形
   成したことを特徴とする高効率プリズム結合装置。 ３、基板上に光導波路層を形成し、この光導波路層の表
   面に無機材料からなる第一ギャップ調整層を成膜後、有
   機材料からなる第二ギャップ調整層をスピンコートによ
   り塗布し、この第二ギャップ調整層の表面にホトレジス
   トを塗布し、このホトレジストの表面に開口孔に相当す
   る部分を有する遮光マスクを載置し、この状態で露光、
   現像を順次行うことにより前記開口孔に対応した部分の
   ホトレジストを除去し、その後、エッチング剤により前
   記第二ギャップ調整層のエッチングを行うことにより前
   記開口孔を形成するようにしたことを特徴とする高効率
   プリズム結合装置の作成方法。