JPH0381740A - 光制御回路 - Google Patents

光制御回路

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JPH0381740A
JPH0381740A JP21719689A JP21719689A JPH0381740A JP H0381740 A JPH0381740 A JP H0381740A JP 21719689 A JP21719689 A JP 21719689A JP 21719689 A JP21719689 A JP 21719689A JP H0381740 A JPH0381740 A JP H0381740A
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JP
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optical
light
optical waveguide
input
waveguide
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JP21719689A
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Kazuto Noguchi
一人 野口
Hiroshi Miyazawa
弘 宮沢
Hiromichi Jumonji
十文字 弘道
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/26Optical coupling means
    • G02B6/30Optical coupling means for use between fibre and thin-film device

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は光波の変調、光路切替等を行う光制御素子に関
し、特に基板中に設けた光導波路を用いて制御を行う導
波型の光制御回路に関するものである。
(従来の技術) 近年、光通信システムの実用化が進むにつれ、さらに大
容量、高機能のシステムが要求されるようになり、より
高速の光変調器や光スィッチ等の光制御素子が必要とな
っている。このような光制御素子においては、その挿入
損失が光信号の伝送距離を制限する要因の一つであり、
高速性とともに低損失性も重要となる。高速の光制御素
子としては、電気光学効果を利用する光制御素子が代表
的であり、方向性結合器型光変調器またはスイッチ、全
反射型光スイッチ、分岐干渉光変調器またはスイッチに
関する報告がなされている。例えば10Gb/s以上の
超高速信号の変調器、またはスイッチング素子としては
、LiNb0.結晶中にTiを拡散して形成した光導波
路を利用する素子があり、波長1.5 pmに対して0
.1〜0.2 dB 7cmという小さな伝搬損失が得
られている。しかしながら、このよな導波路型光制御素
子を実際の光フアイバ伝送系へ適用する場合には、光フ
ァイバの結合損失も考慮する必要がある。このためには
光導波路の伝搬モードの光エネルギー分布を、光ファイ
バの伝搬モードの光エネルギー分布になるべく近づける
ように、先導波路を作製することが行われている。上記
の手段により光フアイバ間に光導波路を挿入した時のフ
ァイバと導波路との結合損失値としては片側で1 dB
程度の値となる。これはTi拡散導波路においては基板
に垂直な方向と水平な方向の屈折率分布が異なり、円形
の屈折率分布をもつ光ファイバとは光エネルギー分布が
一致しないことによる。一方、導波型の光制御素子の動
作速度はその動作電圧に強(依存し、高速化のためには
動作電圧をできるだけ小さくすることが実用上非常に重
要である。しかしながら、光制御素子の電圧を低減する
ためには、印加電界の強度が大きい電極近傍に伝搬光の
光エネルギーを集中させる必要があり、この低電圧化の
条件は一般に前述の光ファイバとの結合損失を低減させ
るための条件とは異なっている。
通常用いられる単一モード光ファイバの光エネルギー分
布は、スポットサイズ(光強度が1/e2となる全幅)
が10μm程度であるので、低損失を目的とする場合、
光導波路のスポットサイズも上記値程度となるように選
ばれる。一方、低電圧化のためには、光導波路の光エネ
ルギー分布を光ファイバとの低結合損失条件の幅の値よ
りも小さくする必要がある。
このように強誘電材料に金属を拡散して形成した光制御
素子においては、低損失・低電圧を同時に満足するため
に、光ファイバとの結合部では導波路の伝搬モードのス
ポットサイズを光ファイバの伝搬モードのスポットサイ
ズに一致させ、かつ光エネルギー分布を円形化する必要
があり、光制御部においては印加電界の強度が大きい電
極近傍に伝搬モードの光エネルギー分布を集中させる必
要がある。しかしながら従来用いられている製造方法、
すなわちTi等の金属原子の薄膜パターンを入出力導波
路部も光制御素子部も同じ膜厚、同しパターン幅で強誘
電体基板中に熱拡散する方法では、入出力導波路部と光
制御素子部の屈折率分布を別々に設定することはできな
いので、低損失・低電圧を同時に実現することは不可能
であった。
低損失・低電圧を同時に現実する光制御素子の一つの試
みとして近藤、小松、太田により第7回集積光学と導波
光学に関する会議(7th TopicalMeeti
ng on Integrated and Guid
ed−Wave 0ptics)のテクニカルダイジェ
ストTu A3−1  に述べられている。
すなわち、光制御素子を構成する光導波路とそれと光入
出力端面とを接続する入出力光導波路との間で拡散する
金属原子を含む薄膜導波路パターンの膜厚を別々に設定
して、光ファイバとの結合部では導波路の光エネルギー
分布を光ファイバの光エネルギー分布に近づけ、光制御
素子部においては導波路の光エネルギー分布を電極近傍
に集中させるものがある。しかしながら前記光制御回路
においては、入出力光導波路はTi拡散法で形成されて
おり、偏光選択性が無いので、光制御素子部の消光比が
劣化してしまう。
さらに、LiNbO3の電気光学定数は、結晶のC軸方
向が最も大きいので、低電圧化のためには、通常、光制
御素子部を伝搬する光の偏光方向をC軸方向に選び、電
極もC軸方向に電界がかかるように配置する。例えば基
板としてZ板を用いた場合、基板面に垂直な方向の偏光
、すなわちTM偏光を選び、電極は電界が基板面に垂直
な方向にかかるように設置する。しかしながら、前記の
例において光制御素子部として方向性結合器型光スイッ
チを採用した場合、導波光の偏光方向により方向性結合
器部の完全結合長が異なるので、入射光の中に基板面に
水平な方向の偏光、すなわちTE偏偏光骨分含まれると
、TEE光成分に対しては光路切替ができず、光スィッ
チの消光比が劣化する。
また、光制御素子部として分岐干渉型光変調器を採用し
た場合、TM偏偏光骨分対しては光変調をかけることが
できるが、TE偏偏光骨分対しては光の電界の振動方向
と電極にかけられた電界の方向とが互いに垂直に交わる
ために光変調をかけることができず、そのまま通過して
しまうので、導波光にTE偏偏光骨分混じると消光比が
劣化する。
したがって光制御素子の消光比を向上させるためには、
入射光の偏光方向を制御する必要がある。
光制御素子部の消光比を向上させた光制御素子の一つの
試みとしてJ、J、Veselka、 S、に、Kor
otkyにより光スィッチに関する会議(Topica
l Meetjngon Photonic Swit
ching )のテクニカルダイジェストThA2−1
に述べられている。すなわち、光制御素子を構成する先
導波路をTi拡散法で形成し、それと光出力端面とを接
続する出力光導波路をプロトン交換法で形成して、出力
部では偏光選択性をもたせ、光制御素子部においては導
波路の光エネルギー分布を電極近傍に集中させるものが
ある。
しかしながら前記光制御回路においては、出力光導波路
のスポットサイズはTi拡散導波路のスポットサイズと
光ファイバのスポットサイズの中間の値であり、光ファ
イバとの結合において損失が理論限界には達していない
。したがって、さらに低損失化するためには、入出力光
導波路のスポットサイズを光ファイバのスポットサイズ
に一致させ、かつ入出力光導波路と光制御素子を構成す
る光導波路との間に、スポットサイズが徐々に変化する
領域を設けた光制御回路が必要となる。
(発明が解決しようとする諜B) 本発明は、低損失に光フアイバ結合ができ、かつ低電圧
動作が可能で、かつ消光比が大きい光制御回路を提供す
ることにある。
(課題を解決するための手段) 本発明による光制御回路は、基板面上もしくは基板面付
近に形成された少なくとも1本の光導波路とその光導波
路近傍に設置された電極とによって構成される少なくと
も一つの光制御素子と、該光制御素子と前記基板端面に
設けられた光入出力端を接続する入出力光導波路を具備
し、前記入出力光導波路が偏光選択性を有し、前記入出
力光導波路を伝わる光波のスポットサイズは、前記光制
御素子を構成する光導波路を伝わる光波のスポットサイ
ズよりも大きく、かつ前記光入出力端に結合される他の
光素子のスポットサイズに等しくなるように設定し、前
記光入出力光導波路と前記光制御素子を構成する光導波
路の境でスポットサイズが徐々に変化するように構成す
る。
本発明では、前述のように光制御素子を構成する光導波
路とそれと光入出力端面とを接続する入出力光導波路と
の間で導波路形成方法を異ならしめことにより、入出力
光導波路部分では光ファイバの光エネルギー分布に近い
伝搬光エネルギー分布を与えるように円形化した屈折率
分布を設定し、かつそれとは独立に光制御素子を構成す
る部分の光導波路の屈折率分布はその伝搬光エネルギー
分布が電極近傍に十分閉じ込められるように設定し、さ
らに入出力光導波路に偏光選択性を有する導波路を採用
することにより2.光制御素子部を伝搬する光の偏光方
向を一定の方向とし、低損失結合、かつ低電圧動作が可
能で消光比の大きい光制御回路が得られる。
(実施例) 以下図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
第1図に本発明の第1の実施例として、本発明による方
向性結合器型光制御回路を示す。
第1図において、LiNbO5基板201の上に、互い
に数μmの間隔で近接した幅数μm〜数十μm、長さ数
1mm〜数十開の光導波路202A、 202Bが設置
され、その上に光吸収を防ぐために設けたSin。
膜(図では省略)を介して1対の、電極207が形成さ
れ、これらの光導波路202A、 202Bと電極20
7により方向性結合器型光制御素子が構成されている。
また、基板201の端面にそれぞれ入射端209.21
0をもつ入力光導波路203.204が光導波路202
A202Bの入力側にそれぞれ接続され、基板201の
入射端と対向する端面に出射端211.212をもつ出
力光導波路205 、206が光導波路202A、 2
02Bの出力側にそれぞれ接続されている。入力光導波
路および出力光導波路と接続する部分は2本の導波路の
間で結合が生じない程度、例えば数十μm〜数百 μm
離れた2本の導波路より構成され、かつ2本の光導波路
の間隔は方向性結合器部20Bの端部から入出力光導波
路に至る間に徐々に広がっていくように作製されている
。ここで光導波路202A、 202BはLiNbO3
基板201の表面に形成したTi薄膜パターンをLiN
b0.基板201中に熱拡散して形成したものである。
一方、入力光導波路203.204および出力光導波路
205,206の部分は、プロトン交換後にアニーリン
グにより拡散されている。
第2図(a)〜(d)は本発明の光制御回路の原理を説
明するための図で、n、は基板の屈折率である。入力光
導波路203.204および出力光導波路205、20
6では第2図(c)に示すように、屈折率の最大値はn
、であり、方向性結合器部208の屈折率n1に比べて
小さく、伝搬光のエネルギー分布は第2図(d)に示す
ように広がっており、かつ光強度分布が深さ方向にも光
軸に対して対称な分布となる。したがって光ファイバと
低損失に結合することか可能となる。なお、光導波路2
02A、 202Bと入力光導波路203.204およ
び出力光導波路205゜206の接続部215.216
.217.218は伝搬光のモード変換による損失を小
さくするために、屈折率が第2図(a)の分布と第2図
(c)の分布のように伝搬の距離数百μmから数mmに
わたって徐々に変化するうよに形成されている。
前述の実施例は一例として、第3図に示すような作製方
法により得られる。まず、LiNb0.基板101の上
に通常のフォトリソグラフィ技術を用いて光導波路のパ
ターンを形成する。すなわちLiNb0.基板上にフォ
トレジストを一様に塗布し、先導波路部分と同形のフォ
トマスクを通して、前記フォトレジストを露光し、現像
することによって、フォトレジスト膜に導波路形状の溝
を形成する。パターンの幅は、方向性結合器部ではW2
(=5μm〜10μII+)であり、入出力光導波路と
接続するテーパ部103.104.105.106では
長さが0.11〜数mmにわたって幅がW2から0まで
徐々に狭くなっている。フォトリソグラフィ技術を用い
てフォトレジスト膜に導波路形状の溝を形成した後、こ
の上からますTi膜を70nm〜100 nm程度全面
に形成し、その後フォトレジスト膜を溶解することによ
って、第3図(b)に示すような光導波路108の形状
と同形のTi膜パターンを形成する。次にこの基板を1
000°C〜1100°C15時間〜10時間程度高温
炉中で加熱してTiをLiNb0i基板中へ拡散し、そ
の部分のみ屈折率をわずかに増加させて光導波路108
を形成する。第3図(b)に示すようなマスクパターン
膜の窓110.111.112゜113を開けたプロト
ン交換用マスクパターン膜109(材質は例えばAll
!、 Cr、 Au、 5ift、 Ta等の中から適
当なものを選べばよい)を通常のフォトリソグラフィ技
術により光導波路108が作製されている基板上に形成
する。ここで、この窓の幅は、基板の光入力端面118
.119および光出力端面120、121  ではWl
(=5μl11〜10μm程度)であり、テーパ部11
4.115.116.117では長さが0.1mm〜数
mmにわたって幅がWlから0まで徐々に狭くなってい
る。その後、この基板を、例えば温度が150″C〜2
50’Cの安息香酸中に、数分から数時間程度浸漬して
プロトン交換を行う。さらに、基板上からマスク膜を除
去した後、基板を温度300 ’C〜500  Cの電
気炉中に入れ、数十分から数時間程度アニーリングすれ
ばよい。その後、電極での光吸収を防ぐためにLiNb
0.基板107上にSi0g膜を400 nm程度形威
し、方向性結合器部の真上のSing膜上にCrとAu
もしくはCrとAIを積層した第1図に示すような1対
の電極207を形成する。その後、入出力光導波路に垂
直方向に研磨もしくは臂開により光入出力端面209.
210゜211、212を形成する。以上の製造方法に
より第1図に示す方向性結合器型光制御回路が形成され
る。
次に第1図に示した光制御回路の動作を説明する。光入
力端面(入射端)209への入射光213は入力光導波
路203を通過して方向性結合器型光制御素子の光導波
路202Aへ導かれる。光導波路202Aと光導波路2
02Bは互いに近接して方向性結合器をなしており、光
導波路の伝搬光はそのエネルギーが徐々に光導波路20
2Bに移行する。ここで光導波路202Aおよび202
Bの長さは、電極207に電圧を印加しない状態では入
射光のエネルギーがほぼ100%光導波路202Bに移
行するような長さ、すなわち完全に結合長に等しくなる
ように選ばれている。そこで印加電圧Oの状態では、入
射光213は光導波路202B、出力光導波路206を
通って出射端212から出射する。一方、電極207に
電圧を印加した場合には電気光学効果による屈折率変化
によって光導波路202Aと光導波路202Bの伝搬光
の位相定数の整合が崩れ、ある電圧値では入射光の光導
波路202Bへの結合が0となり、光導波路202A、
出力光導波路205を通って出射端211力・ら出射す
る。前記のように印加電圧の有無によって入射光は光路
が切り換えられる。また、光出力端(出射端)212か
らの出射光214だけに注目すれば出射光214は電極
207への印加電圧波形によって変調されることになる
。前記の光路切替に必要な電圧または100%変調に必
要な電圧は、電極下に伝搬光のエネルギーが小さく閉じ
込められているほど小さい。
この実施例では光導波路202A、 202Bの深さ方
向の屈折率は第2図(a)に示すような分布をもってお
り最大屈折率はnlであり、伝搬光エネルギー分布は第
2図(d)に示すように小さくなって、光導。
波路内に強く、小さく閉じ込められ、低電圧で光“路切
替が可能である。一方、光導波路と光ファイバとの結合
においては、光ファイバのスポントサイズが単一モード
ファイバにおいても10um程度と比較的大きいので、
光導波路出射光214のエネルギー分布もある程度広が
っており、かつ光ファイバの光強度分布は対称であるの
で、光導波路出射光のエネルギー分布も基板方向と深さ
方向で対称であることが低損失結合のために必要である
入力光導波路203.204および出力光導波路205
゜206では第2図(c)に示すように、屈折率が小さ
く、伝搬光のエネルギー分布は第2図(d)に示すよう
に広がっており、かつ光強度分布が深さ方向にも光軸に
対して対称な分布となる。したがって、光ファイバと低
損失に結合することが可能である。
またプロトン交換導波路は、偏光方向がLiNb0z基
板のC軸方向の光、すなわち異常光線に対して屈折率が
上昇して光導波路を形成するが、偏光方向がLiNb0
z基板のa軸方向の光、すなわち常光線に対しては屈折
率が減少して光導波路を形成しないので、異常光線のみ
導波するという偏光選択性を有する。したがって方向性
結合器部光導波路202八および202Bへ入射する光
の偏光方向はC軸方向であり、消光比を大きくすること
が可能である。
前述のように本発明の光制御回路においては、入出力光
導波路と方向性結合器部光導波路部の屈折率分布を別々
に設定し、入出力光導波路部においては導波光のエネル
ギー分布を光ファイバのエネルギー分布に一致した円形
化した分布とし、方向性結合器部においては、エネルギ
ー分布を基板面に強く閉じ込めている。さらに、入出刃
先導波路部は偏光選択性を有する。したがって従来より
も損失が小さく、駆動電圧が低く、しかも消光比が大き
い光制御回路が得られる。
第4図は本発明の第2の実施例として、本発明による分
岐干渉型光制御回路を示す。
第4図において、LiNb0:+基板501の上に、互
いに数十μmの間隔で近接した幅数μm−数十μm、長
さ数■〜数十mmの1対の光導波路502が設置され、
その上に光吸収を防ぐために設けた5iOz膜(図では
省略)を介して1対の電極513が形成され、これらの
光導波路502と電極513により二つの位相変調型光
制御素子が構成されている。3dB分岐部505は入力
光Y分岐光導波路であり、その開き角は数mradとし
、2本の位相変調器部光導波路502の間隔は数十μm
とする。合流部506も3dB分岐部先導波路505と
同様に、開き角数mradのY分岐光導波路である。ま
た、基板501の端面に光入力端面(入射端)511を
もつ入力光導波路 507が3dB分岐部505に接続
され、基板501に入射端と対向する端面に光出力端面
(出射端)512をもつ出力光導波路508が合流部5
06にそれぞれ接続されている。また、パターンの幅は
、位相変調器部ではW2(=5μm〜10μm)であり
、入出力光導波路と接続する接続部(テーパ部)509
゜510では長さが0.1mm〜数mmにわたって幅が
W2から0まで徐々に狭くなっている。ここで光導波路
502.503.504.3 dB分岐部505、合流
部506はLiNbOx基板501の表面に形成したT
i薄膜パターンをLiNbO3基板501中に熱拡散し
て形成したものである。一方、入力光導波路507およ
び出力光導波路508の部分は、プロトン交換後にアニ
ーリングにより拡散されている。入力光導波路507お
よび出力光導波路508では、第2図(c)に示すよう
に、屈折率の最大値はn3であり、位相変調器部光導波
路502の屈折率n1に比べて小さく、伝搬光のエネル
ギー分布は第2図(d)に示すように広がっており、か
つ光強度分布が深さ方向にも光軸に対して対称な分布と
なる。したがって、光ファイバと低損失に結合すること
が可能となる。なお3dB分岐部505と入力光導波路
507の接続部509および合流部506と出力光導波
路508の接続部510は、伝搬光のモード変換による
損失を小さくするために、屈折率が第2図(a)の分布
と第2図(c)の分布のように伝搬の距離数百μmから
数n+mにわたって徐々に変化するように形成されてい
る。
本発明によれば、位相変調器部はTiのみがし1NbO
,基板の表面から基板中に拡散しているので、位相変調
器部の先導波路502の深さ方向の屈折率分布は、第2
図(a)  と同様に大きく、伝搬光のエネルギー分布
は第2図(d)に示すように小さくなっており、光導波
路内に強く、小さく閉じ込められるので、低電圧の光の
変調が可能である。また本発明においては、入出力光導
波路507.508はプロトン交換後にアニーリングし
て形成している。
したがって、入力光導波路507および出力光導波路5
08は、屈折率の最大値が第3図(c)に示すように位
相変調器部光導波路502の屈折率に比べて小さく、伝
搬光エネルギー分布は第3図(e)に示すように広がっ
ており、かつ光強度分布が深さ方向にも光軸に対して対
称な分布となる。したがって、光ファイバと低損失に結
合することが可能となる。また、入出刃先導波路507
.508は偏光選択性を有するため位相変調器部光導波
路502を伝搬する光の偏光方向はC軸方向となる。し
たがって消光比を、大きくすることが可能となる。
以上のような本発明の光制御回路では、入出力光導波路
部と位相変調器部光導波路部の屈折率分布を別々に設定
し、入出力光導波路部においては導波光のエネルギー分
布を光ファイバのエネルギー分布に一致した円形化した
分布とし、位相変調器部においてはエネルギー分布を基
板表面に強く閉じ込め、さらに入出力光導波路において
は偏光選択性を有する。したがって従来よりもさらに損
失が小さく、駆動電圧が低く、しかも消光比が大きい光
制御回路が得られる。
(発明の効果) 以上述べたように本発明によれば低損失に光フアイバ結
合可能で、かつ低電圧動作可能で、かつ消光比が大きい
光制御回路が得られる。
本発明は、いかなる方式の光制御回路、例えば光位相変
調器や交差導波路型光スイッチ等に対しても従来それぞ
れ別々の素子で得られている低駆動電圧特性、低損失光
ファイバ結合特性、高消光比特性を一つの素子で得るこ
とができる。
また本発明に用いる基板材料、光導波路形状、電極形状
等は前記実施例に限定されるものではなく、基板材料と
しては、LiTa0=結晶等の強誘電体結晶を用いるこ
とができ、先導波路としては、リッジ型光導波路やイオ
ンインプランテーションにより形成した光導波路等を用
いることができ、電極形状としては、高速化にとって、
より適した進行波型の電極等を用いることができる。
【図面の簡単な説明】 第1図は本発明による光制御回路の第1の実施例図、 第2図(a)〜(d)は本発明による光制御回路の原理
説明図、 第3図は本発明による光制御回路の第1の実施例の製造
方法の説明図、 第4図は本発明による光制御回路の第2の実施例図であ
る。 101・・・LiNbO3基板 102・・・方向性結合器部光導波路パターン(Ti)
103、104.105.106・・・Tiパターンの
テーパ部107・・・LiNb0.基板   108・
・・光導波路109 110゜ 114゜ ■18゜ 120゜ 01 203゜ 205゜ 08 209゜ 211゜ 14 215゜ 01 02 03 06 08 11 ・・・マスクパターン膜 111、112.113・・・マスクパターン膜の窓1
15、116.117・・・マスク膜の窓のテーパ部1
19・・・光入力端面 121・・・光出力端面 ・・・LiNbOx基板   202・・・光導波路2
04・・・入力光導波路 206・・・出力光導波路 207・・・電極・・・方
向性結合器部 210・・・光入力端面 212・・・光出力端面  213・・・入射光・・・
出射光 216、217.218・・・接続部 ・・・LiNb0a基板 ・・・位相変調器部光導波路 504・・・光導波路   505・・・3 dB分岐
部・・・合流部      507・・・入力光導波路
・・・出力光導波路   509.510・・・接続部
・・・光入力端面    512・・・光出力端面。 第1 図 215.216,217,218−.41.Kit’第
3図 (a) 第3図 (b) 第4図 手 続 補 正 書(方式) %式% 1、事件の表示 平底 1年 特 許 願 第 17196 1テ 2、発明の名称 光 制 御 回 路 3、補正をする者 事件との関係

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、基板面上もしくは基板面付近に形成された少なくと
    も1本の光導波路とその光導波路近傍に設置された電極
    とによって構成される少なくとも一つの光制御素子と、
    該光制御素子と前記基板端面に設けられた光入出力端を
    接続する入出力光導波路を具備した光制御回路であって
    、前記入出力光導波路が偏光選択性を有し、前記入出力
    光導波路を伝わる光波のスポット径が、前記光制御素子
    を構成する光導波路を伝わる光波のスポット径よりも大
    きく、かつ前記光入出力光導波路と前記光制御素子を構
    成する光導波路の境でスポット径が徐々に変化している
    ことを特徴とする光制御回路。 2、前記入出力光導波路を伝わる光波のスポット径が、
    前記光入出力端に結合される他の光素子のスポット径に
    ほぼ等しくなるように構成されていることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の光制御回路。
JP21719689A 1989-08-25 1989-08-25 光制御回路 Pending JPH0381740A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2705792A1 (fr) * 1993-05-25 1994-12-02 Alsthom Cge Alcatel Composant d'optique intégrée, et procédé d'élaboration d'un tel composant.
US8285092B2 (en) 2007-03-20 2012-10-09 Nec Corporation Optical waveguide and spot size converter using the same

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FR2705792A1 (fr) * 1993-05-25 1994-12-02 Alsthom Cge Alcatel Composant d'optique intégrée, et procédé d'élaboration d'un tel composant.
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