JPH0377006A - 物体形状計測装置 - Google Patents
物体形状計測装置Info
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- JPH0377006A JPH0377006A JP21432689A JP21432689A JPH0377006A JP H0377006 A JPH0377006 A JP H0377006A JP 21432689 A JP21432689 A JP 21432689A JP 21432689 A JP21432689 A JP 21432689A JP H0377006 A JPH0377006 A JP H0377006A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、物体形状計測装置に関し、特に、半導体位置
検出器（Ｐ Ｓ Ｄ）を使用し、非接触で物体の形状を
計測する物体形状計測装置に関する。
検出器（Ｐ Ｓ Ｄ）を使用し、非接触で物体の形状を
計測する物体形状計測装置に関する。
従前、光学的に被計測物体を計測するものとしては、電
子的な走査によるテレビジョン用撮像管や固体撮像素子
などのイメージデバイスによるもの、ミラー、レティク
ルなどの機械的走査によるものなど、基本的には画像の
走査技術に立脚した方法がほとんどであった。こうした
走査方式による場合、計測のサンプリングレートが走査
速度により決定されてしまう欠点がある。
子的な走査によるテレビジョン用撮像管や固体撮像素子
などのイメージデバイスによるもの、ミラー、レティク
ルなどの機械的走査によるものなど、基本的には画像の
走査技術に立脚した方法がほとんどであった。こうした
走査方式による場合、計測のサンプリングレートが走査
速度により決定されてしまう欠点がある。
これに対し、ポジションセンサヘッドは上述の走査方式
を行わずに、光点の位置を平面的に検出する素子で、応
答速度が速く、しかも非分割のため連続した位置検出が
行え、高速に移動する光点の動きも高速度で検出できる
特長を持っている。
を行わずに、光点の位置を平面的に検出する素子で、応
答速度が速く、しかも非分割のため連続した位置検出が
行え、高速に移動する光点の動きも高速度で検出できる
特長を持っている。
ポジションセンサヘッドの検出器として用いられる半導
体装置検出器（Ｐ Ｓ Ｄ）は、高抵抗半導体表面の片
面ないし両面に均一な抵抗層を設け、抵抗層の両端に信
号取り出し用の一対の電極を形成して構成される。抵抗
層に光を当てると光の入射位置に発生した光生成電流が
一対の電極から分割して取り出され、取り出された電流
の大きさは、各電極と入射位置との間の抵抗値に逆比例
する。
体装置検出器（Ｐ Ｓ Ｄ）は、高抵抗半導体表面の片
面ないし両面に均一な抵抗層を設け、抵抗層の両端に信
号取り出し用の一対の電極を形成して構成される。抵抗
層に光を当てると光の入射位置に発生した光生成電流が
一対の電極から分割して取り出され、取り出された電流
の大きさは、各電極と入射位置との間の抵抗値に逆比例
する。
すなわち、抵抗層の表面を受光面とし、この受光面に光
スポットを照射すると、そのスポット照射位置に応じた
電流差を持つ一対の電流（以下、ｈ。
スポットを照射すると、そのスポット照射位置に応じた
電流差を持つ一対の電流（以下、ｈ。
ｈ）を取り出すことができ、非接触の位置センサとして
、例えば表面実装部品の実装状態や外観検査を行う物体
形状計測装置に用いられている。
、例えば表面実装部品の実装状態や外観検査を行う物体
形状計測装置に用いられている。
従来のこの種の物体形状計測装置としては、例えば第４
図にその概念図を示すように、Ｘ−Ｙステージｌ上に記
載したＳ ＯＰ （ＳＩｌａｌｌ ０ｕｔｌｉｎｅ Ｐ
ａ−（ｋａｇｅ）やＱＦＰ （口ｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐ
ａｃｋａｇｅ）などの表面実装部品２に真上からレーザ
光線Ｐ、を照射し、レンズ３によってその反射光Ｐ２を
ＰＳＤ４の受光面４ａに導いて結像させ、ＰＳＤから取
り出された２つの出力電流！＋、Ｉｔを次式のに従って
信号処理することにより、ステージ１表面からレーザ光
線の反射点Ａまでの高さｈｏを測定するものが知られて
いる。
図にその概念図を示すように、Ｘ−Ｙステージｌ上に記
載したＳ ＯＰ （ＳＩｌａｌｌ ０ｕｔｌｉｎｅ Ｐ
ａ−（ｋａｇｅ）やＱＦＰ （口ｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐ
ａｃｋａｇｅ）などの表面実装部品２に真上からレーザ
光線Ｐ、を照射し、レンズ３によってその反射光Ｐ２を
ＰＳＤ４の受光面４ａに導いて結像させ、ＰＳＤから取
り出された２つの出力電流！＋、Ｉｔを次式のに従って
信号処理することにより、ステージ１表面からレーザ光
線の反射点Ａまでの高さｈｏを測定するものが知られて
いる。
そして、レーザ光線Ｐｌを走査させたり、ステージｌを
移動させたりしてｈｏを連続的に測定すれば、このｈｏ
の変化プロフィールから対象物体の輪郭形状を計測する
ことができる。
移動させたりしてｈｏを連続的に測定すれば、このｈｏ
の変化プロフィールから対象物体の輪郭形状を計測する
ことができる。
しかしながら、このような従来の物体形状計測装置にあ
っては、対象物体からの反射レーザ光線を、１つのＰＳ
Ｄで受光する構成となっていたため、例えば対象物体が
複雑な形状をもっていたり、表面に光沢があったりした
場合に、高さの測定精度が悪化するといった問題点があ
った。
っては、対象物体からの反射レーザ光線を、１つのＰＳ
Ｄで受光する構成となっていたため、例えば対象物体が
複雑な形状をもっていたり、表面に光沢があったりした
場合に、高さの測定精度が悪化するといった問題点があ
った。
すなわち、第５図において、今、対象物体をＱＦＰのリ
ード部として、このリード部のＢ点の高さｈｂを測定す
る場合、Ｂ点にレーザ光線Ｐ１を照射すると、このＢ点
で反射してＰＳＤに向う反射レーザ光Ｐｇの他に、Ｂ点
で反射し、さらに、０点でも反射してＰＳＤに向う反射
レーザ光（以下、多重反射光）Ｐｎが発生することがあ
る。こうした多重反射光がＰＳＤで受光された場合には
、高さの計測精度を悪化させるので問題であった。
ード部として、このリード部のＢ点の高さｈｂを測定す
る場合、Ｂ点にレーザ光線Ｐ１を照射すると、このＢ点
で反射してＰＳＤに向う反射レーザ光Ｐｇの他に、Ｂ点
で反射し、さらに、０点でも反射してＰＳＤに向う反射
レーザ光（以下、多重反射光）Ｐｎが発生することがあ
る。こうした多重反射光がＰＳＤで受光された場合には
、高さの計測精度を悪化させるので問題であった。
そこで、本発明は、多重反射光による影響を排除し、測
定精度の向上を図ることを目的としている。
定精度の向上を図ることを目的としている。
本発明に係る物体形状計測装置は、上記目的を達成する
ために、物体上にレーザ光を照射し、該物体からの反射
レーザ光を半導体装置検出器（ＰＳＤ）で受光し、ＩＰ
ｓＤの出力信号を信号処理して、物体の形状を計測する
物体形状計測装置において、検出角を異ならせて前記半
導体装置検出器を複数個配置するとともに、該複数個の
半導体装置検出器の出力信号に基づいてそれぞれの受光
光量を比較し、最低基準光量を超えかつ最も低光量の半
導体装置検出器を選択し、この選択した半導体装置検出
器の出力信号に基づいて形状を計測するように構成する
。
ために、物体上にレーザ光を照射し、該物体からの反射
レーザ光を半導体装置検出器（ＰＳＤ）で受光し、ＩＰ
ｓＤの出力信号を信号処理して、物体の形状を計測する
物体形状計測装置において、検出角を異ならせて前記半
導体装置検出器を複数個配置するとともに、該複数個の
半導体装置検出器の出力信号に基づいてそれぞれの受光
光量を比較し、最低基準光量を超えかつ最も低光量の半
導体装置検出器を選択し、この選択した半導体装置検出
器の出力信号に基づいて形状を計測するように構成する
。
本発明では、多重反射光を受光したＰＳＤの受光光量と
、正規の反射レーザ光のみを受光したＰＳＤの受光光量
との大小関係、すなわち、前者に比べて後者の方が小光
量であることに着目し、Ｅ記構成を備えることで、複数
のＰＳＤの受光光量を比較し、最も光量の少ない（但し
、必要最低光量を超える光１）ＰＳＤの出力信号を選ぶ
といった選択作用を実現して、多重反射光の影響を排除
し、計測精度の向上を図るものである。
、正規の反射レーザ光のみを受光したＰＳＤの受光光量
との大小関係、すなわち、前者に比べて後者の方が小光
量であることに着目し、Ｅ記構成を備えることで、複数
のＰＳＤの受光光量を比較し、最も光量の少ない（但し
、必要最低光量を超える光１）ＰＳＤの出力信号を選ぶ
といった選択作用を実現して、多重反射光の影響を排除
し、計測精度の向上を図るものである。
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第１．２図は本発明に係る物体形状計測装置の一実施例
を示す図である。
を示す図である。
まず、第１図に従って本装置の光学系の構成を説明する
。８は図示しないレーザ光発生ユニットからのレーザ光
Ｐｔを集束する集束レンズ、９は測定対象物体（例えば
ｓｏｐやＱＦＰなど）の表面であり、この表面９でレー
ザ光Ｐ１が複数方向に反射（反射光Ｐａ、Ｐｂ、Ｐｃ）
している。これらの反射光Ｐ ａ ％ Ｐ ｂ ％
Ｐ ｃはレーザ光ｐ、に平行な同一の平面内を通り、レ
ーザ光Ｐ、の光軸に対し、各々異なった角度（検知角と
いう）θａ、Ｏｂ、θＣをなしている。各検知角ごとに
、センサ部Ｓａ、、５ｂＸＳｃが配置され、センサ部Ｓ
ａ ｓ３ｂ、３ｅは各々集束レンズＬ、と従来例と同
様のＰＳＤｆｉ：備える。以下、各部のＰＳＤに符号ａ
、ｂ、ｃを付す乙ともに、各ＰＳＤからの信号ｈ、ｈに
も符号３．ｂ、ｃを付して識別する。
。８は図示しないレーザ光発生ユニットからのレーザ光
Ｐｔを集束する集束レンズ、９は測定対象物体（例えば
ｓｏｐやＱＦＰなど）の表面であり、この表面９でレー
ザ光Ｐ１が複数方向に反射（反射光Ｐａ、Ｐｂ、Ｐｃ）
している。これらの反射光Ｐ ａ ％ Ｐ ｂ ％
Ｐ ｃはレーザ光ｐ、に平行な同一の平面内を通り、レ
ーザ光Ｐ、の光軸に対し、各々異なった角度（検知角と
いう）θａ、Ｏｂ、θＣをなしている。各検知角ごとに
、センサ部Ｓａ、、５ｂＸＳｃが配置され、センサ部Ｓ
ａ ｓ３ｂ、３ｅは各々集束レンズＬ、と従来例と同
様のＰＳＤｆｉ：備える。以下、各部のＰＳＤに符号ａ
、ｂ、ｃを付す乙ともに、各ＰＳＤからの信号ｈ、ｈに
も符号３．ｂ、ｃを付して識別する。
第２図は、本実施例における信号処理系の構成図で、信
号処理後は、各ＰＳＤごとの和・差信号生成回路１０ａ
、１０ｂ、１０ｃと、３つのレベル検出回路１１ａ、ｌ
ｌｂ、１１Ｃと、選択回路１２と、割算回路１３とを備
える。和・差信号生成回路ＩＱａ、１０ｂ、１０ｃは、
電流／電圧変換器１４．１５と、差信号（ｉｔ１２）を
生成する差演算器１６と、和信号（ｉ。
号処理後は、各ＰＳＤごとの和・差信号生成回路１０ａ
、１０ｂ、１０ｃと、３つのレベル検出回路１１ａ、ｌ
ｌｂ、１１Ｃと、選択回路１２と、割算回路１３とを備
える。和・差信号生成回路ＩＱａ、１０ｂ、１０ｃは、
電流／電圧変換器１４．１５と、差信号（ｉｔ１２）を
生成する差演算器１６と、和信号（ｉ。
＋Ｉア）を生成する和演算器１７とを備え、各ＰＳＤか
らのＩ、、Ｉ□を２つの信号（ＩＩ １ｇ ）（Ｉ
ｌ＋ｒ２）に変換して出力する。レベル検出回路１１ａ
、１．ｌｂ、Ｉｌｅは、必要最低光量に相当する基準電
圧■、と明るさに相当する和信号（１゜＋ｔｚ）とを比
較し、Ｖｉ＜（１＋ →−１ｔ）のときに■（レベル
の信号を出力するコンパレータ１８と、セレクト人力（
Ｓ）にＨレベル信号を入力すると、Ａ入力側の和信号Ｎ
＋＋ｉｚ）を選択し、■。
らのＩ、、Ｉ□を２つの信号（ＩＩ １ｇ ）（Ｉ
ｌ＋ｒ２）に変換して出力する。レベル検出回路１１ａ
、１．ｌｂ、Ｉｌｅは、必要最低光量に相当する基準電
圧■、と明るさに相当する和信号（１゜＋ｔｚ）とを比
較し、Ｖｉ＜（１＋ →−１ｔ）のときに■（レベル
の信号を出力するコンパレータ１８と、セレクト人力（
Ｓ）にＨレベル信号を入力すると、Ａ入力側の和信号Ｎ
＋＋ｉｚ）を選択し、■。
く（１１→−１２）でないとき、Ｂ入力側の最大光量に
相当する所定電圧Ｖ、を選択するセレクタ１９とを備え
、和・差信号生成回路１０ａ、１．Ｏｂ、１０ｃからの
明るさに相当する和信号（ｔｔ＋ｘｚ）が必要最低光量
を超えるとき、その和信号（ＩＩ ＋１２）を選択し
て出力する一方、必要最低光量を超えないとき、最大光
量に相当するｖ２を選択して出力する。選択回路１２は
、コンパレータ２０．２１、セレクタ２２．２３．２４
．２５を備え、各レベル検出回路１１ａ、ｌｌｂ、ｌｌ
ｃからの出力信号（（１＋＋１またはｖｇ）を比較し、
これらの信号のなかで最も暗い信号を出力したＰＳＤを
選び、そのＰＳＤからの和信号（（１＋＋Ｉｚ）または
ｖｔの場合もある）および差信号（１１１ｇ）を選択し
て出力する。割算回路■３は、選択された差信号を分子
側に入力し、和信号を分母側に入力して除算演算を実行
しその答すなわち高さの値を出力する。
相当する所定電圧Ｖ、を選択するセレクタ１９とを備え
、和・差信号生成回路１０ａ、１．Ｏｂ、１０ｃからの
明るさに相当する和信号（ｔｔ＋ｘｚ）が必要最低光量
を超えるとき、その和信号（ＩＩ ＋１２）を選択し
て出力する一方、必要最低光量を超えないとき、最大光
量に相当するｖ２を選択して出力する。選択回路１２は
、コンパレータ２０．２１、セレクタ２２．２３．２４
．２５を備え、各レベル検出回路１１ａ、ｌｌｂ、ｌｌ
ｃからの出力信号（（１＋＋１またはｖｇ）を比較し、
これらの信号のなかで最も暗い信号を出力したＰＳＤを
選び、そのＰＳＤからの和信号（（１＋＋Ｉｚ）または
ｖｔの場合もある）および差信号（１１１ｇ）を選択し
て出力する。割算回路■３は、選択された差信号を分子
側に入力し、和信号を分母側に入力して除算演算を実行
しその答すなわち高さの値を出力する。
次に、作用を説明する。
レーザ光ＰＩを物体の表面９上に照射すると、Ｐｌは乱
反射して多方向に反射する。今、１次反射光（１回しか
反射しない光）をＰＳＤａ、ＰＳＤｂ、、ＰＳＤｃの全
てに受光させ、そして、ｐｓＤａを除＜ＰＳＤｂ、ＰＳ
Ｄｃに多重反射光（２回以上反射した光）を受光させた
と考える。ずなわち、ＰＳＤａ→１次反射光のみ、ＰＳ
Ｄｂ、、ＰＳＤｃ−＊１次反射光と多重反射光、となり
、ＰＳＤａの受光光量に比べてＰＳＤｂＳＰＳＤｃの光
量は大きいものとなる。これら、３つの受光光量（１ｉ
ａ”Ｉｚｂ）、（１＋ｂ＋１ｚｂ）、（Ｉｉｅ＋Ｉ＊ｅ
）がＶ−よりも大きければ、すなわち必要最低光量を超
えて充分な光量であれば、選択回路１２は、これらの３
つの受光光量のなかで最も暗い（Ｉｌｌｌ＋１＋ｂ）を
選択し、そして、この（ｒ ＋ａ＋ Ｉ ＋ｂ）を出力
したＰＳＤａからの差信号（Ｉ ＋−−１ｚ−）も選択
し、割算回路１３は、選択和信号（Ｉｔａ＋ｌｚｍ）と
選択差信号（Ｉ １ｍ−１２，）に基づいて除算演算を
実行し、その答すなわち高さの値を得ることになる。
反射して多方向に反射する。今、１次反射光（１回しか
反射しない光）をＰＳＤａ、ＰＳＤｂ、、ＰＳＤｃの全
てに受光させ、そして、ｐｓＤａを除＜ＰＳＤｂ、ＰＳ
Ｄｃに多重反射光（２回以上反射した光）を受光させた
と考える。ずなわち、ＰＳＤａ→１次反射光のみ、ＰＳ
Ｄｂ、、ＰＳＤｃ−＊１次反射光と多重反射光、となり
、ＰＳＤａの受光光量に比べてＰＳＤｂＳＰＳＤｃの光
量は大きいものとなる。これら、３つの受光光量（１ｉ
ａ”Ｉｚｂ）、（１＋ｂ＋１ｚｂ）、（Ｉｉｅ＋Ｉ＊ｅ
）がＶ−よりも大きければ、すなわち必要最低光量を超
えて充分な光量であれば、選択回路１２は、これらの３
つの受光光量のなかで最も暗い（Ｉｌｌｌ＋１＋ｂ）を
選択し、そして、この（ｒ ＋ａ＋ Ｉ ＋ｂ）を出力
したＰＳＤａからの差信号（Ｉ ＋−−１ｚ−）も選択
し、割算回路１３は、選択和信号（Ｉｔａ＋ｌｚｍ）と
選択差信号（Ｉ １ｍ−１２，）に基づいて除算演算を
実行し、その答すなわち高さの値を得ることになる。
このように、本実施例では、測定対象物体の表面９から
の反射レーザ光を多方向に配置したｐｓＤａ、ＰＳＤｂ
、ＰＳＤｃで受光し、各ＰＳＤａ。
の反射レーザ光を多方向に配置したｐｓＤａ、ＰＳＤｂ
、ＰＳＤｃで受光し、各ＰＳＤａ。
ｂ、ｃからの明るさの信号を比較して、最も暗いもの（
例えばＰＳＤａ）（但し、最低光量を超えること）を選
択するとともに、その明るさの信号を出力したＰＳＤａ
からの差信号を選択し、これらの選択差信号および選択
和信号に従って除算を実行し、高さの値を得るようにし
たので、多重反射の影響を排除して正確な高さの測定を
行うことができ、計測精度を向上することができる。
例えばＰＳＤａ）（但し、最低光量を超えること）を選
択するとともに、その明るさの信号を出力したＰＳＤａ
からの差信号を選択し、これらの選択差信号および選択
和信号に従って除算を実行し、高さの値を得るようにし
たので、多重反射の影響を排除して正確な高さの測定を
行うことができ、計測精度を向上することができる。
なお、上記実施例では、ＰＳＤの配置数を３つとしたが
、これに限るものではない。要は、複数個のＰＳＤと、
その数に見合った信号処理系を構成すればよく、例えば
第３図に他の実施態様例を示すように、扇形に多数のＰ
ＳＤａ−ｆを配置してもよいし、また、レーザ光線Ｐ１
の光軸口りに、扇形列を複数列配置してもよい。勿論こ
のようにした場合は、信号処理系の構成を、そのＰＳＤ
の数に合わせて変更することは言うまでもない。
、これに限るものではない。要は、複数個のＰＳＤと、
その数に見合った信号処理系を構成すればよく、例えば
第３図に他の実施態様例を示すように、扇形に多数のＰ
ＳＤａ−ｆを配置してもよいし、また、レーザ光線Ｐ１
の光軸口りに、扇形列を複数列配置してもよい。勿論こ
のようにした場合は、信号処理系の構成を、そのＰＳＤ
の数に合わせて変更することは言うまでもない。
本発明によれば、多重反射光による影響を排除して、測
定精度を向上することができる。
定精度を向上することができる。
第１．２図は本発明に係る物体形状計測装置の一実施例
を示す図であり、 第１図はその光学系の構成図、 第２図はその信号処理系の構成図、 第３図は本発明に係る物体形状計測装置の他の実施態様
例を示すその光学系の構成図、第４．５図は従来例を示
す図であり、 第４図はその光学系の構成図、 第５図はその多重反射光を説明する図である。 ＰＳＤ・・・・・・半導体装置検出器、８・・・・・・
集束レンズ、 ９・・・・・・物体の表面、 ｌＱａ、ＬＯｂ、１０ｃ・・・・・・和・差信号生成回
路、１．１ａ、ｌｌｂ、１．ｌｃ・・・・・・レベル検
出回路、１２・・・・・・選択回路、 １３・・・・・・割算回路。 一実施例の光学系の構成図 第１図 他の実施態様例を示すその光学系の構成間第 図 多重反射光を説明する図 第 図
を示す図であり、 第１図はその光学系の構成図、 第２図はその信号処理系の構成図、 第３図は本発明に係る物体形状計測装置の他の実施態様
例を示すその光学系の構成図、第４．５図は従来例を示
す図であり、 第４図はその光学系の構成図、 第５図はその多重反射光を説明する図である。 ＰＳＤ・・・・・・半導体装置検出器、８・・・・・・
集束レンズ、 ９・・・・・・物体の表面、 ｌＱａ、ＬＯｂ、１０ｃ・・・・・・和・差信号生成回
路、１．１ａ、ｌｌｂ、１．ｌｃ・・・・・・レベル検
出回路、１２・・・・・・選択回路、 １３・・・・・・割算回路。 一実施例の光学系の構成図 第１図 他の実施態様例を示すその光学系の構成間第 図 多重反射光を説明する図 第 図
Claims (1)
- 物体上にレーザ光を照射し、該物体からの反射レーザ光
を半導体装置検出器（ＰＳＤ）で受光し、該ＰＳＤの出
力信号を信号処理して、物体の形状を計測する物体形状
計測装置において、検出角を異ならせて前記半導体装置
検出器を複数個配置するとともに、該複数個の半導体装
置検出器の出力信号に基づいてそれぞれの受光光量を比
較し、最低基準光量を超えかつ最も低光量の半導体装置
検出器を選択し、この選択した半導体装置検出器の出力
信号に基づいて形状を計測するように構成したことを特
徴とする物体形状計測装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21432689A JPH0377006A (ja) | 1989-08-21 | 1989-08-21 | 物体形状計測装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21432689A JPH0377006A (ja) | 1989-08-21 | 1989-08-21 | 物体形状計測装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0377006A true JPH0377006A (ja) | 1991-04-02 |
Family
ID=16653904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21432689A Pending JPH0377006A (ja) | 1989-08-21 | 1989-08-21 | 物体形状計測装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0377006A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05196416A (ja) * | 1992-01-17 | 1993-08-06 | Japan Radio Co Ltd | 光学式変位測定装置 |
| CN110174077A (zh) * | 2018-02-21 | 2019-08-27 | Juki株式会社 | 3维测量装置、电子部件安装装置及3维测量方法 |
-
1989
- 1989-08-21 JP JP21432689A patent/JPH0377006A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05196416A (ja) * | 1992-01-17 | 1993-08-06 | Japan Radio Co Ltd | 光学式変位測定装置 |
| CN110174077A (zh) * | 2018-02-21 | 2019-08-27 | Juki株式会社 | 3维测量装置、电子部件安装装置及3维测量方法 |
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