JPH0376249A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装直に係り、トレンチと貼り合わせＳ
ｏｌ基板とを有する半導体装置に適用すること、ができ
、特に、トレンチ内をクリーニング処理する際、支持基
板と素子基板の剥がれを生じ難くすることができる半導
体装置に関する。

半導体装置、特にＭＯＳトランジスタの高速化には素子
に寄生する寄生容量、例えば拡散層や金属配線とシリコ
ン基板間とのキャパシタンス等を小さくすることが有効
である。この有効な手段として考えられたのが、絶縁膜
を介して支持基板上に素子基板となるシリコン薄膜を形
成し、完全な素子分離構造を実現するＳ　ＯＩ　　（Ｓ
ｉｌｉｃｏｎ　Ｏｎ　Ｉｎ５−ｕｌａｔｏｒ）構造の半
導体装置である。

また、素子微細化の要求によりトランジスタ寸法が小さ
くなると、ＬＳＩ中のトランジスタ間の寸法を小さくし
なければつり合いがとれなくなってくる０例えばＭＯＳ
−ＬＳＩの場合、トランジスタ間の寸法が小さく、しか
もその表面に素子分離領域として機能する厚いフィール
ド酸化膜が設けられている構造であると、十うンジスタ
間のパンチスルーが問題となる。このパンチスルーを起
こり難くするには、トランジスタ間の素子基板の表面濃
度を大きくすればよいと考えられるが、接合容量が大き
くなり、動作速度に悪影響を及ぼす。

この問題を解決する方法としては、トレンチアイソレー
ション構造の半導体装置が提案されている。

本発明は、このトレンチとＳｏｌ基板とを有する半導体
装置に関するものである。

〔従来の技術〕

従来のＳＯＩ基板を用いた半導体装置は、トレンチによ
る素子分離を併用することによってＭＯＳトランジスタ
等の素子間を完全に分離することが可能となり、放射線
耐性の向上、ラッチアップの防止、そして基板容量の低
減による高スピード化が可能となる等、数々の利点があ
った。

ところが、トレンチ内に充填された絶縁膜（シリコン酸
化膜・ノンドープポリシリコン・ＰＳＧ等）がフローテ
ィング状態となるため、ここで電荷が蓄積してしまい、
素子内および素子間でリークが生じ易くなっていた。こ
の問題を解決するためには、トレンチ内の絶縁膜をフロ
ーティング状態にならないように接地しなければならな
い。

このトレンチ内の絶縁膜をフローティング状態にならな
いように接地するには、トレンチ上に接地電極を設けれ
ばよいと考えられるが、トレンチ上に接地電極を設ける
のは微細なコンタクト穴を精度良く形成しなければなら
ないため、微細化が妨げられ製造工程が極めて複雑にな
る等、実際上極めて困難であった。

そこで、この問題を解決する手段として第１１図に示す
ように、トレンチ３１をＳｔ等の素子基板３４からＳｉ
ｎ、等の絶縁膜３２ａ、３２ｂを突き抜けさせＳｉ等の
支持基板３３まで掘って形成し、トレンチ３１の底から
支持基板３３を通して接地させる方法が提案された。な
お、第１１図において、３５は絶縁膜３２ａとｍ縁膜３
２ｂの貼り合わせ接着による接着面である。

ここでは、熱酸化によって絶縁膜３２ｂが形成された支
持基板３３と熱酸化によって絶縁膜３２ａが形成された
素子基板３４とを接着剤を用いずにまず機械的に絶縁膜
３２ａ、３２ｂ同志を接触させた後、１２００℃程度で
２時間のアニール処理することにより貼り合わせ接着し
ていた。ここでアニール処理しているのは絶縁膜３２ａ
、３２ｂ同志を接着させるだけで接着は可能であるが、
更に強固に接着させるために行っている。なお、ここで
は絶縁膜３２ａと絶縁膜３２ｂの界面が貼り合わせ接着
による接着面３５となる。また、絶縁膜３２ａ、３２ｂ
同志で接着していたのは、絶縁膜３２ａ、３２ｂを密着
性よく接着させることができるという利点があり、具体
的には絶縁膜３２ａ、３２ｂを構成するＳｉｎ、がＳｉ
単結晶と比較して軟らかくヤング率が小さいため、多少
表面が凸凹していてもＳｉｎ、が凸凹を吸収し絶縁膜３
２ａ、３２ｂ同志が密着し易かったからである。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、第１１図に示す絶縁膜３２ａ、３２ｂ同
志の貼り合わせ接着による半導体装置では、絶縁膜３２
ａ、３２ｂ同志の貼り合わせ接着による接着強度が弱い
ために、トレンチ３１が絶縁膜３２ａ１°３２ｂ同志の
接着面３５を横切る構造のものであると絶縁膜３２ａ、
３２ｂが剥がれ、結局支持基板３３と素子基板３４が剥
がれてしまうという問題が生じていた。

具体的には、プラズマＲＩＢによりトレンチ３１を形成
した後に、プラズマによるトレンチ３１内表面のダメー
ジとエツチング中に生じるエツチング残渣（Ｓｉｎ、等
）とを除去するためのクリーニング処理をするために、
フン酸系溶液でトレンチ３１内をクリーニング処理をし
ていた。ところが、絶縁膜３２ａ、３２ｂ同志の接着強
度が弱いために、トレンチ３１内をクリーニング処理す
る際、接着強度の弱い部分からフッ酸系溶液が染み込み
、染み込んだところから絶縁膜３２ａ、３２ｂが剥がれ
、結局支持基板３３と素子基板３４が剥がれてしまって
いた。なお、支持基板３３と絶縁膜３２ｂ、及び素子基
板３４と絶縁膜３２ａ間の接着については熱酸化によっ
て支持基板３３および素子基板３４に各々絶縁膜３２ａ
、３２ｂが形成されており、これらの酸化膜とシリコン
の界面は絶縁膜３２ａ、３２ｂ同志をあとから貼り合わ
せて接着する場合よりも接着強度が強く、トレンチ３１
内をクリーニング処理する際上記の界面から剥がれるこ
とはない。

また、トレンチ・キャパシターに適用する場合も上記と
同様の理由により絶縁膜同志の接着面を横切るような深
いトレンチを形成すると、上記と同様側がれという問題
が生じていた。

そこで本発明は、トレンチ内をクリーニング処理する際
、支持基板と素子基板の剥がれを生じ難くすることがで
きる半導体装置を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

第１の発明による半導体装置は上記目的達成のため、半
導体からなる支持基板と、半導体からなる素子基板が絶
縁膜を介して貼り合わせ接着される接着面を有し、トレ
ンチが該素子基板から該絶縁膜を突き抜けて該支持基板
に達するまで形成されてなる半導体装置であって、該接
着面が該素子基板と該絶縁膜の界面に少なくともあるも
のである。

第２の発明による半導体装置は上記目的達成のため、半
導体からなる支持基板と、半導体からなる素子基板が絶
縁膜を介して貼り合わせ接着される接着面を有し、トレ
ンチが該素子基板から該絶縁膜を突き抜けて該支持基板
に達するまで形成されてなる半導体装置であって、該接
着面が該支持基板と該絶縁膜の界面に少なくともあるも
のである。

第１、第２の発明に係る支持基板及び素子基板は、Ｓｉ
等の半導体で構成する場合に好ましく適用することがで
き、ＧａＡｓ系、ＩｎＰ系等の化合物半導体で構成する
場合であってもよい。

第１、第２の発明に係る絶縁膜は、熱酸化による熱酸化
Ｓ　ｉ　Ｏｚで構成する場合に好ましく適用することが
でき、ＣＶ　Ｄ　Ｓ　ｉＯｚ　、ＣＶ　Ｄ　Ｓ　ｌ　ｘ
Ｎ、　、ＰＳＧ、タンタルオキサイド（Ｔａｇ’ｓ）等
で構成する場合であってもよい。

第１、第２の発明に係る接着面は化学反応を伴わないで
物理的に接着されて得られる接着面の場合の態様と、化
学反応により接着されて得られる接着面の場合のＢ様と
の２つの態様を含むものである。

第１、第２の発明に係るトレンチは溝と穴との両方のＬ
ｉ様を含むものである。

第１の発明において、接着面が素子基板と絶縁膜の界面
に少なくともあるとは、接着面が素子基板と絶縁膜の界
面に少なくともある場合であればよく、接着面が素子基
板と絶縁膜の界面及び支持基板と絶ａＳの界面の両方に
ある場合の態様を含むものである。

第２の発明において、接着面が素子基板と絶縁膜の界面
に少なくともあるとは、接着面が支持基板と絶縁膜の界
面に少なくともある場合であればよく、接着面が支持基
板と絶縁膜の界面及び素子基板と絶縁膜の界面の両方に
ある場合の態様を含むものである。

〔作用〕

第１の発明は、第１図に示すように、貼り合わせ接着に
よる接着面４ａが素子基板３と絶縁膜２の界面にあるよ
うに構成される。

第２の発明は、第６図に示すように、貼り合わせ接着に
よる接着面４ｂが支持基板ｌと絶縁膜２の界面にあるよ
うに構成される。

したがって、第１、第２の発明によれば、第３図及び第
８図に示すように、その接着強度ｘ１（第１の発明）、
Ｘ２（第２の発明）は６００〜８００ｋｇ／ａａの範囲
で接着可能でその中心値がＴｏｏ　ｋｇ／ｃｄ）である
のに対し、従来の絶縁膜同志で、貼り合わせ接着した場
合の接着強度Ｙは２００〜６００　ｋｇ／ｃｄの範囲で
接着可能でその中心値が４００ｋｇ／ａｄと、第１、第
２の発明のものは従来のものよりも接着を強くすること
ができるようになる。このため、トレンチ５内をクリー
ニング処理する際、従来の絶縁膜同志で貼り合わせ接着
した場合よりも、第１の発明では絶縁膜２と素子基板３
の剥がれを生じ難くすることができるようになり、また
、第２の発明では支持基板１と絶縁膜２の剥がれを生じ
難くすることができるようになる。その結果、第１、第
２の発明のものは従来のものよりも支持基板１と素子基
板３の剥がれを生じ難くすることができるようになる。

〔実施例〕

以下、本発明を図面に基づいて説明する。

第１図〜第３図は第１の発明に係る半導体装置の一実施
例を説明する図であり、第１図は第１の発明の一実施例
の構造を示す断面図、第２図（ａ）〜（ｄ）は第１の発
明の一実施例の製造方法を説明する図、第３図は第１の
発明の一実施例の効果を説明する図である。図示例の半
導体装置はトレンチアイソレーション構造の半導体装置
に適用する場合である。

これらの図において、１はＳｔ等からなる支持基板、２
はＳｉＯ，等からなる絶縁膜、３はＳｉ等からなる素子
基板、４ａは絶縁膜２と素子基板３の界面にある貼り合
わせ接着による接着面、５は素子基板３表面から絶縁膜
２を突き抜けて支持基板１まで達するトレンチ、６は例
えばＳｉｎｇ（ＰＳＧ、ＴＥ０１等でもよい）からなる
絶縁膜である。

次に、その製造方法について説明する。

まず、第２図（ａ）に示すように、例えば熱酸化により
膜厚が例えば６００μｍの支持基板１上に膜厚が例えば
１μｍの絶縁膜２を形成する。

次に、第２図（ａ）に示す絶縁膜２が形成された支持基
板１と膜厚が例えば６００μｍの素子基板３とを用い、
第２図（ｂ）に示すように、絶縁膜２が形成された支持
基板１と素子基板３とを接着剤を用いずに、まず機械的
に絶縁膜２と素子基板３を接触させた後、１２００℃程
度で２時間のアニール処理することにより貼り合わせ接
着する。ここでは、絶縁膜２と素子基板３の界面が貼り
合わせ接着による接着面４ａとなる。次いで、素子基板
３を膜厚が例えば１μｍになるまで研削及び研磨する。

次に、第２図（Ｃ）に示すように、例えばプラズマＲＩ
Ｅにより素子基板３、絶縁膜２及び支持基板１を選択的
にエツチングして素子基板３から絶縁膜２を突き抜けて
支持基板１に達するまでのトレンチ５を形成する。ここ
でのトレンチ５は幅が例えば１μｍで深さが例えば３μ
ｍである。次いで、プラズマによるトレンチ５内表面の
ダメージとエンチング中に生じるエツチング残渣（Ｓｉ
０２等）とを除去するためのクリーニング処理をするた
めに、例えば１０％希釈フッ酸溶液で５００人程度エツ
チングしてクリーニング処理をする。

次に、第２図（ｄ）に示すように、例えばＣＶＤ法によ
りトレンチ５を覆うようにＳｉｎ、を堆積して膜厚が例
えば２μｍの絶縁膜６を形成する。

そして、例えばＲＩＥにより絶縁膜６を等方的にエッチ
バックし平坦化することにより、第１図に示すようなト
レンチ・アイソレーション構造を得ることができる。

すなわち、上記実施例では、貼り合わせ接着による接着
面４ａが素子基板３と絶縁膜２の界面にあるように構成
したので、第３図に示す如くその接着強度ＸＩは６００
〜８００　ｋｇ　／−の範囲で接着可能でその中心値が
７００ｋｇ／（ｄであるのに対し、従来の絶縁膜同志で
貼り合わせ接着した場合の接着強度Ｙは２００〜６０（
ｊ　ｋｇ／−の範囲で接着可能でその中心値が４００　
ｋｇ　／−と、従来のものよりも接着を強くすることが
できる。このため、トレンチ５内をクリーニング処理す
る際、従来の絶縁膜同志で張り合わせ接着した場合より
も、絶縁膜２と素子基板３の剥がれを生じ難くすること
ができ、その結果、支持基板１と素子基板３の剥がれを
生じ難くすることができる。したがって、製造歩留りを
向上させることができ、半導体装置の信頼性を向上させ
ることができる。

ここで、素子基板３と絶縁膜２を貼り合わせ接着したも
のが、従来の絶縁膜同志で貼り合わせ接着したものより
も接着強度が強かったのは、絶縁膜同志では化学反応を
伴わないで物理的に接着されているだけであるのに対し
、素子基板３と絶縁膜２の場合では物理的に接着されて
いる部分と化学反応を伴って接着されている部分とが生
じていることによるものと推定されるｉ なお、上記実施例では、トレンチ５内にＣＶＤ５ｉＱ１
による絶縁膜６のみを埋め込み構成するトレンチ・アイ
ソレーション構造の場合について説明したが、第１の発
明はこれに限定されるものではなく、第４図（ａ）に示
すように、熱酸化ＳｉＱ！による絶縁膜７とＣＶ　Ｄ　
Ｓ　ｉ　Ｏｔによる絶縁膜６とから構成する絶縁性が向
上する点で好ましいトレンチ・アイソレーション構造の
場合であってもよく、第４図（ｂ）に示すように、熱酸
化Ｓｉｎ、による絶縁膜７と、支持基板１と電気的に接
続され素子基板３上部まで被膜されたポリＳｉ等の導体
膜８とＣＶＤ５　ｉＯ□による絶縁膜６とトレンチ５上
部に形成された５ｔｏｔ等の絶縁膜９とから構成するト
レンチ・アイソレーション構造の場合（トレンチ５内の
素子基板３側に電圧がかかってもよい場合の好ましい構
造例）であってもよく、第４図（Ｃ）に示すように、熱
酸化ＳｉＱ、による絶縁膜７と、支持基板１と電気的に
接続され素子基板３にまで達しないように被膜された導
体膜８とＣＶＤ５　ｉＯオによる絶縁膜６とから構成す
るトレンチ・アイソレーション構造の場合（トレンチ５
内の素子基板３側に電圧がかかってほしくない場合の好
ましい構造例）であってもよく、第４図（ｄ）に示すよ
うに、第４図（ｂ）及び第４図（Ｃ）の各々のトレンチ
・アイソレーション構造のものを組み合わせて構成する
場合であってもよい、また、第４図（ｅ）に示すように
、熱酸化Ｓ　ｉ　０２による絶縁膜７と、支持基板１と
電気的に接続され素子基板３上部まで充填されたポリＳ
ｉ等の導体膜ｌＯとトレンチ５上部に形成された絶縁膜
９とから構成するトレンチ・アイソレーション構造の場
合（トレンチ５内の素子基板３側に電圧がかかってもよ
い場合の好ましい構造例〉であってもよく、第４図（ｆ
）に示すように、熱酸化５ｉｆｔによる絶縁膜７と、支
持基板１と電気的に接続され素子基板３にまで達しない
ように充填された導体膜ｌＯとＣＶ　Ｄ　Ｓ　１０　ｚ
による絶縁膜６とから構成するトレンチ・アイソレーシ
ョン構造の場合（トレンチ５内の素子基板３側に電圧が
かかってほしくない場合の好ましい構造例）であっても
よく、第４図（ｇ）に示すように、第４図（６）及び第
４図（ｆ）の各々のトレンチ・アイソレーション構造の
ものを組み合わせて構成する場合であってもよい。

上記各実施例は、トレンチ・アイソレーション構造のも
のについて説明したが、第１の発明はこれに限定される
ものではなく、トレンチ・キャパシター構造の場合であ
ってもよく、例えば第５図（ａ）に示すように、熱酸化
Ｓｉｎｇによる絶縁膜７と、ポリＳｉ等のキャパシタ電
極１１ａＳｌｌｂ及び誘電体膜として機能するｓｔｏｗ
等の絶縁膜１２からなるキャパシタ部とから構成するト
レンチ・キャパシター構造の場合であってもよく、第５
図（ｂ）に示すように、熱酸化Ｓｉｎ、による絶縁膜７
と、キャパシタ電極１１ａ、ｌｌｂ及び誘電体膜として
機能する絶縁膜１２からなるキャパシタ部と、絶縁膜７
及びキャパシタ電極１１ａ間に形成されたＳ　ｉ　Ｏを
等の絶縁膜１３とから構成する絶縁性が向上する点で好
ましいトレンチ・キャパシター構造の場合であってもよ
く、第５図（Ｃ）に示すように、熱酸化ｓｔｏｗによる
絶縁膜７と、キャパシタ電極１１ａ、ｌｌｂおよび誘電
体膜として機能する絶縁膜１２．１４　（１４はＳ　ｉ
　Ｏ，等の絶縁膜）からなるキャパシタ部と、絶縁膜７
及びキャパシタ電極１１ａ間に形成された絶縁膜工３と
から構成する絶縁性が向上し、かつ容量を大きく採れる
点で好ましいトレンチ・キャパシター構造の場合であっ
てもよい。

次に、貼り合わせ接着による接着面が支持基板１と絶縁
膜２の界面にあるように絶縁膜２を介して支持基板１と
素子基板３を接着させることによっても第１の発明と同
様、トレンチ５内をクリーニング処理する際、支持基板
１と素子基板３の剥がれを生じ難くすることができる。

以下、具体的に図面を用いて説明する。

第６図〜第８図は第２の発明に係る半導体装置の一実施
例を説明する図であり、第１図は第２の発明の一実施例
の構造を示す断面図、第２図（ａ）〜（ｄ）は第２の発
明の一実施例の製造方法を説明する図、第３図は第２の
発明の一実施例の効果を説明する図である。

これらの図において、第１図〜第５図と同一符号は同一
または相当部分を示し、４ｂは支持基板１と絶縁膜２の
界面にある貼り合わせ接着による接着面である。

次に、その製造方法を説明する図である。

まず、第７図（ａ）に示すように、例えば熱酸化により
膜厚が例えば６００μｍの素子基板３に膜厚が例えば１
μｍの絶縁膜２を形成する。

次に、第７図（ａ）に示す絶縁膜２が形成された素子基
板３と膜厚が例えば６００μｍの支持基板ｌとを用い、
第７図（ｂ）に示すように、絶縁膜２が形成された素子
基板３と支持基板ｌを接着剤を用いずに、まず機械的に
絶縁膜２と支持基板１を接触させた後、１２００℃程度
で２時間のアニール処理ことにより貼り合わせ接着する
。ここでは、絶縁膜２と支持基板１の界面が貼り合わせ
接着による接着面４ｂとなる０次いで、素子基板３を膜
厚が例えば１μｍになるまで研削及び研磨する。

次に、第７図（Ｃ）に示すように、例えばプラズマＲＩ
Ｅによる素子基板３、絶縁膜２及び支持基板１を選択的
にエンチングして素子基板３から絶縁膜２を突き抜けて
支持基板１に達するまでのトレンチ５を形成する。ここ
でのトレンチ５は幅が例えば１μｍで深さが例えば３μ
ｍである。次いで、プラズマによるトレンチ５内表面の
ダメージとエツチング中に生じるエツチング残渣（Ｓｉ
Ｏ□等）とを除去するためのクリーニング処理をするた
めに、例えば１０％希釈フン酸溶液で５００人程度エツ
チングしてクリーニング処理をする。

次に、第７図（ｄ）に示すように、例えばＣＶＤ法によ
り、トレンチ５を覆うようにＳｉｎ、を堆積して膜厚が
例えば２μｍの絶縁膜６を形成する。

そして、例えばＲＩＨにより絶縁膜６を等方的にエッチ
バックし平坦化することにより、第６図に示すようなト
レンチ・アイソレーション構造を得ることができる。

すなわち、上記実施例では、貼り合わせ接着による接着
面４ｂが支持基板ｌと絶縁膜２の界面にあるように構成
したので、第８図に示す如くその接着強度ｘ２は６００
〜８００ｋｇ／ｃｄの範囲で接着可能でその中心値が７
００ｋｇ／−であるのに対し、従来の絶縁膜同志で貼り
合わせ接着した場合の接着強度Ｙは２００〜６００　ｋ
ｇ／−の範囲で接着可能で中心値が４００　ｋｇ／−と
、従来のものよりも接着を強くすることができる。この
ため、トレンチ５内をクリーニング処理する際、従来の
絶縁膜同志で貼り合わせ接着した場合よりも、絶縁膜２
と支持基板１の剥がれを生じ難くすることができ、その
結果、支持基板１と素子基板３の剥がれを生じ難くする
ことができる。したがって、製造歩留りを向上させるこ
とができ、半導体装置の信頼性を向上させることができ
る。

ここで、支持基板１を絶縁膜２を貼り合わせ接着したも
のが、従来の絶縁膜同志で貼り合わせ接着したものより
も接着強度が強かったのは、絶縁膜同志では化学反応を
伴わないで物理的に接着されているだけであるのに対し
、支持基板１と絶縁膜２の場合では物理的に接着されて
いる部分と化学反応を伴って接着されている部分とが生
じていることによるものと推定される。

なお、上記実施例では、トレンチ５内にＣＶＤ５ｉｎ、
による絶縁膜６のみを埋め込み構成するトレンチ・アイ
ソレーション構造の場合について説明したが、第２の発
明はこれに限定されるものではなく、第９図（ａ）に示
すように、熱酸化Ｓｉｏｇによる絶縁膜７とＣＶＤＳｉ
Ｏ２による絶縁膜６とから構成する絶縁性が向上する点
で好ましいトレンチ・アイソレーション構造の場合であ
ってもよく、第９図（ｂ）に示すように、熱酸化Ｓｉｎ
！による絶縁膜７と、支持基板１と電気的に接続され素
子基板３上部まで被膜された導体膜８とＣＶ　Ｄ　Ｓ　
ｉ　Ｏｔによる絶縁膜６とトレンチ５上部に形成された
絶縁膜９とから構成するトレンチ・アイソレーション構
造の場合（トレンチ５内の素子基板３側に電圧がかかっ
てもよい場合の好ましい構造例）であってもよく、第９
図（ｃ）に示すように、熱酸化Ｓ　ｉ　Ｏ，による絶縁
膜７と、支持基板１と電気的に接続され素子基板３にま
で達しないように被膜された導体膜８とＣＶＤ５　ｉＯ
□による絶縁膜６とから構成するトレンチ・アイソレー
ション構造の場合（トレンチ５内の素子基板３側に電圧
がかかってほしく、ない場合の好ましい構造例）であっ
てもよく、第９図（ｄ）に示すように、第９図（ｂ）及
び第９図（ｃ）の各々のトレンチ・アイソレーション構
造のものを組み合わせて構成する場合であってもよい。

また、第９図（８）に示すように、熱酸化Ｓｔｏｗによ
る絶縁膜７と、支持基板１と電気的に接続され素子基板
３上部まで充填された導体膜ｌＯとトレンチ５上部に形
成された絶縁膜９とから構成するトレンチ・アイソレー
ション構造の場合（トレンチ５内の素子基板３側に電圧
がかかってもよい場合の好ましい構造例）であってもよ
く、第９図（ｆ）に示すように、熱酸化Ｓｉｎ、による
絶縁膜７と、支持基板１と電気的に接続され素子基板３
にまで達しないように充填された導体膜１０とＣＶＤ５
　ｉＯｔによる絶縁膜６とから構成するトレンチ・アイ
ソレーション構造の場合（トレンチ５内の素子基板３側
に電圧がかかってほしくない場合の好ましい構造例）で
あってもよく、第９図（ｇ）に示すように、第９図（ｅ
）及び第９図（ｆ）の各々のトレンチ・アイソレーショ
ン構造のものを組み合わせて構成する場合であってもよ
い。

上記各実施例は、トレンチ・アイソレーション構造のも
のについて説明したが、第２の発明はこれに限定される
ものではなく、トレンチ・キャパシター構造の場合であ
ってもよく、例えば第１０図（ａ）に示すように、熱酸
化Ｓｉｎｇによる絶縁膜７と、キャパシタ電極１１ａ、
１１ｂおよび誘電体膜として機能する絶縁膜１２からな
るキャパシタ部とから構成するトレンチ・キャパシター
構造の場合であってもよく、第１Ｏ図（ｂ）に示すよう
に、熱酸化ＳｉＯ□による絶縁膜７と、キャパシタ電極
１１ａ、ｌｌｂおよび誘電体膜として機能する絶縁膜１
２からなるキャパシタ部と、絶縁膜７及びキャパシタ電
極１１ａ間に形成された絶縁膜１３とから構成する絶縁
性が向上する点で好ましいトレンチ・キャパシター構造
の場合であってもよく、第１０図（ｃ）に示すように、
熱酸化Ｓｉｎ、による絶縁膜７と、キャパシタ電極１１
ａ、１１ｂおよび誘電体膜として機能する絶縁膜１２．
１４からなるキャパシタ部と、絶縁膜７及びキャパシタ
電極１１間に形成された絶縁膜１３とから構成する絶縁
性が向上し、かつ容量を大きく採れる点で好ましいトレ
ンチ・キャパシター構造の場合であってもよい。

〔発明の効果〕

第１、第２の発明によれば、トレンチ内をクリーニング
処理する際、支持基板と素子基板の剥がれを生じ難くす
ることができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図〜゛第３図は第１の発明に係る半導体装置の一実
施例を説明する図であり、 第１図は第１の発明の一実施例の構造を示す断面図、 第２図は第１の発明の二実施例の製造方法を説明する図
、 第３図は第１の発明の一実施例の効果を説明する図、 第４図及び第５図は第１の発明の他の実施例を説明する
図、 第６図〜第８図は第２の発明に係る半導体装置の一実施
例を説明する図であり、 第６図は第２の発明の一実施例の構造を示す断面図、 第７図は第２の発明の一実施例の製造方法を説明する図
、 第８図は第２の発明の一実施例の効果を説明する図、 第９図及び第１０図は第２の発明の他の実施例を説明す
る図、 第１１図は従来例の構造を示す断面図である。 ２・・・・・・絶縁膜（ ３・・・・・・素子基板、 ４ａ、４ｂ・・・・・・接着面、 ５・・・・・・トレンチ。 １・・・・・・支持基板、 第１の発明の一実施例の構造を示す断面図第工図 第１の発明の一実施例の製造方法を説明する図第２図 （Ｋｇ／ｃｍ”） 第１の発明の一実施例の効果を説明する図第 図 第１の発明の他の実施例を説明する図 第４図 ｆＪｌの発明の他の実施例を説明する図第 図 第１の発明の他の実施例を説明する図 第 図 第２の発明の一実施例の構造を示す断面図第 図 −２９（ （Ｋｇ／ａｍ”） 第２の発明の一実施例の効果を説明する図第 図 第２の発明の他の実施例を説明する図 第 図 第２の発明の他の実施例を説明する図 第 図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体からなる支持基板と、半導体からなる素子
   基板が絶縁膜を介して貼り合わせ接着される接着面を有
   し、トレンチが該素子基板から該絶縁膜を突き抜けて該
   支持基板に達するまで形成されてなる半導体装置であっ
   て、 該接着面が該素子基板と該絶縁膜の界面に少なくともあ
   ることを特徴とする半導体装置。
2. （２）半導体からなる支持基板と、半導体からなる素子
   基板が絶縁膜を介して貼り合わせ接着される接着面を有
   し、トレンチが該素子基板から該絶縁膜を突き抜けて該
   支持基板に達するまで形成されてなる半導体装置であっ
   て、 該接着面が該支持基板と該絶縁膜の界面に少なくともあ
   ることを特徴とする半導体装置。