JPH0376222A - 基板表面の洗浄装置 - Google Patents
基板表面の洗浄装置Info
- Publication number
- JPH0376222A JPH0376222A JP21322589A JP21322589A JPH0376222A JP H0376222 A JPH0376222 A JP H0376222A JP 21322589 A JP21322589 A JP 21322589A JP 21322589 A JP21322589 A JP 21322589A JP H0376222 A JPH0376222 A JP H0376222A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fine
- frozen
- refrigerant
- liquid
- particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 21
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 50
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 abstract description 36
- 239000007921 spray Substances 0.000 abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 12
- 238000005507 spraying Methods 0.000 abstract description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 9
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract 1
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 22
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 22
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 18
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 18
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 5
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、被凍結液の微細液滴を冷却して得た微細凍
結粒子を基板に向けて噴射することによって、該基板上
の付着物を除去する、基板表面の洗浄装置に関するもの
であり、特に、冷媒中の不純物が微細凍結粒子の中に混
入しないように改良された、基板表面の洗浄装置に関す
るものである。
結粒子を基板に向けて噴射することによって、該基板上
の付着物を除去する、基板表面の洗浄装置に関するもの
であり、特に、冷媒中の不純物が微細凍結粒子の中に混
入しないように改良された、基板表面の洗浄装置に関す
るものである。
[従来の技術]
第2図は、従来の半導体ウェハの洗浄方法を概略的に示
したものである。図において、1は半導体ウェハである
。2は、この半導体ウェハ1の表面に超純水を噴射する
ジェットノズルである。3はブラシであり、半導体ウェ
ハ1の表面にスライドするものである。次に、この図を
参照して、従来の半導体ウェハの洗浄方法について説明
する。
したものである。図において、1は半導体ウェハである
。2は、この半導体ウェハ1の表面に超純水を噴射する
ジェットノズルである。3はブラシであり、半導体ウェ
ハ1の表面にスライドするものである。次に、この図を
参照して、従来の半導体ウェハの洗浄方法について説明
する。
半導体ウェハ1の表面に、超純水をジェットノズル2に
より吹付ける。・これと同時に、矢印Rの方向に回転し
ているブラシ3を、矢印Tの方向で半導体ウェハ1表面
にスライドさせる。これによって、半導体ウェハ1表面
に付着している汚染粒子等が洗浄除去される。
より吹付ける。・これと同時に、矢印Rの方向に回転し
ているブラシ3を、矢印Tの方向で半導体ウェハ1表面
にスライドさせる。これによって、半導体ウェハ1表面
に付着している汚染粒子等が洗浄除去される。
従来の半導体ウェハの洗浄方法は、以上のように構成さ
れている。しかしながら、約10μm以下の超微細な汚
染粒子等を洗浄除去することは困難であり、また洗浄ブ
ラシの摩耗によって半導体ウェハの汚染が生じることが
あり、さらにブラシの摩擦による静電気が発生して洗浄
効果を低下させることがあり、さらに、除去された異物
が洗浄ブラシに付着し、この異物が半導体ウェハを傷つ
けるといった問題点があった。
れている。しかしながら、約10μm以下の超微細な汚
染粒子等を洗浄除去することは困難であり、また洗浄ブ
ラシの摩耗によって半導体ウェハの汚染が生じることが
あり、さらにブラシの摩擦による静電気が発生して洗浄
効果を低下させることがあり、さらに、除去された異物
が洗浄ブラシに付着し、この異物が半導体ウェハを傷つ
けるといった問題点があった。
上述のような問題点を解決するために、凍結粒子を基板
の表面に噴出することにより−、該基板表面に付着して
いる汚染物を除去するという技術が提案されている(た
とえば、特願昭63−32322号参照)。
の表面に噴出することにより−、該基板表面に付着して
いる汚染物を除去するという技術が提案されている(た
とえば、特願昭63−32322号参照)。
第3図は、微細凍結粒子の噴射による洗浄装置の模式図
である。第3図を参照して、当該洗浄装置は、チャンバ
4と噴射手段5を備えている。チャンバ4の下方部は、
下方向に細るテーバになっており、テーバの先端部は管
路6の一端に接続されている。管路6の他端は、噴射手
段5に接続される。
である。第3図を参照して、当該洗浄装置は、チャンバ
4と噴射手段5を備えている。チャンバ4の下方部は、
下方向に細るテーバになっており、テーバの先端部は管
路6の一端に接続されている。管路6の他端は、噴射手
段5に接続される。
チャンバ4の天板部には、被凍結液を微細液滴化してチ
ャンバ4内に噴射するスプレーノズル7が設けられてい
る。スプレーノズル7は、被凍結液供給ライン8に接続
される。チャンバ4の側壁には、液体窒素等の冷媒をチ
ャンバ4内に注入する冷媒注入用スプレーノズル9が設
けられている。
ャンバ4内に噴射するスプレーノズル7が設けられてい
る。スプレーノズル7は、被凍結液供給ライン8に接続
される。チャンバ4の側壁には、液体窒素等の冷媒をチ
ャンバ4内に注入する冷媒注入用スプレーノズル9が設
けられている。
冷媒注入用スプレーノズル9は、冷媒供給ライン10に
接続される。
接続される。
次に、動作について説明する。
噴射手段5の直下に、被洗浄体である半導体ウェハ1を
配置する。次に、冷媒注入スプレーノズル9によって、
チャンバ4内に液体窒素等の冷媒を噴射し、チャンバ4
内に冷媒の雰囲気を作る。
配置する。次に、冷媒注入スプレーノズル9によって、
チャンバ4内に液体窒素等の冷媒を噴射し、チャンバ4
内に冷媒の雰囲気を作る。
その後、スプレーノズル7によって、チャンバ4内に超
純水等の被凍結液の微細液滴11を噴射する。すると、
被凍結液の微細液滴11は、冷媒雰囲気を通過し、この
冷媒と熱交換し、微細凍結粒子12に変えられて、チャ
ンバ4の下方部に溜まる。こうして、生成した微細凍結
粒子12は、管路6を通って、噴射手段5によって、半
導体ウェハ1の表面に噴射される。半導体ウェハ1の表
面に付着している汚染物等の付着物は、この微細凍結粒
子12の噴射を受けることによって、吹飛ばされ、除去
される。さらに、微細凍結粒子の溶解した結果物である
液体は、汚染物の溶媒として作用し、洗浄効果が一層高
められる。
純水等の被凍結液の微細液滴11を噴射する。すると、
被凍結液の微細液滴11は、冷媒雰囲気を通過し、この
冷媒と熱交換し、微細凍結粒子12に変えられて、チャ
ンバ4の下方部に溜まる。こうして、生成した微細凍結
粒子12は、管路6を通って、噴射手段5によって、半
導体ウェハ1の表面に噴射される。半導体ウェハ1の表
面に付着している汚染物等の付着物は、この微細凍結粒
子12の噴射を受けることによって、吹飛ばされ、除去
される。さらに、微細凍結粒子の溶解した結果物である
液体は、汚染物の溶媒として作用し、洗浄効果が一層高
められる。
第4図は、微細凍結粒子の噴射による洗浄装置の第2の
例の模式図である。当該装置は、被凍結液の微細液滴を
作る第1のチャンバ13と、冷媒の雰囲気を作る第2の
チャンバ14と、噴射手段5とを備える。第1のチャン
バ13と第2のチャンバ14は、管路15によって接続
される。第2のチャンバ14の下方部は、下方向に細る
テーバになっており、テーバの先端は管路6の一端に接
続されている。管路6の他端は、噴射手段5に接続され
ている。
例の模式図である。当該装置は、被凍結液の微細液滴を
作る第1のチャンバ13と、冷媒の雰囲気を作る第2の
チャンバ14と、噴射手段5とを備える。第1のチャン
バ13と第2のチャンバ14は、管路15によって接続
される。第2のチャンバ14の下方部は、下方向に細る
テーバになっており、テーバの先端は管路6の一端に接
続されている。管路6の他端は、噴射手段5に接続され
ている。
第1のチャンバ13の下方部には、微細凍結粒子16を
気化させるための気化手段17、たとえばヒータ、超音
波発振器等が設けられている。第2のチャンバ14の天
板部には、液体窒素等の冷媒を第2のチャンバ14内に
注入する冷媒注入用スプレーノズル9が設けられる。冷
媒注入用スプレーノズル9は、冷媒供給ライン1oに接
続されている。
気化させるための気化手段17、たとえばヒータ、超音
波発振器等が設けられている。第2のチャンバ14の天
板部には、液体窒素等の冷媒を第2のチャンバ14内に
注入する冷媒注入用スプレーノズル9が設けられる。冷
媒注入用スプレーノズル9は、冷媒供給ライン1oに接
続されている。
次に、動作について説明する。
噴射手段5の直下に、被洗浄体である半導体ウェハ1を
配置する。第1のチャンバ13内に被凍結液16である
、たとえば超純水を入れる。次に、冷媒注入用スプレー
ノズル9によって、第2のチャンバ14内に液体窒素等
の冷媒を噴射し、冷媒の雰囲気を作る。その後、気化手
段17である、たとえばヒータをONする。ヒータをO
Nすることにより、被凍結液16は加熱され蒸発し、被
凍結液16の微細液滴が形成される。この被凍結液の微
細液滴は、管路15を通って第2のチャンバ14内に入
る。すると、被凍結液の微細液滴は、冷媒雰囲気を通過
し、冷媒と熱交換し、微細凍結粒子12となって、第2
のチャンバ14の下方部に蓄積される。このようにして
、生成した微細凍結粒子12は、管路6を通って、噴射
手段5によって半導体ウェハ1の表面に噴射される。半
導体ウェハ1の表面に付着している汚染物等の付着物は
、この微細凍結粒子12の噴射を受けることによって、
吹飛ばされ、除去される。
配置する。第1のチャンバ13内に被凍結液16である
、たとえば超純水を入れる。次に、冷媒注入用スプレー
ノズル9によって、第2のチャンバ14内に液体窒素等
の冷媒を噴射し、冷媒の雰囲気を作る。その後、気化手
段17である、たとえばヒータをONする。ヒータをO
Nすることにより、被凍結液16は加熱され蒸発し、被
凍結液16の微細液滴が形成される。この被凍結液の微
細液滴は、管路15を通って第2のチャンバ14内に入
る。すると、被凍結液の微細液滴は、冷媒雰囲気を通過
し、冷媒と熱交換し、微細凍結粒子12となって、第2
のチャンバ14の下方部に蓄積される。このようにして
、生成した微細凍結粒子12は、管路6を通って、噴射
手段5によって半導体ウェハ1の表面に噴射される。半
導体ウェハ1の表面に付着している汚染物等の付着物は
、この微細凍結粒子12の噴射を受けることによって、
吹飛ばされ、除去される。
[発明が解決しようとする課8]
凍結粒子の噴射による洗浄装置は以上のように構成され
ており、基板上の洗浄物質は効率良く除去される。
ており、基板上の洗浄物質は効率良く除去される。
しかしながら、被凍結液の微細液滴と冷媒雰囲気とを直
接接触させることによって微細凍結粒子を作成している
。それゆえに、冷媒中に含まれているダストやその他の
不純物が微細凍結粒子内に混入し、高清浄度を必要とす
る被洗浄体を汚染するという問題点があった。
接接触させることによって微細凍結粒子を作成している
。それゆえに、冷媒中に含まれているダストやその他の
不純物が微細凍結粒子内に混入し、高清浄度を必要とす
る被洗浄体を汚染するという問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、冷媒中の不純物が微細凍結粒子の中に混入
しないように改良された、凍結粒子の噴射による、基板
表面の洗浄装置を提供することを目的とする。
れたもので、冷媒中の不純物が微細凍結粒子の中に混入
しないように改良された、凍結粒子の噴射による、基板
表面の洗浄装置を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
この発明は、被凍結液の微細液滴を冷却して得た微細凍
結粒子を基板に向けて噴射することによって、該基板上
の付着物を除去する、基板表面の洗浄装置にかかるもの
である。当該装置は、上記被凍結液の微細液滴を作る微
細液滴化手段と、上記微細凍結粒子を基板に向けて噴射
する噴射手段とを備えている。微細液滴化手段と噴射手
段との間には、その中を、上記微細液滴化手段によって
形成された被凍結液の微細液滴を通過させる管路が設け
られている。上記管路の外側には、該管路を外側から冷
却することにより、該管路内を通過する上記被凍結液の
微細液滴を微細凍結粒子に変える外部冷却手段が設けら
れている。
結粒子を基板に向けて噴射することによって、該基板上
の付着物を除去する、基板表面の洗浄装置にかかるもの
である。当該装置は、上記被凍結液の微細液滴を作る微
細液滴化手段と、上記微細凍結粒子を基板に向けて噴射
する噴射手段とを備えている。微細液滴化手段と噴射手
段との間には、その中を、上記微細液滴化手段によって
形成された被凍結液の微細液滴を通過させる管路が設け
られている。上記管路の外側には、該管路を外側から冷
却することにより、該管路内を通過する上記被凍結液の
微細液滴を微細凍結粒子に変える外部冷却手段が設けら
れている。
上記装置において、前記管路の内壁は電解研摩されてい
るのが好ましい。管路の内壁を電解研摩することによっ
て、微細凍結粒子が該管路内壁に付着し、凝集するのを
防止することができる。
るのが好ましい。管路の内壁を電解研摩することによっ
て、微細凍結粒子が該管路内壁に付着し、凝集するのを
防止することができる。
[作用]
本発明にかかる装置においては、微細液滴化手段によっ
て形成された被凍結液の微細液滴が、管路内を通過する
。この管路の外側には外部冷却手段が設けられており、
管路内を通過する、被凍結液の微細液滴が、この外部冷
却手段により冷却され、微細凍結粒子に変えられる。し
たがって、従来のように、被凍結液の微細液滴と冷媒と
が、直接、接触することはない。それゆえに、微細凍結
粒子に、冷媒中の不純物等が混入することはない。
て形成された被凍結液の微細液滴が、管路内を通過する
。この管路の外側には外部冷却手段が設けられており、
管路内を通過する、被凍結液の微細液滴が、この外部冷
却手段により冷却され、微細凍結粒子に変えられる。し
たがって、従来のように、被凍結液の微細液滴と冷媒と
が、直接、接触することはない。それゆえに、微細凍結
粒子に、冷媒中の不純物等が混入することはない。
[実施例]
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図は、この発明の一実施例にかかる、基板表面の洗
浄装置の模式図である。第1図を参照して、実施例にか
かる洗浄装置は、被凍結液の微細液滴を作る微細液滴化
手段18と、微細凍結粒子を半導体ウェハ1に向けて噴
射する噴射手段5と、を備えている。微細液滴化手段1
8と噴射手段5との間には、その中を、微細液滴化手段
18によって形成された被凍結液の微細液滴を通過させ
る管路19が設けられている。管路19は、断熱容器2
1内に蓄えられた冷媒20(たとえば液体窒素)の中に
潜入するように、断熱容器21内を貫通している。
浄装置の模式図である。第1図を参照して、実施例にか
かる洗浄装置は、被凍結液の微細液滴を作る微細液滴化
手段18と、微細凍結粒子を半導体ウェハ1に向けて噴
射する噴射手段5と、を備えている。微細液滴化手段1
8と噴射手段5との間には、その中を、微細液滴化手段
18によって形成された被凍結液の微細液滴を通過させ
る管路19が設けられている。管路19は、断熱容器2
1内に蓄えられた冷媒20(たとえば液体窒素)の中に
潜入するように、断熱容器21内を貫通している。
実施例では、微細液滴化手段18は、被凍結液を微細液
滴化して噴射するスプレーノズル7を備えた噴射用チャ
ンバ22と、被凍結液16を気化させるための気化手段
17、たとえばヒータ0、超音波発振器等を備えた気化
チャンバ23と、を含む。スプレーノズル7は、被凍結
液供給ライン8に接続されている。
滴化して噴射するスプレーノズル7を備えた噴射用チャ
ンバ22と、被凍結液16を気化させるための気化手段
17、たとえばヒータ0、超音波発振器等を備えた気化
チャンバ23と、を含む。スプレーノズル7は、被凍結
液供給ライン8に接続されている。
スプレーノズル7からの噴射によると、粒径20〜10
0μmの微細液滴11が得られる。気化手段17によっ
て被凍結液16を気化させる方法によると、粒径0.
1〜10μmの微細液滴11が得られる。これらは、必
要に応じて使い分けられるものである。
0μmの微細液滴11が得られる。気化手段17によっ
て被凍結液16を気化させる方法によると、粒径0.
1〜10μmの微細液滴11が得られる。これらは、必
要に応じて使い分けられるものである。
管路19はコイル状に形成されており、その内壁は電解
研摩処理が施され、生成する微細凍結粒子12が管路1
9の内壁に付着、凝集するのを防止している。
研摩処理が施され、生成する微細凍結粒子12が管路1
9の内壁に付着、凝集するのを防止している。
次に、動作について説明する。
まず、スプレーノズル7の噴射によって微細液滴11を
作る方法と、気化手段17によって微細液滴を作る方法
の、いずれか一方の方法が選ばれる。スプレーノズル7
の噴射によって微細液滴11を作る方法は、微細凍結粒
子をスプレーノズル7から噴射用チャンバ22内に噴射
することによって行なわれる。気化手段17によって微
細液滴を作る方法は、気化手段17である、たとえばヒ
ータをONすることにより、微細凍結液16を蒸発させ
ることによって行なわれる。噴射または気化によって生
成した、被凍結液の微細液滴11は、管路19内に流れ
ていく。管路19は冷媒201;よって低温化されてい
るため、管路19内に流入してきた微細液滴11は、管
路19を通過する途中で凍結して、超微細凍結粒子12
となる。
作る方法と、気化手段17によって微細液滴を作る方法
の、いずれか一方の方法が選ばれる。スプレーノズル7
の噴射によって微細液滴11を作る方法は、微細凍結粒
子をスプレーノズル7から噴射用チャンバ22内に噴射
することによって行なわれる。気化手段17によって微
細液滴を作る方法は、気化手段17である、たとえばヒ
ータをONすることにより、微細凍結液16を蒸発させ
ることによって行なわれる。噴射または気化によって生
成した、被凍結液の微細液滴11は、管路19内に流れ
ていく。管路19は冷媒201;よって低温化されてい
るため、管路19内に流入してきた微細液滴11は、管
路19を通過する途中で凍結して、超微細凍結粒子12
となる。
以上のようにして、微細凍結粒子は作られるのであるが
、実施例の場合、冷媒と被凍結液の微細液滴とは、直接
、接触しないので、従来のように、微細凍結粒子中に冷
媒中の不純物が混入することはない。
、実施例の場合、冷媒と被凍結液の微細液滴とは、直接
、接触しないので、従来のように、微細凍結粒子中に冷
媒中の不純物が混入することはない。
管路19内で生成した超微細凍結粒子12は、管路1り
を通って、噴射手段5によって、半導体ウェハ1の表面
に向けて噴射される。半導体ウェハ1の表面に付着して
いる汚染物等の付着物は、この超微細凍結粒子12の噴
射を受けることによって、吹飛ばされ、除去される。さ
らに、微細凍結粒子12の溶解した結果物である液体は
、付着物の溶媒として作用し、洗浄効果が一層高められ
る。また、この装置で作成された超微細凍結粒子12中
には、不純物が混入していないので、高清浄な洗浄がで
きるようになる。
を通って、噴射手段5によって、半導体ウェハ1の表面
に向けて噴射される。半導体ウェハ1の表面に付着して
いる汚染物等の付着物は、この超微細凍結粒子12の噴
射を受けることによって、吹飛ばされ、除去される。さ
らに、微細凍結粒子12の溶解した結果物である液体は
、付着物の溶媒として作用し、洗浄効果が一層高められ
る。また、この装置で作成された超微細凍結粒子12中
には、不純物が混入していないので、高清浄な洗浄がで
きるようになる。
なお、上記実施例では、微細液滴化手段18として、ス
プレーノズル7を用いるものと、気化手段17を用いる
ものとの両者を備えた洗浄装置を例示したが、この発明
はこれに限られるものでなく、いずれか一方のみを備え
てもよい。
プレーノズル7を用いるものと、気化手段17を用いる
ものとの両者を備えた洗浄装置を例示したが、この発明
はこれに限られるものでなく、いずれか一方のみを備え
てもよい。
また、微細液滴化手段18として、被凍結液を微細液滴
化できるものなら、他のいかなる手段を採用しても、実
施例と同様の効果を実現する。
化できるものなら、他のいかなる手段を採用しても、実
施例と同様の効果を実現する。
また、上記実施例では冷媒として液体窒素を例示したが
、この発明はこれに限られるものでない。
、この発明はこれに限られるものでない。
また、上記実施例では、被凍結液として超純水を用いた
場合を例示したが、この発明はこれに限られるものでな
い。
場合を例示したが、この発明はこれに限られるものでな
い。
[発明の効果]
以上説明したとおり、この発明にかかる、基板表面の洗
浄装置によれば、冷媒と被凍結液の微細液滴とを直接接
触させないで、微細凍結粒子を作成することができるの
で、微細凍結粒子中に冷媒の中に存在する不純物が混入
することはない。その結果、非常にクリーンな微細凍結
粒子を用いて、基板表面の高清浄な洗浄ができるという
効果を奏する。
浄装置によれば、冷媒と被凍結液の微細液滴とを直接接
触させないで、微細凍結粒子を作成することができるの
で、微細凍結粒子中に冷媒の中に存在する不純物が混入
することはない。その結果、非常にクリーンな微細凍結
粒子を用いて、基板表面の高清浄な洗浄ができるという
効果を奏する。
第1図は、この発明の一実施例にかかる、基板表面の洗
浄装置の模式図である。 第2図は、従来の半導体ウェハの洗浄方法を示す概略図
である。 第3図は、微細凍結粒子の噴射による洗浄装置の第1の
従来例の模式図である。 第4図は、微細凍結粒子の噴射による洗浄装置の第2の
従来例の模式図である。 図において、lは半導体ウェハ、5は噴射手段、7はス
プレーノズル、8は被凍結液供給ライン、11は微細液
滴、12は微細凍結粒子、16は被凍結液、17は気化
手段、18は微細液滴化手段、19は管路、20は冷媒
、21は断熱容器、22は噴射用チャンバ、23は気化
用チャンバである。 なお、各図中、同一符号または相当部分を示す。
浄装置の模式図である。 第2図は、従来の半導体ウェハの洗浄方法を示す概略図
である。 第3図は、微細凍結粒子の噴射による洗浄装置の第1の
従来例の模式図である。 第4図は、微細凍結粒子の噴射による洗浄装置の第2の
従来例の模式図である。 図において、lは半導体ウェハ、5は噴射手段、7はス
プレーノズル、8は被凍結液供給ライン、11は微細液
滴、12は微細凍結粒子、16は被凍結液、17は気化
手段、18は微細液滴化手段、19は管路、20は冷媒
、21は断熱容器、22は噴射用チャンバ、23は気化
用チャンバである。 なお、各図中、同一符号または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被凍結液の微細液滴を冷却して得た微細凍結粒子を基板
に向けて噴射することによって、該基板上の付着物を除
去する、基板表面の洗浄装置であって、 前記被凍結液の微細液滴を作る微細液滴化手段と、 前記微細凍結粒子を基板に向けて噴射する噴射手段と、 前記微細液滴化手段と前記噴射手段との間に設けられ、
その中を、前記微細液滴化手段によって形成された被凍
結液の微細液滴を通過させる管路と、 前記管路の外側に設けられ、該管路を外側から冷却する
ことにより、該管路内を通過する前記被凍結液の微細液
滴を微細凍結粒子に変える外部冷却手段と、 を備えた、基板表面の洗浄装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21322589A JPH0376222A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 基板表面の洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21322589A JPH0376222A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 基板表面の洗浄装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0376222A true JPH0376222A (ja) | 1991-04-02 |
Family
ID=16635610
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21322589A Pending JPH0376222A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 基板表面の洗浄装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0376222A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007144319A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Asada Kk | 静電式フロン再生装置 |
-
1989
- 1989-08-18 JP JP21322589A patent/JPH0376222A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007144319A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Asada Kk | 静電式フロン再生装置 |
JP4486584B2 (ja) * | 2005-11-29 | 2010-06-23 | アサダ株式会社 | フロンの再生方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2567341B2 (ja) | 窒素エーロゾルを用いる表面清浄方法 | |
US5555902A (en) | Submicron particle removal using liquid nitrogen | |
US4972677A (en) | Method of cleaning wafers or the like | |
JPH03116832A (ja) | 固体表面の洗浄方法 | |
JPH08298252A (ja) | エアロゾル表面処理 | |
US20060249182A1 (en) | Cleaning method and cleaning apparatus | |
KR100563843B1 (ko) | 기판세정장치 및 기판세정방법 | |
US20090056746A1 (en) | Methods For Treating Surfaces, And Apparatuses For Treating Surfaces | |
US20080135069A1 (en) | Method and apparatus for active particle and contaminant removal in wet clean processes in semiconductor manufacturing | |
KR102100762B1 (ko) | 발열체 표면의 기화를 이용한 증기 발생 장치 | |
JP2654874B2 (ja) | 基板洗浄方法 | |
JP2006286947A (ja) | 電子デバイス洗浄方法及び電子デバイス洗浄装置 | |
JP3380021B2 (ja) | 洗浄方法 | |
WO1995028235A1 (fr) | Procede de lavage et dispositif de lavage | |
JP2007035662A (ja) | 微細霧化粒子洗浄装置 | |
JPH0376222A (ja) | 基板表面の洗浄装置 | |
CN114078692A (zh) | 一种晶圆清洗方法和晶圆清洗设备 | |
JPH0459770B2 (ja) | ||
JPH04145991A (ja) | 配管システム洗浄方法 | |
JPH02270322A (ja) | 半導体ウェハの洗浄装置 | |
JP3204503B2 (ja) | 蒸気洗浄方法及びその装置 | |
JP2006041065A (ja) | 固体噴霧洗浄方法 | |
JPH0394427A (ja) | 固体表面の洗浄方法 | |
JPH01207182A (ja) | 基板表面の洗浄装置 | |
US20230335418A1 (en) | Steam-assisted single substrate cleaning process and apparatus |