JPH0375710A - 光半導体装置とその製造方法 - Google Patents
光半導体装置とその製造方法Info
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- JPH0375710A JPH0375710A JP21349989A JP21349989A JPH0375710A JP H0375710 A JPH0375710 A JP H0375710A JP 21349989 A JP21349989 A JP 21349989A JP 21349989 A JP21349989 A JP 21349989A JP H0375710 A JPH0375710 A JP H0375710A
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- optical
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 35
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- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 25
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 4
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Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
光半導体装置とその製造方法に係り、光半導体パッケー
ジに光ファイバを固定する方法に関し。
ジに光ファイバを固定する方法に関し。
光軸合わせをしたレンズ系と光ファイバにずれや回転が
生じないように固定し、光半導体装置の信頼度を確保す
ることを目的とし。
生じないように固定し、光半導体装置の信頼度を確保す
ることを目的とし。
光半導体パッケージと該光半導体パッケージに固定され
たレンズホルダと光ファイバと該光ファイバが固定され
たファイバホルダとを有し、かつ該レンズホルダと該フ
ァイバホルダはレーザ溶接されており、該レンズホルダ
と該ファイバホルダの接触面の少なくともどちらかの面
にレーザ溶接の際の凝固飛沫粒の溜となる凹みが形成さ
れている光半導体装置、及び接触する該レンズホルダの
面と該ファイバホルダの面の少なくともどちらかの面に
凹みを形成する工程と、該レンズホルダと該ファイバホ
ルダを面接触させて光軸を合わせる工程と、該レンズホ
ルダと該ファイバホルダの接触部の複数箇所にレーザ光
を照射して、該凹みに達する溶融を行う工程とを含む光
半導体装置の製造方法により構成する。
たレンズホルダと光ファイバと該光ファイバが固定され
たファイバホルダとを有し、かつ該レンズホルダと該フ
ァイバホルダはレーザ溶接されており、該レンズホルダ
と該ファイバホルダの接触面の少なくともどちらかの面
にレーザ溶接の際の凝固飛沫粒の溜となる凹みが形成さ
れている光半導体装置、及び接触する該レンズホルダの
面と該ファイバホルダの面の少なくともどちらかの面に
凹みを形成する工程と、該レンズホルダと該ファイバホ
ルダを面接触させて光軸を合わせる工程と、該レンズホ
ルダと該ファイバホルダの接触部の複数箇所にレーザ光
を照射して、該凹みに達する溶融を行う工程とを含む光
半導体装置の製造方法により構成する。
本発明は光半導体装置とその製造方法に係り。
特に光半導体パッケージに光ファイバを固定する方法に
関する。
関する。
光半導体装置には広い保証温度範囲と長期にわたる高信
頼度が要求される。
頼度が要求される。
第２図は本発明が関与する光半導体装置の斜視図であり
、１は光半導体パッケージ、２はレンズホルダ、３は光
ファイバ、４はファイバホルダ８５は溶接部を表す。
、１は光半導体パッケージ、２はレンズホルダ、３は光
ファイバ、４はファイバホルダ８５は溶接部を表す。
光半導体パッケージ１はレーザダイオード、ホトダイオ
ード等の光半導体素子を含み、そこに光フアイバ３と光
結合するためのレンズ系を含むレンズホルダ２が固定さ
れている。光フアイバ３はファイバホルダ４に固定され
ている。
ード等の光半導体素子を含み、そこに光フアイバ３と光
結合するためのレンズ系を含むレンズホルダ２が固定さ
れている。光フアイバ３はファイバホルダ４に固定され
ている。
レンズホルダ２とファイバホルダ４は光軸を合わせた後
、固定する必要があるが、樹脂による接着やはんだによ
る接合は、光結合系が温度に対して安定度が低く、長時
間にわたる安定度を確保しにくいことから、樹脂による
接着やはんだによる接合に代えてレーザ溶接が行われる
。
、固定する必要があるが、樹脂による接着やはんだによ
る接合は、光結合系が温度に対して安定度が低く、長時
間にわたる安定度を確保しにくいことから、樹脂による
接着やはんだによる接合に代えてレーザ溶接が行われる
。
第６図（ａ）、（ｂ）はレーザ溶接を説明するための図
で、（ａ）は溶接前、（ｂ）は溶接後の状態を示す斜視
図で、２はレンズホルダ、２１はレンズ、３は光ファイ
バ、４はファイバホルダ、５は溶接部を表す。
で、（ａ）は溶接前、（ｂ）は溶接後の状態を示す斜視
図で、２はレンズホルダ、２１はレンズ、３は光ファイ
バ、４はファイバホルダ、５は溶接部を表す。
第７図はレーザ溶接による従来のレーザ溶接部の断面図
を模式的に示すものである。
を模式的に示すものである。
レンズホルダ２とファイバホルダ４は、接合面を接触さ
せて光軸合わせを行った後、溶接部５でもって複数箇所
レーザ溶接されるが、レーザ溶接の際、溶融部の急激な
膨張によりレンズホルダ２とファイバホルダ４０間に隙
間を生じ、そこに溶融物の飛沫が飛び込み、凝固飛沫粒
５１が形成される。この凝固飛沫粒５１のために、予め
光軸合わ廿を行ったにもかかわらず、溶接後は光軸がず
れたり回転したりする。
せて光軸合わせを行った後、溶接部５でもって複数箇所
レーザ溶接されるが、レーザ溶接の際、溶融部の急激な
膨張によりレンズホルダ２とファイバホルダ４０間に隙
間を生じ、そこに溶融物の飛沫が飛び込み、凝固飛沫粒
５１が形成される。この凝固飛沫粒５１のために、予め
光軸合わ廿を行ったにもかかわらず、溶接後は光軸がず
れたり回転したりする。
従って、従来のレーザ溶接法では溶接ごとに光結合系の
光結合状態が異なり、再現性に欠けるといった問題があ
った。
光結合状態が異なり、再現性に欠けるといった問題があ
った。
本発明は、レーザ溶接の際、凝固飛沫粒が形成されでも
溶接後の光軸が′ずれたり回転したりしない構造を有す
る光半導体装置及びその製造方法を提供することを目的
とする。
溶接後の光軸が′ずれたり回転したりしない構造を有す
る光半導体装置及びその製造方法を提供することを目的
とする。
上記課題は、〔１〕光半導体パッケージ１と該光半導体
パッケージ１に固定されたレンズホルダ２と光フアイバ
３と該光フアイバ３が固定されたファイバホルダ４とを
有し、かつ該レンズホルダ２と該ファイバホルダ４はレ
ーザ溶接されており。
パッケージ１に固定されたレンズホルダ２と光フアイバ
３と該光フアイバ３が固定されたファイバホルダ４とを
有し、かつ該レンズホルダ２と該ファイバホルダ４はレ
ーザ溶接されており。
該レンズホルダ２と該ファイバホルダ４の接触面の少な
くともどちらかの面にレーザ溶接の際の凝固飛沫粒の溜
となる凹み６１．６２が形成されている光半導体装置、
及び〔２〕光半導体パッケージ１と該光半導体パッケー
ジ１に固定されたレンズホルダ２と光フアイバ３と該光
フアイバ３が固定されたファイバホルダ４とを有し、該
レンズホルダ２と該ファイバホルダ４がレーザ溶接され
てなる光半導体装置の製造において、接触する該レンズ
ホルダ２の面と該ファイバホルダ４の面の少なくともど
ちらかの面に凹み６１．６２を形成する工程と。
くともどちらかの面にレーザ溶接の際の凝固飛沫粒の溜
となる凹み６１．６２が形成されている光半導体装置、
及び〔２〕光半導体パッケージ１と該光半導体パッケー
ジ１に固定されたレンズホルダ２と光フアイバ３と該光
フアイバ３が固定されたファイバホルダ４とを有し、該
レンズホルダ２と該ファイバホルダ４がレーザ溶接され
てなる光半導体装置の製造において、接触する該レンズ
ホルダ２の面と該ファイバホルダ４の面の少なくともど
ちらかの面に凹み６１．６２を形成する工程と。
該レンズホルダ２と該ファイバホルダ４を面接触させて
光軸を合わせる工程と、該レンズホルダ２と該ファイバ
ホルダ４の接触部の複数箇所にレーザ光を照射して、該
凹み６１．６２に達する溶融を行う工程とを含む光半導
体装置の製造方法によって解決される。
光軸を合わせる工程と、該レンズホルダ２と該ファイバ
ホルダ４の接触部の複数箇所にレーザ光を照射して、該
凹み６１．６２に達する溶融を行う工程とを含む光半導
体装置の製造方法によって解決される。
第１図は本発明の方法によるレーザ溶接部の断面図を模
式的に示すものである。
式的に示すものである。
レンズホルダ２とファイバホルダ４を接触させてレーザ
溶接する前に、予めレンズホルダ２に凹み６１．ファイ
バホルダ４に凹み６２を形成しておく。
溶接する前に、予めレンズホルダ２に凹み６１．ファイ
バホルダ４に凹み６２を形成しておく。
そして、レーザ溶接の際はその凹みに達する溶融を行う
ようにすれば、溶融物の飛沫はその凹みに溜り、凝固飛
沫粒５１となるので、接触面に残存することを防止でき
る。
ようにすれば、溶融物の飛沫はその凹みに溜り、凝固飛
沫粒５１となるので、接触面に残存することを防止でき
る。
その結果、レンズホルダ２とファイバホルダ４を光軸合
わせをした状態が保持することができ。
わせをした状態が保持することができ。
レーザ溶接ごとに光結合状態がばらつくという従来の問
題点は解決される。
題点は解決される。
第３図（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、実施例Ｉを説明す
るための斜視図と断面図である。
るための斜視図と断面図である。
レンズ２１を保持するレンズホルダ２とファイバホルダ
４の接触面は直径５ｍ＋＋ｓ程度の円形で、その周囲か
ら約０．５旧敵れた位置に、レンズホルダ２とファイバ
ホルダ４の両方に幅約１開、深さ約１ａ＋＋＊の凹み（
三角溝）６１．６２を形成する。
４の接触面は直径５ｍ＋＋ｓ程度の円形で、その周囲か
ら約０．５旧敵れた位置に、レンズホルダ２とファイバ
ホルダ４の両方に幅約１開、深さ約１ａ＋＋＊の凹み（
三角溝）６１．６２を形成する。
レンズホルダ２とファイバホルダ４を面接触させて光軸
を合わせた後、接触部３箇所に同時にレーザを照射して
凹み（三角溝）６１．６２に達する溶融を行う。溶融部
が凝固してレンズホルダ２とファイバホルダ４が接合さ
れる。
を合わせた後、接触部３箇所に同時にレーザを照射して
凹み（三角溝）６１．６２に達する溶融を行う。溶融部
が凝固してレンズホルダ２とファイバホルダ４が接合さ
れる。
レーザ溶接前後で、光軸のずれや回転は見られなかった
。
。
第４図は実施例■を説明するための断面図である。
実施例！ではレンズホルダ２とファイバホルダ４の接触
面の両方に凹み（三角溝）６１．６２を形成したが、実
施例■はレンズホルダ２の接触面だけに凹み（三角溝）
６１を形成する。
面の両方に凹み（三角溝）６１．６２を形成したが、実
施例■はレンズホルダ２の接触面だけに凹み（三角溝）
６１を形成する。
この場合も、レーザ溶接前後で光軸のずれや回転は見ら
れなかった。
れなかった。
第５図は実施例■を説明するための断面図である。
この例では、ファイバホルダ４の接触面だけに凹み（三
角溝）６２を形成する。
角溝）６２を形成する。
この場合も、レーザ溶接前後で光軸のずれや回転は見ら
れなかった。
れなかった。
実施例Ｉ乃至■では三角溝を形成したが、必ずしも三角
溝である必要はなく、要は溶融物の飛沫の溜めとなる凹
みであればよい。また、この凹みは必ずしも全周にある
必要はなく、レーザ溶接部の近傍だけに形成してもよい
。
溝である必要はなく、要は溶融物の飛沫の溜めとなる凹
みであればよい。また、この凹みは必ずしも全周にある
必要はなく、レーザ溶接部の近傍だけに形成してもよい
。
以上説明した様に２本発明によれば、レンズホルダ２と
ファイバホルダ４をレーザ溶接する際。
ファイバホルダ４をレーザ溶接する際。
予め合わせた光軸に影響を与えることなくレーザ溶接す
ることが可能となる。
ることが可能となる。
その結果、光半導体装置の組立時の歩留りが向上すると
いう効果を奏する。
いう効果を奏する。
本発明は光半導体装置の信頼度向上に寄与するものであ
る。
る。
第１図は本発明の方法によるレーザ溶接部の断面図。
第２図は光半導体装置の斜視図。
第３図（ａ）と（ｂ）は実施例■を説明するための斜視
図と断面図。 第４図は実施例■を説明するための断面図。 第５図は実施例■を説明するための断面図。 第６図はレーザ溶接を説明するための斜視図。 第７図は従来のレーザ溶接部の断面図 である。図において。 １は光半導体パッケージ。 ２はレンズホルダ。 ２１はレンズ。 ３は光ファイバ。 ４はファイバホルダ。 ５は溶接部。 ５１は凝固飛沫粒。 ６１゜ ６２は凹みであって三角溝 ガ施例１ １３纜 箒４起 冨５Ｂ ６２、凹〃 不活ａｆｌの方法１：よるレーガｌ宕梼郭の断面旧冨
１ 囮 尤￥−ｉ！！＃装置の斜視口 ＰＫ ２目 （α） （し） レーπ゛漕楼Σ説哨するた０のＢ 冨 ６ 図 イだ来のレーザ゛；許接部のｒｒｆｒ面旧冨 ７ 図
図と断面図。 第４図は実施例■を説明するための断面図。 第５図は実施例■を説明するための断面図。 第６図はレーザ溶接を説明するための斜視図。 第７図は従来のレーザ溶接部の断面図 である。図において。 １は光半導体パッケージ。 ２はレンズホルダ。 ２１はレンズ。 ３は光ファイバ。 ４はファイバホルダ。 ５は溶接部。 ５１は凝固飛沫粒。 ６１゜ ６２は凹みであって三角溝 ガ施例１ １３纜 箒４起 冨５Ｂ ６２、凹〃 不活ａｆｌの方法１：よるレーガｌ宕梼郭の断面旧冨
１ 囮 尤￥−ｉ！！＃装置の斜視口 ＰＫ ２目 （α） （し） レーπ゛漕楼Σ説哨するた０のＢ 冨 ６ 図 イだ来のレーザ゛；許接部のｒｒｆｒ面旧冨 ７ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔１〕光半導体パッケージ（１）と該光半導体パッケー
ジ（１）に固定されたレンズホルダ（２）と光ファイバ
（３）と該光ファイバ（３）が固定されたファイバホル
ダ（４）とを有し、かつ 該レンズホルダ（２）と該ファイバホルダ（４）はレー
ザ溶接されており、該レンズホルダ（２）と該ファイバ
ホルダ（４）の接触面の少なくともどちらかの面にレー
ザ溶接の際の凝固飛沫粒の溜となる凹み（６１，６２）
が形成されていることを特徴とする光半導体装置。 〔２〕光半導体パッケージ（１）と該光半導体パッケー
ジ（１）に固定されたレンズホルダ（２）と光ファイバ
（３）と該光ファイバ（３）が固定されたファイバホル
ダ（４）とを有し、該レンズホルダ（２）と該ファイバ
ホルダ（４）がレーザ溶接されてなる光半導体装置の製
造において、 接触する該レンズホルダ（２）の面と該ファイバホルダ
（４）の面の少なくともどちらかの面に凹み（６１，６
２）を形成する工程と、 該レンズホルダ（２）と該ファイバホルダ（４）を面接
触させて光軸を合わせる工程と、該レンズホルダ（２）
と該ファイバホルダ（４）の接触部の複数箇所にレーザ
光を照射して、該凹み（６１，６２）に達する溶融を行
う工程 とを含むことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21349989A JPH0375710A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 光半導体装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21349989A JPH0375710A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 光半導体装置とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0375710A true JPH0375710A (ja) | 1991-03-29 |
Family
ID=16640209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21349989A Pending JPH0375710A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 光半導体装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0375710A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014044435A (ja) * | 2009-04-09 | 2014-03-13 | Citizen Holdings Co Ltd | レーザ光源 |
| JP2016156849A (ja) * | 2015-02-23 | 2016-09-01 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 光モジュール |
-
1989
- 1989-08-18 JP JP21349989A patent/JPH0375710A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014044435A (ja) * | 2009-04-09 | 2014-03-13 | Citizen Holdings Co Ltd | レーザ光源 |
| JP2016156849A (ja) * | 2015-02-23 | 2016-09-01 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 光モジュール |
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