JPH0375098B2 - - Google Patents
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- JPH0375098B2 JPH0375098B2 JP26013185A JP26013185A JPH0375098B2 JP H0375098 B2 JPH0375098 B2 JP H0375098B2 JP 26013185 A JP26013185 A JP 26013185A JP 26013185 A JP26013185 A JP 26013185A JP H0375098 B2 JPH0375098 B2 JP H0375098B2
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- JP
- Japan
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- high frequency
- signal
- band
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- coil
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 13
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 16
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 16
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Circuits Of Receivers In General (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、テレビジヨン受像機等に用いられる
高周波増幅装置に関するものである。
高周波増幅装置に関するものである。
従来の技術
近年、高周波増幅装置として、CATV帯の発
達などに伴い、50MHz以上の周波数帯域で使用さ
れるものが増加している。
達などに伴い、50MHz以上の周波数帯域で使用さ
れるものが増加している。
以下、図面を参照しながら、従来の高周波増幅
装置の一例について説明する。
装置の一例について説明する。
第２図は、従来例の高周波増幅装置を示すもの
である。第２図において、２Ａ，２Ｂは異なつた
帯域の入力端子である。２０１，２０２は高周波
増幅器で、それぞれ異つた帯域（ここではVHF
帯域とUHF帯域）の信号を増幅する。２０３，
２０４はスイツチングダイオードで、前置の高周
波増幅器２０１，２０２中のFET（あるいはバイ
ポーラ）トランジスタのドレイン（あるいはコレ
クタ）に直列に接続されていて、高周波増幅され
たそれぞれの信号の後段への供給をオン／オフさ
せている。２０５，２０６はチヨークコイルで、
それぞれスイツチングダイオード２０３，２０４
を介して、高周波増幅器２０１，２０２のFET
（あるいはバイポーラ）トランジスタのドレイン
（あるいはコレクタ）に接続されている。２Ｃ，
２Ｄはそれぞれの電源の供給端子であり、たとえ
ば、VHF受信時には端子２Ｃが高レベルとなつ
て端子２Ｄが低レベルになり、UHF受信時には
逆に端子２Ｄが高レベルになつて端子２Ｃが低レ
ベルになる。２０７は結合容量であり、上記のよ
うな異つた帯域の信号のうちから選択された一方
の信号を出力端子２Ｅより次段に供給する。
である。第２図において、２Ａ，２Ｂは異なつた
帯域の入力端子である。２０１，２０２は高周波
増幅器で、それぞれ異つた帯域（ここではVHF
帯域とUHF帯域）の信号を増幅する。２０３，
２０４はスイツチングダイオードで、前置の高周
波増幅器２０１，２０２中のFET（あるいはバイ
ポーラ）トランジスタのドレイン（あるいはコレ
クタ）に直列に接続されていて、高周波増幅され
たそれぞれの信号の後段への供給をオン／オフさ
せている。２０５，２０６はチヨークコイルで、
それぞれスイツチングダイオード２０３，２０４
を介して、高周波増幅器２０１，２０２のFET
（あるいはバイポーラ）トランジスタのドレイン
（あるいはコレクタ）に接続されている。２Ｃ，
２Ｄはそれぞれの電源の供給端子であり、たとえ
ば、VHF受信時には端子２Ｃが高レベルとなつ
て端子２Ｄが低レベルになり、UHF受信時には
逆に端子２Ｄが高レベルになつて端子２Ｃが低レ
ベルになる。２０７は結合容量であり、上記のよ
うな異つた帯域の信号のうちから選択された一方
の信号を出力端子２Ｅより次段に供給する。
２０８，２０９は回路に存在する浮遊容量を示
す。
す。
以上のように構成された高周波増幅装置につい
て、以下その動作について説明する。
て、以下その動作について説明する。
まず、第１の帯域（ここでは、VHF帯域とす
る）を受信する時には、端子２Ｃは高レベル、端
子２Ｄは低レベルの電源電圧に設定されるから、
高周波増幅器２０１、スイツチングダイオード２
０３、チヨークコイル２０５および端子２Ａから
供給される信号系路がオンになり、端子２Ｂから
供給される信号系路はオフになる。これにより
VHF帯域の信号のみが増幅されて、結合容量７
を介して端子２Ｅより次段に供給される。この
時、スイツチングダイオード２０４は逆バイアス
になり、VHF帯域の信号が減衰するのを防ぐ。
る）を受信する時には、端子２Ｃは高レベル、端
子２Ｄは低レベルの電源電圧に設定されるから、
高周波増幅器２０１、スイツチングダイオード２
０３、チヨークコイル２０５および端子２Ａから
供給される信号系路がオンになり、端子２Ｂから
供給される信号系路はオフになる。これにより
VHF帯域の信号のみが増幅されて、結合容量７
を介して端子２Ｅより次段に供給される。この
時、スイツチングダイオード２０４は逆バイアス
になり、VHF帯域の信号が減衰するのを防ぐ。
第２の帯域（ここでは、UHF帯域とする）を
受信するときには、上述の場合とは逆に、端子２
Ｄは高レベル、端子２Ｃは低レベルの電源電圧に
設定され、UHF帯域用の系路の信号が増幅され、
端子２Ｅより次段に供給される。（例えば、特開
昭59−36431号公報参照） 発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上述のような構成では、浮遊容
量２０８，２０９が0.5〜1pF程度ある場合には、
一系統の増幅器に比べて、浮遊容量が２倍にな
り、周波数の高いUHF帯域における利得が３〜
4dBも劣化するという問題があつた。
受信するときには、上述の場合とは逆に、端子２
Ｄは高レベル、端子２Ｃは低レベルの電源電圧に
設定され、UHF帯域用の系路の信号が増幅され、
端子２Ｅより次段に供給される。（例えば、特開
昭59−36431号公報参照） 発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上述のような構成では、浮遊容
量２０８，２０９が0.5〜1pF程度ある場合には、
一系統の増幅器に比べて、浮遊容量が２倍にな
り、周波数の高いUHF帯域における利得が３〜
4dBも劣化するという問題があつた。
本発明は、上記問題点に鑑み、周波数の高い帯
域での利得劣化を招くことなく２つの帯域の信号
を切換えて一系路に結合することのできる装置を
提供することを目的とするものである。
域での利得劣化を招くことなく２つの帯域の信号
を切換えて一系路に結合することのできる装置を
提供することを目的とするものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために、本発明の高周波
増幅装置は、異なつた帯域を増幅する２つの高周
波増幅器に使用するFET（あるいはバイポーラ）
トランジスタのドレイン（あるいはコレクタ）
を、スイツチングダイオードを介してそれぞれの
電源回路に接続されたチヨークコイルに接続し、
それらの２つのチヨークコイルとスイツチングダ
イオードの交点間を、周波数の高い帯域に対して
はチヨークコイルとして作用し、周波数の低い帯
域に対しては直列共振によるピーキング回路とし
て作用するように定数を設定したコイルと容量と
の直列回路によつて結合する。
増幅装置は、異なつた帯域を増幅する２つの高周
波増幅器に使用するFET（あるいはバイポーラ）
トランジスタのドレイン（あるいはコレクタ）
を、スイツチングダイオードを介してそれぞれの
電源回路に接続されたチヨークコイルに接続し、
それらの２つのチヨークコイルとスイツチングダ
イオードの交点間を、周波数の高い帯域に対して
はチヨークコイルとして作用し、周波数の低い帯
域に対しては直列共振によるピーキング回路とし
て作用するように定数を設定したコイルと容量と
の直列回路によつて結合する。
作 用
本発明は、上記した構成によつて、高い周波数
の帯域を受信しようとしたときに、従来利得劣化
の原因となつていた低い周波数の帯域の系路に発
生する浮遊容量による影響を結合コイルにより軽
減することができ、高い周波数の帯域の信号を受
信する時の利得の劣化を軽減することができるも
のである。
の帯域を受信しようとしたときに、従来利得劣化
の原因となつていた低い周波数の帯域の系路に発
生する浮遊容量による影響を結合コイルにより軽
減することができ、高い周波数の帯域の信号を受
信する時の利得の劣化を軽減することができるも
のである。
実施例
以下、本発明の一実施例の高周波増幅装置につ
いて、図面を参照しながら説明する。
いて、図面を参照しながら説明する。
第１図は、本発明の一実施例の高周波増幅装置
の回路を示すものである。第１図において、１０
１，１０２はFET（あるいはバイポーラ）トラン
ジスタを用いた高周波増幅器、１０３，１０４は
それぞれのドレイン（あるいはコレクタ）に接続
されたスイツチングダイオード、１０５，１０６
はそれぞれのスイツチングダイオード１０３，１
０４と電源端子との間に接続されたチヨークコイ
ル、１０７は結合容量、１０８，１０９は回路に
存在する浮遊容量、１１０は結合インダクタン
ス、１１１はダンピング抵抗である。１Ａは低い
周波数の第１の帯域（ここでは、VHF帯域）の
信号の入力端子、１Ｂは高い周波数の第２の帯域
（ここでは、UHF帯域）の信号の入力端子、１Ｃ
はVHF帯域の受信時に高レベルとなりUHF帯域
の受信時に低レベルになる電源（VHF電源）端
子、１ＤはUHF帯域の受信時に低レベルになり
VHF帯域の受信時に高レベルになる電源（UHF
電源）端子、１Ｅは信号出力端子である。
の回路を示すものである。第１図において、１０
１，１０２はFET（あるいはバイポーラ）トラン
ジスタを用いた高周波増幅器、１０３，１０４は
それぞれのドレイン（あるいはコレクタ）に接続
されたスイツチングダイオード、１０５，１０６
はそれぞれのスイツチングダイオード１０３，１
０４と電源端子との間に接続されたチヨークコイ
ル、１０７は結合容量、１０８，１０９は回路に
存在する浮遊容量、１１０は結合インダクタン
ス、１１１はダンピング抵抗である。１Ａは低い
周波数の第１の帯域（ここでは、VHF帯域）の
信号の入力端子、１Ｂは高い周波数の第２の帯域
（ここでは、UHF帯域）の信号の入力端子、１Ｃ
はVHF帯域の受信時に高レベルとなりUHF帯域
の受信時に低レベルになる電源（VHF電源）端
子、１ＤはUHF帯域の受信時に低レベルになり
VHF帯域の受信時に高レベルになる電源（UHF
電源）端子、１Ｅは信号出力端子である。
VHF帯域の信号は、高周波増幅器１０１、ス
イツチングダイオード１０３、およびチヨークコ
イル１０５が直列に接続された系路を通り増幅さ
れる。UHF帯域の信号は、高周波増幅器１０２、
スイツチングダイオード１０４およびチヨークコ
イル１０６が直列に接続された系路を通り増幅さ
れる。２つの系路のスイツチングダイオード１０
３，１０４とチヨークコイル１０５，１０６との
交点は結合容量１０７と結合コイル１１０と抵抗
１１１からなる直列回路により結合されている。
１０８，１０９は各系路の回路に存在する浮遊容
量である。
イツチングダイオード１０３、およびチヨークコ
イル１０５が直列に接続された系路を通り増幅さ
れる。UHF帯域の信号は、高周波増幅器１０２、
スイツチングダイオード１０４およびチヨークコ
イル１０６が直列に接続された系路を通り増幅さ
れる。２つの系路のスイツチングダイオード１０
３，１０４とチヨークコイル１０５，１０６との
交点は結合容量１０７と結合コイル１１０と抵抗
１１１からなる直列回路により結合されている。
１０８，１０９は各系路の回路に存在する浮遊容
量である。
以上のように構成された高周波増幅装置につい
て、第１図を用いてその動作を説明する。
て、第１図を用いてその動作を説明する。
まず、VHF帯域の信号は、端子１Ａより高周
波増幅器１０１に供給される。高周波増幅器１０
１は、通常、FETがバイポーラトランジスタを
用いて構成され、そのドレイン（あるいはコレク
タ）がスイツチングダイオード１０３を介してチ
ヨークコイル１０５に接続されている。電源端子
１Ｃが高レベルになるとこの系路に電流が流れて
VHF信号が増幅され、スイツチングダイオード
１０３とチヨークコイル１０５との交点にVHF
信号が出力される。この信号は、結合容量１０７
と両端にダンピング抵抗１１１が接続されている
結合コイル１１０を介して、出力端子１Ｅより次
段に供給される。このとき、結合容量１０７と結
合コイル１１０とから成る直列共振回路の共振周
波数をVHF帯域の中に選定することにより、
VHF帯域の信号を減衰することなく端子１Ｅよ
り次段に供給できる。この時には端子１Ｄは低レ
ベルになつているからスイツチダイオード１０４
は、逆バイアスになつており、出力端子１Ｅでの
信号減衰は浮遊容量１０８と１０９の並列容量に
よる減衰になるが、その容量値は小さくしかも
VHF帯域では周波数が低いので、その並列容量
による減衰量は問題にはならない。
波増幅器１０１に供給される。高周波増幅器１０
１は、通常、FETがバイポーラトランジスタを
用いて構成され、そのドレイン（あるいはコレク
タ）がスイツチングダイオード１０３を介してチ
ヨークコイル１０５に接続されている。電源端子
１Ｃが高レベルになるとこの系路に電流が流れて
VHF信号が増幅され、スイツチングダイオード
１０３とチヨークコイル１０５との交点にVHF
信号が出力される。この信号は、結合容量１０７
と両端にダンピング抵抗１１１が接続されている
結合コイル１１０を介して、出力端子１Ｅより次
段に供給される。このとき、結合容量１０７と結
合コイル１１０とから成る直列共振回路の共振周
波数をVHF帯域の中に選定することにより、
VHF帯域の信号を減衰することなく端子１Ｅよ
り次段に供給できる。この時には端子１Ｄは低レ
ベルになつているからスイツチダイオード１０４
は、逆バイアスになつており、出力端子１Ｅでの
信号減衰は浮遊容量１０８と１０９の並列容量に
よる減衰になるが、その容量値は小さくしかも
VHF帯域では周波数が低いので、その並列容量
による減衰量は問題にはならない。
一方、UHF帯域の信号を受信するときには、
電源端子１Ｄが高レベルになり端子１Ｃは低レベ
ルになるため、高周波増幅器１０２、スイツチン
グダイオード１０４およびチヨークコイル１０６
に電流が流れ、UHF帯域の信号が増幅されてス
イツチングダイオード１０４とチヨークコイル１
０６との交点に出力される。この場合、UHF帯
域の信号は浮遊容量１０９の影響を受けるが、結
合コイル１１０のインダクタンスがUHF帯域の
信号に対しては充分に大きいため、これにより浮
遊容量１０８は信号系路から遮断され、浮遊容量
１０８による影響は極めて少なくすることができ
る。
電源端子１Ｄが高レベルになり端子１Ｃは低レベ
ルになるため、高周波増幅器１０２、スイツチン
グダイオード１０４およびチヨークコイル１０６
に電流が流れ、UHF帯域の信号が増幅されてス
イツチングダイオード１０４とチヨークコイル１
０６との交点に出力される。この場合、UHF帯
域の信号は浮遊容量１０９の影響を受けるが、結
合コイル１１０のインダクタンスがUHF帯域の
信号に対しては充分に大きいため、これにより浮
遊容量１０８は信号系路から遮断され、浮遊容量
１０８による影響は極めて少なくすることができ
る。
結合容量１０７として22pFのコンデンサ、結
合コイル１１０として直径３mmで７ターンのコイ
ル、抵抗１１１として100Ωのものを使用するこ
とにより、UHF帯域（470〜770MHz）での利得
を３〜4dB改善することができた。特に、ハイイ
ンピーダンスによる結合時にその改善効果が大き
かつた。
合コイル１１０として直径３mmで７ターンのコイ
ル、抵抗１１１として100Ωのものを使用するこ
とにより、UHF帯域（470〜770MHz）での利得
を３〜4dB改善することができた。特に、ハイイ
ンピーダンスによる結合時にその改善効果が大き
かつた。
なお、以上の実施例はVHF／UHF帯域の場合
について説明したが、本発明は、これ以外にも、
周波数の差の大きい２以上の帯域の増幅回路用に
実施することができるものである。
について説明したが、本発明は、これ以外にも、
周波数の差の大きい２以上の帯域の増幅回路用に
実施することができるものである。
発明の効果
以上のように、本発明によれば、周波数の低い
（VHF帯域等の）帯域に対しては直列共振回路を
構成ししかも周波数の高い（UHF帯域等の）帯
域に対してはチヨークコイルとして作用するよう
に設定したインダクタンスと容量との直列回路を
挿入接続するようにしたことにより、低い周波数
の帯域での利得を損うことなくしかも高い周波数
の帯域での利得を同時に向上させることができる
ものである。
（VHF帯域等の）帯域に対しては直列共振回路を
構成ししかも周波数の高い（UHF帯域等の）帯
域に対してはチヨークコイルとして作用するよう
に設定したインダクタンスと容量との直列回路を
挿入接続するようにしたことにより、低い周波数
の帯域での利得を損うことなくしかも高い周波数
の帯域での利得を同時に向上させることができる
ものである。
第１図は本発明の一実施例による高周波増幅装
置を示す回路図、第２図は従来例の高周波増幅装
置の回路図である。 １０１，１０２……高周波増幅器、１０３，１
０４……スイツチングダイオード、１０５，１０
６……チヨークコイル、１０７……結合容量、１
１０……結合コイル、１１１……抵抗。
置を示す回路図、第２図は従来例の高周波増幅装
置の回路図である。 １０１，１０２……高周波増幅器、１０３，１
０４……スイツチングダイオード、１０５，１０
６……チヨークコイル、１０７……結合容量、１
１０……結合コイル、１１１……抵抗。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 互いに異なる周波数帯域をもつ第１、第２の
信号を増幅するそれぞれのFET（あるいはバイポ
ーラ）トランジスタのドレイン（あるいはコレク
タ）をそれぞれスイツチングダイオードとチヨー
クコイルを介して各々の電源端子に接続し、それ
ぞれのスイツチングダイオードとチヨークコイル
の交点どうしを、低い周波数帯域の第１の信号に
共振し、高い周波数帯域の第２の信号に対しては
インピーダンスが高くなるように作用するインダ
クタンスと容量よりなる直列共振回路により結合
したことを特徴とする高周波増幅装置。 ２ 直列共振回路は、低い周波数帯域の第１の信
号に対して、共振の帯域を広くする抵抗を備えた
ことを特徴とした特許請求の範囲第１項記載の高
周波増幅装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26013185A JPS62120108A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 高周波増幅装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26013185A JPS62120108A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 高周波増幅装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62120108A JPS62120108A (ja) | 1987-06-01 |
| JPH0375098B2 true JPH0375098B2 (ja) | 1991-11-29 |
Family
ID=17343728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26013185A Granted JPS62120108A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 高周波増幅装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62120108A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH025920U (ja) * | 1988-06-25 | 1990-01-16 |
-
1985
- 1985-11-20 JP JP26013185A patent/JPS62120108A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62120108A (ja) | 1987-06-01 |
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