JPH03721Y2 - - Google Patents

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JPH03721Y2
JPH03721Y2 JP1794484U JP1794484U JPH03721Y2 JP H03721 Y2 JPH03721 Y2 JP H03721Y2 JP 1794484 U JP1794484 U JP 1794484U JP 1794484 U JP1794484 U JP 1794484U JP H03721 Y2 JPH03721 Y2 JP H03721Y2
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Description

【考案の詳細な説明】 〔考案の技術分野〕 本考案はインピーダンス線路を用いた分布定数
型の電磁遅延線に係り、特に、超小型化が容易で
遅延特性の良好な超高速電磁遅延線に関する。
〔従来技術とその問題点〕
従来、インピーダンス線路を用いた電磁遅延線
としては、一主面にアース電極を形成した誘電体
層の対向主面に直線状の細長い導線路を形成した
マイクロストリツプ線路を用いる構成がよく知ら
れている。
このような電磁遅延線は、特性インピーダンス
Zoが、 Zo=〔87/√+1.41〕 In〔5.98h/(0.8ω+t)〕 ……(1) (但し、εは誘電体層の比誘電率、hは誘電体
層の厚み、ωは導線路の幅、tは導線路の厚みで
ある)で決定され、遅延時間tdは td=3.336√0.475+0.67ns/m ……(2) で示される。
このような電磁遅延線は、10〜20GHzの超高周
波数帯まで使用可能であるが、超高周波帯におけ
る損失の少ない誘電体層としてふつ素樹脂を用い
た場合、1nsの遅延量を得るのに約20cmの長さを
必要とし、形状が大型化して好ましくない。
一方、このような電磁遅延線の大型化を改善す
る提案もある。
すなわち、第1図に示すように、一主面にアー
ス電極1を形成した誘電体層2の対向主面に、長
さWの導線路をピツチPで折り曲げた折れ曲がり
線路3を形成してなるマイクロストリツプ線路を
用いた電磁遅延線である。なお、図中hは誘電体
層2の厚み、ωは折れ曲がり線路3を形成する導
線路の幅、tはその導線路の厚みである。
このように構成された電磁遅延線はある程度の
小型化が可能であるが、やはり小型化するにも限
度があり、超高速化と超小型化を同時に実現する
ことは困難であつた。
その原因としては主に以下の理由によることが
分かつた。
すなわち、第1図に示す折れ曲がり線路3の入
力端Dに信号を加えると、その信号は図中矢印の
方向に伝播してゆく。ここで、折れ曲がり線路3
を、電磁遅延線の軸方向−に直角な方向(幅
方向)に並行配置された主導線路3aと、各主導
線路3aの両端をつなぐ副導線路3bに分ける
と、各主導線路3aを流れる電流は、隣接する主
導線路3a間で互いに逆方向に流れる。
そのため、電磁遅延線をその幅方向の中央で
−に沿つて垂直に切断した状況を示す縦断面図
である第2図からも分かるように、隣接する主導
線路3a間は負の結合係数−k1を持ち、一つ置い
た主導線路3a間では流れる電流が同方向となつ
て正の結合係数k2を持つ。以下、順次離れた主導
線路3a間では順次結合係数が−K3,K4……と
なる。
ここで各結合係数の大きさのみに着目すると、
これらは主導線路3a間の距離が小さいほど大き
いのでk1>k2>k3>k4>……となり、各主導線路
3aが持つ実効インダクタンスは、上述の各結合
係数を有する相互誘導を加えたものとなる。
従つて、符号を考慮してこれらの相互誘導を合
成すると、必ずその合成値が負となり、その負の
値だけ折れ曲がり線路3の実効長が減少して遅延
時間も減少する。つまり、遅延時間は、折れ曲が
り線路3の実寸法の線路長を上述した(2)式に適用
して求めた値よりも少なくなる。
しかも、電磁遅延線の超小型化を図るために、
折れ曲がり線路3のピツチPや導線路の幅ωを小
さくして主導線路3a間の間隔を狭くすると、折
れ曲がり線路3の実寸法に対する電気的な実効長
の減少割合が増加し、寸法上の長さを長くしても
遅延時間をそれほど大きくすることができなくな
るうえ、高密度化するほど電気的な実効長の減少
割合や損失が急増する。
さらに負の結合が強い電磁遅延線は遮断周波数
の低下をもたらし、出力パルス波形の立ち上がり
を劣化させるとともに、負の結合が強いほど低周
波域に対し高周波域での遅延時間が増大する傾向
があるので、高密度化するほど遅延時間の平坦度
が悪化する。遮断周波数も負の結合が強い程その
低下が著しい。
そのため、折れ曲がり線路3を用いた電磁遅延
線は、要求される遅延時間と立ち上がり時間が決
定されると、それらを満足させるように各構成要
素の寸法をある範囲の大きさに選定しなければな
らず、小型化が阻まれていた訳である。
そこで本考案者は、このような検討をふまえて
昭和58年12月27日付けの特許出願で、超小型化お
よび超高速化を同時に達成することの可能な「電
磁遅延線」を開示した。
すなわち、誘電体を介して折れ曲がり線路とア
ース電極を対向させてなる電磁遅延線において、
その折れ曲がり線路が、第1の仮想面とこの第1
の仮想面に間隔Tで対向する第2の仮想面とを交
互にピツチPで折れ返されてなり、その間隔Tお
よびピツチPが0<T/P<1の範囲に選定され
てなるものである。
具体的には、例えば第3図〜第5図に示すよう
に、細長いアース板4の外周に誘電体層5を形成
し、この誘電体層5に折れ曲がり線路6をピツチ
Pで折り返すように単層ソレノイド状に形成して
偏平な電磁遅延線を構成し、アース板4の主面を
挟んで対向する導線路7の中心間の間隔Tとピツ
チPを0<T/P<1の範囲に選定したものであ
る。
第6図はその原理を説明する図であり、説明を
容易にするために、第3図中導線路7が仮に電磁
遅延線の軸方向−に対して直角に交わるよう
にピツチPで折り曲げられていると仮定し、その
−間の導線路7のみを取り出して示した縦断
面図である。
第6図において、紙面方向から電流の流れ出る
導線路7を順方向導線路7aとし、紙面方向に向
かつて電流の流れる導線路7を逆方向導線路7b
とすれば、折れ曲がり線路6は、順方向導線路7
aおよび逆方向導線路7bが交互に間隔Tをおい
てピツチPで配置されている。換言すれば、順方
向導線路7aの中心が第1の仮想面U上に配置さ
れ、この第1の仮想面Uから間隔Tだけ離れた第
2の仮想面V上に逆方向導線路7bの中心が配置
されている。
ここで左から2本の順方向導線路7aおよび1
本の逆方向導線路7bの計3本(便宜上A,B,
Cとする)のみを選んでこれに着目し、間隔Tと
ピツチPの比をT/P=0.866に選定すれば、各
線路A,B,Cが正三角形の各々の頂点に位置す
るようになる。この場合、導線路A−B間と導線
路A−C間が等距離となるので、導線路A−B間
の結合係数k1と導線路A−C間の結合係数k2の大
きさは等しくなる。
そして間隔TとピツチPの比をT/P>0.866
とすれば結合係数がk1<k2となり、T/P<
0.866では結合係数がk1>k2となることが分かり、
間隔TとピツチPの比T/Pを適当に選択するこ
とによつて結合係数k1とk2の大きさの関係を適当
に選定することができる。
従つて、折れ曲がり線路6を高密度化して導線
路7を接近させた場合、導線路7間に生ずる負の
結合例えばK1が強くなることは防げないが、電
磁遅延線の特性に強く影響する結合係数k1をk2
減少させたり打ち消すことが可能となり、結合係
数k1の値を制御できる。
そして、間隔TとピツチPの比がT/P>0な
らば、T/P=0すなわち各順方向導線路7aお
よび逆方向導線路7bが同一面上に配置される場
合よりも結合係数K2がk1を打ち消す効果が強く
なることは明らかである。さらに、説明を省略す
るが、結合係数K3以下についても同様の効果が
生ずることも容易に分かる。
また、間隔TとピツチPの比がT/P>1とな
ると、この場合には逆に正の結合が負の結合より
も大きくなり過ぎるので、かえつて特性が劣化し
て好ましくない。
そのため、TとPを0<T/P<1に選定する
ことにより、負の結合の悪影響を抑えて超高速化
と超小型化を同時に実現できる。この場合、電磁
遅延線の特性インピーダンスおよび遅延時間は、
上述の(1)式および(2)式で得られる値に近い値とな
り、本来のマイクロストリツプ線路の特性を維持
したまま、超小型化が可能となる。
そして、上述した第3図〜第5図の電磁遅延線
についても同様に考えることが可能で、負の結合
を抑えて小型化が可能となる。
しかしながら、このような電磁遅延線は実用可
能なものとなるが、種々の検討の結果、ピツチP
を寸法的にはさらにつめることが可能であるにも
かかわらず、間隔Tとの関係(0<T/P<1)
でピツチPが決定されることから、ピツチPをさ
らにつめてより小型化、高密度化を図ることが制
限される可能性のあることが分かつた。
すなわち、超小型の電磁遅延線を設計する場合
は、導線路7の幅ωを製造時の加工精度の範囲内
においてできるだけ小さくする一方、導線路7の
厚みtをできる限り厚くして導線路7の断面積を
大きくし、導線路7の電気抵抗値の増大を抑える
とともに挿入損失を小さく保つ必要がある。
そのような例として、比誘電率2.4のふつ素樹
脂を誘電体層9として用いてその厚みをh=0.12
mmとし、更に、導線路7の厚みをt=0.07mmとし
て、特性インピーダンス50Ωの電磁遅延線を設計
する場合、上述した(1)式から導線路7の幅はω=
0.2mmとなる。
アース板4の厚みも0.07mmにすると、第5図に
おける間隔がT=0.38mmとなるので、P>Tの条
件からP>0.38mmとなる。その結果、導線路7間
の間隔は0.18mmより大きくしなければならない。
しかし、導線路7間の間隔を0.1mm(P=0.3mm)
にすれば高密度の電磁遅延線を構成できるが、そ
の場合にはT/P=1.27となつて電磁遅延線の特
性としては実用にならないものとなり、超小型化
に限界が生じることになる。
また、特性インピーダンス75Ωの電磁遅延線を
設計する場合、上述と同じ誘電体層9の厚みをh
=0.21mmとし、導線路7の厚みを同じくt=0.07
mmとすると、(1)式から同じく導線路7の幅はω=
0.2mmとなる。
しかし、この場合はT=0.56mmとなるので、同
じピツチP=0.3mmではT/P=1.87となつて一
層特性が悪くなる。すなわち、0<T/P<1の
条件を満足すさせるためにはP>0.56mmが必要で
あり、一層超小型化が困難である。
このように、第3図〜第5図の構成による電磁
遅延線は、特性インピーダンス75Ωのものを設計
する場合小型化が一層困難となり、特性インピー
ダンス100Ωのものとなると更に困難となる。
〔考案の目的〕
本考案はこのような状況の下になされたもので
あり、導線路間のピツチを更につめることが可能
で、立ち上がり時間が速く波形歪の少ない超小型
の電磁遅延線を提供するものである。
〔考案の構成と効果〕
このような目的を達成するために本考案は、導
線路が誘電体を介してアース板に単層ソレノイド
状に複数回巻かれて形成された第1の遅延線素子
と、隣接する導線路を同一平面上に位置させた折
れ曲がり線路が誘電体を介してアース板に形成さ
れた第2の遅延線素子と、を形成し、これら第1
および第2の遅延線素子が縦続接続されるととも
に互いに遅延特性を補償し合う関係にある構成を
有している。
このような本考案の構成によれば、第1の遅延
線素子において導線路間のピツチをつめることに
よつて遅延特性の悪化する方向と、第2の遅延線
素子において導線路間のピツチをつめることによ
る遅延時間の悪化する方向とが互いに逆方向であ
るから、縦続接続された第1の遅延線素子および
第2の遅延線素子によつて互いに特性の補正が可
能となる。
そのため、第1および第2の遅延線素子におけ
る各導線路間のピツチをつめても平坦な遅延特性
として速い立ち上がりおよび波形歪の良好なもの
を得ることが可能となり、さらに一層の高密度
化、超小型化を達成できる。
〔考案の実施例〕
以下本考案の詳細を説明する。
第7図および第8図は本考案の電磁遅延線の一
実施例を示す平面図および側面図である。
両図において、細長いアース板8の外周にはふ
つ素樹脂等からなる誘電体層9が形成されて全体
に偏平となつており、アース板8の両端部が誘電
体層9から突出している。
その誘電体層9の長手方向の一部における外周
には、導線路10をピツチPで単層ソレノイド状
に巻いた正結合導線路11が形成されている。な
お、第8図中符号Tはアース板8を挟んで対向す
る導線路10の中心間の距離である。
誘電体層9の長手方向の残りの部分における外
周には、誘電体層9の一主面に正結合導線路11
の導線路10から連続するようにして、導線路1
0をピツチP′で折曲げた折れ曲がり線路12によ
つて負結合導線路13が形成されている。
そして、同一誘電体層9上において正結合導線
路11と負結合導線路13が縦続接続されて電磁
遅延線が構成されている。
このように構成された電磁遅延線にあつては、
正結合導線路11の導線路10のピツチPを小さ
くするほど、上述した第3図の電磁遅延線と同様
に正結合がより強くなり、遅延特性は低周波域に
対し高周波域で遅延時間がより減少して平坦度が
悪化する。しかも、このような遅延線ではパルス
応答も悪化して立ち上がり部ではプリシユートが
より大きくなるが、オーバーシユートは全く生じ
なくなつてゆくとともに、振幅が100%に近くな
るほど傾向がより緩やかになつて高速応答ができ
なくなる。
一方、負結合導線路13の導線路10のピツチ
P′を小さくするほど、第1図の電磁遅延線と同様
に、負の結合がより強くなつて遅延特性は低周波
域に対し高周波域で遅延時間がより増大して平坦
度が悪化する。しかも、このような遅延線はパル
ス応答も悪化して立ち上がり部でプリシユートは
全くないばかりか、振幅が0%からゆつくり立ち
上がつて振幅100%に近くなるほど次第に急峻に
なるが、オーバーシユートが大きくなるし立ち上
がり時間も大きくなつて高速応答が困難となる。
しかし、正結合導線路11と負結合導線路13
では、上述したように各々の遅延特性の平坦度の
悪化する方向が逆方向になつており、またパルス
応答の悪化の状況も逆方向となるので、両者を縦
続接続することにより、互いに特性を補正させる
ことが可能となり、正結合導線路11と負結合導
線路13を通過する信号は片方で高周波成分の遅
延時間が減少するものの他方で増大して出力し、
結果的に補正される。
そのため、導線路10のピツチP,P′をつめて
も平坦な遅延特性として立ち上がりを速く、しか
も波形歪も小さくすることが可能となり、超小型
化を図ることができる。
遅延時間についても、負結合導線路13部分は
上記(2)式から遅延時間tdが実寸法長より少なくな
るが、正結合導線路11部分では(2)式から遅延時
間tdが大きくなるので、総合すると(2)式の値に近
い遅延時間を得ることができる。
従つて、正結合導線路11と負結合導線路13
の導線路10におけるピツチP,P′を小さくつめ
て、導線路10の本数を増加して導線路10の実
寸法の長さを長くすればするだけ、遅延時間tdを
有効に大きくすることができる。
第9図および第10図は本考案の他の実施例を
示すもので、上述した第7図における負結合導線
路13を誘電体層9の両主面に形成した例を示す
ものである。
すなわち、第9図の展開図で示すように、平面
的に形成した折れ曲がり線路14を、各導線路1
0の中央を横切る仮想線−Yにてコ字形に屈曲さ
せ、第10図に示すように、偏平な誘電体層9の
対向両主面に連続して形成し、負結合導線路15
を構成したものである。
なお、負結合導線路15の一端は、第7図の構
成と同様に、正結合導線路11の導線路10に縦
続接続されて、電磁遅延線が構成されている。
このように構成された電磁遅延線は、第9図及
び第10図中の電流の流れを示す矢符のように、
負結合導線路15における隣合う導線路10間ば
かりでなく、誘電体層9の対向主面を挟んで最も
接近する導線路10間の電流の流れる方向も逆方
向となつて負結合が大きくなる。
従つて、第9図および第10図の電磁遅延線の
負結合導線路15は負結合を非常に多く含むこと
になり、正結合導線路11と縦続接続して特性を
互いに補正させると、むしろ第7図および第8図
の構成よりも補正効果が高くなるし、さらに高密
度化できる利点がある。
第7図〜第10図の実施例では、正結合導線路
11(正)と負結合導線路13,15(負)が一
個づつ配列されているが、本考案は各々2つ以上
正,負,正,負……と繰り返すように配列しても
よいし、正結合導線路11と負結合導線路13,
15のいずれかを多くして、例えば正,負,正,
または負,正,負,というような組合わせで構成
することも可能である。
また、上述した実施例における電磁遅延線は、
正結合導線路11および負結合導線路13,15
を縦続接続して構成した。しかし、本考案にあつ
ては、導線路10をアース板8に誘電体層9を介
して複数回巻いて形成した第1の遅延線素子、例
えば正結合導線路11と、平面的に形成された折
れ曲がり線路12,14をアース板8に誘電体層
9を介して形成した第2の遅延線素子、例えば負
結合導線路13,15とを、縦続接続して構成す
れば本考案の目的が可能である。
さらに、それら第1の遅延線素子および第2の
遅延線素子は、同一のアース板と組合せて構成す
る必要はなく、第1の遅延線素子と第2の遅延線
素子を別々に構成して、結線によつて縦続接続し
てもよい。
そして、それらの導線路10の断面形状は任意
であるし、導線路10の形成方法も誘電体層9の
表面に形成した導電層をエツチングする等、従来
公知の手段にて形成可能である。
以上説明したように本考案の電磁遅延線は、導
線路が誘電体を介してアース板に複数回巻かれて
形成された第1の遅延線素子と、同一面上に位置
する折れ曲がり線路が誘電体を介してアース板に
形成された第2の遅延線素子とを縦続接続したの
で、導線路のピツチをつめても遅延特性を良好に
保つことが可能となり、より超小型化を図ること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の電磁遅延線を示す部分斜視図、
第2図は第1図の電磁遅延線の結合状態を示す
図、第3図〜第5図は本考案の参考となる電磁遅
延線を示す平面図、側面図および部分縦断面図、
第6図は第3図に示す電磁遅延線の理論を説明す
る概略縦断面図、第7図および第8図は本考案の
一実施例を示す平面図および側面図、第9図およ
び第10図は本考案の電磁遅延線の他の実施例の
要部を示す展開図および側面図である。 8……アース板、9……誘電体(誘電体層)、
10……導線路、11……第1の遅延線素子(正
結合導線路)、12,14……折れ曲がり線路、
13,15……第2の遅延線素子(負結合導線
路)。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 導線路が誘電体を介してアース板に単層ソレ
    ノイド状に複数回巻かれて形成された第1の遅
    延線素子と、 隣接する導線路を同一平面上に位置させた折
    れ曲がり線路が誘電体を介してアース板に形成
    された第2の遅延線素子とを備え、 前記第1および第2の遅延線素子が縦続接続
    されるとともに互いに遅延特性を補償し合う関
    係にあることを特徴とする電磁遅延線。 (2) 第2の遅延線素子は、折れ曲がり線路をアー
    ス板の一方の主面側から対向主面側に連続形成
    してなる実用新案登録請求の範囲第1項記載の
    電磁遅延線。
JP1794484U 1983-12-27 1984-02-10 電磁遅延線 Granted JPS60132003U (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1794484U JPS60132003U (ja) 1984-02-10 1984-02-10 電磁遅延線
US06/686,399 US4570136A (en) 1983-12-27 1984-12-26 Electromagnetic delay line

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JP1794484U JPS60132003U (ja) 1984-02-10 1984-02-10 電磁遅延線

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JPS60132003U JPS60132003U (ja) 1985-09-04
JPH03721Y2 true JPH03721Y2 (ja) 1991-01-11

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