JPS60162302A - 電磁遅延線 - Google Patents

電磁遅延線

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JPS60162302A
JPS60162302A JP1908384A JP1908384A JPS60162302A JP S60162302 A JPS60162302 A JP S60162302A JP 1908384 A JP1908384 A JP 1908384A JP 1908384 A JP1908384 A JP 1908384A JP S60162302 A JPS60162302 A JP S60162302A
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line
delay line
conductive
lines
electromagnetic delay
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JP1908384A
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English (en)
Inventor
Kazuo Kametani
一雄 亀谷
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Elmec Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P9/00Delay lines of the waveguide type
    • H01P9/006Meander lines

Landscapes

  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はマイクロストリップ線路のようなインピーダン
ス線路を用いた分布定数型の電磁遅延線に係り、特に、
可変遅延線に用いる遅延線素子に好適する電磁遅延線の
改良に関する。
(従来技術とその問題点〕 従来、インピーダンス線路を用いた電磁遅延線としては
、−主面にアース電極を形成した誘電体層の対向主面に
直線状の細長い導線路を形成したマイクロストリップ線
路を用いる構成がよく知られている。
このような電磁遅延線は、特性インピーダンスZoが。
Zo−(87/f丁=「■) In (5,98h /
 (0,8ω+t) )・・・・ (1) (但しεは誘電体の比誘電率、hは誘電体層の厚み、ω
は導線路の幅、tは導線路の厚みである)で決定され、
遅延時間tdは td=3.336 0.475 g+0.67 ns/
m −・−(2)で示される。
このような電磁遅延線は、10〜20GHzの超高周波
数帯まで使用可能であるが、超高周波帯における損失の
少ない誘電体層としてふっ素樹脂を用いた場合+1ns
の遅延量を得るのに約20cmの長さを必要とし、形状
が大型化して好ましくない。
一方、このような電磁遅延線の大型仕を改善する提案も
ある。
すなわち、第1図に示すように、−主面にア−スミ極1
を形成した誘電体N2の対向主面に、長さWの導線路を
ピッチPで折り曲げた折れ曲がり線路3を形成してなる
マイクロストリップ線路を用いた電磁遅延線である。な
お1図中りは誘電体層2の厚み、ωは折れ曲がり線路3
を形成する導線路の幅、tはその導線路の厚みである。
このように構成された電磁遅延線はある程度の小型化が
可能であるが、やはり小型化するにも限度があり、超高
速化と超小型化を同時に実現することは困難であった。
その原因としては主に以下の理由によることが分かった
すなわち、第1図に示す折れ曲がり線路3を用いる電磁
遅延線において入力端りに信号を加えると、その信号は
図中矢印の方向に伝播してゆく。
ここで、折れ曲がり線路3を、電磁遅延線の軸方向X−
Xに直角な方向(幅方向)に並行配置された主導線路3
aと、各主導線路3aの両端をつなぐ副溝線路3bに分
けると、各主導線路3aを流れる電流が、隣接する主導
線路3a間で互いに逆方向に流れる。
そのため、第1図の電磁遅延線をその幅方向の中央でX
−Xに沿って垂直に切断した状況を示す縦断面図である
第2図からも分かるように、隣接する主導線路3a間は
負の結合係数〜に1を持ち。
一つ置いた主導線路3a間では流れる電流が同方向とな
って正の結合係数に2を持つことになる。
以下、順次別れた主導線路3a間では順次結合係数が−
に3.に4 ・・・となる。
ここで各結合係数の大きさのみに着目すると。
これらは主導線路3a間の距離が小さいほど大きいので
に、>k2 >k’3 >k4 >・・・となり。
各主導線路3aが持つ実効インダクタンスは、−上述の
各結合係数を有する相互誘導を加えたものとなる。
従って、符号を考慮してこれらの相互誘導を合成すると
、必ずその合成値が負となり、その負の値だけ折れ曲が
り線路3の実効長が減少して遅延時間も減少する。つま
り、遅延時間は、折れ曲がり線路3の実寸法の線路長を
上述した(2)式に適用してめた値よりも少な(なる。
しかも、電磁遅延線の超小型化を図るために。
折れ曲がり線路3のピッチPや導線路の幅ωを小さくし
て主導線路3a間の間隔を狭くすると、折れ曲がり線路
3の実寸法に対する電気的な実効長の減少割合が増加し
1寸法上の長さを長くしても遅延時間をそれほど大きく
することができな(なるうえ、高密度化するほど電気的
な実効長の減少割合や損失が急増する。
さらに、負の結合が強い電磁遅延線は、遅延特性の平坦
度の劣化や遮断周波数の低下をもたらし。
出力パルス波形の立ち上がりを劣化させ、負の結合が強
いほど遅延時間が高い周波数よりも低い周波数の方でよ
り多く減少する傾向があるので、高密度化するほど遅延
特性の平坦度が悪化する。遮断周波数も負の結合が強い
ほどその低下が著しい。
このように、折れ曲がり線路3を用いた電磁遅延線は、
要求される電磁遅延線の遅延時間と立ち上がり時間が決
定されると、それらを満足させるように各構成要素の寸
法をある範囲の大きさに選定しなければならず、小型化
が阻まれていた訳である。
そこで本発明者は、このような検討をふまえて昭和58
年12月27日付けの特許出願で、超小型化および超高
速化を同時に達成することの可能な「電磁遅延線」を開
示した。
すなわち、誘電体を介して折れ曲がり線路とアース電極
を対向させてなる電磁遅延線において。
その折れ曲がり線路が、第1の仮想面とこの第1の仮想
面に間隔Tで対向する第2の仮想面とを交互にピッチP
で折り返されてなり、その間隔TおよびピッチPがO<
T/P<1の範囲に選定されてなるものである。
具体的には1例えば第3図〜第5図に示すように、細長
いアース板4の外周に誘電体層5を形成し、この誘電体
層5に折れ曲がり線路6をピッチPで折り返すように単
層ソレノイド状に形成して偏平な電磁遅延線を構成し、
アース板4の主面を挟んで対向する導線路7の中心間の
間隔Tと、ピッチPを0<T/P<1の範囲に選定した
ものである。
第6図は、その原理を説明する図であり、説明を容易に
するために、第3図中導線路7が仮にX−Xに対して直
角に交わるようにピッチPで折り曲げられていると仮定
し、そのX−X間の導線路7のみを取り出して示した縦
断面図である。
第6図において2紙面方向から電流の流れ出る導線路7
を順方向導線路7aとし2紙面方向に向かって電流の流
れる導線路7を逆方向導線路7bとすれば、折れ曲がり
線路6は、順方向導線路7aおよび逆方向導線路7bが
交互に間隔TをおいてピッチPで配置されている。換言
すれば、順方向導線路7aの中心が第1の仮想面U上に
配置され、この第1の仮想面Uから間隔Tだけ離れた第
2の仮想面V上に逆方向導線路7bの中心が配置されて
いる。
ここで、左から2本の順方向導線路7aおよび1本の逆
方向導線路7bの計3本(便宜上A、B。
Cとする)のみを選んでこれに着目すると2間隔子とピ
ッチPの比をT/P=0.866に選定すれば。
各線路A、B、Cが正三角形の各々の頂点に位置するよ
うになる。この場合、導線路1−8間と導線路A−C間
が等距離となるので、導線路A−B間の結合係数に、と
導線路A−C間の結合係数に2の大きさは等しくなる。
そして間隔TとピッチPの比をT/ P >0.866
とすれば結合係数がkl <k2となり、 T/P<0
.866では結合係数かに、>k2となることが分かり
5間隔子とピッチPの比T/Pを適当に選択することに
よって結合係数klとに2の大きさの関係を適当に選定
することができる。
従って、折れ曲がり線路6を高密度化して導線路7を接
近させた場合、導線路7間に生ずる負の結合例えばに、
が強くなることは防げないが、電磁遅延線の特性に強く
影響する結合係数klをに2で減少さ−けたり打ち消す
ことが可能となり。
結合係数klの値を制御できる。そして2間隔子とピッ
チPの比がT/P>0ならば、T/P=0ずなわち各順
方向導線路7aおよび逆方向導線路7bが同一面上に配
置される場合よりも結合係数に2かに1を打ち消す効果
が強くなることは明らかである。さらに、説明を省略す
るが、結合係数に3以下についても同様の効果が生ずる
ことも容易に分かる。
また1間隔子とピッチPの比がT/P>1となると、こ
の場合には逆に正の結合が負の結合よりも大きくなり過
ぎるので、かえって特性が劣化して好ましくない。
そのため、TとPを0<T/P<1に選定することによ
り、負の結合の悪影響を抑えて超高速化と超小型化を同
時に実現できる。この場合、折れ曲がり線路3を用いた
電磁遅延線における特性インピーダンスおよび遅延時間
は7上述の(1)式および(2)式で得られる値に近い
値となり2本来のマイクロストリップ線路の特性を維持
したまま、超小型化が可能となる。
そして5上述した第3図〜第5図の電磁遅延線について
も同様に考えることが可能で、負の結合を抑えて小型化
が可能となる。
しかしながら、このような電磁遅延線にあっても、ピッ
チPを寸法的にはさらにつめることが可能であるにもか
かわらず1間隔子との関係(0〈T/P<1)でピッチ
Pが決定されることから。
ピッチPをさらにつめてより小型化、高密度化を図るこ
とが制限される問題点のあることが分かった。
特に、」−述した電磁遅延線を可変遅延線用の遅延線素
子とL7て用いる場合、顕著である。
すなわち、可変遅延線用の遅延線素子は、一般に特性イ
ンピーダンス100Ωのものが使用され。
例えば第3図〜第5図に示す電磁遅延線を具体的な可変
遅延線に好適な寸法1例えば誘電体N5として比誘電率
2.4で厚みh −0,43mmのふっ素樹脂を用い、
導電路7の厚みtを0.07mm、幅ωを0.25mm
とすれば、上述した(1)式を用いると特性インピーダ
ンスとして100Ωが得られる。そして。
アース板4の厚みをO,OTmmとすると、第6図のT
が1mmとなり、PはP>Tの条件からP>1mmが必
要となる。
一方、実際に可変遅延線を構成する場合、導線路7の一
部を固定接点列とし、可動接点がその固定接点列上を単
接触と複接触を繰り返して移動するよう構成すると分解
能を増加できる。このようなことから、複接触時には可
動接点の接点部が固定接点間に落ち込んで隣合う固定接
点双方と接触し、単接触時には各可動接点の接触部が安
定的に各固定接点上に位置するように、上述の導線路7
の幅ωや導線路7間の間隔を可変機構上の最適値に定め
ることが大切である。また、それらの寸法が遅延線とし
ての電気的特性の最適条件を満足させるように選定され
なければならない。
この観点から、可変遅延線が、一般的なICと同程度の
寸法を有しかつ40ステップ程度の可変機構を備えるに
は、導電路7間の間隔を0.15mm程度に選定するの
が適当であり、従ってピッチPはそれにω=0.25m
mを加えた値0.4 mm程度が好適である。ところが
、P=0.4mmとなると、上述したP = 1.’m
mより小さくなるが、T/P=2.5となって正の結合
が負の結合よりも大きくなり過ぎ、遅延線の特性の悪化
を招き易くなる。
〔発明の目的〕
本発明はこのような状況の下になされたものであり、導
線路間のピンチを更につめることが可能で、可変遅延線
に好適する高密度かつ超小型の電磁遅延線を提供するも
のである。
〔発明の構成と効果〕
このような目的を達成するために本発明は、誘電体を介
して導線路が細長いアース板の対向主面を交互に折り返
して複数回巻くように形成されてなる分布定数型の電磁
遅延線るこおいて、前記導電路を2部分的に逆方向に巻
くように形成したものである。
このような本発明の構成によれば、正の結合係数を強く
して折れ曲がり線路において生ずる負の結合係数を打ち
消すとともに9強くなり過ぎたその正の結合係数を導線
路を逆方向に巻いて得られる負の結合係数によって適当
な値に制御することができる。
そのため、マイクロストリップ線路が本来有する性能を
発揮しつつ、超高速化および超小型化を達成できる。特
に、折れ曲がり線路の微細化を図るには有用である。
〔発明の実施例〕
以下本発明の詳細な説明する。
第7図〜第9図は本発明の電磁遅延線の一実施例を示す
部分平面図、側面図および部分縦断面図である。
図において、細長いアース板8の外周には誘電体N9が
形成され偏平になっている。この誘電体層9の外周には
、導線路10が誘電体層9の対向主面をピッチPで折り
返すように単層ソレノイド状に巻かれ、折れ曲がり線路
11が形成されている。従って、折れ曲がり線路11は
偏平な蝮旋状になっており、その導線路10がアース板
8の対向主面を挾んで間隔Tで対向している。
そして、この折れ曲がり線路11が、順方向および逆方
向に交互に方向を変えて連続的に形成され、電磁遅延線
が構成されている。
すなわち、第9図中、アース板8の上側において1紙面
に向かって電流の流れる導線路を逆方向導線路12とし
、同様に紙面方向から電流の流れ出る導線路を順方向導
線路13とすると、誘電体層9の外周に逆方向導線路1
2と順方向導線路13が3本づづ配置され、アース板8
の下側において順、逆方向導線路12.13の折り返し
点14が形成されている。
このような電磁遅延線の結合関係は、第9図に示すよう
に、アース板8の一]眉I11において隣合う導線路1
0間の結合を考えると、逆方向導線路12間では電流の
流れる方向が同しであるから正の結合となり、順方向導
線路13間でも同様な理由がら正の結合となる。一方、
逆方向導線路12と順方向導線路13の間では互いに電
流の流れる方向が逆であるから負の結合となり、正結合
と負結合が2対1の割合で配置される。
なお、アース板8の下側においては、第9図の断面図で
は折り返し点14を含んだその前後の導線路■0の電流
の向き禿、直情2表現できないが、第7図に破線で示さ
れる導線路1oについて電流の向きを検討すれば、アー
ス板8の上側と同様に正結合と負結合が2対1の割合と
なっていることが分かる。
そして1本発明の電磁遅延線は、導IJIV!IIOの
ピッチPをつめることによって正結合がより強くなるが
5負結合が適当な割合で挿入配置されているので1強く
なった正結合をその負結合によって打ち消すことが可能
となり、その正結合を適切な値に制御できる。
すなわち1本発明は、従来の第2図に示す折れ曲がり線
路3の持つ欠点であった強い負の結合を打ち消す正の結
合を得る第1の手段として、折れ曲がり線路を単層ソレ
ノイド状に巻くように折返して構成し1次に超小型化や
可変遅延線用の遅延線素子を実現するための第2の手段
として、導線路10を順方向および逆方向交互に巻いて
形成し。
その正結合を抑える負の結合を発生させるという二重の
結合係数制御機能を持つ構成としたものである。
そして、このような電磁遅延線は9強くなる正結合を打
ち消す制御が可能となるので、折れ曲がり線路11にお
ける導線路10のピッチPをさらに小さくすることが可
能となって微細化を図ることができる。従って1例えば
可変遅延線に用いる場合にも、上述した可動接点の単接
触や複接触に適した寸法選定が容易である。
特に、可変遅延線用の遅延線素子は、導線路10が可動
接点の移動方向に直交する方向に並行に並んでいること
が望ましく、上述の実施例の遅延線は導線路10の折り
返し点14を下面側に位置させることが可能であるので
好ましい。
なお1本発明の実施に際しては、折れ曲がり線路11に
生ずる正結合の値を最適値とするために。
上述したように順方向導線路13と逆方向導線路12を
3本づつ配置するように構成するほか、正結合と負結合
の比が2:2,4:4.5:5・・・・等になるよう任
意に組合わせることが可能であるし、正結合と負結合の
比が4:3等となるように本数に差を持たせることも可
能である。
第10図および第11図は本発明の応用例を示すもので
2本発明の電磁遅延線を用いた可変遅延線の正面図およ
び側面図(いずれも一部断面で示す)である。
両図においてケース15は合成樹脂を箱型に成形してな
り、上部が開放となっている。ケース15内の低部16
には、第1図〜第9図に示すような分布定数型電磁遅延
線として遅延線素子Eが。
アース板8の主面を上側および下側にしてケース15内
に横置きするように固定されている。
遅延線素子Eのアース板8は、ケース15の低部16を
貫通するように植設された入出力アース端子、17.1
8に接続されており、折れ曲がり線路11の一方の端は
ケース15の低部16を貫通して植設された出力端子1
9に接続され、折れ曲がり線路11の他方の端は内部終
端抵抗Ro (第10図および第11図では図示省略)
に接続されている。
遅延線素子Eの上方におけるケース15の内側面からは
支持片20が突出しており、ケース15の開放端は導電
板21によって覆われている。
導電板21は、遅延線素子Eの長手方向に沿って折り曲
げ形成された凹溝22を有し、凹/#22を支持片20
に載せて支持されており、凹溝22の低部にはやはり遅
延線素子Eの長平方向に延びるスリット23が形成され
ている。導電板21の端部は、ケース15の内側面を経
てその低部16に植設された入力端子24に接続されて
いる。
遅延線素子Eと凹溝22の間には、後述する可動接点ば
ね29を収納するホルダ25が配置されている。このホ
ルダ25は、第12図に示すように、枠型に形成される
とともに枠を仕切る仕切板26とこの仕切板26の上面
中央から突出する突出部27を有し、第10図および第
11図のように突出部27がスリット23を介して凹溝
22内に突出している。そして、突出部27につまみ2
8を敗りつけることにより、ホルダ25が導電板21に
移動可能に支持されている。
ホルダ25内には、細長い導板を弓型に湾曲成形した可
動接点ばね29が、中央の膨出部を遅延線素子已に接触
させるとともに1両端部を凹溝22の底部における導電
板21に接触させるようにして弾性的に収納されている
そして、つまみ28を移動させることにより。
ボルダ25が可動接点ばね29を遅延線素子Eの長平方
向に沿って移動させ、可動接点ばね28が導電板21に
弾性的に接触したまま導線路10を横切るように弾性的
に接触しながら移動する。
従って、横置きされた遅延線素子Eの上側に位置する各
導線路10において、可動接点ばね29の接触する部分
が固定接点30として機能し、遅延線素子16の長手方
向に並んだ固定接点3oによって固定接点列31が形成
されている。
なお、遅延線素子已における導線路10のピッチPおよ
び可動接点ばね29の湾曲形状は、可動接点ばね29の
中央の膨出部が隣合う固定接点30の間において固定接
点30双方に接触するように、また可動接点ばね29が
個々の固定接点30と安定した単接触が可能なように適
当に選定されている。
このような可変遅延線は、第13図に示すように、所定
の長さと遅延時間を有する単位インピーダンス線路32
をターン数分だけ縦続接続した等価回路で示される。な
お、可変遅延線の一方の端には内部終端抵抗Roが接続
されるとともに他端には出力を取り出すための負荷抵抗
Roが接続される。
従って2入力端子24がら導電板2】を介して信号を遅
延線素子Eに入力すると、その入方点から負荷抵抗Ro
間の線路長に相当する遅延時間を伴ゲこ信号が出力され
る。可変遅延線の特性インピーダンスは1例えばRO=
 ] 00Ωとすると、入力側ではFIO/2の5oΩ
となり、一般的に広く使用される特性インピーダンス5
oΩの信号ラインに適合する。
以−L説明したように本発明の電磁遅延線は、折れ曲が
り線路において線路間で生ずる正の結合の制御が容易と
なって超高速化および超小型化を同時に達成可能となる
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の電磁遅延線を示す部分斜視図。 第2図は第1図の電磁遅延線の結合状態を示す図。 第3図〜第5図は本発明の参考となる電磁遅延線を示す
平面図、側面図および部分縦断面図、第6図は第3図に
示す電磁遅延線の理論を説明する概略縦断面図、第7図
および第8図は本発明の一実施例を示す部分平面図およ
び側面図、第9図は第7図の電磁遅延線の結合状態を示
す図、第10図および第11図は本発明の応用例を示す
正面図および側面図(一部所面で示す)、第12図は第
10図のホルダを示す斜視図、第13図は第10図の可
変遅延線の等価回路図である。 8・・・・・・アース板 9・・・・・・誘電体(誘電体層) 10・・・・・・導線路 11・・・・・・折れ曲がり線路 I2・・・・・・逆方向導線路 13・・・・・・順方向導線路 E・・・・・・電磁遅延線(遅延線素子)特許出願人 
エルメック株式会社 第 1 図 第 5 図 第 6 図 第 7 図 lc B 図 第 9 図 1 10 14 第10図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1,)導線路が、誘電体を介して細長いアース板の対
    向主面を交互に折り返して複数回巻くように形成されて
    なる分布定数型の電磁遅延線において。 前記導電路が1部分的に逆方向に巻くように形成されて
    なることを特徴とする電磁遅延線。 (2)導電路が、順方向および逆方向交互に連続して巻
    くように形成されてなる特許請求の範囲第1項記載の電
    磁遅延線。
JP1908384A 1983-12-27 1984-02-02 電磁遅延線 Pending JPS60162302A (ja)

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JP1908384A JPS60162302A (ja) 1984-02-02 1984-02-02 電磁遅延線
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