JPH037020Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH037020Y2 JPH037020Y2 JP1983160747U JP16074783U JPH037020Y2 JP H037020 Y2 JPH037020 Y2 JP H037020Y2 JP 1983160747 U JP1983160747 U JP 1983160747U JP 16074783 U JP16074783 U JP 16074783U JP H037020 Y2 JPH037020 Y2 JP H037020Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- brightness
- anode
- phosphor
- conductive film
- transparent conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
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Landscapes
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は螢光表示管の螢光体の輝度劣化の防
止に関するものである。
止に関するものである。
高輝度で多色発光が得られ、かつ低電圧駆動可
能なすなわち低速電子線用螢光体を用いた螢光表
示管は卓上電子計算機をはじめとして、クロツ
ク、トイゲーム、オーデイ、VTR等に使用され
ており、最近では自動車のダツシユボードに使用
されている。この様に市場が拡大されるととも
に、市場からの要求品質も厳しくなつてきてお
り、特に自動車マーケツトにおける表示品位に関
係する寿命特性での輝度の均一性および輝度のス
ランプ率に対する要求が厳しい。
能なすなわち低速電子線用螢光体を用いた螢光表
示管は卓上電子計算機をはじめとして、クロツ
ク、トイゲーム、オーデイ、VTR等に使用され
ており、最近では自動車のダツシユボードに使用
されている。この様に市場が拡大されるととも
に、市場からの要求品質も厳しくなつてきてお
り、特に自動車マーケツトにおける表示品位に関
係する寿命特性での輝度の均一性および輝度のス
ランプ率に対する要求が厳しい。
螢光表示管は第１図に示す通り、絶縁基板１上
に陽極給電線４、スルーホールドツト７、絶縁層
２、グラフアイト電極１０を順次塗布形成し、そ
のグラフアイト電極１０上の所望する螢光体を所
望する表示パターン形状に印刷法により形成した
陽極基板と、それに対向する位置にグリツド５お
よびフイラメント６を配設し、更に内面に透明導
電膜を施した表示面ガラス８を陽極基板と封着さ
せて真空気密容器を形成する構造のものが提供さ
れている。
に陽極給電線４、スルーホールドツト７、絶縁層
２、グラフアイト電極１０を順次塗布形成し、そ
のグラフアイト電極１０上の所望する螢光体を所
望する表示パターン形状に印刷法により形成した
陽極基板と、それに対向する位置にグリツド５お
よびフイラメント６を配設し、更に内面に透明導
電膜を施した表示面ガラス８を陽極基板と封着さ
せて真空気密容器を形成する構造のものが提供さ
れている。
自動車のダツシユボードに使用される螢光表示
管は高輝度が要求されているために、螢光体層に
入る入力電力が大きく、従つて螢光体の動作中に
おけるダメージも大きいことが予測される。
管は高輝度が要求されているために、螢光体層に
入る入力電力が大きく、従つて螢光体の動作中に
おけるダメージも大きいことが予測される。
使用中発生する輝度ムラおよび輝度スランプ現
象の原因としては、管内構成部品から放出するガ
スによる螢光体の汚染およびフイラメントから飛
散するBa等による螢光体の汚染等による螢光体
の劣化と考えられる。かかる輝度ムラの発生およ
び輝度スランプを防止するための方策として管内
真空度を改善するため使用直前での構成部品の熱
処理、例えばグリツドの真空中熱処理或は表示面
ガラスの空気中での熱処理等を実施したり枯化工
程でのフイラメントの熱活性条件および電流活性
条件により改善を図つているが、満足出来る状態
にない、また、螢光体自体の改善として、螢光体
の製造工程においてSiO2の微粉末をコートする
ことが一般的に実施されているが、十分とは云え
ない状況にある。
象の原因としては、管内構成部品から放出するガ
スによる螢光体の汚染およびフイラメントから飛
散するBa等による螢光体の汚染等による螢光体
の劣化と考えられる。かかる輝度ムラの発生およ
び輝度スランプを防止するための方策として管内
真空度を改善するため使用直前での構成部品の熱
処理、例えばグリツドの真空中熱処理或は表示面
ガラスの空気中での熱処理等を実施したり枯化工
程でのフイラメントの熱活性条件および電流活性
条件により改善を図つているが、満足出来る状態
にない、また、螢光体自体の改善として、螢光体
の製造工程においてSiO2の微粉末をコートする
ことが一般的に実施されているが、十分とは云え
ない状況にある。
この考案はかかる螢光体劣化を防止するため、
絶縁基板上に形成した低速電子線用螢光体層の全
表面に透明導電膜を形成することにより、螢光体
を管内ガスおよびフイラメントからのBa等の影
響から保護することにある。
絶縁基板上に形成した低速電子線用螢光体層の全
表面に透明導電膜を形成することにより、螢光体
を管内ガスおよびフイラメントからのBa等の影
響から保護することにある。
以下に本考案の一実施例を図面を用いて説明す
る。第２図は本考案による螢光表示管の陽極の電
極構造を示す部分拡大図である。まずガラス板等
の絶縁基板１上に給電線４、絶縁層２、フルーホ
ールドツト７、グラフアイト電極１０を順次塗布
および焼成を行なつて形成し、グラフアイト電極
１０に螢光体を単色或は複数色所望する部分に所
望する表示パターン形状に印刷法により塗布し、
乾燥後スパツター方式でもつてIn2O3を２〜5A塗
布し、500℃で30分空気中で焼成を行なつた。こ
うして得られた陽極基板を用いてスタチツクタイ
プで12V動作球の螢光表示管を製造し、85℃の雰
囲気下で定格動作について、In2O3をコートして
いない球と比較評価を行なつた。
る。第２図は本考案による螢光表示管の陽極の電
極構造を示す部分拡大図である。まずガラス板等
の絶縁基板１上に給電線４、絶縁層２、フルーホ
ールドツト７、グラフアイト電極１０を順次塗布
および焼成を行なつて形成し、グラフアイト電極
１０に螢光体を単色或は複数色所望する部分に所
望する表示パターン形状に印刷法により塗布し、
乾燥後スパツター方式でもつてIn2O3を２〜5A塗
布し、500℃で30分空気中で焼成を行なつた。こ
うして得られた陽極基板を用いてスタチツクタイ
プで12V動作球の螢光表示管を製造し、85℃の雰
囲気下で定格動作について、In2O3をコートして
いない球と比較評価を行なつた。
結果はIn2O3コートなし球が数百時間で輝度ム
ラが発生するのに対して二千時間経過しても輝度
ムラの発生は生じなかつた。
ラが発生するのに対して二千時間経過しても輝度
ムラの発生は生じなかつた。
また輝度スランプ率もIn2O3コートなし球が500
時間で45〜50％に対して本考案球は同時間で25〜
30％の結果を得た。上記実施例ではIn2O3を用い
たが、SnO2およびIn2O3とSnO2の混合成分系に
おいても同じ効果を得ることが出来た。また上記
実施例では螢光体印刷後乾燥状態の螢光体表面に
透明導電膜を形成しているが、螢光体層を焼成後
透明導電膜を形成しても同じ効果を得ることが出
来た。透明導電膜の膜厚と初期輝度の関係を
In2O3材料について調査した結果を第３図に示す。
尚In2O3の塗布方法はスパッター方式を採用した。
時間で45〜50％に対して本考案球は同時間で25〜
30％の結果を得た。上記実施例ではIn2O3を用い
たが、SnO2およびIn2O3とSnO2の混合成分系に
おいても同じ効果を得ることが出来た。また上記
実施例では螢光体印刷後乾燥状態の螢光体表面に
透明導電膜を形成しているが、螢光体層を焼成後
透明導電膜を形成しても同じ効果を得ることが出
来た。透明導電膜の膜厚と初期輝度の関係を
In2O3材料について調査した結果を第３図に示す。
尚In2O3の塗布方法はスパッター方式を採用した。
結果から明らかな様に輝度は膜厚が厚くなるに
従つて減少し、40A以上では、透明導電膜０に対
して輝度比で50％以下に減少する。従つて透明導
電膜の膜厚としては２〜40Aの範囲が輝度的な面
から見て実用範囲であると考えられる。より好ま
しくは２〜20Aの範囲に選んだ方が良い。上記の
通り、陽極グラフアイト電極上に形成した螢光体
表面に透明導電膜を形成することによつて、管内
ガスによる汚染、およびフイラメントから飛散す
るBa等の影響を小さくする効果があり、その結
果として輝度の安定性が非常に改善され、製品の
輝度に関する信頼性が向上した。
従つて減少し、40A以上では、透明導電膜０に対
して輝度比で50％以下に減少する。従つて透明導
電膜の膜厚としては２〜40Aの範囲が輝度的な面
から見て実用範囲であると考えられる。より好ま
しくは２〜20Aの範囲に選んだ方が良い。上記の
通り、陽極グラフアイト電極上に形成した螢光体
表面に透明導電膜を形成することによつて、管内
ガスによる汚染、およびフイラメントから飛散す
るBa等の影響を小さくする効果があり、その結
果として輝度の安定性が非常に改善され、製品の
輝度に関する信頼性が向上した。
以上実施例を用いて、本考案を説明したが、透
明導電膜の材質および塗布方法を制約するもので
はない。
明導電膜の材質および塗布方法を制約するもので
はない。
第１図は螢光表示管の破断斜視図、第２図は本
考案による螢光表示管の陽極構造を示す部分拡大
断面図、第３図は透明導電膜の膜厚と初期輝度の
関係を示す特性図。 １……絶縁基板、２……絶縁層、３……表示パ
ターン、４……給電線、５……グリツド、６……
フイラメント、７……スルーホールドツト、８…
…表示面ガラス、９……外部接続リード、１０…
…グラフアイト層、３１……螢光体、４１……透
明導電膜。
考案による螢光表示管の陽極構造を示す部分拡大
断面図、第３図は透明導電膜の膜厚と初期輝度の
関係を示す特性図。 １……絶縁基板、２……絶縁層、３……表示パ
ターン、４……給電線、５……グリツド、６……
フイラメント、７……スルーホールドツト、８…
…表示面ガラス、９……外部接続リード、１０…
…グラフアイト層、３１……螢光体、４１……透
明導電膜。
Claims (1)
- 絶縁基板上に低速電子線用蛍光体を用いた蛍光
表示セグメントを形成した陽極と、この陽極の前
方に配置した陰極フイラメントと、前記陽極と陰
極フイラメントとの間に介在する電子制御電極
と、透明表示面とを有して構成された蛍光表示管
において、前記絶縁基板上に形成した低速電子線
用蛍光体層の表面全体に透明導電膜を被覆したこ
とを特徴とする蛍光表示管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16074783U JPS6069465U (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 螢光表示管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16074783U JPS6069465U (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 螢光表示管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6069465U JPS6069465U (ja) | 1985-05-16 |
| JPH037020Y2 true JPH037020Y2 (ja) | 1991-02-21 |
Family
ID=30353473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16074783U Granted JPS6069465U (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 螢光表示管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6069465U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56135589A (en) * | 1980-03-25 | 1981-10-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Phosphor for low-speed electron beam and fluorescent display tube |
-
1983
- 1983-10-18 JP JP16074783U patent/JPS6069465U/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56135589A (en) * | 1980-03-25 | 1981-10-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Phosphor for low-speed electron beam and fluorescent display tube |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6069465U (ja) | 1985-05-16 |
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