JPH0369925A - 半導体光変調器 - Google Patents
半導体光変調器Info
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- JPH0369925A JPH0369925A JP1204822A JP20482289A JPH0369925A JP H0369925 A JPH0369925 A JP H0369925A JP 1204822 A JP1204822 A JP 1204822A JP 20482289 A JP20482289 A JP 20482289A JP H0369925 A JPH0369925 A JP H0369925A
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- waveguide layer
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
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- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
例えば、分布帰還型半導体レーザなどと組み合わせて超
高速光伝送システム用光源を構成するのに用いて好適な
半導体光変調器に関し、波長チャーピングがない方向性
結合型光変調器でありながら、通常の光ファイバを結合
して、容易に変調光のみを取り出し得るようにすること
を目的とし、 基板上に順に積層された第一の導波路である導波層及び
分離層及び第二の導波路である導波層と、該第一の導波
路である導波層或いは第二の導波路である導波層の何れ
か一方を進行中の光を他方にスイッチングする為に該一
方の導波層に於ける屈折率を変化させる逆方向電圧を印
加する方向性結合型光変調器部分の電極と、該第一の導
波路である導波層或いは第二の導波路である導波層の何
れか一方に連なって形成され且つ出力ポートを有する導
波層及び何れか他方に連なって形成された光吸収層と、
該光吸収層に前記レーザ光が入射した場合にはエネルギ
を光電流として費消させる為に逆方向電圧を印加する光
吸収器部分の電極とを備えてなるよう構成する。
高速光伝送システム用光源を構成するのに用いて好適な
半導体光変調器に関し、波長チャーピングがない方向性
結合型光変調器でありながら、通常の光ファイバを結合
して、容易に変調光のみを取り出し得るようにすること
を目的とし、 基板上に順に積層された第一の導波路である導波層及び
分離層及び第二の導波路である導波層と、該第一の導波
路である導波層或いは第二の導波路である導波層の何れ
か一方を進行中の光を他方にスイッチングする為に該一
方の導波層に於ける屈折率を変化させる逆方向電圧を印
加する方向性結合型光変調器部分の電極と、該第一の導
波路である導波層或いは第二の導波路である導波層の何
れか一方に連なって形成され且つ出力ポートを有する導
波層及び何れか他方に連なって形成された光吸収層と、
該光吸収層に前記レーザ光が入射した場合にはエネルギ
を光電流として費消させる為に逆方向電圧を印加する光
吸収器部分の電極とを備えてなるよう構成する。
本発明は、例えば、分布帰還（ｄ ｉ ｓ ｔ ｒ ｉ
ｂｕｔｅｄ ｆ ｅｅｄｂａｃｋ：ＤＦＢ）型半導
体レーザなどと組み合わせて超高速光伝送システム用光
源を構成するのに用いて好適な半導体光変調器に関する
。
ｂｕｔｅｄ ｆ ｅｅｄｂａｃｋ：ＤＦＢ）型半導
体レーザなどと組み合わせて超高速光伝送システム用光
源を構成するのに用いて好適な半導体光変調器に関する
。
現在、光伝送システムでは大容量化が進められていて、
それを達成するのには光源として用いられているＤＦＢ
型半導体レーザなどの高速応答性を向上することが不可
欠である。
それを達成するのには光源として用いられているＤＦＢ
型半導体レーザなどの高速応答性を向上することが不可
欠である。
半導体レーザを１０〔ギガビット／秒〕程度の超高速で
変調した場合、発振波長にチャーピングを招来する緩和
振動を抑制しないと消光比が劣化して良質な光伝送を期
待できない。そこで、半導体レーザを直接変調する方式
に比較して緩和振動が著しく少ない外部変調方式が試み
られている。
変調した場合、発振波長にチャーピングを招来する緩和
振動を抑制しないと消光比が劣化して良質な光伝送を期
待できない。そこで、半導体レーザを直接変調する方式
に比較して緩和振動が著しく少ない外部変調方式が試み
られている。
第２図はそのような外部変調を行うのに好適とされてい
る方向性結合型光変調器を説明する為の要部切断側面図
を表している。
る方向性結合型光変調器を説明する為の要部切断側面図
を表している。
図に於いて、１はｎ型１ｎＰ基板、２は第一の導波路で
あるｎ型ＧａＩｎＡｓＰ導波層、３は第一の導波路と第
二の導波路との間に介在するｎ型ＩｎＰ分離層、４は第
二の導波路であるｎ型ＧａＩｎＡｓＰ導波層、５はｐ型
１ｎＰキャップ層、６はｐ側電極、７はｎ側電極、９は
変調用電源、Ｐ、は人力ポート、Ｐｏｔ及びＰｏＺは出
力ポートをそれぞれ示している。尚、ｎ型Ｇａ１ｎＡｓ
Ｐ導波層２及び４の組成は波長感度ＡＰＬにして１．３
〔μｍ〕である。
あるｎ型ＧａＩｎＡｓＰ導波層、３は第一の導波路と第
二の導波路との間に介在するｎ型ＩｎＰ分離層、４は第
二の導波路であるｎ型ＧａＩｎＡｓＰ導波層、５はｐ型
１ｎＰキャップ層、６はｐ側電極、７はｎ側電極、９は
変調用電源、Ｐ、は人力ポート、Ｐｏｔ及びＰｏＺは出
力ポートをそれぞれ示している。尚、ｎ型Ｇａ１ｎＡｓ
Ｐ導波層２及び４の組成は波長感度ＡＰＬにして１．３
〔μｍ〕である。
図示の方向性結合型光変調器に於いては、出力ポートＰ
−を側の伝播定数をβ１、出力ポートＰ０２側の伝播定
数をβ２とすると、Δβ＝β２−β１を変化させること
に依って、光を出力ポートＰ６１とＰｏｔとの間をスイ
ッチングさせるようにしている。
−を側の伝播定数をβ１、出力ポートＰ０２側の伝播定
数をβ２とすると、Δβ＝β２−β１を変化させること
に依って、光を出力ポートＰ６１とＰｏｔとの間をスイ
ッチングさせるようにしている。
そのΔβ＝β２−β１を変化させるには、変調用電源９
から電極６及び７間に逆バイアス電圧を印加し、第二の
導波路であるｎ型Ｇａ１ｎＡｓＰ導波層４に於ける屈折
率を変化させることに依って行う。尚、この場合、入力
ポートＰＨ１から入射するレーザ光の波長は、例えば１
．５５Ｃμｍ〕程度とする。
から電極６及び７間に逆バイアス電圧を印加し、第二の
導波路であるｎ型Ｇａ１ｎＡｓＰ導波層４に於ける屈折
率を変化させることに依って行う。尚、この場合、入力
ポートＰＨ１から入射するレーザ光の波長は、例えば１
．５５Ｃμｍ〕程度とする。
この半導体光変調器に依ってレーザ光の変調を行った場
合、例えば、光吸収型変調器で変調した場合のように、
変調の立ち下がり及び立ち上がり時に関連する発振波長
のチャーピングは発生しない。
合、例えば、光吸収型変調器で変調した場合のように、
変調の立ち下がり及び立ち上がり時に関連する発振波長
のチャーピングは発生しない。
第２図に見られる半導体光変調器に於いては、ｎ型Ｇａ
ＩｎＡｓＰ導波層２とｎ型Ｇａ １ ｎＡｓＰ導波層４
との間に介在するｎ型１ｎＰ分離層３の厚さは約０．５
〔μｍ〕程度とすることで、良好な光のスイッチング、
従って、変調が可能である。
ＩｎＡｓＰ導波層２とｎ型Ｇａ １ ｎＡｓＰ導波層４
との間に介在するｎ型１ｎＰ分離層３の厚さは約０．５
〔μｍ〕程度とすることで、良好な光のスイッチング、
従って、変調が可能である。
ところで、現在、多用されている光ファイバのコア径は
約１０〔μｍ〕程度であり、このような光ファイバのコ
ア中心を出力ポートｐｏｔに合致させて取り付けた場合
であっても、出力ポートＰ。１及びＰＯ２の間が高々０
．５〔μｍ〕程度であるところから、該光ファイバには
出力ポートＰ。２からの出射光も入射されてしまい、そ
の結果、光は連続したものとなって変調することはでき
ない。
約１０〔μｍ〕程度であり、このような光ファイバのコ
ア中心を出力ポートｐｏｔに合致させて取り付けた場合
であっても、出力ポートＰ。１及びＰＯ２の間が高々０
．５〔μｍ〕程度であるところから、該光ファイバには
出力ポートＰ。２からの出射光も入射されてしまい、そ
の結果、光は連続したものとなって変調することはでき
ない。
本発明は、波長チャーピングがない方向性結合型光変調
器でありながら、通常の光ファイバを結合して、容易に
変調光のみを取り出し得るようにする。
器でありながら、通常の光ファイバを結合して、容易に
変調光のみを取り出し得るようにする。
第１図は本発明に依る半導体光変調器の原理を説明する
為の要部切断側面図を表している。
為の要部切断側面図を表している。
図に於いて、ＭＤは方向性結合型光変調器部分、ＡＤは
光吸収器部分、１は基板、２は第一の導波路である導波
層、３は第一の導波路と第二の導波路との間に介在する
分離層、４は第二の導波路である導波層、４′は光吸収
層、５はクラツド層、６は光変調器部分ＭＤに於ける電
極、６′は光吸収器部分ＡＤに於ける電極、７はｎ側電
極、８は無反射コーテイング膜、９は変調用電源、１０
は光吸収弱部分ＡＤにバイアス電圧を印加する為の電源
、Ｐ、は入力ポート、Ｐｏは出力ポートをそれぞれ示し
ている。尚、図には現れていないが、導波層２及び４な
どは高抵抗の埋め込み層で埋め込まれ、横方向の光閉じ
込めが行われている。
光吸収器部分、１は基板、２は第一の導波路である導波
層、３は第一の導波路と第二の導波路との間に介在する
分離層、４は第二の導波路である導波層、４′は光吸収
層、５はクラツド層、６は光変調器部分ＭＤに於ける電
極、６′は光吸収器部分ＡＤに於ける電極、７はｎ側電
極、８は無反射コーテイング膜、９は変調用電源、１０
は光吸収弱部分ＡＤにバイアス電圧を印加する為の電源
、Ｐ、は入力ポート、Ｐｏは出力ポートをそれぞれ示し
ている。尚、図には現れていないが、導波層２及び４な
どは高抵抗の埋め込み層で埋め込まれ、横方向の光閉じ
込めが行われている。
この半導体光変調器では、入カポーｔ−Ｐｉから入射、
されたレーザ光は、光変調器部分ＭＤに於ける第二の導
波路である導波層４を進行している際、変調用電源９か
ら電極６に逆極性パルス電圧が印加されると、結合長を
越える点で第一の導波路である導波層２にスイッチング
されて進行し、光吸収弱部分ＡＤに於ける第一の導波路
である導波層４を介して出力ポー１−Ｐ、から出射され
る。然しなから、変調器用電源９から電極６に逆極性パ
ルスが印加されない場合、レーザ光は第一の導波路であ
る導波層２にスイッチングされることなく、そのまま第
二の導波路である導波層４を進行して光吸収弱部分ＡＤ
に於ける光吸収層４′に入射し、そこで光電流となって
費消され、外には出射されない。従って、光ファイバの
コア中心は第一の導波路である導波層２に合わせて取り
付ければ、確実に変調されたレーザ光を取り出すことが
でき、第２図に見られる出力ポートＰ０２に相当する部
分からレーザ光が入射されることはない。
されたレーザ光は、光変調器部分ＭＤに於ける第二の導
波路である導波層４を進行している際、変調用電源９か
ら電極６に逆極性パルス電圧が印加されると、結合長を
越える点で第一の導波路である導波層２にスイッチング
されて進行し、光吸収弱部分ＡＤに於ける第一の導波路
である導波層４を介して出力ポー１−Ｐ、から出射され
る。然しなから、変調器用電源９から電極６に逆極性パ
ルスが印加されない場合、レーザ光は第一の導波路であ
る導波層２にスイッチングされることなく、そのまま第
二の導波路である導波層４を進行して光吸収弱部分ＡＤ
に於ける光吸収層４′に入射し、そこで光電流となって
費消され、外には出射されない。従って、光ファイバの
コア中心は第一の導波路である導波層２に合わせて取り
付ければ、確実に変調されたレーザ光を取り出すことが
でき、第２図に見られる出力ポートＰ０２に相当する部
分からレーザ光が入射されることはない。
前記したようなことから、本発明に於ける半導体光変調
器に於いては、基板（例えばｎ型１ｎＰ基板１）上に順
に積層された第一の導波路である導波Ｎ（例えばｎ型１
ｎＧａＡｓＰ導波層２）及び分離層（例えばｎ型ＩｎＰ
分離層３）及び第二の導波路である導波層（例えばｎ型
１ｎＧａＡｓＰ導波層４）と、該第一の導波路である導
波層或いは第二の導波路である導波層の何れか一方を進
行中の光を他方にスイッチングする為に該一方の導波層
に於ける屈折率を変化させる電流を流す方向性結合型光
変調器部分（例えば方向性結合型光変調器部分ＭＤ）の
電極（例えば電極６）と、該第一の導波路である導波層
或いは第二の導波路である導波層の何れか一方に連なっ
て形成され且つ出力ポート（例えば出力ポートド０）を
有する導波層（例えばｎ型１ｎＧａＡｓｐ導波層２〉及
び何れか他方に連なって形成された光吸収層（例えばｎ
型ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層４′）と、該光吸収層に前記
レーザ光が入射した場合にはエネルギを光電流として費
消させる為にバイアス電流を流す光吸収器部分（例えば
光吸収弱部分ＡＤ）の電極（例えば電極６′）とを備え
ている。
器に於いては、基板（例えばｎ型１ｎＰ基板１）上に順
に積層された第一の導波路である導波Ｎ（例えばｎ型１
ｎＧａＡｓＰ導波層２）及び分離層（例えばｎ型ＩｎＰ
分離層３）及び第二の導波路である導波層（例えばｎ型
１ｎＧａＡｓＰ導波層４）と、該第一の導波路である導
波層或いは第二の導波路である導波層の何れか一方を進
行中の光を他方にスイッチングする為に該一方の導波層
に於ける屈折率を変化させる電流を流す方向性結合型光
変調器部分（例えば方向性結合型光変調器部分ＭＤ）の
電極（例えば電極６）と、該第一の導波路である導波層
或いは第二の導波路である導波層の何れか一方に連なっ
て形成され且つ出力ポート（例えば出力ポートド０）を
有する導波層（例えばｎ型１ｎＧａＡｓｐ導波層２〉及
び何れか他方に連なって形成された光吸収層（例えばｎ
型ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層４′）と、該光吸収層に前記
レーザ光が入射した場合にはエネルギを光電流として費
消させる為にバイアス電流を流す光吸収器部分（例えば
光吸収弱部分ＡＤ）の電極（例えば電極６′）とを備え
ている。
前記手段を採ることに依り、第一の導波路である導波層
と第二の導波路である導波層との間の分離層が方向性結
合型光変調を行うのに充分な程度の厚さであっても、出
力ポートに結合された光ファイバには確実に変調された
レーザ光のみが入射され、従って、波長チャーピングが
ない良質の光伝送を行うことができる。
と第二の導波路である導波層との間の分離層が方向性結
合型光変調を行うのに充分な程度の厚さであっても、出
力ポートに結合された光ファイバには確実に変調された
レーザ光のみが入射され、従って、波長チャーピングが
ない良質の光伝送を行うことができる。
第１図に見られる半導体光変調器について実施例を説明
する。
する。
図示の各部分に関する主要なデータを例示すると次の通
りである。
りである。
（１） 方向性結合型光変調器部分ＭＤについて長さ
：５００ （μｍ〕 （２）光吸収弱部分ＡＤについて 長さ［００（μｍ〕 （３）基板１について 材料：ＩｎＰ 導電型：ｎ 不純＠ｔ） ： Ｓ ｎ 不純物濃度：２Ｘ１０’θ （ａｍ−’）（４）導波層
２について 材料： Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐ ホトルミネセンス波長λＰＬ：１．３Ｃμｍ〕導電型：
ｎ 不純物：Ｓｎ 不純物濃度： ５ Ｘ Ｉ Ｑ” （ｃｍ−’）厚さ
：０．１５（μｍ〕 （５） 分離層３について 材料： ＩｎＰ 導電型：ｎ 不純物：Ｓｎ 不純物濃度：５Ｘ１０Ｉ７Ｃｃｍ−３〕厚さ：０．１〜
０．２ 〔μｍ〕 （６） 導波層４について 材料： ＩｎＧａＡｓＰ ホトルミネセンス波長λＦＬ：１．３（μｍ〕導電導電
型 ：線物：Ｓｎ 不純物濃度： ５ ｘ ｌ Ｑ１０（ａ＋＋−３）厚さ
：０．１５（μｍ〕 （７）光吸収Ｎ４’について 材料： ＩｎＧａＡｓｐ ホトルミネセンス波長λＰＬ：１．５５（μｍ〕ｍ３以
上導電型 ：線物：Ｓｎ 不純物濃度： ５ Ｘ Ｉ ０１７（Ｃ！１ｌ−３）厚
さ：０．１５（μｍ） （８） クラソド層５について 材料：ＩｎＰ 導電型：ｐ 不純物：Ｃｄ 不純物濃度： ７ Ｘ Ｉ Ｑ” （ａｍ−’）厚さ
：１ 〔μｍ〕 （９）電極６について 材料： Ｔ ｉ Ｐ ｔ ／ Ａ ｕ 厚さ：３０００ （人〕 ０ω 電極６′について 材料： Ｔ ｉ Ｐ を 厚さ：３０００ （人〕 αυ 電極７について 材料：ＡｕＧｅ 厚さ：２０００ （人〕 （２）無反射コーテイング膜８について材料：例えばＳ
ｉＮ 厚さ：２０００ （人〕 α３１変調用電源９について 電圧：０〜−５〔ｖ〕 Ｑ４１ バイアス電源１０について 電圧ニー５（’Ｖ）固定 である。
：５００ （μｍ〕 （２）光吸収弱部分ＡＤについて 長さ［００（μｍ〕 （３）基板１について 材料：ＩｎＰ 導電型：ｎ 不純＠ｔ） ： Ｓ ｎ 不純物濃度：２Ｘ１０’θ （ａｍ−’）（４）導波層
２について 材料： Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐ ホトルミネセンス波長λＰＬ：１．３Ｃμｍ〕導電型：
ｎ 不純物：Ｓｎ 不純物濃度： ５ Ｘ Ｉ Ｑ” （ｃｍ−’）厚さ
：０．１５（μｍ〕 （５） 分離層３について 材料： ＩｎＰ 導電型：ｎ 不純物：Ｓｎ 不純物濃度：５Ｘ１０Ｉ７Ｃｃｍ−３〕厚さ：０．１〜
０．２ 〔μｍ〕 （６） 導波層４について 材料： ＩｎＧａＡｓＰ ホトルミネセンス波長λＦＬ：１．３（μｍ〕導電導電
型 ：線物：Ｓｎ 不純物濃度： ５ ｘ ｌ Ｑ１０（ａ＋＋−３）厚さ
：０．１５（μｍ〕 （７）光吸収Ｎ４’について 材料： ＩｎＧａＡｓｐ ホトルミネセンス波長λＰＬ：１．５５（μｍ〕ｍ３以
上導電型 ：線物：Ｓｎ 不純物濃度： ５ Ｘ Ｉ ０１７（Ｃ！１ｌ−３）厚
さ：０．１５（μｍ） （８） クラソド層５について 材料：ＩｎＰ 導電型：ｐ 不純物：Ｃｄ 不純物濃度： ７ Ｘ Ｉ Ｑ” （ａｍ−’）厚さ
：１ 〔μｍ〕 （９）電極６について 材料： Ｔ ｉ Ｐ ｔ ／ Ａ ｕ 厚さ：３０００ （人〕 ０ω 電極６′について 材料： Ｔ ｉ Ｐ を 厚さ：３０００ （人〕 αυ 電極７について 材料：ＡｕＧｅ 厚さ：２０００ （人〕 （２）無反射コーテイング膜８について材料：例えばＳ
ｉＮ 厚さ：２０００ （人〕 α３１変調用電源９について 電圧：０〜−５〔ｖ〕 Ｑ４１ バイアス電源１０について 電圧ニー５（’Ｖ）固定 である。
この半導体光変調器に於いて、例えば、波長が１．５５
Ｃμｍ〕のレーザ光が光変調器部分ＭＤの第二の導波
路である導波層４を通過して光吸収器部分ＡＤに於ける
光吸収層４′に入射された場合、光吸収層４′に於ける
エネルギ・バンド・ギヤングは小さいので、そこに前記
レーザ光が入射されると電子及び正孔が発生し、所謂、
光電流となって光エネルギが費消されてしまうので、レ
ーザ光は出射されない。
Ｃμｍ〕のレーザ光が光変調器部分ＭＤの第二の導波
路である導波層４を通過して光吸収器部分ＡＤに於ける
光吸収層４′に入射された場合、光吸収層４′に於ける
エネルギ・バンド・ギヤングは小さいので、そこに前記
レーザ光が入射されると電子及び正孔が発生し、所謂、
光電流となって光エネルギが費消されてしまうので、レ
ーザ光は出射されない。
本発明に依る半導体光変調器に於いては、基板上に順に
積層された第一の導波路である導波層及び分離層及び第
二の導波路である導波層と、該第一の導波路である導波
層或いは第二の導波路である導波層の何れか一方を進行
中の光を他方にスイッチングする為に該一方の導波層に
於ける屈折率を変化させる逆方向電圧を印加する方向性
結合型光変調器部分の電極と、該第一の導波路である導
波層或いは第二の導波路である導波層の何れか一方に連
なって形成され且つ出力ポートを有する導波層及び何れ
か他方に連なって形成された光吸収層と、該光吸収層に
前記レーザ光が入射した場合にはエネルギを光電流とし
て費消させる為に逆方向電圧を印加する光吸収器部骨の
電極とを備えてなるよう構成する。
積層された第一の導波路である導波層及び分離層及び第
二の導波路である導波層と、該第一の導波路である導波
層或いは第二の導波路である導波層の何れか一方を進行
中の光を他方にスイッチングする為に該一方の導波層に
於ける屈折率を変化させる逆方向電圧を印加する方向性
結合型光変調器部分の電極と、該第一の導波路である導
波層或いは第二の導波路である導波層の何れか一方に連
なって形成され且つ出力ポートを有する導波層及び何れ
か他方に連なって形成された光吸収層と、該光吸収層に
前記レーザ光が入射した場合にはエネルギを光電流とし
て費消させる為に逆方向電圧を印加する光吸収器部骨の
電極とを備えてなるよう構成する。
前記構成を採ることに依り、第一の導波路である導波層
と第二の導波路である導波層との間の分離層が方向性結
合型光変調を行うのに充分な程度の厚さであっても、出
力ポートに結合された光ファイバには確実に変調された
レーザ光のみが入射され、従って、波長チャーピングが
ない良質の光伝送を行うことができる。
と第二の導波路である導波層との間の分離層が方向性結
合型光変調を行うのに充分な程度の厚さであっても、出
力ポートに結合された光ファイバには確実に変調された
レーザ光のみが入射され、従って、波長チャーピングが
ない良質の光伝送を行うことができる。
第１図は本発明に依る半導体光変調器の原理を説明する
為の要部切断側面図、第２図は外部変調を行うのに好適
とされている方向性結合型光変調器を説明する為の要部
切断側面図をそれぞれ表している。 図に於いて、工はｎ型ＩｎＰ基板、２は第一の導波路で
あるｎ型Ｇａ Ｉ ｎＡｓ Ｐ導波層、３は第一の導波
路と第二の導波路との間に介在するｎ型ＩｎＰ分離層、
４は第二の導波路であるｎ型ＧａＩｎＡｓＰ導波層、４
′はｎ型ＧａｒｎＡｓＰ光吸収層、５はｐ型ＩｎＰクラ
ッド層、６は方向性結合型光変調器部分ＭＤに於けるｐ
側電極、６′は光吸収器部分ＡＤに於けるｐ側電極、７
はｎ側電極、８は無反射コーテイング膜、９は変調用電
源、１０は光吸収器部分ＡＤにバイアス電圧を印加する
為の電源、Ｐ、は入力ポート、Ｐｏは出力ポートをそれ
ぞれ示している。
為の要部切断側面図、第２図は外部変調を行うのに好適
とされている方向性結合型光変調器を説明する為の要部
切断側面図をそれぞれ表している。 図に於いて、工はｎ型ＩｎＰ基板、２は第一の導波路で
あるｎ型Ｇａ Ｉ ｎＡｓ Ｐ導波層、３は第一の導波
路と第二の導波路との間に介在するｎ型ＩｎＰ分離層、
４は第二の導波路であるｎ型ＧａＩｎＡｓＰ導波層、４
′はｎ型ＧａｒｎＡｓＰ光吸収層、５はｐ型ＩｎＰクラ
ッド層、６は方向性結合型光変調器部分ＭＤに於けるｐ
側電極、６′は光吸収器部分ＡＤに於けるｐ側電極、７
はｎ側電極、８は無反射コーテイング膜、９は変調用電
源、１０は光吸収器部分ＡＤにバイアス電圧を印加する
為の電源、Ｐ、は入力ポート、Ｐｏは出力ポートをそれ
ぞれ示している。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に順に積層された第一の導波路である導波層及び
分離層及び第二の導波路である導波層と、該第一の導波
路である導波層或いは第二の導波路である導波層の何れ
か一方を進行中の光を他方にスイッチングする為に該一
方の導波層に於ける屈折率を変化させる逆方向電圧を印
加する方向性結合型光変調器部分の電極と、 該第一の導波路である導波層或いは第二の導波路である
導波層の何れか一方に連なって形成され且つ出力ポート
を有する導波層及び何れか他方に連なって形成された光
吸収層と、 該光吸収層に前記レーザ光が入射した場合にはエネルギ
を光電流として費消させる為に逆方向電圧を印加する光
吸収器部分の電極と を備えてなることを特徴とする半導体光変調器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1204822A JPH0369925A (ja) | 1989-08-09 | 1989-08-09 | 半導体光変調器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1204822A JPH0369925A (ja) | 1989-08-09 | 1989-08-09 | 半導体光変調器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0369925A true JPH0369925A (ja) | 1991-03-26 |
Family
ID=16496960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1204822A Pending JPH0369925A (ja) | 1989-08-09 | 1989-08-09 | 半導体光変調器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0369925A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5528413A (en) * | 1993-02-12 | 1996-06-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor light intensity modulator |
-
1989
- 1989-08-09 JP JP1204822A patent/JPH0369925A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5528413A (en) * | 1993-02-12 | 1996-06-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor light intensity modulator |
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