JPH0368922A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH0368922A JPH0368922A JP1203752A JP20375289A JPH0368922A JP H0368922 A JPH0368922 A JP H0368922A JP 1203752 A JP1203752 A JP 1203752A JP 20375289 A JP20375289 A JP 20375289A JP H0368922 A JPH0368922 A JP H0368922A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はクロストークがほとんどなくかつ輝度の高い液
晶表示装置に係る。
晶表示装置に係る。
液晶表示装置は、低電圧駆動が可能であり、かつ消費電
力が小さく、またＩＣによって直接駆動できるため、装
置を容易に小型にし、また薄型にできる利点を有する。
力が小さく、またＩＣによって直接駆動できるため、装
置を容易に小型にし、また薄型にできる利点を有する。
特にＴＮ型液晶は、低電圧、低消費電力の点で優れ、従
来から腕時計、電卓等に広く用いられている。
来から腕時計、電卓等に広く用いられている。
近年、ワードプロセッサ、パーソナルコンピュータ等の
情報処理装置の普及に伴い、装置の可搬性、薄型化、小
型化が求められるようになり、ＣＲＴにかわる表示素子
として、液晶表示素子が採用され始めている。上記情報
処理装置においては漢字表示をするために、腕時計、電
卓等の用途に比べその画素数は非常に多くなり、液晶表
示装置の駆動方法も通常Ｘ−Ｙ状に電極を交差させる単
純マトリクス駆動回路が用いられる。単純マトリクス駆
動方式において各画素は個々に画素電極が独立していな
いために隣接画素にも一定の電圧が印加されることとな
り、隣接画素は完全に非表示状態とはならず、いわゆる
クロストークが発生する場合がある。
情報処理装置の普及に伴い、装置の可搬性、薄型化、小
型化が求められるようになり、ＣＲＴにかわる表示素子
として、液晶表示素子が採用され始めている。上記情報
処理装置においては漢字表示をするために、腕時計、電
卓等の用途に比べその画素数は非常に多くなり、液晶表
示装置の駆動方法も通常Ｘ−Ｙ状に電極を交差させる単
純マトリクス駆動回路が用いられる。単純マトリクス駆
動方式において各画素は個々に画素電極が独立していな
いために隣接画素にも一定の電圧が印加されることとな
り、隣接画素は完全に非表示状態とはならず、いわゆる
クロストークが発生する場合がある。
このクロストークを改善するために、各画素ごとにダイ
オード、薄膜トランジスタ、バリスタ等の非線形素子を
設ける方法がある。
オード、薄膜トランジスタ、バリスタ等の非線形素子を
設ける方法がある。
しかしながら、数千〜数十万画素にものぼる画素ごとに
ダイオード、薄膜トランジスタ等を、欠陥なしにあるい
は略同−特性に配設することは困難であり、特性のばら
つきが少なく、大面積に形成可能な非線形素子の作製が
望まれていた。
ダイオード、薄膜トランジスタ等を、欠陥なしにあるい
は略同−特性に配設することは困難であり、特性のばら
つきが少なく、大面積に形成可能な非線形素子の作製が
望まれていた。
本発明者らは、主としてバリスタ粉からなる膜を非線形
素子として使用した液晶表示装置は、クロストークのほ
とんどない表示ができることを見出したが、さらに、第
４図に示す薄型の液晶表示装置を形成した場合、第１の
基板４１ａ上のバリスタ膜４４の表面の部分と第２の基
板４１ｂ上の走査線電極４５とが近接するために、第１
の基板４１ａ上に設けられた信号線４３からバリスタ膜
４４を介して第２の基板４１ｂ上に配設された走査線電
極４５に電流が流れ易くなったり、画素電極４２からバ
リスタ膜４４を介して走査線電極４５に電流が流れ易く
なったりするために、第１の基板４１ａ上に形成された
画素電極４２と走査線電極４５との間の電圧が低下し、
所望する輝度の表示が得られないという問題が発生する
。この現象は液晶Ｎ４６が薄くなるにつれて顕著になる
。
素子として使用した液晶表示装置は、クロストークのほ
とんどない表示ができることを見出したが、さらに、第
４図に示す薄型の液晶表示装置を形成した場合、第１の
基板４１ａ上のバリスタ膜４４の表面の部分と第２の基
板４１ｂ上の走査線電極４５とが近接するために、第１
の基板４１ａ上に設けられた信号線４３からバリスタ膜
４４を介して第２の基板４１ｂ上に配設された走査線電
極４５に電流が流れ易くなったり、画素電極４２からバ
リスタ膜４４を介して走査線電極４５に電流が流れ易く
なったりするために、第１の基板４１ａ上に形成された
画素電極４２と走査線電極４５との間の電圧が低下し、
所望する輝度の表示が得られないという問題が発生する
。この現象は液晶Ｎ４６が薄くなるにつれて顕著になる
。
本発明はこのような問題を解決し、高輝度でクロストー
クの少ない液晶表示装置を提供することを目的とする。
クの少ない液晶表示装置を提供することを目的とする。
本発明は、画素電極と、この画素電極と間隔をもって配
設され画素電極に信号を送る信号線と、前記画素電極と
前記信号線とを接続するバリスタとを有する第１の基板
、前記画素電極と対向するように電極が設けられた第２
の基板、及び第１の基板と第２の基板との間に液晶が充
填された液晶表示装置において、第１の基板上に配設さ
れたバリスタと第２の基板上に配設された電極との間に
絶縁手段を設けたことを特徴とする液晶表示装置に関す
る。
設され画素電極に信号を送る信号線と、前記画素電極と
前記信号線とを接続するバリスタとを有する第１の基板
、前記画素電極と対向するように電極が設けられた第２
の基板、及び第１の基板と第２の基板との間に液晶が充
填された液晶表示装置において、第１の基板上に配設さ
れたバリスタと第２の基板上に配設された電極との間に
絶縁手段を設けたことを特徴とする液晶表示装置に関す
る。
以下に本発明を図面を参照して説明する。
第１図は、本発明のバリスタ１２の表面に絶縁膜のよう
な絶縁手段３２を設けた場合の液晶表示装置の部分拡大
縦断面図である。第２図は、第１の基板１１上に設けら
れた画素電極１４、信号線１３及びバリスタ１２の配設
の関係を示す平面図であり、第３図は、第２の基板２１
上の走査線電極２２を示す平面図である。
な絶縁手段３２を設けた場合の液晶表示装置の部分拡大
縦断面図である。第２図は、第１の基板１１上に設けら
れた画素電極１４、信号線１３及びバリスタ１２の配設
の関係を示す平面図であり、第３図は、第２の基板２１
上の走査線電極２２を示す平面図である。
第１の基板ｌｌ上には、画素電極１４及び信号１ａ１３
が配設されている０画素電極１４と信号線１３４は間隔
をもって配置されており、両者はバリスタ１２で電気的
に結合されている。画素電極１４と信号線１３との間隔
は一般に１０〜４００μｍである。第１図においては、
第１の基板上に形成されたバリスタ膜の表面に酸化シリ
コン膜のような絶縁手段３２が設けられている。第２の
基板２１上には画素電極１４と対向するように走査線電
極２２が配設されている。第１の基板１１と第２の基板
２１との間には液晶３１が挟持されている。
が配設されている０画素電極１４と信号線１３４は間隔
をもって配置されており、両者はバリスタ１２で電気的
に結合されている。画素電極１４と信号線１３との間隔
は一般に１０〜４００μｍである。第１図においては、
第１の基板上に形成されたバリスタ膜の表面に酸化シリ
コン膜のような絶縁手段３２が設けられている。第２の
基板２１上には画素電極１４と対向するように走査線電
極２２が配設されている。第１の基板１１と第２の基板
２１との間には液晶３１が挟持されている。
前記した絶縁手段としては、例えば側基板間に絶縁膜を
配設することを挙げることができる。
配設することを挙げることができる。
絶縁膜を形成する材料としては、特に限定されず、ｋｍ
性を有する物質であれシミよい。その具体例としては、
ポリイミド、ポリアミド、ポリエチレン、禾すプロピレ
ン、ポリエチレンテレフタレート、ポリウレタン、ポリ
アクリレート等の有機材料、酸化シリコン、酸化チタン
、酸化アルミニウム、ガラス等の無機材料を挙げること
ができる。
性を有する物質であれシミよい。その具体例としては、
ポリイミド、ポリアミド、ポリエチレン、禾すプロピレ
ン、ポリエチレンテレフタレート、ポリウレタン、ポリ
アクリレート等の有機材料、酸化シリコン、酸化チタン
、酸化アルミニウム、ガラス等の無機材料を挙げること
ができる。
絶縁膜は、例えば、ポリマーを溶剤に溶解し、第１の基
板に配設されたバリスタ上に塗布するか、あるいは第２
の基板に配設された電極上のバリスタに対向する部分に
塗布することにより製造することができる。絶縁膜は、
上記した以外にも使用する材料により種々の方法により
、形成することができ、例えば（１）溶融ポリマーをバ
リスタ上や走査線上に塗布することにより、（２）ポリ
イミドや酸化シリコン等のような場合には前駆体を塗布
・焼成することにより、（３）ガラスのような低融点材
料の場合には焼付けることにより、また（４）酸化アル
ミニウムのような高融点材料の場合には、蒸着あるいは
スパッタリング法により、形成することができる。透明
で絶縁効果の高い酸化シリコン、ポリイ稟ド等の材料壱
使用する場合には、基板の全面に塗布してもよい。
板に配設されたバリスタ上に塗布するか、あるいは第２
の基板に配設された電極上のバリスタに対向する部分に
塗布することにより製造することができる。絶縁膜は、
上記した以外にも使用する材料により種々の方法により
、形成することができ、例えば（１）溶融ポリマーをバ
リスタ上や走査線上に塗布することにより、（２）ポリ
イミドや酸化シリコン等のような場合には前駆体を塗布
・焼成することにより、（３）ガラスのような低融点材
料の場合には焼付けることにより、また（４）酸化アル
ミニウムのような高融点材料の場合には、蒸着あるいは
スパッタリング法により、形成することができる。透明
で絶縁効果の高い酸化シリコン、ポリイ稟ド等の材料壱
使用する場合には、基板の全面に塗布してもよい。
本発明においては、バリスタを主としてバリスタ粉より
なるバリスタ膜とすれば、基板上の任意の位置及び大き
さにバリスタを作製することができる。さらに、前記バ
リスタ膜を、バリスタ粉を主成分とするペーストを用い
た印刷法によって、画素電極と信号線との間に個別に形
成すれば、薄膜形成技術を用いる場合等と比較して、製
造方法が簡易で、安価であり、広い面積に一度に素子を
作製することが可能であり、特性のバラツキ等が少なく
安定したバリスタ素子を形成することができる。
なるバリスタ膜とすれば、基板上の任意の位置及び大き
さにバリスタを作製することができる。さらに、前記バ
リスタ膜を、バリスタ粉を主成分とするペーストを用い
た印刷法によって、画素電極と信号線との間に個別に形
成すれば、薄膜形成技術を用いる場合等と比較して、製
造方法が簡易で、安価であり、広い面積に一度に素子を
作製することが可能であり、特性のバラツキ等が少なく
安定したバリスタ素子を形成することができる。
バリスタを主としてバリスタ粉よりなるバリスタ膜とす
る場合、粒径のそろったほぼ球形のバリスタ粉を用いる
ことにより、各画素電極と信号線間のバリスタ闇値電圧
がほぼ一定となり、きれいな表示が得られる。バリスタ
粉の粒径は一般には１〜３００μｍ、好ましくは２〜５
０ｔＩｍである。
る場合、粒径のそろったほぼ球形のバリスタ粉を用いる
ことにより、各画素電極と信号線間のバリスタ闇値電圧
がほぼ一定となり、きれいな表示が得られる。バリスタ
粉の粒径は一般には１〜３００μｍ、好ましくは２〜５
０ｔＩｍである。
本発明で使用する液晶としては、Ｄ Ｓ （Ｄｙｎａｍ
ｉｃ Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）型、Ｔ Ｎ （Ｔｉｉｉ
ｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）型、Ｅ ＣＤ （Ｅｌｅｃ
ｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆ
ｒｉｎｇｅｎｃｅ）型、Ｐ Ｃ（Ｐｈａｓｅ Ｃｈａｎ
ｇｅ）型、ゲスト・ホスト型等の液晶を挙げることがで
きる。
ｉｃ Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）型、Ｔ Ｎ （Ｔｉｉｉ
ｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）型、Ｅ ＣＤ （Ｅｌｅｃ
ｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆ
ｒｉｎｇｅｎｃｅ）型、Ｐ Ｃ（Ｐｈａｓｅ Ｃｈａｎ
ｇｅ）型、ゲスト・ホスト型等の液晶を挙げることがで
きる。
以下、製造例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
製造例１
第２図に示すように、第１の基板上の所定の位置にＩＴ
Ｏ等の透明！葎でできた信号線１３と画素電極１４とを
形成した後、信号線１３と画素電極１４との間（ギャッ
プ２０μｍ）に、印刷法によりバリスタ素子１２を形成
した。
Ｏ等の透明！葎でできた信号線１３と画素電極１４とを
形成した後、信号線１３と画素電極１４との間（ギャッ
プ２０μｍ）に、印刷法によりバリスタ素子１２を形成
した。
次いで有機ケイ素化合物からなる液を第１の基板上に形
成されたバリスタ表面に塗布し５００°Ｃにて焼成しバ
リスタ表面に約１μｍの酸化シリコン膜３２を形成した
。
成されたバリスタ表面に塗布し５００°Ｃにて焼成しバ
リスタ表面に約１μｍの酸化シリコン膜３２を形成した
。
一方、第２の基板（ガラス、ＰＥＴフィルム等）２１上
にＩＴＯ等の所定の走査電極となる電極２２をパターニ
ングして形成した。
にＩＴＯ等の所定の走査電極となる電極２２をパターニ
ングして形成した。
次に酸化シリコン膜３２を形成した菓１の基板と第２の
基板とを所定の位置で合うように貼り合わせて基板の回
りを液晶導入口を残して接着剤でシールした。その後、
メルク社製のＺＬ１１１３２等のＴＮ型液晶を充填し、
液晶導入口を接着剤で密閉した。
基板とを所定の位置で合うように貼り合わせて基板の回
りを液晶導入口を残して接着剤でシールした。その後、
メルク社製のＺＬ１１１３２等のＴＮ型液晶を充填し、
液晶導入口を接着剤で密閉した。
この液晶表示装置の信号線１３と走査線電極２２との間
に交流電圧±２０Ｖでマルチプレックス駆動（デユーテ
ィ比１／４００）したところ、望みの画素部分がクロス
トークなしに明るく（コントラスト比５０以上）点灯す
ることができた。
に交流電圧±２０Ｖでマルチプレックス駆動（デユーテ
ィ比１／４００）したところ、望みの画素部分がクロス
トークなしに明るく（コントラスト比５０以上）点灯す
ることができた。
製造例２
感光性ポリイミド絶縁膜を走査線電極２２がパターニン
グされている第２の基板上に塗布し、フォトマスクを用
いた露光、次いで現像、焼成の工程を経て、バリスタと
対向する部分に厚み２μｍのポリイミド絶縁膜を形成し
た。
グされている第２の基板上に塗布し、フォトマスクを用
いた露光、次いで現像、焼成の工程を経て、バリスタと
対向する部分に厚み２μｍのポリイミド絶縁膜を形成し
た。
次いで製造例１と同様な方法により第１の基板と第２の
基板とを所定の位置で合うように貼り合わせて基板の回
りを液晶導入口を残して接着剤でシールした。その後、
メルク社製のＺＬ１１１３２等のＴＮ型液晶を充填し、
液晶導入口を接着剤で密閉した。この液晶表示装置の信
号線１３と走査線電極２２との間に交流電圧±２０Ｖで
マルチプレックス駆動（デユーティ比１／４００）した
ところ、望みの画素部分がクロストークなしに明るく（
コントラスト比５０以上）点灯することができた。
基板とを所定の位置で合うように貼り合わせて基板の回
りを液晶導入口を残して接着剤でシールした。その後、
メルク社製のＺＬ１１１３２等のＴＮ型液晶を充填し、
液晶導入口を接着剤で密閉した。この液晶表示装置の信
号線１３と走査線電極２２との間に交流電圧±２０Ｖで
マルチプレックス駆動（デユーティ比１／４００）した
ところ、望みの画素部分がクロストークなしに明るく（
コントラスト比５０以上）点灯することができた。
なお説明するに際し第２の基板上の信号電極を走査線１
ｉ極としたが、必ずしもこれに限定されるものではなく
、駆動時に第１の基板上の信号線を走査してもよい。
ｉ極としたが、必ずしもこれに限定されるものではなく
、駆動時に第１の基板上の信号線を走査してもよい。
本発明によれば、液晶層の厚みを薄＜シた場合にも、信
号線からバリスタを介して走査線電極に電流が流れるこ
とがなく、液晶とバリスタとの正常なマトリックス回路
が形成され高輝度であり高コントラスト表示が可能とな
る。
号線からバリスタを介して走査線電極に電流が流れるこ
とがなく、液晶とバリスタとの正常なマトリックス回路
が形成され高輝度であり高コントラスト表示が可能とな
る。
第１図は本発明の液晶表示装置の部分縦断面図である。
第２図は第１の基板上の画素電極、信号線及びバリスタ
の配設関係を示す平面図であり、菓３図は第２の基板上
の走査線電極を示す図である。 第４図は従来例の液晶表示装置の部分縦断面図である。 １１．２１：基板、１２：バリスタ、１３：信号線、１
４：画素電極、２２：走査線電極、３１：液晶層、３２
：絶縁手段
の配設関係を示す平面図であり、菓３図は第２の基板上
の走査線電極を示す図である。 第４図は従来例の液晶表示装置の部分縦断面図である。 １１．２１：基板、１２：バリスタ、１３：信号線、１
４：画素電極、２２：走査線電極、３１：液晶層、３２
：絶縁手段
Claims (1)
- （１）画素電極と、この画素電極と間隔をもって配設さ
れ画素電極に信号を送る信号線と、前記画素電極と前記
信号線とを接続するバリスタとを有する第１の基板、前
記画素電極と対向するように電極が設けられた第２の基
板、及び第１の基板と第２の基板との間に液晶が充填さ
れた液晶表示装置において、第１の基板上に配設された
バリスタと第２の基板上に配設された電極との間に絶縁
手段を設けたことを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1203752A JPH0368922A (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1203752A JPH0368922A (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0368922A true JPH0368922A (ja) | 1991-03-25 |
Family
ID=16479254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1203752A Pending JPH0368922A (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0368922A (ja) |
-
1989
- 1989-08-08 JP JP1203752A patent/JPH0368922A/ja active Pending
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