JPH03116017A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はクロストークがほとんどなくかつ輝度の高い液
晶表示装置に係る。

〔従来技術及びその問題点〕

液晶表示装置は、低電圧駆動が可能であり、かつ消費電
力が小さ（、またＩＣによって直接駆動できるため、装
置を容易に小型にし、また薄型にできる利点を有する。

特にＴＮ型液晶は、低電圧、低消費電力の点で優れ、従
来から腕時計、電卓等に広く用いられている。

近年、ワードプロセッサ、パーソナルコンピュータ等の
情報処理装置の普及に伴い、装置の可搬性、薄型化、小
型化が求められるようになり、ＣＲＴにかわる表示素子
として、液晶表示素子が採用され始めている。上記情報
処理装置においては漢字表示をするために、腕時計、電
卓等の用途に比べその画素数は非常に多くなり、液晶表
示装置の駆動方法も通常Ｘ−Ｙ状に電極を交差させる単
純マトリクス駆動回路が用いられる。単純マトリクス駆
動方式において各画素は個々に画素電極が独立していな
いために隣接画素にも一定の電圧が印加されることとな
り、隣接画素は完全に非表示状態とはならず、いわゆる
クロストークが発生する場合がある。

このクロストークを改善するために、各画素ごとにダイ
オード、薄膜トランジスタ、バリスタ等の非線形素子を
設ける方法がある。

しかしながら、数千〜数十万画素にものぼる画素ごとに
ダイオード、薄膜トランジスタ等を、欠陥なしにあるい
は略同−特性に配設することは困難であり、特性のばら
つきが少なく、大面積に形成可能な非線形素子の作製が
望まれていた。

〔本発明の目的〕

本発明者らは、主としてバリスタ粉からなる膜を非線形
素子として使用した液晶表示装置は、クロストークのほ
とんどない表示ができることを見出したが、第１の基板
上のバリスタ層の頭頂部と第２の基板上の電極とが近接
する場合には、第１の基板上に設けられた信号電極から
バリスタ層を介して第２の基板の電極に電流が流れ易く
なったり、画素電極からバリスタ層を介して第２の基板
の電極に電流が流れ易くなったりするために、第１の基
板上に形成された画素電極と第２の基板上の電極との間
の電圧が低下し、所望する輝度の表示が得られないとい
う問題が発生する。

本発明はこのような問題を解決し、高輝度でクロストー
クの少ない液晶表示装置を提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、画素電極と、この画素電極と間隔をもって配
設され画素電極に信号を送る信号電極と、前記画素電極
と前記信号電極とを接続するバリスタとを有する第１の
基板、前記画素電゛極と対向するように電極が設けられ
た第２の基板、及び第１の基板と第２の基板との間に液
晶が充填された液晶表示装置において、画素電極と信号
電極との間隔が、第１の基板上の信号電極と第２の基板
上の電極との間隔よりも短いことを特徴とする液晶表示
装置に関する。

以下に本発明を図面を参照して説明する。

第１図は、本発明の液晶表示装置ｌの部分拡大縦断面図
である。第２図は、第１の基板２上に設けられた画素電
極３、信号電極４及びバリスタ５の配設の関係を示す平
面図である。

第１の基板２上には、画素電極３及び信号電極４が配設
されている。画素電極３と信号電極４とは間隔１１をも
って配置されており、両者はバリスタ５で電気的に結合
されている。画素電極３と信号電極４との間隔！１は一
般に５〜４００μｍである。第２の基板６上には画素電
極３と対向するように走査電極７が配設されている。第
１の基板２と第２の基板６との間には液晶８が充填され
ている。第１の基板２上の信号電極４と第２の基板６上
の走査電極７との間￥ｉｉｉ、は、一般には５〜５００
μｍである。本発明において、画素電極３と信号電極４
との間隔２１は、信号電極４と走査電極７との間隔！□
よりも短くなっている。

本発明によれば、第１の基板上に配設されたバリスタ５
の一部と対向する第２の基板上の走査電極７とが接触し
た場合にも、信号電極４と走査電極７間のバリスタ電圧
が、信号電極４と画素電極３間のバリスタ電圧よりも大
きいので、信号電極４からバリスタ５を通して第２の基
板上の走査電極７に電流が流れることがない。従って、
液晶とバリスタ５との正常なマトリックス回路が形成さ
れ、各画素のコントラストにバラツキを生じることがな
い。また、好ましくは信号電極４と走査電極７間のバリ
スタ電圧が、液晶を駆動させる際の駆動電圧よりも大き
くなるように１２を設定するのがよい。　本発明におい
ては、バリスタを主としてバリスタ粉よりなるバリスタ
膜とすれば、基板上の任意の位置及び大きさにバリスタ
を作製することができる。さらに、前記バリスタ膜を、
バリスタ粉を主成分とするペーストを用いた印刷法によ
って、画素電極と信号電極との間に個別に形成すれば、
薄膜形成技術を用いる場合等と比較して、製造方法が簡
易で、安価であり、広い面積に一度に素子を作製するこ
とが可能であり、特性のバラツキ等が少なく安定したバ
リスタ素子を形成することができる。

バリスタを主としてバリスタ粉よりなるバリスタ膜とす
る場合、粒径のそろったほぼ球形のバリスタ粉を用いる
ことにより、各画素電極と信号電極間のバリスタ闇値電
圧がほぼ一定となり、きれいな表示が得られる。バリス
タ粉の粒径は一般には１〜３００μｍ、好ましくは１〜
３０μｍである。

本発明で使用する液晶としては、Ｄ　Ｓ　（Ｄｙｎａｍ
ｉｃ　Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）型、Ｔ　Ｎ　（Ｔｗｉｓ
ｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）型、Ｅ　ＣＢ　（Ｅｌｅｃｔ
ｒｉｃａｌｌｙ　Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ　Ｂｉｒｅｆｒ
ｉｎｇｅｎｃｅ）型、Ｐ　Ｃ（Ｐｈａｓｅ　Ｃｈａｎｇ
ｅ）型、ゲスト・ホスト型等の液晶を挙げることができ
る。

〔実施例〕

以下、製造例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。

製造例１ 第２図に示すように、第１の基板上の所定の位置にＩＴ
Ｏ等の透明電極でできた信号電極４と画素電極３とを形
成した後、信号電極４と画素電極３との間（ギャップ１
０μｍ）に、粒径１〜５μｍのバリスタ粉を主成分とす
るペーストを用いて、１２μｍ±３μｍの厚さになるよ
うに印刷法によりバリスタ５を形成した。一方、第２の
基板６（ガラス、ＰＥＴフィルム等）上にＩＴＯ等の所
定の走査電極となる電極７をパターニングして形成した
。次いで第１の基板上の画素電極３及び第２の基板上の
走査電極７に配向膜を形成した。

次に１５μｍのスペーサを間に挟んで第１の基板と第２
の基板とを所定の位置で合うように貼り合わせて基板の
回りを液晶注入口を残して接着剤でシールした。その後
、メルク社製のＺＬＩ１１３２等の液晶を充填し、液晶
注入口を接着剤で密閉した０次いで第１の基板と第２の
基板の外側に偏光板を貼り合わせＴＮ型の液晶表示装置
を作製した。

この液晶表示装置の信号電極４と走査電極７との間に交
流電圧±３０Ｖでマルチプレックス駆動（デユーティ比
１／４００）したところ、望みの画素部分がクロストー
クなしに明るく　（コントラスト比５０以上）点灯する
ことができた。

なお説明するに際し第２の基板上の電極を走査電極とし
たが、必ずしもこれに限定されるものではなく、駆動時
に第１の基板上の信号電極を走査してもよい。

〔発明の効果〕

本発明によれば、信号電極からバリスタを介して走査電
極に電流が流れることがなく、液晶とバリスタとの正常
なマトリックス回路が形成され高輝度であり高コントラ
スト表示が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の液晶表示装置の部分縦断面図である。 第２図は第１の基板上の画素電極、信号電極及びバリス
タの配設関係を示す平面図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）画素電極と、この画素電極と間隔をもって配設さ
   れ画素電極に信号を送る信号電極と、前記画素電極と前
   記信号電極とを接続するバリスタとを有する第１の基板
   、前記画素電極と対向するように電極が設けられた第２
   の基板、及び第１の基板と第２の基板との間に液晶が充
   填された液晶表示装置において、 画素電極と信号電極との間隔が、第１の基板上の信号電
   極と第２の基板上の電極との間隔よりも短いことを特徴
   とする液晶表示装置。