JPH0368552B2 - - Google Patents
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- JPH0368552B2 JPH0368552B2 JP61281542A JP28154286A JPH0368552B2 JP H0368552 B2 JPH0368552 B2 JP H0368552B2 JP 61281542 A JP61281542 A JP 61281542A JP 28154286 A JP28154286 A JP 28154286A JP H0368552 B2 JPH0368552 B2 JP H0368552B2
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- JP
- Japan
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- thick film
- data
- film circuit
- nozzle
- height
- Prior art date
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、液体状の各種の回路形成材料によ
つて、基板上に任意形状の塗膜を積層して電気回
路を形成する際にセラミツク基板の装着ミスや不
良基板を検出する厚膜回路形成における回路不良
検出方法に関する。
つて、基板上に任意形状の塗膜を積層して電気回
路を形成する際にセラミツク基板の装着ミスや不
良基板を検出する厚膜回路形成における回路不良
検出方法に関する。
従来技術
一般に、厚膜回路形成装置によつて製造される
電気回路は、ノズルから吐出される回路形成材料
の種類によつて導電体、抵抗体、非導電体等の
種々の形状の厚膜が形成され、これらの各厚膜が
積層されて回路を構成していた。
電気回路は、ノズルから吐出される回路形成材料
の種類によつて導電体、抵抗体、非導電体等の
種々の形状の厚膜が形成され、これらの各厚膜が
積層されて回路を構成していた。
第6図は、従来の厚膜回路形成装置の斜視図
で、装置のフレーム1に支持部材2が固着され、
この支持部材2の上部にモータ3がモータ保持部
材4により保持されている。このモータ3の回転
軸はカツプリング5を介してベアリングを収納し
たベアリング受け6によつて支持されたボールネ
ジ7に接続され、このボールネジ7はノズル保持
部材8に嵌合されている。また、ノズル保持部材
8はリニアスライド9によつて支持部材2に対し
て上下に摺動できるように構成されている。この
ノズル保持部材8にはノズル10が設けられ、こ
のノズル10のノズル端11から例えばセラミツ
ク基板12上に厚膜回路用塗料13が吐出され、
さらに、セラミツク基板12はXY方向に駆動さ
れるテーブル装置14上に載置される。また、支
持部材2に固定された保持具15にノズル10と
並置してレーザを利用した基板の高さ測定器16
が設けられている。
で、装置のフレーム1に支持部材2が固着され、
この支持部材2の上部にモータ3がモータ保持部
材4により保持されている。このモータ3の回転
軸はカツプリング5を介してベアリングを収納し
たベアリング受け6によつて支持されたボールネ
ジ7に接続され、このボールネジ7はノズル保持
部材8に嵌合されている。また、ノズル保持部材
8はリニアスライド9によつて支持部材2に対し
て上下に摺動できるように構成されている。この
ノズル保持部材8にはノズル10が設けられ、こ
のノズル10のノズル端11から例えばセラミツ
ク基板12上に厚膜回路用塗料13が吐出され、
さらに、セラミツク基板12はXY方向に駆動さ
れるテーブル装置14上に載置される。また、支
持部材2に固定された保持具15にノズル10と
並置してレーザを利用した基板の高さ測定器16
が設けられている。
また、第7図は、第6図の厚膜回路形成装置を
駆動する装置のブロツク図で、読み書きメモリ
RAM18を持つ中央処理装置CPU17に制御さ
れるノズル10を保持する昇降機構A(垂直方向
に昇降するノズル保持部材8、ボールネジ7およ
びリニアスライド9を持つ支持部材2等により構
成される)、テーブル装置14、高さセンサ16
が接続されている。
駆動する装置のブロツク図で、読み書きメモリ
RAM18を持つ中央処理装置CPU17に制御さ
れるノズル10を保持する昇降機構A(垂直方向
に昇降するノズル保持部材8、ボールネジ7およ
びリニアスライド9を持つ支持部材2等により構
成される)、テーブル装置14、高さセンサ16
が接続されている。
この厚膜回路形成装置では、高さ測定器16に
よつてセラミツク基板12の高さ(基板表面の凹
凸)を測定しながら、ノズル10のノズル端11
からセラミツク基板12上に厚膜回路用塗料13
が吐出され、厚膜回路が形成される。その厚膜回
路形成装置で高さ測定器16が使用される理由
は、ノズル10から吐出された厚膜回路用塗料1
3が正確な厚さを維持することを必要とするから
である。つまり、通常は導体、絶縁体、抵抗体な
どのこれらの厚膜塗料は、乾燥後、800℃〜1000
℃で加熱される「焼成」という工程を通つた後、
正確な電気特性を要求されるからである。従つ
て、厚膜にばらつきがあると、導体においては導
体抵抗の増大が生じ、抵抗体においては抵抗値の
変化が生じ、さらに絶縁体においては絶縁不完全
という不具合を生ずるからである。特に、導体パ
ターンの上に絶縁体を塗布し、さらにその上に導
体パターンが塗布される、いわゆるクロスオーバ
ーと呼ばれる回路形態については、特に導体パタ
ーンの間に狭まれる絶縁体の厚み確保は上下導体
の短絡防止のために重要である。
よつてセラミツク基板12の高さ(基板表面の凹
凸)を測定しながら、ノズル10のノズル端11
からセラミツク基板12上に厚膜回路用塗料13
が吐出され、厚膜回路が形成される。その厚膜回
路形成装置で高さ測定器16が使用される理由
は、ノズル10から吐出された厚膜回路用塗料1
3が正確な厚さを維持することを必要とするから
である。つまり、通常は導体、絶縁体、抵抗体な
どのこれらの厚膜塗料は、乾燥後、800℃〜1000
℃で加熱される「焼成」という工程を通つた後、
正確な電気特性を要求されるからである。従つ
て、厚膜にばらつきがあると、導体においては導
体抵抗の増大が生じ、抵抗体においては抵抗値の
変化が生じ、さらに絶縁体においては絶縁不完全
という不具合を生ずるからである。特に、導体パ
ターンの上に絶縁体を塗布し、さらにその上に導
体パターンが塗布される、いわゆるクロスオーバ
ーと呼ばれる回路形態については、特に導体パタ
ーンの間に狭まれる絶縁体の厚み確保は上下導体
の短絡防止のために重要である。
このようなクロスオーバーパターンを第6図及
び第7図に示す装置で形成する場合には、次のよ
うな手順を必要とする(第8図のフローチヤート
参照)。
び第7図に示す装置で形成する場合には、次のよ
うな手順を必要とする(第8図のフローチヤート
参照)。
1 まず、セラミツク基板12の絶縁体塗料を塗
布しようとする経路に沿つて高さ測定器16で
高さを検出し、中央処理装置CPU17の読み
書きメモリRAM18に格納する。
布しようとする経路に沿つて高さ測定器16で
高さを検出し、中央処理装置CPU17の読み
書きメモリRAM18に格納する。
2 この格納された高さ情報をもとに、ノズル1
0のノズル端11と絶縁体厚膜回路用塗料13
を塗布しようとするセラミツク基板12の面と
の距離をモータ3を回転して常に一定になるよ
うに制御しながらテーブル装置14を移動す
る。
0のノズル端11と絶縁体厚膜回路用塗料13
を塗布しようとするセラミツク基板12の面と
の距離をモータ3を回転して常に一定になるよ
うに制御しながらテーブル装置14を移動す
る。
このようにすることにより、途中に導体パター
ンがあつても、一定の厚さに絶縁体厚膜回路用塗
料13を塗布して絶縁体を形成することができ、
さらに、その上の導体については、厚膜回路用塗
料13を焼成後、上記1、2の動作を行なえばよ
い。
ンがあつても、一定の厚さに絶縁体厚膜回路用塗
料13を塗布して絶縁体を形成することができ、
さらに、その上の導体については、厚膜回路用塗
料13を焼成後、上記1、2の動作を行なえばよ
い。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、このように構成した従来の厚膜
回路形成方法では、実際にあるパターンを検知す
るため、例えばセラミツク基板12のセツト方向
を90°もしくは180°間違えてセツトした場合や、
表裏間違えてセツトした場合、さらに基準位置に
正しくセツトされずにズレている場合等にも、そ
の状態での高さ情報を検知し、描画を行つてしま
う。また、1枚のセラミツク基板12上に複数の
同一パターンがあるような基板について、そのう
ちの1つ乃至数箇がパターン抜けやパターンかす
れといつた問題を起こすことがあるが、その場合
もそのパターンについて描画を行つてしまう。つ
まり、以上のように結果的に使用不能となる基板
もしくは基板上の1部のパターンについて、時間
と高価な厚膜塗料を無駄にすることになるという
問題があつた。
回路形成方法では、実際にあるパターンを検知す
るため、例えばセラミツク基板12のセツト方向
を90°もしくは180°間違えてセツトした場合や、
表裏間違えてセツトした場合、さらに基準位置に
正しくセツトされずにズレている場合等にも、そ
の状態での高さ情報を検知し、描画を行つてしま
う。また、1枚のセラミツク基板12上に複数の
同一パターンがあるような基板について、そのう
ちの1つ乃至数箇がパターン抜けやパターンかす
れといつた問題を起こすことがあるが、その場合
もそのパターンについて描画を行つてしまう。つ
まり、以上のように結果的に使用不能となる基板
もしくは基板上の1部のパターンについて、時間
と高価な厚膜塗料を無駄にすることになるという
問題があつた。
問題点を解決するための手段
本発明は、上記問題点を解決するために、混成
回路を製造するために用いられる厚膜回路用塗料
を吐出するノズルと、該ノズルを上下方向に駆動
する機構と、厚膜回路用塗料を塗布される基板を
XY方向に駆動する機構と、該基板の表面の凹凸
状態を検知する高さセンサとを有する厚膜回路形
成装置において、前記高さセンサにより既に描画
されたパターンの高さ若しくは厚みの基準位置デ
ータを予め読み書きメモリRAMに格納してお
き、上記高さセンサで上記基板の高さ測定したデ
ータを上記RAM上の基準位置データと比較を行
い、上記比較の結果、基準位置データと測定した
データとの間に違いがあつた場合はエラー表示を
行い、その後上記基板の上記エラーの表示を上記
高さセンサで走査して検出した場合は次の基板へ
ジヤンプすることを特徴とする。
回路を製造するために用いられる厚膜回路用塗料
を吐出するノズルと、該ノズルを上下方向に駆動
する機構と、厚膜回路用塗料を塗布される基板を
XY方向に駆動する機構と、該基板の表面の凹凸
状態を検知する高さセンサとを有する厚膜回路形
成装置において、前記高さセンサにより既に描画
されたパターンの高さ若しくは厚みの基準位置デ
ータを予め読み書きメモリRAMに格納してお
き、上記高さセンサで上記基板の高さ測定したデ
ータを上記RAM上の基準位置データと比較を行
い、上記比較の結果、基準位置データと測定した
データとの間に違いがあつた場合はエラー表示を
行い、その後上記基板の上記エラーの表示を上記
高さセンサで走査して検出した場合は次の基板へ
ジヤンプすることを特徴とする。
作 用
本発明によれば、既に描画されたパターンの基
準位置データを読み書きメモリRAM上に格納し
ておき、実際に高さ測定器で測定したデータと比
較演算することにより、基板の装着ミスや、基板
の不良の検出が可能となり、不良基板の低減、厚
膜塗料の節約、製造時間の短縮等をはかることが
できる。
準位置データを読み書きメモリRAM上に格納し
ておき、実際に高さ測定器で測定したデータと比
較演算することにより、基板の装着ミスや、基板
の不良の検出が可能となり、不良基板の低減、厚
膜塗料の節約、製造時間の短縮等をはかることが
できる。
実施例
第1図は、本発明の実施例の厚膜回路形成にお
ける回路不良検出方法を説明するための図で、1
2はセラミツク基板、14はテーブル装置(以下
テーブルという)であり、これらの構成は上記第
6図の従来例のものと同じであるので説明は省略
するが、本実施例では、実際にはテーブル14上
に一点鎖線(基準位置)19に示したようにセラ
ミツク基板12を装着しなければならないのに対
して、実線のパターン20に示したようにセラミ
ツク基板12を間違つてテーブル14に装着した
場合にそれを検出しようとするものである。
ける回路不良検出方法を説明するための図で、1
2はセラミツク基板、14はテーブル装置(以下
テーブルという)であり、これらの構成は上記第
6図の従来例のものと同じであるので説明は省略
するが、本実施例では、実際にはテーブル14上
に一点鎖線(基準位置)19に示したようにセラ
ミツク基板12を装着しなければならないのに対
して、実線のパターン20に示したようにセラミ
ツク基板12を間違つてテーブル14に装着した
場合にそれを検出しようとするものである。
第2図は、上記回路不良検出方法を実施するた
めのフローチヤートで、まず第6図及び第7図に
示した装置がスタートすると、初期設定が行わ
れ、テーブル14は予め決められた位置で移動す
る(ステツプ1)。次に、操作者によつて第7図
のホストコンピユータ17より、既に基板12上
に描画されたパターン20の基準位置19が高さ
センサ16により測定され、その情報データに希
望する厚みを考慮して作成した高さ若しくは厚み
の基準位置データとして読み書きメモリRAM1
8内に入力される(ステツプ2)。また、第3図
に示したように、テーブル14に装着された1枚
のセラミツク基板12上に複数の同一パターン2
1a,21b,…があるような基板については、
まず既に基板12上に描画された同一のパターン
の基準位置の基準位置データが読み書きメモリ
RAM18内に入力される。次に、これから描画
しようとするパターン21aの始点22に高さ検
出器16の検出端がくるようにテーブル14を
XY方向に移動する(ステツプ3)。ここで、始
点の高さデータを高さ検出器16より入力し(ス
テツプ4)、その位置にすでに描かれたパターン
があるかどうか、読み書きメモリRAMよりデー
タ入力を行なう(ステツプ5)。この高さデータ
が既にライン上にあるものかどうかを読み書きメ
モリRAM18上のデータで判定した後(ステツ
プ6)、これから描画しようとするパターンに沿
つて、次の高さデータ測定点へ高さ検出器16が
くるようにテーブル14をXY方向に移動する
(ステツプ7a,7b)。ここで、新たに高さデータ
を中央処理装置CPU17に入力し(ステツプ8a,
8b)、また入力された高さデータが前回の高さデ
ータに比べて差があるかどうかを判定する(ステ
ツプ9a、ステツプ9b)。この差とは、セラミツク
基板12の反りによつて生じる差より明らかに大
きいものを示すことは言うまでもない。次に、そ
の点における既に描かれたパターンの有無を読み
書きメモリRAM18上のデータより読み出し
(ステツプ10a〜10d)、その差の有無が既に描か
れたパターンの状態に対して正しいかどうか判断
し(11a〜11d)、正しければ、この高さデータを
読み書きメモリRAM18に格納する(ステツプ
12)。まだ高さ測定すべきポイントがあれば、ス
テツプ6からステツプ12を繰り返し(ステツプ
13)、終了すれば、読み書きメモリRAM18の
高さ情報に基づいてノズル10を上下動させなが
ら厚膜塗料で描画を行なう(ステツプ14)。未だ
他に描画すべきパターンがある場合には、ステツ
プ3からステツプ14を繰り返し(ステツプ15)。
無ければ、同一基板上に他のパターン、即ち第3
図におけるパターン21b,…があるかどうかを
調べ、ある場合には、ステツプ2からステツプ15
を繰り返す(ステツプ16)。無ければ、一連の動
作を終了する。
めのフローチヤートで、まず第6図及び第7図に
示した装置がスタートすると、初期設定が行わ
れ、テーブル14は予め決められた位置で移動す
る(ステツプ1)。次に、操作者によつて第7図
のホストコンピユータ17より、既に基板12上
に描画されたパターン20の基準位置19が高さ
センサ16により測定され、その情報データに希
望する厚みを考慮して作成した高さ若しくは厚み
の基準位置データとして読み書きメモリRAM1
8内に入力される(ステツプ2)。また、第3図
に示したように、テーブル14に装着された1枚
のセラミツク基板12上に複数の同一パターン2
1a,21b,…があるような基板については、
まず既に基板12上に描画された同一のパターン
の基準位置の基準位置データが読み書きメモリ
RAM18内に入力される。次に、これから描画
しようとするパターン21aの始点22に高さ検
出器16の検出端がくるようにテーブル14を
XY方向に移動する(ステツプ3)。ここで、始
点の高さデータを高さ検出器16より入力し(ス
テツプ4)、その位置にすでに描かれたパターン
があるかどうか、読み書きメモリRAMよりデー
タ入力を行なう(ステツプ5)。この高さデータ
が既にライン上にあるものかどうかを読み書きメ
モリRAM18上のデータで判定した後(ステツ
プ6)、これから描画しようとするパターンに沿
つて、次の高さデータ測定点へ高さ検出器16が
くるようにテーブル14をXY方向に移動する
(ステツプ7a,7b)。ここで、新たに高さデータ
を中央処理装置CPU17に入力し(ステツプ8a,
8b)、また入力された高さデータが前回の高さデ
ータに比べて差があるかどうかを判定する(ステ
ツプ9a、ステツプ9b)。この差とは、セラミツク
基板12の反りによつて生じる差より明らかに大
きいものを示すことは言うまでもない。次に、そ
の点における既に描かれたパターンの有無を読み
書きメモリRAM18上のデータより読み出し
(ステツプ10a〜10d)、その差の有無が既に描か
れたパターンの状態に対して正しいかどうか判断
し(11a〜11d)、正しければ、この高さデータを
読み書きメモリRAM18に格納する(ステツプ
12)。まだ高さ測定すべきポイントがあれば、ス
テツプ6からステツプ12を繰り返し(ステツプ
13)、終了すれば、読み書きメモリRAM18の
高さ情報に基づいてノズル10を上下動させなが
ら厚膜塗料で描画を行なう(ステツプ14)。未だ
他に描画すべきパターンがある場合には、ステツ
プ3からステツプ14を繰り返し(ステツプ15)。
無ければ、同一基板上に他のパターン、即ち第3
図におけるパターン21b,…があるかどうかを
調べ、ある場合には、ステツプ2からステツプ15
を繰り返す(ステツプ16)。無ければ、一連の動
作を終了する。
また、ステツプ11a〜11dにおいて、高さデー
タの差のあり方が読み書きメモリRAM18上に
格納された、本来あるべき状態と異なつていた場
合は、操作者に対し、エラーメツセージ(ブザ
ー、LED等の表示手段)を発し、動作を終了す
る(ステツプ17)。
タの差のあり方が読み書きメモリRAM18上に
格納された、本来あるべき状態と異なつていた場
合は、操作者に対し、エラーメツセージ(ブザ
ー、LED等の表示手段)を発し、動作を終了す
る(ステツプ17)。
次に、第4図のフローチヤートについて説明す
る。このフローチヤートにおいて、ステツプ1〜
ステツプ16までは第2図のものと同じであるが、
第2図のステツプ17の代りに、第3図のセラミツ
ク基板12の点23a,23b,…に示すように
予め操作者によつて設定されたセラミツク基板1
2の各々のパターン21a,21b,…の不良を
示すマーカー位置(以下パターンエラーマーク)
へノズル10がくるようにテーブル14を駆動し
(ステツプ18)、同じく操作者によつて設定される
か、もしくは読み書きメモリRAM18上に格納
されたエラーマークを基板上にノズル10から厚
膜回路用塗料を吐出することによつて描画を行い
(ステツプ19)、そのパターン群(例えばパターン
21a)が不良であることを明示し、ステツプ16
へジヤンプする点が異なつている。
る。このフローチヤートにおいて、ステツプ1〜
ステツプ16までは第2図のものと同じであるが、
第2図のステツプ17の代りに、第3図のセラミツ
ク基板12の点23a,23b,…に示すように
予め操作者によつて設定されたセラミツク基板1
2の各々のパターン21a,21b,…の不良を
示すマーカー位置(以下パターンエラーマーク)
へノズル10がくるようにテーブル14を駆動し
(ステツプ18)、同じく操作者によつて設定される
か、もしくは読み書きメモリRAM18上に格納
されたエラーマークを基板上にノズル10から厚
膜回路用塗料を吐出することによつて描画を行い
(ステツプ19)、そのパターン群(例えばパターン
21a)が不良であることを明示し、ステツプ16
へジヤンプする点が異なつている。
第5図に示すフローチヤートは、第4図のフロ
ーチヤートに対してさらにステツプ2とステツプ
3の間に、まずパターンエラーマークのあるべき
位置(例えば第3図の点23a,23b,…)へ
高さ検出器16の検出端がくるようにテーブル1
4をXY方向に移動し(ステツプ20)、もしパタ
ーンエラーマークが高さ検出器16で認識できれ
ば、ステツプ16へジヤンプし、認識できなけれ
ば、ステツプ3へ進むようにしたものである。
ーチヤートに対してさらにステツプ2とステツプ
3の間に、まずパターンエラーマークのあるべき
位置(例えば第3図の点23a,23b,…)へ
高さ検出器16の検出端がくるようにテーブル1
4をXY方向に移動し(ステツプ20)、もしパタ
ーンエラーマークが高さ検出器16で認識できれ
ば、ステツプ16へジヤンプし、認識できなけれ
ば、ステツプ3へ進むようにしたものである。
このように、本実施例では、既に描画されたパ
ターンの基準位置データを読み書きメモリRAM
18上に格納しておき、実際に高さ測定器16で
測定したデータと比較演算することにより、セラ
ミツク基板12の装着ミスや、最初から不良品で
あるセラミツク基板の基板不良が検出可能にな
り、製品不良の低減、厚膜塗料の節約、製造時間
の短縮をはかることができる。
ターンの基準位置データを読み書きメモリRAM
18上に格納しておき、実際に高さ測定器16で
測定したデータと比較演算することにより、セラ
ミツク基板12の装着ミスや、最初から不良品で
あるセラミツク基板の基板不良が検出可能にな
り、製品不良の低減、厚膜塗料の節約、製造時間
の短縮をはかることができる。
発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明は、既
に描画されたパターンの基準位置データを読み書
きメモリRAM上に格納しておき、実際に高さ測
定器で測定したデータと比較演算することによ
り、基板の装着ミスや、もともとの基板不良の検
出が可能となり、不良基板の低減、厚膜塗料の節
約、製造時間の短縮等をはかることができるとい
う利点がある。
に描画されたパターンの基準位置データを読み書
きメモリRAM上に格納しておき、実際に高さ測
定器で測定したデータと比較演算することによ
り、基板の装着ミスや、もともとの基板不良の検
出が可能となり、不良基板の低減、厚膜塗料の節
約、製造時間の短縮等をはかることができるとい
う利点がある。
第1図は本発明の実施例の厚膜回路形成におけ
る回路不良検出方法を説明するための図、第2図
は厚膜回路形成における回路不良検出方法を実施
するためのフローチヤート、第3図は本発明の他
の実施例の厚膜回路形成における回路不良検出方
法を説明するための図、第4図は第3図の厚膜回
路形成における回路不良検出方法を実施するため
のフローチヤート、第5図は本発明のさらに他の
実施例の厚膜回路形成における回路不良検出方法
を説明するためのフローチヤート、第6図は従来
の厚膜回路形成装置の斜視図、第7図は第6図の
厚膜回路形成装置を制御する回路のブロツク図、
第8図は第6図及び第7図の装置を動作するフロ
チヤートである。 1……フレーム、2……支持部材、3……モー
タ、4……モータ保持部材、5……カツプリン
グ、6……ベアリング受け、7……ボールネジ、
8……ノズル保持部材、9……リニアスライド、
10……ノズル、11……ノズル端、12……セ
ラミツク基板、13……厚膜回路用塗料、14…
…テーブル装置、15……保持具、16……高さ
測定器、17……中央処理装置CPU、18……
読み書きメモリRAM、19……パターン(基準
位置)。
る回路不良検出方法を説明するための図、第2図
は厚膜回路形成における回路不良検出方法を実施
するためのフローチヤート、第3図は本発明の他
の実施例の厚膜回路形成における回路不良検出方
法を説明するための図、第4図は第3図の厚膜回
路形成における回路不良検出方法を実施するため
のフローチヤート、第5図は本発明のさらに他の
実施例の厚膜回路形成における回路不良検出方法
を説明するためのフローチヤート、第6図は従来
の厚膜回路形成装置の斜視図、第7図は第6図の
厚膜回路形成装置を制御する回路のブロツク図、
第8図は第6図及び第7図の装置を動作するフロ
チヤートである。 1……フレーム、2……支持部材、3……モー
タ、4……モータ保持部材、5……カツプリン
グ、6……ベアリング受け、7……ボールネジ、
8……ノズル保持部材、9……リニアスライド、
10……ノズル、11……ノズル端、12……セ
ラミツク基板、13……厚膜回路用塗料、14…
…テーブル装置、15……保持具、16……高さ
測定器、17……中央処理装置CPU、18……
読み書きメモリRAM、19……パターン(基準
位置)。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 混成回路を製造するために用いられる厚膜回
路用塗料を吐出するノズルと、該ノズルを上下方
向に駆動する機構と、厚膜回路用塗料を塗布され
る基板をXY方向に駆動する機構と、該基板の表
面の凹凸状態を検知する高さセンサとを有する厚
膜回路形成装置において、前記高さセンサにより
既に描画されたパターンの高さ若しくは厚みの基
準位置データを予め読み書きメモリRAMに格納
しておき、上記高さセンサで上記基板の高さ測定
をしたデータを上記RAM上の基準位置データと
比較を行い、上記比較の結果、基準位置データと
測定したデータとの間に違いがあつた場合はエラ
ー表示を行い、その後上記基板の上記エラーの表
示を上記高さセンサで走査して検出した場合は次
の基板へジヤンプすることを特徴とする厚膜回路
形成における回路不良検出方法。 2 上記比較の結果、基準位置データと測定した
データとの間に違いがあつた場合、上記基板の予
め設定された位置にエラーの表示を上記ノズルか
ら厚膜塗料を吐出して行うことを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載の厚膜回路形成における回
路不良検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61281542A JPS63133694A (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | 厚膜回路形成における回路不良検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61281542A JPS63133694A (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | 厚膜回路形成における回路不良検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63133694A JPS63133694A (ja) | 1988-06-06 |
| JPH0368552B2 true JPH0368552B2 (ja) | 1991-10-28 |
Family
ID=17640628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61281542A Granted JPS63133694A (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | 厚膜回路形成における回路不良検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63133694A (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5969991A (ja) * | 1982-10-15 | 1984-04-20 | 松下電器産業株式会社 | 電子回路板の製造方法 |
| JPS59111387A (ja) * | 1982-12-16 | 1984-06-27 | 松下電器産業株式会社 | 厚膜回路パタ−ンの形成方法 |
| JPS59192945A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-11-01 | Hitachi Ltd | 配線パターン欠陥検出方法及びその装置 |
-
1986
- 1986-11-26 JP JP61281542A patent/JPS63133694A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63133694A (ja) | 1988-06-06 |
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