JPH036526A - 強誘電性液晶ディスプレイ - Google Patents
強誘電性液晶ディスプレイInfo
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- JPH036526A JPH036526A JP1141676A JP14167689A JPH036526A JP H036526 A JPH036526 A JP H036526A JP 1141676 A JP1141676 A JP 1141676A JP 14167689 A JP14167689 A JP 14167689A JP H036526 A JPH036526 A JP H036526A
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
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- G02F2203/30—Gray scale
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明ζよ 強誘電性液晶ディスプレイの階調表示に関
するものであも 従来の技術 強誘電性液晶を用いたＳ Ｓ Ｆ Ｌ Ｃｆ＆ 高速
応苔虫 双安定性を特徴としていることか技 大画面デ
ィスプレイとして期待されている。しかし双安定性であ
るために 中間的な状態の制御が難しく、画像表示など
の階調表示の必要なディスプレイには使用困難であると
されてき丸 しかし 多階調を実現するための方法とし
て、駆動波形による階調表示法 画素分割による階調表
示法などが提案されている。
するものであも 従来の技術 強誘電性液晶を用いたＳ Ｓ Ｆ Ｌ Ｃｆ＆ 高速
応苔虫 双安定性を特徴としていることか技 大画面デ
ィスプレイとして期待されている。しかし双安定性であ
るために 中間的な状態の制御が難しく、画像表示など
の階調表示の必要なディスプレイには使用困難であると
されてき丸 しかし 多階調を実現するための方法とし
て、駆動波形による階調表示法 画素分割による階調表
示法などが提案されている。
駆動波形による階調表示（上 各フレームを数個ノサフ
フレームに分割り、１フレーム内で、画素のデユーティ
−比を変化させ駆動するものである。
フレームに分割り、１フレーム内で、画素のデユーティ
−比を変化させ駆動するものである。
このた八 高速応答の液晶材料を必要とするうえ駆動系
が複雑なものになるという欠点を持つ。
が複雑なものになるという欠点を持つ。
画素分割による階調表示（友 各画素をさらに細分化し
階調を得るものである。しかし 多階調を得るために
（友 高精細のパターンニング技術が必要となり、回路
的にも複雑なものとなる。
階調を得るものである。しかし 多階調を得るために
（友 高精細のパターンニング技術が必要となり、回路
的にも複雑なものとなる。
発明が解決しようとする課題
以上の方法で（′！、駆動が複雑であるバ それ以外の
階調表示方法として、強誘電性液晶のしきい値を利用す
る方法も考えられていも 本来 強誘電性液晶のしきい
値は急峻であり、印加電圧を非常に高い精度で分割する
必要があも この急峻なしきい値を、たとえ（二 基板
あるいはＩＴＯ電極に段差をつ１す、画素内での液晶層
の厚みに段差をつけることにより、液晶層にかかる電界
強度をこの段差で変化させ、実効的に異なるしきい値電
圧で駆動させる方法もあも しかし 基板やＩＴＯ電極
に段差を作成する必要があり、高度な加工技術を要すも
また 多階調を得るために（友 かなりの厚さの段差
が必要て そのため液晶層の厚さｄが段差のある部分と
ない部分で大きく異なもそのた八 Δｎ−ｄが大きく変
わり、電界ＯＦＦ時でも段差のある部分とない部分で透
過率が異なり、コントラストが充分得られな（〜 それ以外の方法として、分極反転を用いて階調を得る方
法を提案できる。これは 各画素内での分極反転の発生
成長を印加パルスの電圧高さ、幅で制御するものであ
る力丈 各画素内に均一に分極反転を発生させることが
困難であも 本発明（よ このような問題点を解決するもので、その
目的（よ しきい特性が急峻な強誘電性液晶を用いても
容易に階調表示が可能て かっ良好な配向が得られる強
誘電性液晶素子を提供することにあａ 課題を解決するための手段 本発明の強誘電性液晶ディスプレイ（戴 各画素内で強
誘電性液晶が少なくとも２種以上のプレチルト角を示す
ことを特徴とする。
階調表示方法として、強誘電性液晶のしきい値を利用す
る方法も考えられていも 本来 強誘電性液晶のしきい
値は急峻であり、印加電圧を非常に高い精度で分割する
必要があも この急峻なしきい値を、たとえ（二 基板
あるいはＩＴＯ電極に段差をつ１す、画素内での液晶層
の厚みに段差をつけることにより、液晶層にかかる電界
強度をこの段差で変化させ、実効的に異なるしきい値電
圧で駆動させる方法もあも しかし 基板やＩＴＯ電極
に段差を作成する必要があり、高度な加工技術を要すも
また 多階調を得るために（友 かなりの厚さの段差
が必要て そのため液晶層の厚さｄが段差のある部分と
ない部分で大きく異なもそのた八 Δｎ−ｄが大きく変
わり、電界ＯＦＦ時でも段差のある部分とない部分で透
過率が異なり、コントラストが充分得られな（〜 それ以外の方法として、分極反転を用いて階調を得る方
法を提案できる。これは 各画素内での分極反転の発生
成長を印加パルスの電圧高さ、幅で制御するものであ
る力丈 各画素内に均一に分極反転を発生させることが
困難であも 本発明（よ このような問題点を解決するもので、その
目的（よ しきい特性が急峻な強誘電性液晶を用いても
容易に階調表示が可能て かっ良好な配向が得られる強
誘電性液晶素子を提供することにあａ 課題を解決するための手段 本発明の強誘電性液晶ディスプレイ（戴 各画素内で強
誘電性液晶が少なくとも２種以上のプレチルト角を示す
ことを特徴とする。
作 用
本発明が従来のものと異なる点（友 画素内で強誘電性
液晶が異なるプレチルト角を示すた八 容易に階調表示
が可能なことであａ 第１図に本発明における強誘電性
液晶分子Ｐと自発分極Ｑ、電界方向Ｒとの関係を示す。
液晶が異なるプレチルト角を示すた八 容易に階調表示
が可能なことであａ 第１図に本発明における強誘電性
液晶分子Ｐと自発分極Ｑ、電界方向Ｒとの関係を示す。
強誘電性液晶が基板に対して平行配向（θ＝ Ｏ）、
しているときに（戴 自発分極Ｑは電界と平行方向を向
いていバ プレチルト角がθの角度傾いていると、自発
分極Ｑは電界方向Ｒから角度θずれ 電界方向Ｒの大き
さはＰＳ°ＣＯ３θとなも たとえば 強誘電性液晶がある２領域で異なるプレチル
ト角を示し 基板に対して角度θ１．θ２（θ１〈θ２
）だけ傾いているとすると、自発分極（Ｐｓ）の電界方
向の大きさ（上 それぞｈＰｓ・ｃｏｓθ＋、ｐｓ−ｃ
Ｏ３θ２となも そのた八それぞれの領域でのしきい（
＆ ｖｔｈ（θＩ）、 Ｖｔｈ（θ２）が異なり、
Ｖ ＜ Ｖ ｔｈ（θ１）のときは２領域とも反転せｆ
、 Ｖｔｈ（θ＋）＜Ｖ＜Ｖｔｈ（θ＊）（７）ト＆
にＬプレチルト角が０１の領域のみ反転り、 Ｖ＞Ｖ
ｔｈ（θ２）のときζよ ２領域とも反転し 階調表示
が可能となａ つまり、 ２領域でプレチルト角が異な
るためへ それぞれの領域でしきい値が異なり、３階調
表示が可能であａ また プレチルト角の異なる領域を
ｎ種類作成すれ１区 それぞれの領域でしきい値も異な
り、 （ｎ＋１）通りの階調表示が可能であも また 分極反転を利用する方法として、次のようなもの
があも 大部分の領域で強誘電性液晶がプレチルト角θ
■、一部分だけθ１（θ１くθ１）傾いているとすａ
このとき、自発分極（Ｐｓ）の電界方向の大きさはそれ
ぞｔｌ、Ｐｓ・ｃＯ８θ２゜Ｐｓ−ｃＯ８θ１となり、
それぞれの領域でのしきい値Ｖ ｔｈ（θ２）とＶ ｔ
ｈ（θＩ）の聞くＶｔｈ（θ＋）＜Ｖｔｈ（θａ） が成立すも そのたべ 電圧を印加したときには分極反
転が常にプレチルト角が０１となる領域から発生するこ
とになａ また この分極反転の大きさ（よ 印加する
電圧の電圧高木 幅によって制御することができ、階調
を得ることができもしきい値が異なるため階調が得られ
るの力＼ あるいは分極反転のため階調が得られるのが
１友 画素内でのプレチルト角の異なる領域の比による
ものと考えられる。例えば ２種類の領域が画素内に存
在すると、その面積比がほぼ半分ずつの場合には しき
い値が異なりそれぞれの面積があるしきい値ｖｔｈで反
転する。厳密にζよ それぞれの領域でのプレチルト角
の差Δθ （θ２−θ１）によっても変わってくる。
２種類の領域のうち一方が大部分の面積を占へ 片方が
極小さな面積 例えばその面積比が９５： ５． ９
９： １などのときに（友小さい方の面積から核つま
り分極反転が発生すもこのとき、応答速度τ（友 τ＝η／ Ｐ ｓ ｃ ｏ ｓθ８Ｅ となり、応答速度は遅くなる（θ１＝０°、 θ２＝４
５°として応答速度は２倍になる）力交 充分応答する
だけのパルスを印加すれば問題はなｔ〜また従来（よ
基板、 ＩＴＯなどに段差をつけるた取 △ｎ−ｄが大
きく変わり、コントラストが低下した力丈 本発明によ
れば段差はほとんどないため液晶層の厚みはほぼ均一で
、強誘電性液晶の傾き角のみを変化させるためコントラ
ストが小さくなることはな（〜 本発明では各画素内に強誘電性液晶のプレチルト角の異
なる領域を作成することで、強誘電性液晶の実効的な自
発分極の大きさが変わり、その結果 領域間でしきい値
が異なったり、またある特定の場所から分極反転を発生
させることて 容易に階調表示が可能であも また 本発明では 階調信号を印加するに先立って、画
素を明状態か暗状態のうち何れか一方の状態にする消去
パルスを経てかべ その状態を反転させる反転パルス電
圧が階調に応じて制御されて強誘電性液晶に印加される
ようにしておくことが必要である。
しているときに（戴 自発分極Ｑは電界と平行方向を向
いていバ プレチルト角がθの角度傾いていると、自発
分極Ｑは電界方向Ｒから角度θずれ 電界方向Ｒの大き
さはＰＳ°ＣＯ３θとなも たとえば 強誘電性液晶がある２領域で異なるプレチル
ト角を示し 基板に対して角度θ１．θ２（θ１〈θ２
）だけ傾いているとすると、自発分極（Ｐｓ）の電界方
向の大きさ（上 それぞｈＰｓ・ｃｏｓθ＋、ｐｓ−ｃ
Ｏ３θ２となも そのた八それぞれの領域でのしきい（
＆ ｖｔｈ（θＩ）、 Ｖｔｈ（θ２）が異なり、
Ｖ ＜ Ｖ ｔｈ（θ１）のときは２領域とも反転せｆ
、 Ｖｔｈ（θ＋）＜Ｖ＜Ｖｔｈ（θ＊）（７）ト＆
にＬプレチルト角が０１の領域のみ反転り、 Ｖ＞Ｖ
ｔｈ（θ２）のときζよ ２領域とも反転し 階調表示
が可能となａ つまり、 ２領域でプレチルト角が異な
るためへ それぞれの領域でしきい値が異なり、３階調
表示が可能であａ また プレチルト角の異なる領域を
ｎ種類作成すれ１区 それぞれの領域でしきい値も異な
り、 （ｎ＋１）通りの階調表示が可能であも また 分極反転を利用する方法として、次のようなもの
があも 大部分の領域で強誘電性液晶がプレチルト角θ
■、一部分だけθ１（θ１くθ１）傾いているとすａ
このとき、自発分極（Ｐｓ）の電界方向の大きさはそれ
ぞｔｌ、Ｐｓ・ｃＯ８θ２゜Ｐｓ−ｃＯ８θ１となり、
それぞれの領域でのしきい値Ｖ ｔｈ（θ２）とＶ ｔ
ｈ（θＩ）の聞くＶｔｈ（θ＋）＜Ｖｔｈ（θａ） が成立すも そのたべ 電圧を印加したときには分極反
転が常にプレチルト角が０１となる領域から発生するこ
とになａ また この分極反転の大きさ（よ 印加する
電圧の電圧高木 幅によって制御することができ、階調
を得ることができもしきい値が異なるため階調が得られ
るの力＼ あるいは分極反転のため階調が得られるのが
１友 画素内でのプレチルト角の異なる領域の比による
ものと考えられる。例えば ２種類の領域が画素内に存
在すると、その面積比がほぼ半分ずつの場合には しき
い値が異なりそれぞれの面積があるしきい値ｖｔｈで反
転する。厳密にζよ それぞれの領域でのプレチルト角
の差Δθ （θ２−θ１）によっても変わってくる。
２種類の領域のうち一方が大部分の面積を占へ 片方が
極小さな面積 例えばその面積比が９５： ５． ９
９： １などのときに（友小さい方の面積から核つま
り分極反転が発生すもこのとき、応答速度τ（友 τ＝η／ Ｐ ｓ ｃ ｏ ｓθ８Ｅ となり、応答速度は遅くなる（θ１＝０°、 θ２＝４
５°として応答速度は２倍になる）力交 充分応答する
だけのパルスを印加すれば問題はなｔ〜また従来（よ
基板、 ＩＴＯなどに段差をつけるた取 △ｎ−ｄが大
きく変わり、コントラストが低下した力丈 本発明によ
れば段差はほとんどないため液晶層の厚みはほぼ均一で
、強誘電性液晶の傾き角のみを変化させるためコントラ
ストが小さくなることはな（〜 本発明では各画素内に強誘電性液晶のプレチルト角の異
なる領域を作成することで、強誘電性液晶の実効的な自
発分極の大きさが変わり、その結果 領域間でしきい値
が異なったり、またある特定の場所から分極反転を発生
させることて 容易に階調表示が可能であも また 本発明では 階調信号を印加するに先立って、画
素を明状態か暗状態のうち何れか一方の状態にする消去
パルスを経てかべ その状態を反転させる反転パルス電
圧が階調に応じて制御されて強誘電性液晶に印加される
ようにしておくことが必要である。
さらに本発明において分極反転を発生させるために（戴
液晶層が折れ曲がったシェブロン構造による内部回位
モードをとるほう戟 単一方向に傾いた層構造による協
力的反転モードよりｋ 好ましく− 実 施 例 本発明において（戴 強誘電性液晶のしきい気分極反転
を、異なるプレチルト角により得るものである力（どの
様な手段を用いて異なるプレチルト角を得るかについて
は限定されるものではなしも各画素内で強誘電性液晶が
異なるプレチルト角を示す様にするために（よ 例え（
瓜 表面分子構逃あるいは形状の異なる配向膜を設ける
ことによって得られる。
液晶層が折れ曲がったシェブロン構造による内部回位
モードをとるほう戟 単一方向に傾いた層構造による協
力的反転モードよりｋ 好ましく− 実 施 例 本発明において（戴 強誘電性液晶のしきい気分極反転
を、異なるプレチルト角により得るものである力（どの
様な手段を用いて異なるプレチルト角を得るかについて
は限定されるものではなしも各画素内で強誘電性液晶が
異なるプレチルト角を示す様にするために（よ 例え（
瓜 表面分子構逃あるいは形状の異なる配向膜を設ける
ことによって得られる。
本実施例においては 各画素に２種類の配向膜を、ある
いは４種類の配向膜を作成した力丈 本発明はこれらの
方法に限定するものではな（〜（実施例１） 本発明の強誘電性液晶ディスプレイにおけるセル構造及
びその製造方法について詳細に説明すも第２図（よ 実
施例１における強誘電性液晶素子の断面図である。
いは４種類の配向膜を作成した力丈 本発明はこれらの
方法に限定するものではな（〜（実施例１） 本発明の強誘電性液晶ディスプレイにおけるセル構造及
びその製造方法について詳細に説明すも第２図（よ 実
施例１における強誘電性液晶素子の断面図である。
ガラス基板ｌ、 １０上にＩＴＯ電極２、９を作成すも
このＩＴＯ電極２、９（友 ２枚の基板を組み合わせ
たときに各画素の大きさが５００μｍｘ５００μ気画素
間が１００μｍとなるように作成し九 このＩＴＯ電極２．９の付いた基板１、１０上番ヘ
第１配向膜３，４として、プレチルト角がほぼＯ″を示
す、ポリビニルアルコール（ＰＶんクラレボバール１１
７）を乾燥後の膜厚が５０ＯＡとなるように製膜よ 一
方向にラビング処理し九次に一方の配向処理した基板の
ＩＴＯ電極２．９の一部ζζ 第２配向膜５として、プ
レチルト角がほぼ１５°を示すよう？Ｑ Ｓ ｔ Ｏ
を基板法線より８５°の方向から膜厚が３０ＯＡ、蒸着
の面積が２５０μｍＸ ５００μｍになるように蒸着し
九このとき、液晶層の厚み（′！Ｓ 第２配向膜５のあ
る部分、ない部分で変化する力丈 セル厚２μｍに対し
て、０．０３μｍ程度で、コントラスト低下の原因とは
ならない。
このＩＴＯ電極２、９（友 ２枚の基板を組み合わせ
たときに各画素の大きさが５００μｍｘ５００μ気画素
間が１００μｍとなるように作成し九 このＩＴＯ電極２．９の付いた基板１、１０上番ヘ
第１配向膜３，４として、プレチルト角がほぼＯ″を示
す、ポリビニルアルコール（ＰＶんクラレボバール１１
７）を乾燥後の膜厚が５０ＯＡとなるように製膜よ 一
方向にラビング処理し九次に一方の配向処理した基板の
ＩＴＯ電極２．９の一部ζζ 第２配向膜５として、プ
レチルト角がほぼ１５°を示すよう？Ｑ Ｓ ｔ Ｏ
を基板法線より８５°の方向から膜厚が３０ＯＡ、蒸着
の面積が２５０μｍＸ ５００μｍになるように蒸着し
九このとき、液晶層の厚み（′！Ｓ 第２配向膜５のあ
る部分、ない部分で変化する力丈 セル厚２μｍに対し
て、０．０３μｍ程度で、コントラスト低下の原因とは
ならない。
その後、ＰＶＡのラビングした方向が互いに逆平行にな
るようヘ ビーズスペーサ６（２μｍ）ヲ介して貼合わ
せ、注入口以外の部分をシール樹脂７でシールし九 次
に液晶８として、チッソ石油化学社製の強誘電性液晶Ｃ
８−１０１４を素子内に減圧下、コレステリック相温度
領域で注入した後、室温まで徐冷しく −０，５℃／分
）、注入口を封止しへ この強誘電性液晶セルを偏光顕微鏡下で、観察したとこ
ろ均一な配向が得られていることが分かつ丸 まな こ
のセルにパルス電圧を印加したときの透過率の変化を第
４図に示机 印加パルスの電圧高 及び位相を変えて測
定を行なつ九 パルス電圧の電圧高 位相により透過率
が変化し 異なる３つの状態が保持され それぞれ３つ
の状態でメモリ性が得られ九 （実施例２） ガラス基板上にＩＴ○電極を作成する。この■Ｔｏ電極
（よ ２枚の基板を組み合わせたときに各画素の大きさ
が５００μｍｘ ５００μｍ画素間が１００μｍとなる
ように作成しな このＩＴＯ電極の付いた基板上く 第１配向膜として、
プレチルト角がほぼ０°を示す、ポリビニルアルコール
（ＰＶん クラレボバール１１７）を乾燥後の膜厚が５
０ＯＡとなるように製膜し 一方向にラビング処理し九
次に一方の配向処理した基板のＩＴＯ電極の一部鳳
第２配向膜として、プレチルト角がほぼ１５°を示すよ
う！、ＳｉＯを基板法線より８５°の方向から膜厚が３
０ＯＡ、蒸着の面積が４９０μｍＸ ５００μのになる
ように蒸着した このとき、液晶層の厚み（友 第２配
向膜によって変化するバ セル厚２μｍに対して、０゜
０３μ田程度て コントラスト低下の原因とはならなｔ
、Ｘ。
るようヘ ビーズスペーサ６（２μｍ）ヲ介して貼合わ
せ、注入口以外の部分をシール樹脂７でシールし九 次
に液晶８として、チッソ石油化学社製の強誘電性液晶Ｃ
８−１０１４を素子内に減圧下、コレステリック相温度
領域で注入した後、室温まで徐冷しく −０，５℃／分
）、注入口を封止しへ この強誘電性液晶セルを偏光顕微鏡下で、観察したとこ
ろ均一な配向が得られていることが分かつ丸 まな こ
のセルにパルス電圧を印加したときの透過率の変化を第
４図に示机 印加パルスの電圧高 及び位相を変えて測
定を行なつ九 パルス電圧の電圧高 位相により透過率
が変化し 異なる３つの状態が保持され それぞれ３つ
の状態でメモリ性が得られ九 （実施例２） ガラス基板上にＩＴ○電極を作成する。この■Ｔｏ電極
（よ ２枚の基板を組み合わせたときに各画素の大きさ
が５００μｍｘ ５００μｍ画素間が１００μｍとなる
ように作成しな このＩＴＯ電極の付いた基板上く 第１配向膜として、
プレチルト角がほぼ０°を示す、ポリビニルアルコール
（ＰＶん クラレボバール１１７）を乾燥後の膜厚が５
０ＯＡとなるように製膜し 一方向にラビング処理し九
次に一方の配向処理した基板のＩＴＯ電極の一部鳳
第２配向膜として、プレチルト角がほぼ１５°を示すよ
う！、ＳｉＯを基板法線より８５°の方向から膜厚が３
０ＯＡ、蒸着の面積が４９０μｍＸ ５００μのになる
ように蒸着した このとき、液晶層の厚み（友 第２配
向膜によって変化するバ セル厚２μｍに対して、０゜
０３μ田程度て コントラスト低下の原因とはならなｔ
、Ｘ。
その後、ＰＶＡのラビングした方向が互いに平行になる
ようく ビーズスペーサ（２μｍ）を介して貼合わせ、
注入口以外の部分をシール樹脂でシールし九 次にチッ
ソ石油化学社製の強誘電性液晶Ｃ３−１０１４を素子内
に減圧下、コレステリック相温度領域で注入した後、室
温まで徐冷しく一〇、５℃／分）、注入口を封止した この強誘電性液晶セルを偏光顕微鏡下で、観察したとこ
ろ均一な配向が得られていることが分かつ九 また こ
のセルにパルス電圧を印加したとこへ 分極反転が常に
第２配向膜のない部分、つまりＰＶＡ配向膜上から発生
していることをＶＩＡ Ｗし九 このセルに印加パルスの電圧高幡 及び位相を変えて
測定したとこへ 分極反転の大きさが電圧高木 幅によ
って異なり、階調が得られ九（実施例３） ガラス基板１５上にＩＴ○電極１６を作成すもこのＩＴ
Ｏ電極電極１６ｇ枚２基板を組み合わせたときに各画素
の大きさが５００μｍＸ ５００μｍ画素間が１００μ
ｍとなるように作成し九このＩＴＯ電極１６の付いた基
板１５上置 第１配向膜として、 ＰＶＡ （クラレボ
バール１１７）膜部１４を乾燥後の膜厚が５０ＯＡとな
るように製膜し九 次に一方の基板のＰＶＡ膜１膜上４上第２配向膜として
、アルキル鎖長の異なる３種類のアルキルシランの吸着
膜を次に示すような方法で作成し丸 まｆ、ＰＶＡ膜部
１４上にポジタイプのレジスト（ＡＺ１３５０Ｊ−５Ｆ
、 コダック社製）を作成した 各ＩＴＯ電極１６の
４分の１の部分のみ光照射し その部分をアルカリ液で
洗浄しレジストを除去し九 次く この基板を乾燥窒素
中スヘキシルトリクロロシランの５０ｍＭ四塩化炭素溶
液にデイツプした後（５分）、クロロホルムでリンスし
ＰＶＡ表面にヘキシルシランの吸着膜を作成し旭 光照
射しなかった部分のレジストを一旦除去した抵 同様の
操作を２回繰り返しへ ２回目（よ ブチルトリクロロ
シランを、 ３回目はエチルトリクロロシランを用いて
それぞれ各画素の４分の１の部分に吸着膜を作成し九
従って、第２配向膜の処理部分は第３図に示すように４
つの異なる領域になる（ヘキシルシラン膜部１１．
ブチルシラン膜部１２、エチルシラン膜部１３及び、Ｐ
ＶＡ膜部１４）。その抵 第１．２配向膜をラビングし
九 それぞれＰＶＡ膜上に吸着したアルキルシラン膜上
における液晶のプレチルト角（友へキシルシラン膜：１
５’ ブチルシラン膜： １０° エチルシラン膜
： ６″であａ アルキルシラン膜ｉ＆ＰＶＡ膜上に吸
着しており、それらの膜厚（よ せいぜいＩＯＡである
た八 第２配向膜形成による液晶層の厚みへの影響はき
わめて少なＩｔ〜 次く 上下基板のラビングした方向が互いに逆平行にな
るよう鳳 ビーズスペーサ（２μｍ）を介して貼合わせ
、注入口以外の部分をシール樹脂でシールし九 チッソ
石油化学社製の強誘電性液晶ＣＳ−１０１４を素子内に
減圧下、コレステリック相温度領域で注入した後、室温
まで徐冷しく−０，５℃／分）、注入口を封止し九 この強誘電性液晶セルを偏光顕微鏡下で、観察したとこ
ろ均一な配向が得られていることが分かった また こ
のセルにパルス電圧を印加したときの透過率の変化を第
５図に示も 印加パルスの電圧高 及び位相を変えて測
定を行なり九 印加パルスの電圧高 位相により透過率
が変化し 異なる５つの状態が保持され それぞれ５つ
の状態でメモリ性が得られ九 比較例１ 実施例１と同様のＩＴＯ電極付きガラス基板を用１．Ｘ
、配向膜としてＰＶＡを乾燥後の膜厚が５０ＯＡとなる
ように製膜し 一方向にラビング処理し瓢箪２配向処理
は行わｆ、ＰＶＡのみを配向膜としラビングした方向が
互いに逆平行になるようにビーズスペーサ（２μｍ）を
介して貼合わせ、注入口以外の部分をシール樹脂でシー
ルし九 次にチッソ石油化学社製の強誘電性液晶Ｃ５−
１０１４を素子内に減圧下、コレステリック相温度領域
で注入した後、室温まで徐冷しく −０，５℃／分）、
注入口を封止した この強誘電性液晶セルを偏光顕微鏡下で、観察したとこ
ろ均一な配向が得られていた力（しきい値は急峻であり
、また分極反転がランダムに発生Ｌ ２階調しか得られ
なかっ九 発明の効果 本発明の強誘電性液晶ディスプレイで（友 各画素内で
強誘電性液晶が異なるプレチルト角を示す領域を作成す
ることで、領域間でしきい特性が異なム また 各画素内で強誘電性液晶が異なるプレチルト角を
示す領域を作成することで、分極反転を常に一定の場所
から発生させることができる。
ようく ビーズスペーサ（２μｍ）を介して貼合わせ、
注入口以外の部分をシール樹脂でシールし九 次にチッ
ソ石油化学社製の強誘電性液晶Ｃ３−１０１４を素子内
に減圧下、コレステリック相温度領域で注入した後、室
温まで徐冷しく一〇、５℃／分）、注入口を封止した この強誘電性液晶セルを偏光顕微鏡下で、観察したとこ
ろ均一な配向が得られていることが分かつ九 また こ
のセルにパルス電圧を印加したとこへ 分極反転が常に
第２配向膜のない部分、つまりＰＶＡ配向膜上から発生
していることをＶＩＡ Ｗし九 このセルに印加パルスの電圧高幡 及び位相を変えて
測定したとこへ 分極反転の大きさが電圧高木 幅によ
って異なり、階調が得られ九（実施例３） ガラス基板１５上にＩＴ○電極１６を作成すもこのＩＴ
Ｏ電極電極１６ｇ枚２基板を組み合わせたときに各画素
の大きさが５００μｍＸ ５００μｍ画素間が１００μ
ｍとなるように作成し九このＩＴＯ電極１６の付いた基
板１５上置 第１配向膜として、 ＰＶＡ （クラレボ
バール１１７）膜部１４を乾燥後の膜厚が５０ＯＡとな
るように製膜し九 次に一方の基板のＰＶＡ膜１膜上４上第２配向膜として
、アルキル鎖長の異なる３種類のアルキルシランの吸着
膜を次に示すような方法で作成し丸 まｆ、ＰＶＡ膜部
１４上にポジタイプのレジスト（ＡＺ１３５０Ｊ−５Ｆ
、 コダック社製）を作成した 各ＩＴＯ電極１６の
４分の１の部分のみ光照射し その部分をアルカリ液で
洗浄しレジストを除去し九 次く この基板を乾燥窒素
中スヘキシルトリクロロシランの５０ｍＭ四塩化炭素溶
液にデイツプした後（５分）、クロロホルムでリンスし
ＰＶＡ表面にヘキシルシランの吸着膜を作成し旭 光照
射しなかった部分のレジストを一旦除去した抵 同様の
操作を２回繰り返しへ ２回目（よ ブチルトリクロロ
シランを、 ３回目はエチルトリクロロシランを用いて
それぞれ各画素の４分の１の部分に吸着膜を作成し九
従って、第２配向膜の処理部分は第３図に示すように４
つの異なる領域になる（ヘキシルシラン膜部１１．
ブチルシラン膜部１２、エチルシラン膜部１３及び、Ｐ
ＶＡ膜部１４）。その抵 第１．２配向膜をラビングし
九 それぞれＰＶＡ膜上に吸着したアルキルシラン膜上
における液晶のプレチルト角（友へキシルシラン膜：１
５’ ブチルシラン膜： １０° エチルシラン膜
： ６″であａ アルキルシラン膜ｉ＆ＰＶＡ膜上に吸
着しており、それらの膜厚（よ せいぜいＩＯＡである
た八 第２配向膜形成による液晶層の厚みへの影響はき
わめて少なＩｔ〜 次く 上下基板のラビングした方向が互いに逆平行にな
るよう鳳 ビーズスペーサ（２μｍ）を介して貼合わせ
、注入口以外の部分をシール樹脂でシールし九 チッソ
石油化学社製の強誘電性液晶ＣＳ−１０１４を素子内に
減圧下、コレステリック相温度領域で注入した後、室温
まで徐冷しく−０，５℃／分）、注入口を封止し九 この強誘電性液晶セルを偏光顕微鏡下で、観察したとこ
ろ均一な配向が得られていることが分かった また こ
のセルにパルス電圧を印加したときの透過率の変化を第
５図に示も 印加パルスの電圧高 及び位相を変えて測
定を行なり九 印加パルスの電圧高 位相により透過率
が変化し 異なる５つの状態が保持され それぞれ５つ
の状態でメモリ性が得られ九 比較例１ 実施例１と同様のＩＴＯ電極付きガラス基板を用１．Ｘ
、配向膜としてＰＶＡを乾燥後の膜厚が５０ＯＡとなる
ように製膜し 一方向にラビング処理し瓢箪２配向処理
は行わｆ、ＰＶＡのみを配向膜としラビングした方向が
互いに逆平行になるようにビーズスペーサ（２μｍ）を
介して貼合わせ、注入口以外の部分をシール樹脂でシー
ルし九 次にチッソ石油化学社製の強誘電性液晶Ｃ５−
１０１４を素子内に減圧下、コレステリック相温度領域
で注入した後、室温まで徐冷しく −０，５℃／分）、
注入口を封止した この強誘電性液晶セルを偏光顕微鏡下で、観察したとこ
ろ均一な配向が得られていた力（しきい値は急峻であり
、また分極反転がランダムに発生Ｌ ２階調しか得られ
なかっ九 発明の効果 本発明の強誘電性液晶ディスプレイで（友 各画素内で
強誘電性液晶が異なるプレチルト角を示す領域を作成す
ることで、領域間でしきい特性が異なム また 各画素内で強誘電性液晶が異なるプレチルト角を
示す領域を作成することで、分極反転を常に一定の場所
から発生させることができる。
これによって、 しきい値が急峻な強誘電性液晶でＬ
容易に階調表示が可能である。
容易に階調表示が可能である。
第１図は本発明における強誘電性液晶分子と自発分極及
び電界方向との関係巨 第２図は本発明の一実施例にお
ける強誘電性液晶素子の断面医第３図は本発明の他の実
施例における第１、第２配向処理を行なう部分及びその
形状を示す断面医第４医 第５図は実施例１び実施例３
で行なった階調性測定用の印加パルス波形及び透過率の
変化を示す図である。
び電界方向との関係巨 第２図は本発明の一実施例にお
ける強誘電性液晶素子の断面医第３図は本発明の他の実
施例における第１、第２配向処理を行なう部分及びその
形状を示す断面医第４医 第５図は実施例１び実施例３
で行なった階調性測定用の印加パルス波形及び透過率の
変化を示す図である。
Claims (4)
- （１）各画素内で強誘電性液晶が少なくとも２種以上の
プレチルト角を示すことを特徴とする強誘電性液晶ディ
スプレイ。 - （２）強誘電性液晶のしきい値を、各画素内での異なる
プレチルト角によって変化させることを特徴とする請求
項１記載の強誘電性液晶ディスプレイ。 - （３）強誘電性液晶の分極反転を、各画素内での異なる
プレチルト角によって制御することを特徴とする請求項
１記載の強誘電性液晶ディスプレイ。 - （４）各画素内での異なるプレチルト角が、表面分子構
造、あるいは形状の異なる配向膜によって得られる請求
項１記載の強誘電性液晶ディスプレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1141676A JPH036526A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 強誘電性液晶ディスプレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1141676A JPH036526A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 強誘電性液晶ディスプレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH036526A true JPH036526A (ja) | 1991-01-14 |
Family
ID=15297610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1141676A Pending JPH036526A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 強誘電性液晶ディスプレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH036526A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0595219A2 (en) * | 1992-10-24 | 1994-05-04 | Sony Corporation | Ferroelectric liquid crystal device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62159119A (ja) * | 1986-01-07 | 1987-07-15 | Fujitsu Ltd | 液晶表示パネル |
| JPS62231934A (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-12 | Canon Inc | 光学変調素子 |
-
1989
- 1989-06-02 JP JP1141676A patent/JPH036526A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62159119A (ja) * | 1986-01-07 | 1987-07-15 | Fujitsu Ltd | 液晶表示パネル |
| JPS62231934A (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-12 | Canon Inc | 光学変調素子 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0595219A2 (en) * | 1992-10-24 | 1994-05-04 | Sony Corporation | Ferroelectric liquid crystal device |
| EP0595219A3 (en) * | 1992-10-24 | 1995-08-09 | Sony Corp | Ferroelectric liquid crystal device. |
| US5654784A (en) * | 1992-10-24 | 1997-08-05 | Sony Corporation | Liquid crystal devices comprising a multitude of domains having different threshold voltages for switching liquid crystals |
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