JPH0364937A - Ic lead bonding device - Google Patents
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02P10/00—Technologies related to metal processing
- Y02P10/20—Recycling
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、ＩＣのリード接合装置に関し、詳しくは、
テープキャリア方式（ＴＡＢ方式）において形成される
テープキャリア上のリード（又はチップボンディング用
フィンガ、以下同じ）とチップに設けられたその接続用
端子とをバンプを介して重ね、多数のリードを一度接合
するギヤングボンディングにおいて連続的でかつ効率よ
くリードを加熱接合することができるようなＩＣのリー
ド接合装置に関する。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to an IC lead bonding device.
In the tape carrier method (TAB method), the leads on the tape carrier (or chip bonding fingers, the same shall apply hereinafter) and the connection terminals provided on the chip are overlapped via bumps, and many leads are bonded at once. The present invention relates to an IC lead bonding device that can heat and bond leads continuously and efficiently in gigantic bonding.
［従来の技術］
一般に、ＴＡＢ方式は、ポリイミド等の合成樹脂の薄い
フィルム状テープの表面に銅等の金属箔をラミネートし
て、これをエツチングすることでリードを多数本形成し
、その各リードの先端側部分（フィンガ部分）又は半導
体チップの端子部分に金属等のバンプを転写などにより
接着しておき、このバンプを介してリードと半導体チッ
プの端子とを接続する。[Prior art] Generally, in the TAB method, a metal foil such as copper is laminated on the surface of a thin film-like tape made of synthetic resin such as polyimide, and this is etched to form a large number of leads. A bump made of metal or the like is bonded to the tip end portion (finger portion) or the terminal portion of the semiconductor chip by transfer or the like, and the lead and the terminal of the semiconductor chip are connected via this bump.
その接続は、ＩＣチップ又はＩＣチップを搭載したＩＣ
本体のリード接続用の複数の端子とテープキャリア上に
形成された複数のリードとがバンプを介して重ねられた
状態に配置され、この状態において４５０℃〜５００℃
に加熱した加熱ツールをリードに接触させる接触加熱機
構と、加熱ツールを５０回〜１００回程度接触させた後
にその接触表面をセラミックス系の砥石でクリーニング
する研磨機構とからなるリード接合装置が用いられる。The connection is made using an IC chip or an IC equipped with an IC chip.
A plurality of terminals for connecting leads on the main body and a plurality of leads formed on the tape carrier are arranged in a stacked state via bumps, and in this state, the temperature is 450°C to 500°C.
A lead bonding device is used that includes a contact heating mechanism that brings a heated tool into contact with the lead, and a polishing mechanism that cleans the contact surface with a ceramic grindstone after contacting the heating tool about 50 to 100 times. .
なお、この場合、クリーニング処理が必要なのは、リー
ドをメツキしている錫等が加熱ツールの接触面に転写さ
れて接触面が汚れ、それにより接合の信頼性が低下する
からである。したがって、前記の接合回数ばかりでなく
、加熱ツールが汚れたときには随時研磨によるクリーニ
ングが行われる。In this case, the cleaning process is necessary because the tin or the like used to plate the leads is transferred to the contact surface of the heating tool, staining the contact surface and thereby reducing the reliability of the bonding. Therefore, cleaning by polishing is performed not only during the number of times of bonding described above but also whenever the heating tool becomes dirty.
［解決しようとする課題］
このようなリード接合装置の加熱ツールには一般に内部
にカートリッジヒータ等が内蔵されていてリード接触表
面を均一に加熱するような構成となっているが、クリー
ニング処理等によりリード接触表面の温度が低下した場
合にそれを接合温度まで回復させるのに少なくとも１５
秒〜２０秒程度又はそれ以上の時間が必要になる。例え
ば、加熱ツールを５０回〜１００回程度接触させた後に
１０秒程度の研磨を行うと、加熱ツールの接触面の温度
が低下してその温度が４００℃程度になる。[Problem to be solved] The heating tools of such lead bonding devices generally have a built-in cartridge heater, etc., and are configured to uniformly heat the lead contact surface. at least 15 to restore the lead contact surface temperature to the bonding temperature if it drops.
A time of about 20 seconds to 20 seconds or more is required. For example, if polishing is performed for about 10 seconds after contacting the heating tool about 50 to 100 times, the temperature of the contact surface of the heating tool decreases to about 400°C.
そこで、次の接合に対しては加熱ツールの接触面が接合
温度である４５０℃まで回復するまで待つ戻し加熱時間
がそこに必要になる。Therefore, for the next bonding, a reheating time is required to wait until the contact surface of the heating tool recovers to the bonding temperature of 450°C.
そこで、ＴＡＢ方式により搬送されて来たＩＣチップも
この戻し加熱時間の間は接合が行われず、待機しなけれ
ばならなくなる。その結果、これが接合処理における待
ち時間となってＩＣの製造効率を低下させている。Therefore, the IC chips transported by the TAB method are not bonded during this return heating time and must be on standby. As a result, this results in waiting time in the bonding process, reducing IC manufacturing efficiency.
この発明は、このような従来技術の問題点を解決するも
のであって、連続的でかつ効率よ＜リード接合ができる
ＩＣのリード接合装置を提供することを目的とする。The present invention is intended to solve the problems of the prior art, and aims to provide an IC lead bonding apparatus that can perform continuous and efficient lead bonding.
［課題を解決するための手段］
このような目的を達成するためのこの発明のＩＣのリー
ド接合装置の構成は、それぞれがバンプを介して重ねら
れた状態で配置されたＩＣチップ又はＩＣチップを搭載
したＩＣ本体のリード接続用の複数の端子とテープキャ
リア上に形成した又はリードフレームとして形成した複
数のリードとをこの複数のリードに接触してそれぞれを
加熱接合する、内部にヒータを有する加熱部材と、加熱
部材の接触面に付着した汚れを落とすために接触面を研
磨する研磨機構とを備えるＩＣのリード接合装置におい
て、研磨中又は研磨後に接触面と接触し、接触面を接合
温度付近の温度で加熱する加熱器を設けるものである。[Means for Solving the Problems] The structure of the IC lead bonding device of the present invention for achieving the above object includes two IC chips arranged one on top of the other with bumps in between, or two A heating device with an internal heater that heats and joins a plurality of terminals for connecting leads of a mounted IC body and a plurality of leads formed on a tape carrier or as a lead frame by contacting the plurality of leads. In an IC lead bonding device that includes a member and a polishing mechanism that polishes the contact surface to remove dirt attached to the contact surface of the heating member, the contact surface is brought into contact with the contact surface during or after polishing, and the contact surface is heated to a temperature near the bonding temperature. The system is equipped with a heater that heats at a temperature of .
［作用］
このように、研磨中又は研磨後に直接接触面を外部から
接触加熱するようにすれば、低下した接触面の温度を短
時間に接合温度まで回復させることができ、ＩＣチップ
側やＴＡＢで搬送されたリード側をほとんど待機させる
ことなく、連続的な接合処理を行うことができる。[Function] In this way, if the contact surface is directly contact-heated from the outside during or after polishing, the decreased temperature of the contact surface can be recovered to the bonding temperature in a short time, and the IC chip side and TAB Continuous bonding processing can be performed with almost no waiting time on the lead side that has been transported.
［実施例］
以下、この発明の一実施例について図面を参照して詳細
に説明する。[Example] Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第１図は、この発明のＩＣのリード接合装置を適用した
一実施例のＴＡＢ接合部分の平面図であり、第２図は、
その接合処理動作の説明図、第３図は、この発明の他の
一実施例の研磨機構の説明図である。FIG. 1 is a plan view of the TAB bonding portion of an embodiment to which the IC lead bonding device of the present invention is applied, and FIG.
FIG. 3, which is an explanatory diagram of the bonding processing operation, is an explanatory diagram of a polishing mechanism according to another embodiment of the present invention.
第１図において、１は、ＴＡＢ方式で搬送されるテープ
キャリアであって、リード２，２．・・・が形成されて
いる。このリード２，２．・・・は、例えば、テープキ
ャリア１のベースの表面に銅等の金属箔をラミネートし
た後にこれをエツチングすることで形成される。In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a tape carrier transported by the TAB method, and leads 2, 2 . ... is formed. This lead 2, 2. ... is formed by, for example, laminating a metal foil such as copper on the surface of the base of the tape carrier 1 and then etching this.
３．３．・・・は、テストパッドであって、点鎖線で示
す切断線６により後にリード２の部分と切り離される。3.3. . . are test pads which are later separated from the lead 2 along a cutting line 6 shown by a dashed dotted line.
テープキャリア１のほぼ中央部に位置する矩形の部分４
は、テープキャリア１に設けられた開口部であって、接
合位置に配置された開口部４にあってはその下側にＩＣ
チップ５が配置されている。A rectangular portion 4 located approximately in the center of the tape carrier 1
is an opening provided in the tape carrier 1, and an IC is placed below the opening 4 located at the joining position.
A chip 5 is placed.
ＩＣチップ５は、例えば、テープキャリア１のド側に設
けられた回転円板等のＩＣ搬送機構８（第２図（ａ）、
（ｂ）参照）の周面（又は表面）に載置されて搬送され
、接合位置の開口部４の下側に位置するように位置決め
される。このとき、上側にあるリード２，２．・・・と
下側にあるＩＣチップ５の端子は、第２図（ａ）、（ｂ
）に示すようにバンプ７を介してこれらが重なるように
位置決めされる。なお、第１図の１ａは、スプロケット
等が挿入される孔であって、テープキャリア１を搬送す
るためのものである。The IC chip 5 is transported by an IC transport mechanism 8 (FIG. 2(a),
(b)) and is conveyed, and positioned so as to be located below the opening 4 at the joining position. At this time, the upper leads 2, 2. ... and the terminals of the IC chip 5 on the lower side are as shown in Fig. 2 (a) and (b).
), these are positioned so as to overlap with each other via the bumps 7. Note that 1a in FIG. 1 is a hole into which a sprocket or the like is inserted, and is for conveying the tape carrier 1.
リード接合装置１０は、このテープキャリア１の搬送方
向に並設されてかつ隣接して配置され、テープキャリア
１の搬送方向に一致するＸ方向で進退移動する移動台１
１と、加熱ツール１２、この加熱ツール１２を移動台１
１と直角方向のＹ方向に進退移動させ、かつ、上下方向
であるＺ方向に移動させる加熱ツール移動機横１３等と
を備えている。ここでは、加熱ツール１２と加熱ツール
移動機横１３とにより加熱接触機構が構成され、加熱ツ
ール移動機横１３が前記の接合位置に対応するように位
置付けられ、移動台１１とは独立していてベース１７に
固定されている。The lead bonding device 10 includes a moving stage 1 that is arranged in parallel and adjacent to the transport direction of the tape carrier 1 and moves forward and backward in the X direction that coincides with the transport direction of the tape carrier 1.
1, a heating tool 12, and this heating tool 12 is moved to the moving table 1.
The heating tool moving machine 13 is provided with a horizontal heating tool moving machine 13 that moves forward and backward in the Y direction, which is perpendicular to the heating tool 1, and in the Z direction, which is the vertical direction. Here, a heating contact mechanism is constituted by the heating tool 12 and the heating tool moving machine side 13, and the heating tool moving machine side 13 is positioned so as to correspond to the above-mentioned joining position, and is independent of the moving table 11. It is fixed to the base 17.
移動台１１は、ベース１７に対してスライド可能に支承
され、回転研磨機横１４と、接触面が円板状の加熱ブロ
ック１５とを搭載していて、シリンダ１８の駆動により
Ｘ方向に移動される。その移動量（ストローク）は、こ
れら中心間の間隔に相当する。そこで、加熱ブロック１
５は、加熱ツール１２が待機状態（又は初期状、態、第
１図に図示する状態）にあるときに加熱ツール１２の下
側に位ｆｌし、シリンダ１６のロッドが前記の間隔に相
当するストロークで伸びたときに前記の加熱ツール１２
の下側に回転研磨機横１４が位置するようになっている
。また、この状態でシリンダ１６のロッドが縮んだとき
には、加熱ツール１２の下側に加熱ブロック１５が位置
して元の初期状態に戻る。２０は、制御装置であって、
内部にマイクロプロセッサとメモリ等とを有していて、
シリンダ１６と加熱ツール移動機横１３等とを制御する
。The moving table 11 is slidably supported on a base 17, is equipped with a rotary polishing machine side 14, and a heating block 15 having a disc-shaped contact surface, and is moved in the X direction by the drive of a cylinder 18. Ru. The amount of movement (stroke) corresponds to the spacing between these centers. Therefore, heating block 1
5 is positioned below the heating tool 12 when the heating tool 12 is in the standby state (or initial state, state, shown in FIG. 1), and the rods of the cylinder 16 correspond to the above-mentioned spacing. The heating tool 12 when extended with a stroke
A horizontal rotary polishing machine 14 is located below. Further, when the rod of the cylinder 16 is contracted in this state, the heating block 15 is positioned below the heating tool 12 and returns to the original initial state. 20 is a control device,
It has a microprocessor, memory, etc. inside.
Controls the cylinder 16, the heating tool moving machine side 13, etc.
その制御としては、第２図（ａ）に示すように、加熱ツ
ール移動機構１３を駆動して待機状態にある加熱ツール
１２（第１図に示す状態）をテープキャリアｌに設けら
れた開口部４の上部へと移動させて次に加熱ツール１２
を降下させてＩＣチップ５のリード接続用の複数の端子
とテープキャリアｌ上に形成されリード２，２．・・・
とが重なった状態にあるリード２，２．・・・に接触さ
せてこれらを加熱接合する。なお、第２図の（ａ）にお
いて、１２ａは、加熱ツール１２に内蔵されたカートリ
ッジヒータであり、１２ｂは、その接触面である。なお
、リード２，２．・・・とＩＣチップ５の端子との重ね
合わせは、テープキャリア１かＩＣチップ５を搬送した
ＩＣ搬送機構８のいずれか一方が相対的に移動して微少
位置決めされることでなされる。For this control, as shown in FIG. 2(a), the heating tool moving mechanism 13 is driven to move the heating tool 12 in a standby state (the state shown in FIG. 1) into an opening provided in the tape carrier l. 4 and then the heating tool 12
is lowered to connect a plurality of terminals for connecting the leads of the IC chip 5 and the leads 2, 2 . . . formed on the tape carrier l. ...
Leads 2, 2. and 2 are in an overlapping state. These are heated and bonded by bringing them into contact with... In addition, in FIG. 2(a), 12a is a cartridge heater built into the heating tool 12, and 12b is its contact surface. Note that leads 2, 2. ... and the terminals of the IC chip 5 are made by relatively moving either the tape carrier 1 or the IC transport mechanism 8 that transported the IC chip 5 for fine positioning.
制御装置２０は、接合の都度、接合回数を内部でカウン
トしていて、それが例えば５０回になると、シリンダ１
６を前進駆動して、回転研磨機横１４を加熱ツール１２
の下側（第３図の位置関係を参照）に位置付け、加熱ツ
ール１２を降下させてその接触面１２ｂを砥石１４ａに
接触させて回転研磨させる。このことにより接触面１２
ｂに付着した汚れが落とされ、接触面１２ｂがクリーニ
ングされる。このクリーニング処理は通常１０秒程度で
済む。この研磨が終了すると、制御装置２０は、加熱ツ
ール１２をし上へと上げる制御（第２図の（ａ）の状態
参照）をし、シリンダ１６を後退駆動して第２図の（ａ
）に示すように加熱ツール１２の下側に加熱ブロック１
５を配置した後、加熱ツール１２を降下させて今度は加
熱ブロック１５の表面に接触面１２ｂを接触させて加熱
する。The control device 20 internally counts the number of times of joining each time, and when the number of times of joining reaches, for example, 50, the control device 20
6 is driven forward to move the side 14 of the rotary polishing machine to the heating tool 12.
(see the positional relationship in FIG. 3), and the heating tool 12 is lowered to bring its contact surface 12b into contact with the grindstone 14a for rotational polishing. This allows the contact surface 12
The dirt adhering to b is removed, and the contact surface 12b is cleaned. This cleaning process usually takes about 10 seconds. When this polishing is completed, the control device 20 controls the heating tool 12 to be raised upward (see the state in (a) of FIG. 2), and drives the cylinder 16 backward to move the heating tool 12 upward (see the state in (a) of FIG. 2).
), the heating block 1 is placed under the heating tool 12.
5, the heating tool 12 is lowered to bring the contact surface 12b into contact with the surface of the heating block 15 to heat it.
なお、１５ａは、加熱ブロック１５に内蔵されたヒータ
である。Note that 15a is a heater built into the heating block 15.
通常、研磨した後の接触面１２ａの表面は、前述したご
とく４００℃程度まで落ちるが、それは表面であって加
熱ツール１２の内部にはカートリッジヒータ１２ａが設
けられているのでその内部の温度はそれほどまでに落ち
ていない。しかし、接触面１２ｂが接合に寄与するため
にこの面の温度を早急に接合湿度まで上げる必要がある
。そこで、前記のように直接接触面１２ｂを外部から接
触加熱することにより即座接合温度まで接触面１２ｂの
温度を回復させることができる。なお、この場合の加熱
ブロック１５の表面温度は、加熱器６ｍ度である４５０
℃かそれより少し高い温度に設定されるとよい。Normally, the surface of the contact surface 12a after polishing drops to about 400°C as described above, but this is the surface and the cartridge heater 12a is provided inside the heating tool 12, so the internal temperature is not so high. It hasn't fallen so far. However, since the contact surface 12b contributes to bonding, it is necessary to quickly raise the temperature of this surface to the bonding humidity. Therefore, by contact-heating the contact surface 12b directly from the outside as described above, the temperature of the contact surface 12b can be recovered to the instant bonding temperature. In addition, the surface temperature of the heating block 15 in this case is 450 degrees, which is 6m degrees of the heater.
It is best to set the temperature to ℃ or slightly higher.
制御装置２０は、接触面１２ｂを加熱ブロック１５に数
秒接触させた後に加熱ツール１２を上昇させて接合処理
をする待機位置に位置決めして、次の接合処理に移る。After bringing the contact surface 12b into contact with the heating block 15 for several seconds, the control device 20 raises the heating tool 12, positions it at a standby position for the joining process, and moves on to the next joining process.
このようにすることにより加熱ツール１２の接触面１２
ａの接合温度までの温度回復を短時間で行うことができ
、研磨処理後、テープキャリア１側或はＩＣチップを搬
送するＩＣ搬送機構８側をほとんど待たせることなく、
連続的な接合処理をすることができる。By doing so, the contact surface 12 of the heating tool 12
The temperature can be recovered to the bonding temperature of a in a short time, and after the polishing process, the tape carrier 1 side or the IC transport mechanism 8 side that transports the IC chip is hardly kept waiting.
Continuous bonding processing is possible.
第３図は、加熱ブロック１５を砥石１４ａの下側に配置
して砥石１４ａの温度を４５０℃付近にして研磨する例
である。このように構成すれば研磨中でも接触面１２ｂ
の温度が低下しなくて済む。FIG. 3 shows an example in which the heating block 15 is placed below the grindstone 14a and polishing is carried out at a temperature of about 450° C. of the grindstone 14a. With this configuration, the contact surface 12b can be easily removed even during polishing.
There is no need for the temperature to drop.
なお、この場合、第１図の加熱ブロック１５の位置に回
転研磨機横１４を配置できるのでシリンダ１６は不要と
なる。また、１５ｂは、加熱ブロック１５に内蔵された
カートリッジヒータである。In this case, the cylinder 16 becomes unnecessary because the rotary polishing machine side 14 can be placed in the position of the heating block 15 in FIG. Further, 15b is a cartridge heater built into the heating block 15.
以上説明してきたが、実施例で示したリード接合装置の
構成は一例であって、加熱ブロック１５として示すこの
発明の加熱器の位置は実施例に限定されるものではない
。また、その加熱温度は、接合温度付近であれば、接合
温度より多少高くても低くてもよい。Although it has been explained above, the structure of the lead bonding device shown in the embodiment is just an example, and the position of the heater of the present invention shown as the heating block 15 is not limited to the embodiment. Further, the heating temperature may be slightly higher or lower than the bonding temperature as long as it is around the bonding temperature.
また、実施例では、ＩＣチップをリードに接合する例を
挙げているが、これは、ＩＣチップそのものではなく、
ＩＣチップをフィルム基板やセラミックス基板等に搭載
したＩＣ本体であってもよい。Furthermore, in the example, an example is given in which an IC chip is bonded to a lead, but this is not the IC chip itself;
It may be an IC body in which an IC chip is mounted on a film substrate, a ceramic substrate, or the like.
実施例では、ＴＡＢ方式の場合を例としている。In the embodiment, the TAB method is used as an example.
が、この発明は、リードフレームにＩＣチップを接合す
る場合にも適用できることはもちろんである。However, it goes without saying that the present invention can also be applied to the case where an IC chip is bonded to a lead frame.
［発明の効果］
以上の説明から理解できるように、この発明にあっては
、研磨中又は研磨後に直接接触面を外部から接触加熱す
るようにすれば、低下した接触面の温度を短時間に接合
温度まで回復させることができ、ＩＣチップ側やＴＡＢ
で搬送されたリード側をほとんど待機させることなく、
連続的な接合処理を行うことができる。[Effects of the Invention] As can be understood from the above explanation, in this invention, by contact heating the contact surface directly from the outside during or after polishing, the reduced temperature of the contact surface can be reduced in a short time. It can be recovered to the junction temperature, and the IC chip side and TAB
With almost no waiting time on the lead side transported by
Continuous bonding processing can be performed.
第１図は、この発明のＩＣのリード接合装置を適用した
一実施例のＴＡＢ接合部分の平面図、第２図は、その接
合処理動作の説明図、第３図は、この発明の他の一実施
例の研磨機構の説明図である。
１−・・テープキャリア、２・・・リード、３・・・テ
ストパッド、４・・・開口部、５・・・ＩＣチップ、１
０・・・リード接合装置、１１・・・移動台、１２・・
・加熱ツール、１３・・・加熱ツール移動機構、
１４・・・回転研磨機構、１５−・・加熱ブロック、１
６・・・シリンダ、１７−・・ベース、２０・・・制御
装置。FIG. 1 is a plan view of the TAB bonding part of an embodiment to which the IC lead bonding apparatus of the present invention is applied, FIG. 2 is an explanatory diagram of the bonding process operation, and FIG. It is an explanatory view of a polishing mechanism of one example. 1 - Tape carrier, 2... Lead, 3... Test pad, 4... Opening, 5... IC chip, 1
0... Lead joining device, 11... Moving table, 12...
- Heating tool, 13... Heating tool moving mechanism, 14... Rotating polishing mechanism, 15-... Heating block, 1
6... Cylinder, 17-... Base, 20... Control device.
Claims (2)
されたＩＣチップ又はＩＣチップを搭載したＩＣ本体の
リード接続用の複数の端子とテープキャリア上に形成し
た又はリードフレームとして形成した複数のリードとを
この複数のリードに接触してそれぞれを加熱接合する、
内部にヒータを有する加熱部材と、前記加熱部材の接触
面に付着した汚れを落とすために前記接触面を研磨する
研磨機構とを備えるＩＣのリード接合装置において、研
磨中又は研磨後に前記接触面と接触し、前記接触面を接
合温度付近の温度で加熱する加熱器を設けたことを特徴
とするＩＣのリード接合装置。(1) A plurality of terminals for connecting leads of an IC chip or an IC body equipped with an IC chip arranged in a stacked state with bumps interposed therebetween, and a plurality of terminals formed on a tape carrier or formed as a lead frame. The lead is brought into contact with the plurality of leads and each is heated and bonded.
In an IC lead bonding apparatus that includes a heating member having a heater inside and a polishing mechanism that polishes the contact surface in order to remove dirt attached to the contact surface of the heating member, the contact surface is polished during or after polishing. 1. An IC lead bonding apparatus, comprising a heater that contacts the contact surface and heats the contact surface to a temperature near the bonding temperature.
は前記研磨板の下側に配置され、前記研磨板を加熱する
ことでこの研磨板を介して接触面を加熱することを特徴
とする請求項１記載のＩＣのリード接合装置。(2) The polishing mechanism has a rotating polishing plate, and the heater is disposed below the polishing plate to heat the contact surface through the polishing plate by heating the polishing plate. The IC lead bonding device according to claim 1, characterized in that the IC lead bonding device is characterized in that:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1200819A JPH0364937A (en) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | Ic lead bonding device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1200819A JPH0364937A (en) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | Ic lead bonding device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0364937A true JPH0364937A (en) | 1991-03-20 |
| JPH0566018B2 JPH0566018B2 (en) | 1993-09-20 |
Family
ID=16430730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1200819A Granted JPH0364937A (en) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | Ic lead bonding device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0364937A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007088150A (en) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Shibaura Mechatronics Corp | Mounting device of electronic component, and cleaning method therefor |
-
1989
- 1989-08-02 JP JP1200819A patent/JPH0364937A/en active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007088150A (en) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Shibaura Mechatronics Corp | Mounting device of electronic component, and cleaning method therefor |
| JP4694928B2 (en) * | 2005-09-21 | 2011-06-08 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Electronic component mounting apparatus and mounting apparatus cleaning method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0566018B2 (en) | 1993-09-20 |
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