JP2753076B2 - Inner lead bonding equipment - Google Patents

Inner lead bonding equipment

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JP2753076B2
JP2753076B2 JP25814289A JP25814289A JP2753076B2 JP 2753076 B2 JP2753076 B2 JP 2753076B2 JP 25814289 A JP25814289 A JP 25814289A JP 25814289 A JP25814289 A JP 25814289A JP 2753076 B2 JP2753076 B2 JP 2753076B2
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bonding
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洋一郎 前原
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  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野] この発明は、半導体素子の電極とキャリアテープのイ
ンナリードとをボンディングするインナリードボンディ
ング装置に関する。
The present invention relates to an inner lead bonding apparatus for bonding an electrode of a semiconductor element to an inner lead of a carrier tape.

(従来の技術) 半導体製造工程における半導体素子の電極とキャリア
テープのインナリードとをボンディングするインナリー
ドボンダに用いるツールは、一般に硬い材質で形成さ
れ、カートリッジヒータ等で高温に加熱されている。し
たがって、ツールは磨耗することは少なく、むしろ高温
のために種々の異物が接合の際に表面に付着する。ツー
ルは高温度(400〜500℃)に加熱されているため、表面
に付着した異物が硬化しやすく、ツールの熱をインナリ
ード、半導体素子に伝えにくくする性質を持っている。
(Prior Art) A tool used for an inner lead bonder for bonding an electrode of a semiconductor element and an inner lead of a carrier tape in a semiconductor manufacturing process is generally formed of a hard material, and is heated to a high temperature by a cartridge heater or the like. Therefore, the tool is less likely to wear, but rather, due to the high temperature, various foreign substances adhere to the surface during joining. Since the tool is heated to a high temperature (400 to 500 ° C), foreign substances adhering to the surface are easily cured, and have the property of making it difficult to transfer the heat of the tool to the inner leads and semiconductor elements.

このように、インナリードボンダは、ボンディングを
繰り返すことによってツール面に酸化物等の汚れが堆積
する。ツール面のクリーニングをせずにそのまま接合を
続けると、ツール表面の熱伝導率が悪くなり、インナリ
ードと半導体素子との接合状態が悪くなる。
As described above, in the inner lead bonder, dirt such as oxide is deposited on the tool surface by repeating bonding. If the bonding is continued without cleaning the tool surface, the thermal conductivity of the tool surface is deteriorated, and the bonding state between the inner lead and the semiconductor element is deteriorated.

そこで、従来においては、例えば特開昭63−16956号
公報に示すように、インナリードのボンディングを行な
うボンディング位置の近傍にクリーニングテーブルを回
転自在に支承し、このクリーニングテーブルに回転台を
設け、この回転台の上面に砥石を設けている。そして、
ボンディングを例えば数十回繰り返したら、ツール面を
前記砥石の表面に接合し、ツール面を研磨してツール面
に付着した酸化物等を取り除いている。
Therefore, conventionally, as shown in, for example, JP-A-63-16956, a cleaning table is rotatably supported in the vicinity of a bonding position where inner leads are bonded, and a rotary table is provided on the cleaning table. A grindstone is provided on the upper surface of the turntable. And
After the bonding is repeated several tens of times, for example, the tool surface is joined to the surface of the grindstone, and the tool surface is polished to remove oxides and the like attached to the tool surface.

(発明が解決しようとする課題) ところが、前述のように構成されたインナリードボン
ダのツールクリーニング装置は、常温の砥石に400〜500
℃に保持されているツールのツール面を押し付けて、前
記砥石を約10秒間回転させ、かつツールを移動させるこ
とによってクリーニングを行なっている。したがって、
クリーニング中にツールの熱が砥石に逃げてしまい、ツ
ールが元の温度(400〜500℃)に復帰するのに時間がか
かるという問題がある。
(Problems to be Solved by the Invention) However, the tool cleaning device for the inner lead bonder configured as described above uses a 400 to 500
Cleaning is performed by pressing the tool surface of the tool held at 0 ° C., rotating the grindstone for about 10 seconds, and moving the tool. Therefore,
During cleaning, there is a problem in that heat of the tool escapes to the grindstone and it takes time for the tool to return to the original temperature (400 to 500 ° C.).

また、最近、チップの大型化に伴いツールの表面積も
大きくなり、その度合いがますます大きくなっている。
例えば、1辺が13mmの正方形のツール面を10秒間クリー
ニングを行なった場合、ツール温度は500℃から470℃に
温度降下し、復帰するのに約16秒かかる。ボンディング
のタクトタイムを約4秒とすると、この間に4個ボンデ
ィングできることになり、このロスタイムは非常に大き
い。
Further, recently, the surface area of the tool has been increased with the increase in the size of the chip, and the degree of the increase is increasing.
For example, if a 13 mm square tool surface is cleaned for 10 seconds, the tool temperature drops from 500 ° C. to 470 ° C. and takes about 16 seconds to recover. Assuming that the tact time of bonding is about 4 seconds, four bondings can be performed during this time, and this loss time is very large.

この発明は前記事情に着目してなされたもので、その
目的とするところは、ツール面のクリーニング中にツー
ルの温度が降下することはなく、待ち時間がなく、能率
的なボンディングができるインナーリードボンディング
装置を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to prevent the temperature of a tool from dropping during cleaning of a tool surface, to have no waiting time, and to realize an inner lead capable of efficient bonding. An object of the present invention is to provide a bonding apparatus.

[発明の構成] (課題を解決するための手段および作用) この発明は、前記目的を達成するために、ボンディン
グツールと、このボンディングツールのツール面をクリ
ーニングするクリーニング機構を備えたボンディング装
置であって、前記クリーニング機構は、前記ツール面を
クリーニングする砥石と、この砥石を所定温度に保温す
る保温機構とを有することを特徴とするインナリードボ
ンディング装置を構成するものであり、また、ボンディ
ングツールと、このボンディングツールのツール面をク
リーニングするクリーニング機構を備えたボンディング
装置であって、前記クリーニング機構は、前記ツール面
をクリーニングする砥石と、この砥石を所定温度に保温
する保温機構とを有し、前記ボンディングツールによる
所定回数のボンディングの後、前記クリーニング機構に
より前記ツール面のクリーニングを行うことを特徴とす
るインナリードボンディング装置を構成するものであ
る。
[Constitution of the Invention] (Means and Actions for Solving the Problems) In order to achieve the above object, the present invention is a bonding apparatus including a bonding tool and a cleaning mechanism for cleaning a tool surface of the bonding tool. The cleaning mechanism constitutes an inner lead bonding apparatus having a grindstone for cleaning the tool surface, and a heat retaining mechanism for keeping the grindstone at a predetermined temperature. A bonding apparatus having a cleaning mechanism for cleaning a tool surface of the bonding tool, wherein the cleaning mechanism has a grindstone for cleaning the tool surface, and a heat retaining mechanism for keeping the grindstone at a predetermined temperature, A predetermined number of bonds by the bonding tool After Ingu, and it constitutes the inner lead bonding apparatus and performs cleaning of the tool surface by the cleaning mechanism.

ツールの温度とほぼ等しい温度に保温された砥石に対
してツールのツール面が接触するため、ツールの熱が砥
石に逃げることはなく、クリーニング後に待ち時間なし
で次のボンディングができる。
Since the tool surface of the tool comes into contact with the grindstone kept at a temperature substantially equal to the temperature of the tool, the heat of the tool does not escape to the grindstone, and the next bonding can be performed without waiting after cleaning.

(実施例) 以下、この発明の一実施例を図面に基づいて説明す
る。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図はクリーニング装置を示し、第3図はクリーニ
ング装置を備えたインナリードボンディング装置を示す
ものである。第3図に示す1はキャリアテープであり、
この表面にはインナリードaが設けられてる。キャリア
テープ1はスプロケット2、3によって一方向に搬送さ
れるようになっており、スプロケット2、3間にはボン
ディング部4が設けられている。このボンディング部4
にはキャリアテープ1を案内するガイドプレート5が設
けられ、このガイドプレート5の一部にはキャリアテー
プ1上の1つのインナリードaを表出する開口窓6が設
けられている。
FIG. 1 shows a cleaning device, and FIG. 3 shows an inner lead bonding device provided with the cleaning device. 3 is a carrier tape shown in FIG.
An inner lead a is provided on this surface. The carrier tape 1 is conveyed in one direction by sprockets 2 and 3, and a bonding portion 4 is provided between the sprockets 2 and 3. This bonding part 4
Is provided with a guide plate 5 for guiding the carrier tape 1, and a part of the guide plate 5 is provided with an opening window 6 for exposing one inner lead a on the carrier tape 1.

前記ガイドプレート5の上方にはボンディングツール
7が上下方向(Z方向)およびXY方向に移動自在に設け
られ、下方には半導体素子bの載置台8が設けられてい
る。そして、キャリアテープ1上のインナリードaが開
口窓6に対向する位置に位置きめされ、載置台8上の半
導体素子bがインナリードaと位置決めされた後、キャ
リアテープ1上で待機しているボンディングツール7が
下降してインナリードaと半導体素子bとがボンディン
グされるようになっている。すなわち、ボンディングツ
ール7は400〜500℃に加熱されており、インナリードa
と半導体素子bとが熱圧着される。
Above the guide plate 5, a bonding tool 7 is provided movably in the up-down direction (Z direction) and XY direction, and a mounting table 8 for the semiconductor element b is provided below. Then, the inner lead a on the carrier tape 1 is positioned at a position facing the opening window 6, and the semiconductor element b on the mounting table 8 is positioned on the inner lead a and then stands by on the carrier tape 1. The bonding tool 7 is lowered to bond the inner lead a and the semiconductor element b. That is, the bonding tool 7 is heated to 400 to 500 ° C.
And the semiconductor element b are thermocompression-bonded.

さらに、前記ボンディング部4の近傍に位置する前記
ガイドプレート5の下部にはキャリアテープ1の走行方
向に沿ってガイドレール9が設けられている。そして、
このガイドレール9にはクリーニング装置10が搭載され
ていて、このクリーニング装置10はシリンダ11によって
移動できるようになっている。
Further, a guide rail 9 is provided below the guide plate 5 located near the bonding portion 4 along the running direction of the carrier tape 1. And
A cleaning device 10 is mounted on the guide rail 9, and the cleaning device 10 can be moved by a cylinder 11.

クリーニング装置10について説明すると、第1図に示
す、12は駆動機構としてのモータであり、このモータ12
の回転軸13には砥石ホルダ14が設けられている。この砥
石ホルダ14には円盤状の砥石15が固定されている。さら
に、砥石15を含む砥石ホルダ14はヒータブロック16によ
って囲繞されており、ヒータブロック16の内部で砥石15
が回転するようになっている。ヒータブロック16には保
温機構としての電気ヒータ17が埋設され、この電気ヒー
タ17は制御装置18を介して電源19に接続されている。ま
た、前記ヒータブロック16には熱電対20が設けられ、こ
の熱電対20による温度検出信号は制御装置18に入力さ
れ、電気ヒータ17を制御することによって砥石15の温度
をボンディングツール7の温度、例えば400〜500℃に保
つように構成されている。
Referring to FIG. 1, reference numeral 12 denotes a motor as a drive mechanism.
A grindstone holder 14 is provided on the rotating shaft 13. A disc-shaped grindstone 15 is fixed to the grindstone holder 14. Further, the grindstone holder 14 including the grindstone 15 is surrounded by the heater block 16, and the grindstone 15 is disposed inside the heater block 16.
Is designed to rotate. An electric heater 17 as a heat retaining mechanism is embedded in the heater block 16, and the electric heater 17 is connected to a power supply 19 via a control device 18. The heater block 16 is provided with a thermocouple 20, and a temperature detection signal from the thermocouple 20 is input to a control device 18. By controlling the electric heater 17, the temperature of the grindstone 15 is set to the temperature of the bonding tool 7, For example, it is configured to be maintained at 400 to 500 ° C.

次に、前述のように構成されたインナリードボンダの
クリーニング装置の作用について説明する。クリーニン
グ装置10の電気ヒータ17は常時通電され、ヒータブロッ
ク16は加熱されている。ヒータブロック16の温度は熱電
対20によって検出され、この温度検出信号は制御装置18
に入力され、電気ヒータ17を制御しているため、砥石15
の温度はボンディングツール7の温度、例えば40〜500
℃に保たれている。
Next, the operation of the inner lead bonder cleaning device configured as described above will be described. The electric heater 17 of the cleaning device 10 is always energized, and the heater block 16 is heated. The temperature of the heater block 16 is detected by a thermocouple 20, and this temperature detection signal is
To control the electric heater 17, the grinding wheel 15
Is the temperature of the bonding tool 7, for example, 40 to 500
It is kept at ° C.

一方、インナリードボンディング装置のキャリアテー
プ1が1ピッチづつ走行し、インナリードaが開口窓6
に対向する位置に位置決めされ、載置台8上の半導体素
子bがインナリードaと位置決めされる。次に、キャリ
アテープ1上で待機しているボンディングツール7が下
降すると、ボンディングツール7は400〜500℃に加熱さ
れているため、インナリードaと半導体素子bとが熱圧
着される。1回のボンディングが終了すると、ボンディ
ングツール7は上昇するとともに、載置台8は横方向に
移動して開口窓6から退避する。そして、キャリアテー
プ1の走行に伴って次のインナリードaが開口窓6に対
向すると、前述と同様の作用を繰り返してボンディング
を行う。
On the other hand, the carrier tape 1 of the inner lead bonding apparatus runs one pitch at a time, and
The semiconductor element b on the mounting table 8 is positioned with the inner lead a. Next, when the bonding tool 7 waiting on the carrier tape 1 is lowered, the inner lead a and the semiconductor element b are thermocompression-bonded because the bonding tool 7 is heated to 400 to 500 ° C. When one bonding is completed, the bonding tool 7 is raised, and the mounting table 8 is moved in the horizontal direction and retracts from the opening window 6. Then, when the next inner lead a faces the opening window 6 as the carrier tape 1 runs, bonding is performed by repeating the same operation as described above.

このようなボンディングを数十回繰り返したところ
で、ボンディングツール7のツール面7a(第2図参照)
をクリーニングを行うために、シリンダ11を作動させて
クリーニング装置10をガイドレール9に沿って開口窓6
に位置決めする。そして、ボンディングツール7を下降
させると、ボンディングツール7のツール面7aは回転す
る砥石15によって研磨され、ツール面7aに付着している
異物等は削り取られる。この研磨時間は10秒程度である
が、砥石15はボンディングツール7と等しい温度に加熱
されているため、研磨中にボンディングツール7の温度
が降下することはなく、クリーニングが終了したら、待
ち時間なしで次のボンディングができる。
After repeating such bonding several tens of times, the tool surface 7a of the bonding tool 7 (see FIG. 2)
In order to perform cleaning, the cylinder 11 is operated to move the cleaning device 10 along the guide rail 9 to the opening window 6.
Position. Then, when the bonding tool 7 is lowered, the tool surface 7a of the bonding tool 7 is polished by the rotating grindstone 15, and foreign matters and the like adhering to the tool surface 7a are removed. This polishing time is about 10 seconds, but since the grindstone 15 is heated to the same temperature as the bonding tool 7, the temperature of the bonding tool 7 does not drop during the polishing. Then, the next bonding can be performed.

なお、前記一実施例においては、ボンディングツール
を下降して回転している砥石の上面に接触させることに
より、クリーニングを行うようにしたが、ボンディング
ツールを横方向に往復運動させてもよく、また砥石を回
転させることなく、高速に往復運動させてクリーニング
してもよい。
In the embodiment, the cleaning is performed by lowering the bonding tool and contacting the upper surface of the rotating grindstone.However, the bonding tool may be reciprocated in the lateral direction. The cleaning may be performed by reciprocating at a high speed without rotating the grindstone.

[発明の効果] 以上説明したように、この発明によれば、ツールのツ
ール面をクリーニングするための砥石を所定温度に保温
するようにしたから、クリーニング中にツールの熱が砥
石に逃げることはく、クリーニング後に待ち時間なしで
次のボンディングができる。したがって、従来のような
ロスタイムがなく、能率的なボンディングが可能となる
という効果がある。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, since the grindstone for cleaning the tool surface of the tool is kept at a predetermined temperature, the heat of the tool does not escape to the grindstone during cleaning. In addition, the next bonding can be performed without waiting time after cleaning. Accordingly, there is an effect that there is no loss time as in the related art, and efficient bonding is possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図はこの発明の一実施例を示すクリーニング装置の
縦断側面図、第2図は同じくボンディングツールの側面
図、第3図は同じくクリーニング装置を備えたボンディ
ング装置の斜視図である。 7……ツール、7a……ツール面、12……モータ(駆動機
構)、15……砥石、17……電気ヒータ(保温装置)。
FIG. 1 is a longitudinal sectional side view of a cleaning device showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a side view of the same bonding tool, and FIG. 3 is a perspective view of a bonding device having the same cleaning device. 7 ... Tool, 7a ... Tool surface, 12 ... Motor (drive mechanism), 15 ... Whetstone, 17 ... Electric heater (Heat keeping device).

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】ボンディングツールと、このボンディング
ツールのツール面をクリーニングするクリーニング機構
を備えたボンディング装置であって、前記クリーニング
機構は、前記ツール面をクリーニングする砥石と、この
砥石を所定温度に保温する保温機構とを有することを特
徴とするインナリードボンディング装置。
1. A bonding apparatus comprising: a bonding tool; and a cleaning mechanism for cleaning a tool surface of the bonding tool, wherein the cleaning mechanism includes a grindstone for cleaning the tool surface, and keeping the grindstone at a predetermined temperature. An inner lead bonding apparatus, comprising:
【請求項2】ボンディングツールと、このボンディング
ツールのツール面をクリーニングするクリーニング機構
を備えたボンディング装置であって、前記クリーニング
機構は、前記ツール面をクリーニングする砥石と、この
砥石を所定温度に保温する保温機構とを有し、前記ボン
ディングツールによる所定回数のボンディングの後、前
記クリーニング機構により前記ツール面のクリーニング
を行うことを特徴とするインナリードボンディング装
置。
2. A bonding apparatus comprising: a bonding tool; and a cleaning mechanism for cleaning a tool surface of the bonding tool, wherein the cleaning mechanism includes a grindstone for cleaning the tool surface, and keeping the grindstone at a predetermined temperature. An inner lead bonding apparatus, comprising: a heat retaining mechanism that performs a predetermined number of bondings by the bonding tool, and performs cleaning of the tool surface by the cleaning mechanism.
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