JPH0364488A - パターン成形方法 - Google Patents
パターン成形方法Info
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- JPH0364488A JPH0364488A JP20089489A JP20089489A JPH0364488A JP H0364488 A JPH0364488 A JP H0364488A JP 20089489 A JP20089489 A JP 20089489A JP 20089489 A JP20089489 A JP 20089489A JP H0364488 A JPH0364488 A JP H0364488A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
半導体素子、プリント基盤等に用いられる微細加工用レ
ジス１〜パターン形成方法、特に溝の底部円筒の内面等
のスピン塗布の適用不可能な面に微細加工を行なうパタ
ーン形成方法に関するものである。
ジス１〜パターン形成方法、特に溝の底部円筒の内面等
のスピン塗布の適用不可能な面に微細加工を行なうパタ
ーン形成方法に関するものである。
［従来技術］
レジスト中に有機シリコン化合物を気相より拡散させて
得られた膜にパターン露光することによって、露光部膜
中にシリコン化合物を固定化させた後、酸素プラズマエ
ツチングによって未露光部を除去するパターン形成方法
はＧ、Ｎ、Ｔａｙｌｏｒ等によって教示された（Ｊ、Ｅ
Ｉｅｃｔｒｏｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、 Ｖｏｌ、’１３１
Ｎｏ、 ７ ｐｐ１６５８−１６６４．１９８４ ＞。
得られた膜にパターン露光することによって、露光部膜
中にシリコン化合物を固定化させた後、酸素プラズマエ
ツチングによって未露光部を除去するパターン形成方法
はＧ、Ｎ、Ｔａｙｌｏｒ等によって教示された（Ｊ、Ｅ
Ｉｅｃｔｒｏｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、 Ｖｏｌ、’１３１
Ｎｏ、 ７ ｐｐ１６５８−１６６４．１９８４ ＞。
レジス１〜の代わりに通気性プラズマ重合膜を用いるこ
とによってスピン塗布の適用不可能な而の微細加工に適
用可能にする方法は版部、森等によって示されたく応用
物理学会学術講演会予稿集５Ｐ−に−１５，Ｐ５２７．
１９８Ｂ ＞ 、。
とによってスピン塗布の適用不可能な而の微細加工に適
用可能にする方法は版部、森等によって示されたく応用
物理学会学術講演会予稿集５Ｐ−に−１５，Ｐ５２７．
１９８Ｂ ＞ 、。
実際これらの方法を適用するにあたっては、有機シリコ
ン化合物以外に光増感剤をプラズマ重合膜中に導入する
必要があるか、有機シリコン化合物と多くの光増感剤と
の間では蒸気圧が異なり、同時に気相より拡散導入する
ことは困難である。
ン化合物以外に光増感剤をプラズマ重合膜中に導入する
必要があるか、有機シリコン化合物と多くの光増感剤と
の間では蒸気圧が異なり、同時に気相より拡散導入する
ことは困難である。
又、高分子基剤と光増感剤を含む膜にパターン露光する
ことによって、露光部の気体透過性を減少させもしくは
シリル化反応性を増加させた後、有機シリコン化合物を
気相より拡散させ加熱によって膜中にシリコン化合物を
固定化させ、酸素プラズマエツチングによって未露光部
を除去するバタン形成法は、Ｂ、 Ｒｏｌ １ａｎｄ等
の” Ｄ Ｅ Ｓ Ｉ ＲＥ ”法によって教示された
（Ｐｒｏｃ、ｌｌ−１ｉｃｒｏｐｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ
Ｅｎ、 Ｃｏｎｆ、Ｖｏｌ、５． ｐ２９１．１９８０
）。
ことによって、露光部の気体透過性を減少させもしくは
シリル化反応性を増加させた後、有機シリコン化合物を
気相より拡散させ加熱によって膜中にシリコン化合物を
固定化させ、酸素プラズマエツチングによって未露光部
を除去するバタン形成法は、Ｂ、 Ｒｏｌ １ａｎｄ等
の” Ｄ Ｅ Ｓ Ｉ ＲＥ ”法によって教示された
（Ｐｒｏｃ、ｌｌ−１ｉｃｒｏｐｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ
Ｅｎ、 Ｃｏｎｆ、Ｖｏｌ、５． ｐ２９１．１９８０
）。
微細加工技術は主として、平面基板上で広く用いられて
きたが、凸凹が数μｍにも及ぶ激しい部分や、非平面の
側壁に対しては効力を充分に発揮することは難しい。し
かしながら、現実問題として、センサーの形態が非平面
の部分に電極を形成したり、段さの激しい部分て磁気ヘ
ッドを高精度にパターン形成を行なう技術の確立は必要
不可欠な問題である。
きたが、凸凹が数μｍにも及ぶ激しい部分や、非平面の
側壁に対しては効力を充分に発揮することは難しい。し
かしながら、現実問題として、センサーの形態が非平面
の部分に電極を形成したり、段さの激しい部分て磁気ヘ
ッドを高精度にパターン形成を行なう技術の確立は必要
不可欠な問題である。
［発明が解決しようとする課題］
この発明は微細パターンの形成を通常の平面基板上で行
なうだ（ブでなく、凸凹の激しい部分や非平面の部分に
ａ３いても、膜形成をプラズマ重合法による表面被覆性
の改善を利用することによってパターン形成を高精度に
行う方法を提供することを課題とする。
なうだ（ブでなく、凸凹の激しい部分や非平面の部分に
ａ３いても、膜形成をプラズマ重合法による表面被覆性
の改善を利用することによってパターン形成を高精度に
行う方法を提供することを課題とする。
［課題を解決するための技術的手段１
上記の課題を解決するためこの発明は
（１）プラズマ重合膜に有機シリコン化合物を気相より
拡散させて得られた膜をパターン露光することによって
、露光部膜中にシリコン化合物を固定化させた後、酸素
プラズマエッチによって未露光部を除去するパターン形
成方法において、ざらに光増感剤をパターン露光前に真
空蒸着し、加熱によって膜中に拡散させることによって
露光感度を増しあるいは露光波長域を拡大している。
拡散させて得られた膜をパターン露光することによって
、露光部膜中にシリコン化合物を固定化させた後、酸素
プラズマエッチによって未露光部を除去するパターン形
成方法において、ざらに光増感剤をパターン露光前に真
空蒸着し、加熱によって膜中に拡散させることによって
露光感度を増しあるいは露光波長域を拡大している。
（２）高分子基剤と光増感剤とを含む膜にバタン露光部
の気体透過性を減少させもしくはシリル化反応性を増加
させた後、有機シリコン化合物を気相より拡散させ加熱
によって膜中にシリコン化合物を固定化させ、酸素プラ
ズマエツチングによって未露光部を除去するパターン形
成方法において、高分子基剤がプラズマ重合膜となって
いる。
の気体透過性を減少させもしくはシリル化反応性を増加
させた後、有機シリコン化合物を気相より拡散させ加熱
によって膜中にシリコン化合物を固定化させ、酸素プラ
ズマエツチングによって未露光部を除去するパターン形
成方法において、高分子基剤がプラズマ重合膜となって
いる。
［イ乍用］
あらゆる形態の表面に高精度なパターン形成が可能とな
る。実用化に対する問題点としては、表面塗イ５にプラ
ズマ重合法を用いるために、プラズマ重合膜の架橋密度
を低下させなｔＪればならない、又、光露光に対して感
度を持たない為、感光性材料の重合膜中への混入の高い
制御技術が必要となる、プラズマ重合膜の架橋密度の低
下は、プラスマ発生部と膜形酸部との距離を制御するこ
とで可能となる見通しで感光剤の混入制御は、感光剤の
気化装置と導入量制御用のノズルの設計をノズル径と導
入量の関係を結び付ける様に行うことで解決する。
る。実用化に対する問題点としては、表面塗イ５にプラ
ズマ重合法を用いるために、プラズマ重合膜の架橋密度
を低下させなｔＪればならない、又、光露光に対して感
度を持たない為、感光性材料の重合膜中への混入の高い
制御技術が必要となる、プラズマ重合膜の架橋密度の低
下は、プラスマ発生部と膜形酸部との距離を制御するこ
とで可能となる見通しで感光剤の混入制御は、感光剤の
気化装置と導入量制御用のノズルの設計をノズル径と導
入量の関係を結び付ける様に行うことで解決する。
［実施例］
以下この発明を実施例を示す図面に基き説明する。
第１図〜第６図はパターン形成方法の第１実側例の工程
を示し、第７〜１０図はこの工程の実施に使用される装
置を示す。
を示し、第７〜１０図はこの工程の実施に使用される装
置を示す。
先ず図面を離れて、第１実施例の戦果について述べると
、第１実施例はプラズマ重合膜形成後、増感剤と有機シ
リコンモノマーを重合膜中に気相拡ＶＩ１．させた後に
光露光により露光部に有機シリコンモノマーを固定化さ
せる。その後、未露光部の未反応７１機シリコン七モノ
マー真空加熱により追い出し、酸素プラズマエツチング
を行うことにより未露光部を選択的に除去し、パターン
形成を行う方法である。
、第１実施例はプラズマ重合膜形成後、増感剤と有機シ
リコンモノマーを重合膜中に気相拡ＶＩ１．させた後に
光露光により露光部に有機シリコンモノマーを固定化さ
せる。その後、未露光部の未反応７１機シリコン七モノ
マー真空加熱により追い出し、酸素プラズマエツチング
を行うことにより未露光部を選択的に除去し、パターン
形成を行う方法である。
次に第１〜１０図により詳細に説明する。プラズマ重合
膜用モノマＰとしてイソプレンを用い、アフタープロプ
ラズマ重合反応槽Ｂ１内で放電発生部から１６ｃｎ＋ｔ
ｅｆすれた所にＳ１塁板を設置し、Ａ「流量１５０ｓ
ｅ ｃｍ、圧力０．２丁。「「、放電周波数１３．５６
ＭＨｚ放７１ＢＮ力１５Ｗ（７）Ｔｒ約２時間重合を行
なった（第１図、第７図）。重合後、基板Ｓを真空槽８
２内に入れて１Ｏ−２Ｔ。
膜用モノマＰとしてイソプレンを用い、アフタープロプ
ラズマ重合反応槽Ｂ１内で放電発生部から１６ｃｎ＋ｔ
ｅｆすれた所にＳ１塁板を設置し、Ａ「流量１５０ｓ
ｅ ｃｍ、圧力０．２丁。「「、放電周波数１３．５６
ＭＨｚ放７１ＢＮ力１５Ｗ（７）Ｔｒ約２時間重合を行
なった（第１図、第７図）。重合後、基板Ｓを真空槽８
２内に入れて１Ｏ−２Ｔ。
ｒ ｒまで排気した後に、増感剤としてベンゾフェノン
を用いベンゾフェノンを気化させ真空槽内に導入し、基
板温度９０℃の下で３０分間、重合膜中への拡散処理を
行なった（第２図、第８図）。
を用いベンゾフェノンを気化させ真空槽内に導入し、基
板温度９０℃の下で３０分間、重合膜中への拡散処理を
行なった（第２図、第８図）。
その後、有機シリコンモノマとしてメチルフェニルシラ
ンを用い、１０ Ｔ○「「、の圧力まで真空槽内を排
気した後に、蒸気圧３Ｔ○ｒｒ、基板温度９０’Ｃの下
で、３０分間封入状態で拡散処理を行なった（第３図、
第８図）。このサンプルに対して波長２５４ ｎｍの紫
外線（１０ｎｍ／ｃｆｆｌ）を約５分間ホトマスクを通
して、大気中で露光した（第４図、第９図）。その後１
０＝Ｔｏｒｒの真空下において１００°Ｃ１３０分間の
追い出し処理を行なったことによって、未露光部の未反
応有機シリコンモノマが追い出され、パターンの潜像が
形成されたく第５図、第１０図）。その後酸素プラズマ
エツチングを酸素圧７０ｍＴｏｒ ｒ、電力密度０．３
２Ｗ／ｃｍ、放電周波数１３．５６Ｍ１−ＩＺで５分間
行ないパターン形成が確認された（第６図、第１０図）
。本実施例によりプラズマ重合膜をマトリックスとした
パターン形成法は光増感剤と有機シリコン化合物の拡散
を用いることで行えることが示された。これにより、非
平面」二への成膜を行なうことにより非平面−してのパ
ターン形成が期待出来る。
ンを用い、１０ Ｔ○「「、の圧力まで真空槽内を排
気した後に、蒸気圧３Ｔ○ｒｒ、基板温度９０’Ｃの下
で、３０分間封入状態で拡散処理を行なった（第３図、
第８図）。このサンプルに対して波長２５４ ｎｍの紫
外線（１０ｎｍ／ｃｆｆｌ）を約５分間ホトマスクを通
して、大気中で露光した（第４図、第９図）。その後１
０＝Ｔｏｒｒの真空下において１００°Ｃ１３０分間の
追い出し処理を行なったことによって、未露光部の未反
応有機シリコンモノマが追い出され、パターンの潜像が
形成されたく第５図、第１０図）。その後酸素プラズマ
エツチングを酸素圧７０ｍＴｏｒ ｒ、電力密度０．３
２Ｗ／ｃｍ、放電周波数１３．５６Ｍ１−ＩＺで５分間
行ないパターン形成が確認された（第６図、第１０図）
。本実施例によりプラズマ重合膜をマトリックスとした
パターン形成法は光増感剤と有機シリコン化合物の拡散
を用いることで行えることが示された。これにより、非
平面」二への成膜を行なうことにより非平面−してのパ
ターン形成が期待出来る。
次に第２実施例を説明する。第２実施例の戦果はプラズ
マ重合膜形成後、増感剤を重合膜中に気相拡散させた後
に光露光により露光部の重合膜と増感剤との間で架橋反
応を引ぎ起こすことにより気体の拡散性を低下させる。
マ重合膜形成後、増感剤を重合膜中に気相拡散させた後
に光露光により露光部の重合膜と増感剤との間で架橋反
応を引ぎ起こすことにより気体の拡散性を低下させる。
その後、未露光部に有数シリコンモノマを気相拡散させ
、基板加熱の下で重合膜との固定化反応を引き起こし、
酸素プラズマエツチングを行なうことにより、露光部を
選択的に除去することににリパターン形成を行なう方法
である。次に第１１〜１６図により第２実施例を詳細に
説明する。プラズマ重合膜用モノマとして、フェノール
基を持つ２，４−ジメヂルフェノールを用い、モノマ導
入温度６０ ’Ｃ、基板温度７０°Ｃに設定し、キャリ
アガスとしてのＡｒの流量を１５０ｓｅｃｍ、圧力０．
２Ｔｏｒｒ、放電電力１５Ｗ、放電周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚの下で、アフタープロプラズマ重合反応槽を用い、
放電発生部から１６ｃｍの所で約１時間重合を行なった
（第１１図）。重合後基板を１０−２１−○「「・の真
空下におき、光増感剤として例えば、モノアシドカルコ
ンを用い、１００℃で気化させサンフ′ル表面上に１０
分間吸着させ、吸着層を形成した後で基板温度を９０°
Ｃに設定し、３０分間拡散処理を行なった（第１２図）
。その後、キセノンランプによる紫外線露光をホ１ヘマ
スクを通して１０分間行なった（第１３図）。露光後、
サンプルを１０ Ｔｏｒｒの真空下に置き９０°Ｃで
１０分間放置した（第１４図）。後、有機シリコン化合
物としてヘキサメチルジシラザンを用い、室温下でガス
導入を行ない、ガス圧３Ｔｏｒｒで真空槽を封入し基板
温度９０°Ｃで３０分間拡散処理を行なった（第１５図
）、、その後、酸素プラズマエラチンクラ酸素ＩＴｆ７
０ｍＴｏ ｒ ｒ、電力重度０．３２ｗ／ｃｒｉ、放電
周波数１３．５６ＭＨｚの条件下で１０ ０分間行なった結果、パターン形成が確認されたく第１
６図）。なお、使用装置は第１実施例とｈ）１じである
ので省略する１、本実施例により、プラズマ重合膜を７
１〜リツクスとしたパターン形成はフェノール基を持つ
マトリックスと光増感剤の拡散、紫外線露光によるマト
リックスの通気性低下、有機シリコン化合物と７１〜リ
ツクメとのシリル化反応を用いることにより行なえるこ
とが示された。。
、基板加熱の下で重合膜との固定化反応を引き起こし、
酸素プラズマエツチングを行なうことにより、露光部を
選択的に除去することににリパターン形成を行なう方法
である。次に第１１〜１６図により第２実施例を詳細に
説明する。プラズマ重合膜用モノマとして、フェノール
基を持つ２，４−ジメヂルフェノールを用い、モノマ導
入温度６０ ’Ｃ、基板温度７０°Ｃに設定し、キャリ
アガスとしてのＡｒの流量を１５０ｓｅｃｍ、圧力０．
２Ｔｏｒｒ、放電電力１５Ｗ、放電周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚの下で、アフタープロプラズマ重合反応槽を用い、
放電発生部から１６ｃｍの所で約１時間重合を行なった
（第１１図）。重合後基板を１０−２１−○「「・の真
空下におき、光増感剤として例えば、モノアシドカルコ
ンを用い、１００℃で気化させサンフ′ル表面上に１０
分間吸着させ、吸着層を形成した後で基板温度を９０°
Ｃに設定し、３０分間拡散処理を行なった（第１２図）
。その後、キセノンランプによる紫外線露光をホ１ヘマ
スクを通して１０分間行なった（第１３図）。露光後、
サンプルを１０ Ｔｏｒｒの真空下に置き９０°Ｃで
１０分間放置した（第１４図）。後、有機シリコン化合
物としてヘキサメチルジシラザンを用い、室温下でガス
導入を行ない、ガス圧３Ｔｏｒｒで真空槽を封入し基板
温度９０°Ｃで３０分間拡散処理を行なった（第１５図
）、、その後、酸素プラズマエラチンクラ酸素ＩＴｆ７
０ｍＴｏ ｒ ｒ、電力重度０．３２ｗ／ｃｒｉ、放電
周波数１３．５６ＭＨｚの条件下で１０ ０分間行なった結果、パターン形成が確認されたく第１
６図）。なお、使用装置は第１実施例とｈ）１じである
ので省略する１、本実施例により、プラズマ重合膜を７
１〜リツクスとしたパターン形成はフェノール基を持つ
マトリックスと光増感剤の拡散、紫外線露光によるマト
リックスの通気性低下、有機シリコン化合物と７１〜リ
ツクメとのシリル化反応を用いることにより行なえるこ
とが示された。。
これにより、非平面上に成膜を行なうことにより非平面
上でパターン形成が期待出来る。
上でパターン形成が期待出来る。
［効果］
この発明のパターンは上記の工程により形成されるので
微細パターンの形成技術を平面基板に対して用いるだけ
でなく、段差が数μｍにも及ぶ激しい部分や、非平面の
側壁に対しても高精度にパターン形成を行なうことを対
象基板の寸法に依存せずに実施することができる。
微細パターンの形成技術を平面基板に対して用いるだけ
でなく、段差が数μｍにも及ぶ激しい部分や、非平面の
側壁に対しても高精度にパターン形成を行なうことを対
象基板の寸法に依存せずに実施することができる。
第１〜６図は第１実施例の１程を示し、第１図はプラズ
マ重合膜の拡散を示し、第２図は光増感１ 剤の拡散を示し、第３図は有機シリコン化合物の拡散を
示し、第４図は光露光による有機シリコン化合物の固定
化を示し、第５図は真空加熱による未反応化合物の追い
出しを示し、第６図は、酸素プラズマエツチングによる
パターン形成を示す。 第７〜１０図は前記工程を実施するための装置を示し、
第７図は７１−リツクスボリマープラズマ重合装置を示
し、第８図は、光反応分子吸着装置を示し、第９図は、
レーザ−１１＾画装置を示し、第１０図は加熱定容、プ
ラズマエッチ現像装置を示す。 第１１〜１６図は第２実施例の工程を示し、第１１図は
、プラズマ重合膜の成膜を示し、第１２図は光増感剤の
拡散を示し、第１３図は光露光による架橋反応の引き起
こしを示し、第１４図は真空加熱による未反応増感剤の
追い出しを示し、第１５図は有機シリコン化合物の気相
拡散ににるシリル化反応を用いた固定化を示し、第１６
図は、酸素プラズマエッヂングによるパターン形成を示
す。 ２ Ｐ・・・ポリマー Ｓ・・・基板 Ｂ１・・・アフタープロプラズマ重合反応槽Ｂ２・・・
真空槽
マ重合膜の拡散を示し、第２図は光増感１ 剤の拡散を示し、第３図は有機シリコン化合物の拡散を
示し、第４図は光露光による有機シリコン化合物の固定
化を示し、第５図は真空加熱による未反応化合物の追い
出しを示し、第６図は、酸素プラズマエツチングによる
パターン形成を示す。 第７〜１０図は前記工程を実施するための装置を示し、
第７図は７１−リツクスボリマープラズマ重合装置を示
し、第８図は、光反応分子吸着装置を示し、第９図は、
レーザ−１１＾画装置を示し、第１０図は加熱定容、プ
ラズマエッチ現像装置を示す。 第１１〜１６図は第２実施例の工程を示し、第１１図は
、プラズマ重合膜の成膜を示し、第１２図は光増感剤の
拡散を示し、第１３図は光露光による架橋反応の引き起
こしを示し、第１４図は真空加熱による未反応増感剤の
追い出しを示し、第１５図は有機シリコン化合物の気相
拡散ににるシリル化反応を用いた固定化を示し、第１６
図は、酸素プラズマエッヂングによるパターン形成を示
す。 ２ Ｐ・・・ポリマー Ｓ・・・基板 Ｂ１・・・アフタープロプラズマ重合反応槽Ｂ２・・・
真空槽
Claims (9)
- （１）プラズマ重合膜に有機シリコン化合物を気相より
拡散させて得られた膜をパターン露光することによって
、露光部膜中にシリコン化合物を固定化させた後、酸素
プラズマエッチによつて未露光部を除去するパターン形
成方法において、さらに光増感剤をパターン露光前に真
空蒸着し、加熱によって膜中に拡散させることによつて
露光感度を増しあるいは露光波長域を拡大することを特
徴とするパターン形成方法。 - （２）拡散させる光増感剤がベンゾフェノン誘導体ある
いはアントラキノン誘導体であることを特徴とする請求
項１記載のパターン形成法。 - （３）拡散させる光増感剤がアジド化合物であることを
特徴とする請求項１記載のパターン形成方法。 - （４）プラズマ重合膜がフェノール基を含むことを特徴
とする請求項１記載のパターン形成方法。 - （５）高分子基剤と光増感剤とを含む膜にパターン露光
部の気体透過性を減少させもしくはシリル化反応性を増
加させた後、有機シリコン化合物を気相より拡散させ加
熱によって膜中にシリコン化合物を固定化させ、酸素プ
ラズマエッチングによって未露光部を除去するパターン
形成方法において、高分子基剤がプラズマ重合膜である
ことを特徴とするパターン形成方法。 - （６）光増感剤をパターン露光前に真空蒸着し、加熱に
よって膜中に拡散させることを特徴とする請求項５記載
のパターン形成方法。 - （７）光増感剤がベンゾフェノン誘導体あるいはアント
ラキノン誘導体であることを特徴とする請求項５記載の
パターン形成方法。 - （８）拡散させる光増感剤がアジド化合物であることを
特徴とする請求項５記載のパターン形成方法。 - （９）プラズマ重合膜がフェノール基を含むことを特徴
とする請求項５記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20089489A JPH0364488A (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | パターン成形方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20089489A JPH0364488A (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | パターン成形方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0364488A true JPH0364488A (ja) | 1991-03-19 |
Family
ID=16432025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20089489A Pending JPH0364488A (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | パターン成形方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0364488A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007227229A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Seiko Instruments Inc | 基板接続構造及び電子機器 |
-
1989
- 1989-08-02 JP JP20089489A patent/JPH0364488A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007227229A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Seiko Instruments Inc | 基板接続構造及び電子機器 |
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