JPH036366A - 反応蒸着装置用基板ホルダー固定台 - Google Patents
反応蒸着装置用基板ホルダー固定台Info
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- JPH036366A JPH036366A JP13920889A JP13920889A JPH036366A JP H036366 A JPH036366 A JP H036366A JP 13920889 A JP13920889 A JP 13920889A JP 13920889 A JP13920889 A JP 13920889A JP H036366 A JPH036366 A JP H036366A
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- substrate holder
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、金属薄膜、半導体薄膜あるいは絶縁体薄膜な
どの形成に適した反応蒸着装置の基板ホルダー固定台に
関する。
どの形成に適した反応蒸着装置の基板ホルダー固定台に
関する。
従来の技術
従来、基板導入のためのロードロック室を設けた反応蒸
着装置において、反応ガスの導入方法としては、特に基
板に反応ガスを吹付けることなく単に装置内に反応ガス
を導入する方法、あるいはパイプなどでガスを基板近く
まで導いて基板にガスを吹付ける方法とがある。
着装置において、反応ガスの導入方法としては、特に基
板に反応ガスを吹付けることなく単に装置内に反応ガス
を導入する方法、あるいはパイプなどでガスを基板近く
まで導いて基板にガスを吹付ける方法とがある。
しかしながら、パイプなどでガスを基板に吹付けるよう
にした場合にも、吹付けたガスはパイプの出口から広が
っていくために、大部分のガスは基板に達せずに反応ガ
スとしては無駄となる。ガスの量を増せばそれでもよい
ようであるが、導入するガスの量を増加すると蒸着装置
内の圧力が高くなって蒸着自体が困難となるのが常であ
る。
にした場合にも、吹付けたガスはパイプの出口から広が
っていくために、大部分のガスは基板に達せずに反応ガ
スとしては無駄となる。ガスの量を増せばそれでもよい
ようであるが、導入するガスの量を増加すると蒸着装置
内の圧力が高くなって蒸着自体が困難となるのが常であ
る。
あるいはパイプの出口を基板に非常に近づけた場合、基
板表面でのガスの密度の一様性が悪くなってしまう、蒸
着中の熱でパイプ出口の位置が変化して成膜の再現性が
悪い、パイプが蒸着物質をさえぎりやすい、ガスの温度
と基板の温度とが大きく異なるためにガス吹付けで基板
温度が変化する、といった問題があった。
板表面でのガスの密度の一様性が悪くなってしまう、蒸
着中の熱でパイプ出口の位置が変化して成膜の再現性が
悪い、パイプが蒸着物質をさえぎりやすい、ガスの温度
と基板の温度とが大きく異なるためにガス吹付けで基板
温度が変化する、といった問題があった。
発明が解決しようとする課題
本発明は、上記のごとき従来の問題を解決した新規な反
応蒸着装置を提供することを目的とするものである。
応蒸着装置を提供することを目的とするものである。
すなわち本発明は、基板への反応ガス吹付けの一様性と
効率が高く、かつロードロック室を通じて蒸着室への基
板の出入れができる反応蒸着装置を提供することを目的
とするものである。
効率が高く、かつロードロック室を通じて蒸着室への基
板の出入れができる反応蒸着装置を提供することを目的
とするものである。
課題を解決するための手段
本発明は、基板ホルダーを固定するための固定台を真空
中でロードロック室から基板ホルダー固定台に基板ホル
ダーの脱着を自由に行える構造とするとともに、基板ホ
ルダー固定台に反応ガス吹付機構を一体化して設けるこ
とを特徴とする。
中でロードロック室から基板ホルダー固定台に基板ホル
ダーの脱着を自由に行える構造とするとともに、基板ホ
ルダー固定台に反応ガス吹付機構を一体化して設けるこ
とを特徴とする。
作用
本発明の基板ホルダー固定台を用いると、反応ガスはま
ず基板の周りから基板に吹付けられ、それから蒸着室内
に広がっていくため、基板への吹付は効率が高くなる。
ず基板の周りから基板に吹付けられ、それから蒸着室内
に広がっていくため、基板への吹付は効率が高くなる。
更に反応ガスを導いてくるためのパイプは基板ホルダー
を蒸着室内の所定の場所に固定するだめの固定台につな
いでおけばよいため、ロードロック室を通しての基板ホ
ルダーの蒸着室への出入れが容易となる。
を蒸着室内の所定の場所に固定するだめの固定台につな
いでおけばよいため、ロードロック室を通しての基板ホ
ルダーの蒸着室への出入れが容易となる。
その結果、基板交換ごとに蒸着室を大気圧に戻す必要が
なくなり、蒸着室の不純ガス量が少ない状態で、かつ反
応ガスの基板への吹付は効率は高くして反応蒸着を行な
うことができる。
なくなり、蒸着室の不純ガス量が少ない状態で、かつ反
応ガスの基板への吹付は効率は高くして反応蒸着を行な
うことができる。
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。本
例では、基板固定台１０は、第１図（１）に示すように
、Ａ、Ｂ、Ｃの３つの部分から構成される。Ａの部分で
は反応ガス導入用のパイプを挿入するための穴ｌと、反
応ガスを固定台内で基板の周りに分配するための溝２が
設けである。
例では、基板固定台１０は、第１図（１）に示すように
、Ａ、Ｂ、Ｃの３つの部分から構成される。Ａの部分で
は反応ガス導入用のパイプを挿入するための穴ｌと、反
応ガスを固定台内で基板の周りに分配するための溝２が
設けである。
Ｂの部分には、部分Ｃと組合わせたとき、溝２内に導か
れた反応ガスを基板に吹き出すための穴となる溝３が設
けである。Ｃの部分は溝３のふたとなる。
れた反応ガスを基板に吹き出すための穴となる溝３が設
けである。Ｃの部分は溝３のふたとなる。
第１図（２）に示すようにＡ、Ｂ、Ｃの部分はネジ４に
よって１個の基板固定台に組立てられる。
よって１個の基板固定台に組立てられる。
組立てられた基板固定台はネジ５によって蒸着室内の所
定の位置に取付けることができる。
定の位置に取付けることができる。
なお、基板ホルダー固定台の裏面には基板ホルダーより
少し小さい窓６が明けられており、これを通して固定台
のさらに裏に設置したヒーター１１からの輻射熱で基板
ホルダーが効率的に加熱できる。これによって基板加熱
のための基板ホルダー固定台と基板ホルダーとの熱接触
は重要でなくなり、基板ホルダーの固定台への固定が極
めて容易となった。この窓６には石英やサファイヤ等の
輻射を透過する窓材をはめておいてもよい。
少し小さい窓６が明けられており、これを通して固定台
のさらに裏に設置したヒーター１１からの輻射熱で基板
ホルダーが効率的に加熱できる。これによって基板加熱
のための基板ホルダー固定台と基板ホルダーとの熱接触
は重要でなくなり、基板ホルダーの固定台への固定が極
めて容易となった。この窓６には石英やサファイヤ等の
輻射を透過する窓材をはめておいてもよい。
基板７を取付けた基板ホルダー８は第１図（３）に示す
ように基板ホルダー挿入棒９を用いて、真空中でロード
ロック室１２から蒸着室内の基板ホルダー固定台に挿入
することができ、挿入後は基板ホルダー挿入棒はロード
ロック室に戻しておくことができる。蒸着装置全体の概
要を第２図（１）に示す。１３は蒸着室、１４は基板ホ
ルダー挿入棒操作マグネ−、ト、１５はゲートバルブ、
１６は反応ガス導入パイプ、１７は拡散ポンプである。
ように基板ホルダー挿入棒９を用いて、真空中でロード
ロック室１２から蒸着室内の基板ホルダー固定台に挿入
することができ、挿入後は基板ホルダー挿入棒はロード
ロック室に戻しておくことができる。蒸着装置全体の概
要を第２図（１）に示す。１３は蒸着室、１４は基板ホ
ルダー挿入棒操作マグネ−、ト、１５はゲートバルブ、
１６は反応ガス導入パイプ、１７は拡散ポンプである。
第２図（２）は第２図（１）の部分拡大図である。
第３図、第４図は本発明の他の実施例である。
第３図（１） 、 （２）の実施例では、反応ガスを固
定台内で基板の周りに分配するのに両端を封じてコの字
に曲げた空中パイプ３１を利用し、基板への反応ガス吹
き付けは空中パイプ３１に設けた細いパイプ３２を通し
て行なう。
定台内で基板の周りに分配するのに両端を封じてコの字
に曲げた空中パイプ３１を利用し、基板への反応ガス吹
き付けは空中パイプ３１に設けた細いパイプ３２を通し
て行なう。
第４図の実施例は第１図の実施例と異なり、Ｄ、Ｈの２
つの部分で構成されている。
つの部分で構成されている。
実施例
以下、本発明の実施例を具体的に説明する。
本発明の基板ホルダー固定台を用いない場合、基板交換
ごとに蒸着室を大気圧にもどさざるを得す、残留不純ガ
スの量を減らすために反応ガスを入れる前の真空度を５
Ｘ １０−８↑ａｒｔ以下にするには蒸着室全体の加
熱ガス出しや蒸着源と基板加熱ヒータ一部のガス出しな
ど、１基板ごとに３日以上の時間を要した。
ごとに蒸着室を大気圧にもどさざるを得す、残留不純ガ
スの量を減らすために反応ガスを入れる前の真空度を５
Ｘ １０−８↑ａｒｔ以下にするには蒸着室全体の加
熱ガス出しや蒸着源と基板加熱ヒータ一部のガス出しな
ど、１基板ごとに３日以上の時間を要した。
第１図、第２図に示した装置を用いた場合には、はじめ
に高真空を達成した後は、蒸着室を大気圧にもどすこと
なく２０枚程度の基板上に反応蒸着で成膜を行えるよう
になった。
に高真空を達成した後は、蒸着室を大気圧にもどすこと
なく２０枚程度の基板上に反応蒸着で成膜を行えるよう
になった。
次に反応蒸着成膜の具体例として、シリコン基板上への
酸化アルミ膜の形成について述べる。反応ガスとしては
酸素ガスを用いた。基板は基板ホルダー裏面のヒーター
で約６５０℃に加熱した。
酸化アルミ膜の形成について述べる。反応ガスとしては
酸素ガスを用いた。基板は基板ホルダー裏面のヒーター
で約６５０℃に加熱した。
反応ガス導入パイプを基板の斜め前方に基板から約５ｃ
ｍ離しておき、パイプから直接に基板に酸素ガスを吹き
付けた場合には、毎分１０ｃｃの酸素ガスを吹きつけな
がらアルミを蒸着しても酸化アルミ膜は得られなかった
。それ以上の酸素ガスを導入すると、蒸着室のガス圧が
高くなりすぎ、アルミの蒸着が困難となった。
ｍ離しておき、パイプから直接に基板に酸素ガスを吹き
付けた場合には、毎分１０ｃｃの酸素ガスを吹きつけな
がらアルミを蒸着しても酸化アルミ膜は得られなかった
。それ以上の酸素ガスを導入すると、蒸着室のガス圧が
高くなりすぎ、アルミの蒸着が困難となった。
本発明の基板ホルダー固定台を用い、固定台から酸素を
吹きつけながらアルミを蒸着した場合には、毎分１０ｃ
ｃの酸素ガスで酸化アルミ膜が得られた。
吹きつけながらアルミを蒸着した場合には、毎分１０ｃ
ｃの酸素ガスで酸化アルミ膜が得られた。
発明の効果
以」−述へたように、本発明による基板ホルダー固定台
は、基板交換のためのロードロック室を備えた反応蒸着
装置において、反応ガスの基板への吹き付は効率を高く
すると同時に、蒸着室を大気圧に戻すことなく基板を蒸
着室とロードロック室間で出し入れすることを可能にす
るものである。
は、基板交換のためのロードロック室を備えた反応蒸着
装置において、反応ガスの基板への吹き付は効率を高く
すると同時に、蒸着室を大気圧に戻すことなく基板を蒸
着室とロードロック室間で出し入れすることを可能にす
るものである。
第１図（１） 、 （２） 、 （３）は本発明の１実
施例の説明図、第２図（１） 、 （２）は本発明を用
いた反応蒸着装置例の説明図、第３図（Ｄ 、 （２）
は本発明の他の実施例の断面図および平面図、第４図は
本発明のさらに他の実施例の断面図である。 １Ｉ１１１１１穴、２．３・・・溝、４．５・・Φネジ
、６拳・・窓、７Φ・一基板、８・拳・基板ホルダー、
９φ・・基板ホルダー挿入棒、９ａ・・・ネジ、１０・
・一基板ホルダー固定台、１１・・・ヒーター、１２・
・・ロードロック室、１３−−・蒸着室、１４・・・基
板ホルダー挿入棒操作マグネット、１５・・・ゲートバ
ルブ、１６・・・反応ガス導入パイプ、１７１１・・拡
散ポンプ、３１．３２・・拳パイプ、４２．４３−・・
溝。
施例の説明図、第２図（１） 、 （２）は本発明を用
いた反応蒸着装置例の説明図、第３図（Ｄ 、 （２）
は本発明の他の実施例の断面図および平面図、第４図は
本発明のさらに他の実施例の断面図である。 １Ｉ１１１１１穴、２．３・・・溝、４．５・・Φネジ
、６拳・・窓、７Φ・一基板、８・拳・基板ホルダー、
９φ・・基板ホルダー挿入棒、９ａ・・・ネジ、１０・
・一基板ホルダー固定台、１１・・・ヒーター、１２・
・・ロードロック室、１３−−・蒸着室、１４・・・基
板ホルダー挿入棒操作マグネット、１５・・・ゲートバ
ルブ、１６・・・反応ガス導入パイプ、１７１１・・拡
散ポンプ、３１．３２・・拳パイプ、４２．４３−・・
溝。
Claims (1)
- 反応ガス雰囲気中で蒸着を行う反応蒸着装置の基板ホ
ルダー固定台であって、真空中でロードロック室から蒸
着室に設置された前記基板ホルダー固定台に基板ホルダ
ーの脱着が可能な構造であるとともに、前記基板ホルダ
ー固定台に反応ガス吹付機構を組込んだ構造であること
を特徴とする反応蒸着装置用基板ホルダー固定台。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13920889A JPH036366A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 反応蒸着装置用基板ホルダー固定台 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13920889A JPH036366A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 反応蒸着装置用基板ホルダー固定台 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH036366A true JPH036366A (ja) | 1991-01-11 |
Family
ID=15240056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13920889A Pending JPH036366A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 反応蒸着装置用基板ホルダー固定台 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH036366A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6416311B1 (en) * | 1998-05-04 | 2002-07-09 | Jenoptik Aktiengesellschaft | Device and method for separating a shaped substrate from a stamping tool |
| US20150011025A1 (en) * | 2013-07-03 | 2015-01-08 | Tsmc Solar Ltd. | Enhanced selenium supply in copper indium gallium selenide processes |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5878417A (ja) * | 1981-11-05 | 1983-05-12 | Anelva Corp | 薄膜形成真空装置 |
| JPS60136314A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-19 | Hitachi Ltd | 低圧雰囲気内の処理装置 |
-
1989
- 1989-06-02 JP JP13920889A patent/JPH036366A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5878417A (ja) * | 1981-11-05 | 1983-05-12 | Anelva Corp | 薄膜形成真空装置 |
| JPS60136314A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-19 | Hitachi Ltd | 低圧雰囲気内の処理装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6416311B1 (en) * | 1998-05-04 | 2002-07-09 | Jenoptik Aktiengesellschaft | Device and method for separating a shaped substrate from a stamping tool |
| US20150011025A1 (en) * | 2013-07-03 | 2015-01-08 | Tsmc Solar Ltd. | Enhanced selenium supply in copper indium gallium selenide processes |
| CN104278248A (zh) * | 2013-07-03 | 2015-01-14 | 台积太阳能股份有限公司 | 在铜铟镓硒化合物工艺中增强的硒供给 |
| US20190221459A1 (en) * | 2013-07-03 | 2019-07-18 | Tsmc Solar Ltd. | Enhanced selenium supply in copper indium gallium selenide processes |
| US11735446B2 (en) | 2013-07-03 | 2023-08-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Enhanced selenium supply in copper indium gallium selenide processes |
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