JPH0362979A - 半導体レーザ励起固体レーザ - Google Patents
半導体レーザ励起固体レーザInfo
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- JPH0362979A JPH0362979A JP19799289A JP19799289A JPH0362979A JP H0362979 A JPH0362979 A JP H0362979A JP 19799289 A JP19799289 A JP 19799289A JP 19799289 A JP19799289 A JP 19799289A JP H0362979 A JPH0362979 A JP H0362979A
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- JP
- Japan
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- laser
- optical fiber
- silica
- semiconductor laser
- excitation light
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
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- 239000000835 fiber Substances 0.000 abstract 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 abstract 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は光フアイバー結合型半導体レーザ励起固体レー
ザに係り、特に励起光を導く光ファイバーに開口数の高
いフッ素樹脂クラッドシリカ光ファイバーを用い、光源
と光ファイバーとの光学的結合効率を向上させた半導体
レーザ励起固体レーザに関するものである。
ザに係り、特に励起光を導く光ファイバーに開口数の高
いフッ素樹脂クラッドシリカ光ファイバーを用い、光源
と光ファイバーとの光学的結合効率を向上させた半導体
レーザ励起固体レーザに関するものである。
［従来の技術］
従来の半導体レーザ励起固体レーザの基本構成を第１図
に示す。
に示す。
励起光源の半導体レーザ（ＬＤ）５から発振した励起光
を、シリカ系ＧＩ光ファイバーあるいはシリカ系ＳＩ光
ファイバーの光ファイバー６により導光し、光ファイバ
ー６とＹＡＧ結晶等のレーザ媒質８を凸レンズ７等の結
合光学系により光学的に結合する。レーザ媒質８へ入射
した励起光は、レーザ媒質８を励起し発振光を生ずる。
を、シリカ系ＧＩ光ファイバーあるいはシリカ系ＳＩ光
ファイバーの光ファイバー６により導光し、光ファイバ
ー６とＹＡＧ結晶等のレーザ媒質８を凸レンズ７等の結
合光学系により光学的に結合する。レーザ媒質８へ入射
した励起光は、レーザ媒質８を励起し発振光を生ずる。
発振光は、レーザ媒質８の光フアイバー６側の端面と出
力ミラー９とで構成されるレーザ共振器により共振し、
所定の強度に達したところで出力ミラーより出射する。
力ミラー９とで構成されるレーザ共振器により共振し、
所定の強度に達したところで出力ミラーより出射する。
レーザ媒質８の光フアイバー６側の端面には、励起光に
対しては透明膜、発振光に対しては反射膜として作用す
る誘電体多層膜が形成されている。
対しては透明膜、発振光に対しては反射膜として作用す
る誘電体多層膜が形成されている。
［発明の解決しようとする課題］
従来の光フアイバー結合型の半導体レーザ励起固体レー
ザは、光ファイバー６に開口数 （ＮＡ）が０．２程度
と低いシリカ系ＧＩ光ファイバーやシリカ系ＳＩ光ファ
イバーを用いていたため、導光される励起光の強度が小
さくなり、従って出力されるレーザ光の強度も小さくな
っていた。
ザは、光ファイバー６に開口数 （ＮＡ）が０．２程度
と低いシリカ系ＧＩ光ファイバーやシリカ系ＳＩ光ファ
イバーを用いていたため、導光される励起光の強度が小
さくなり、従って出力されるレーザ光の強度も小さくな
っていた。
［課題を解決するための手段］
本発明は、前述の問題点を解決すべくなされたものであ
り、励起光源の半導体レーザと、該半導体レーザの励起
光をレーザ媒質へ導光する光ファイバーと、レーザ媒質
を備えてなる半導体レーザ励起固体レーザにおいて、該
光ファイバーをフッ素樹脂クラッドシリカ光ファイバー
としたことを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザを
提供するものである。
り、励起光源の半導体レーザと、該半導体レーザの励起
光をレーザ媒質へ導光する光ファイバーと、レーザ媒質
を備えてなる半導体レーザ励起固体レーザにおいて、該
光ファイバーをフッ素樹脂クラッドシリカ光ファイバー
としたことを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザを
提供するものである。
［作用］
通常、シリカ系ＧＩ光ファイバーあるいはシリカ系ＳＩ
光ファイバーのＮＡは０．２程度であるが、フッ素樹脂
クラッドシリカ光ファイバーだとＮＡが０．４３程度ま
で可能である。従って、導光する励起光の強度が大きく
なり、レーザ媒質より発振するレーザ光出力も向上する
。
光ファイバーのＮＡは０．２程度であるが、フッ素樹脂
クラッドシリカ光ファイバーだとＮＡが０．４３程度ま
で可能である。従って、導光する励起光の強度が大きく
なり、レーザ媒質より発振するレーザ光出力も向上する
。
［実施例］
励起光源の半導体レーザに励起光強度が５００ｍＷ （
５ＯＮＹ社′ｊＡＳＬＵ ３０４ ＸＴ ）のものを用
い、導光用の光ファイバーにコア径が４００μｍでＮＡ
が０．４３のフッ素樹脂クラッドシリカ光ファイバー（
Ｆｅ２）を用いた場合について、出射光強度（ｍＷ）、
効率（％）、ＹＡＧレーザ出力（ｍＷ ）を第１表に示
す。また、従来例としてコア径が４００μｍのシリカ系
ＳＩ光ファイバーを用いた場合について、第１表に合わ
せて示す。
５ＯＮＹ社′ｊＡＳＬＵ ３０４ ＸＴ ）のものを用
い、導光用の光ファイバーにコア径が４００μｍでＮＡ
が０．４３のフッ素樹脂クラッドシリカ光ファイバー（
Ｆｅ２）を用いた場合について、出射光強度（ｍＷ）、
効率（％）、ＹＡＧレーザ出力（ｍＷ ）を第１表に示
す。また、従来例としてコア径が４００μｍのシリカ系
ＳＩ光ファイバーを用いた場合について、第１表に合わ
せて示す。
第１表
＊
入射光強度・５５０ ｍ Ｗ
［発明の効果］
本発明は、高い開口数を有するフッ素樹脂クラッドシリ
カ光ファイバーを用いることにより、励起光源の半導体
レーザと高い光学的結合効率が得られ、従って固体レー
ザにおいても高い発振効率が得られるという効果が得ら
れるものである。
カ光ファイバーを用いることにより、励起光源の半導体
レーザと高い光学的結合効率が得られ、従って固体レー
ザにおいても高い発振効率が得られるという効果が得ら
れるものである。
第１図は従来の半導体レーザ励起固体レーザの基本構成
を示す側面図である。 ５・・・ＬＤ ６・・・光ファイバー８
・・・レーザ媒質 第 図
を示す側面図である。 ５・・・ＬＤ ６・・・光ファイバー８
・・・レーザ媒質 第 図
Claims (1)
- 励起光源の半導体レーザと、該半導体レーザの励起光
をレーザ媒質へ導光する光ファイバーと、レーザ媒質を
備えてなる半導体レーザ励起固体レーザにおいて、該光
ファイバーをフッ素樹脂クラッドシリカ光ファイバーと
したことを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19799289A JPH0362979A (ja) | 1989-08-01 | 1989-08-01 | 半導体レーザ励起固体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19799289A JPH0362979A (ja) | 1989-08-01 | 1989-08-01 | 半導体レーザ励起固体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0362979A true JPH0362979A (ja) | 1991-03-19 |
Family
ID=16383713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19799289A Pending JPH0362979A (ja) | 1989-08-01 | 1989-08-01 | 半導体レーザ励起固体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0362979A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040050954A (ko) * | 2002-12-11 | 2004-06-18 | 강철 | 손가방의 수납구조 |
-
1989
- 1989-08-01 JP JP19799289A patent/JPH0362979A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040050954A (ko) * | 2002-12-11 | 2004-06-18 | 강철 | 손가방의 수납구조 |
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