JPH0358459A - Lsi等空冷却フィン - Google Patents
Lsi等空冷却フィンInfo
- Publication number
- JPH0358459A JPH0358459A JP1192525A JP19252589A JPH0358459A JP H0358459 A JPH0358459 A JP H0358459A JP 1192525 A JP1192525 A JP 1192525A JP 19252589 A JP19252589 A JP 19252589A JP H0358459 A JPH0358459 A JP H0358459A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cooling fin
- lsi
- base
- attachment
- fin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims abstract description 87
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000006258 conductive agent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野】
本発明は、LSi等の空冷用冷却フィン、特にその嵌肴
構造に関する。
構造に関する。
[従来の技術]
LSI化技術の発展に伴い、LSIは高密度、高速化、
高消¥R74力化しつつある.高消費電力化によって生
ずる発熱は、一部の装置では液冷方式が導入されている
が、簡便さの点から空冷方式が大多数であり、冷却用の
フィンをセラミックケース(LSIパッケージ)等に付
着させて放熱する方法が一般的である。その場合、発熱
槌の増大に伴って熱抵抗の少ない形とすると共に、空気
の流速を増大するか、フィンの形状を大きくする必要が
ある。流速は装置の構造により自ずと上限があり、LS
Iの動作、信11j[&確保に必要な温度に抑えるため
には、最終的にフィンの大ぎさに依存せざるを得ない。
高消¥R74力化しつつある.高消費電力化によって生
ずる発熱は、一部の装置では液冷方式が導入されている
が、簡便さの点から空冷方式が大多数であり、冷却用の
フィンをセラミックケース(LSIパッケージ)等に付
着させて放熱する方法が一般的である。その場合、発熱
槌の増大に伴って熱抵抗の少ない形とすると共に、空気
の流速を増大するか、フィンの形状を大きくする必要が
ある。流速は装置の構造により自ずと上限があり、LS
Iの動作、信11j[&確保に必要な温度に抑えるため
には、最終的にフィンの大ぎさに依存せざるを得ない。
すなわち、LSIを搭載するプリント基板《ボード)と
垂直方向に大きくするか、水平方向に大きくするかのい
ずれかを選択することが必要になる。このような場合垂
直方向への冷却フィンの構造が可能であるとLSIの端
子が外部端子から接触できるが、装置化においてはボー
ド間隔が広がり、装置の小型化に反することになり自ず
と限界があり、水平方向に広げざるを得ない。また、L
SIのパッケージとして、装置の小形化、高速化等に適
する表面実装型のパッケージが普及しつつあり、形状が
デュアルインラインパッケージ等の挿入型のパッケージ
に比べ小形であるので、発熱密度が高くなっているにも
拘らず、パッケージと同一面積の冷却フィンでは冷W能
力が低下することによる。
垂直方向に大きくするか、水平方向に大きくするかのい
ずれかを選択することが必要になる。このような場合垂
直方向への冷却フィンの構造が可能であるとLSIの端
子が外部端子から接触できるが、装置化においてはボー
ド間隔が広がり、装置の小型化に反することになり自ず
と限界があり、水平方向に広げざるを得ない。また、L
SIのパッケージとして、装置の小形化、高速化等に適
する表面実装型のパッケージが普及しつつあり、形状が
デュアルインラインパッケージ等の挿入型のパッケージ
に比べ小形であるので、発熱密度が高くなっているにも
拘らず、パッケージと同一面積の冷却フィンでは冷W能
力が低下することによる。
第5図乃至第6図は、従来の冷却フィンを取り付けた例
を示したものであり、高発熱LSIの動作保証温度の維
持が可能なようにボードと水平方向にフィンのサイズの
みを大形化した従来構造の冷却フィン(SONY SE
HICONDUCTOR IC DATA 800K1
988, Pγ−11(FIG.15)(SPECL
Standard Logic)参照)を表面実装のL
SIパッケージに搭載したものである。第5図はその平
面図、第6図は第5図■一■Il視中央縦断面図であっ
て、図中1はボード、2はボード1上の配線パターン、
3はI..SIパッケージ、4はLSI端子、5.6は
LSIパッケージ3とボード1及びt.siパッケージ
3と冷却フィンAとの接@箇所、αは測定ジグを示して
いる。
を示したものであり、高発熱LSIの動作保証温度の維
持が可能なようにボードと水平方向にフィンのサイズの
みを大形化した従来構造の冷却フィン(SONY SE
HICONDUCTOR IC DATA 800K1
988, Pγ−11(FIG.15)(SPECL
Standard Logic)参照)を表面実装のL
SIパッケージに搭載したものである。第5図はその平
面図、第6図は第5図■一■Il視中央縦断面図であっ
て、図中1はボード、2はボード1上の配線パターン、
3はI..SIパッケージ、4はLSI端子、5.6は
LSIパッケージ3とボード1及びt.siパッケージ
3と冷却フィンAとの接@箇所、αは測定ジグを示して
いる。
[発明が解決しようとする課題]
前記の従来例は、以下のような欠点がある。
■空冷却フィンAの形状が大形化し、第5図乃至第6図
に示したようにLSI端子4にかぶさるようになると、
測定ジグαをLSI端子4に当てられなくなり測定用に
配線パターン2を延長することが必要になる。そのため
、回路図に現れない測定用パターンの付与が必要となり
、また、配線パターン2に制約を生じ自動化しにくくな
る。そのため設計段階での生産性が悪くなるばかりでな
く、高速化が要求される場合には特性劣化を招く可能性
がある。
に示したようにLSI端子4にかぶさるようになると、
測定ジグαをLSI端子4に当てられなくなり測定用に
配線パターン2を延長することが必要になる。そのため
、回路図に現れない測定用パターンの付与が必要となり
、また、配線パターン2に制約を生じ自動化しにくくな
る。そのため設計段階での生産性が悪くなるばかりでな
く、高速化が要求される場合には特性劣化を招く可能性
がある。
■表面実装LSIを使用し、かつLSIパッケージの交
換が必要になった場合、空冷却フィンAが大きく、半田
面に半田溶解に必要な工具を使用できないため、LSI
パッケージを容易に交換できない。
換が必要になった場合、空冷却フィンAが大きく、半田
面に半田溶解に必要な工具を使用できないため、LSI
パッケージを容易に交換できない。
本発明は前記の課題を解決するLSI等空冷却フィンを
提供するものである。
提供するものである。
[課題を解決するための手段]
前記課題の解決は、本発明のLSI等空冷却フィンが、
LSIパッケージ等の端子部分を含む面より小さい底面
をLSIパッケージ等上に接看したベース冷却フィンと
、底面外郭が前記LSIパッケージ等の端子部分を含む
面縁よりも大きいアタッチメント冷却フィンからなり、
前記ベース冷却フィンの外周側面にアタッチメント冷郎
フィンを取り外し自在に囲繞嵌着することを特徴とする
構成手段を、 または、他の本発明のLSI等空冷却フィンが、LSI
パッケージ等の端子部分を含む面より小さい底面をLS
Iパッケージ等上に接着したベース冷郎用フィンと、底
面外郭が前記1stパッケージ等の端子部分を含む面縁
よりも小さいアタッチメント冷却フィンからなり、前記
ベース冷却フィン外周側面に7タッヂメント冷却フィン
を取り外し自在に囲繞嵌着することを特徴とする構成手
段を採用することにより達成される。
LSIパッケージ等の端子部分を含む面より小さい底面
をLSIパッケージ等上に接看したベース冷却フィンと
、底面外郭が前記LSIパッケージ等の端子部分を含む
面縁よりも大きいアタッチメント冷却フィンからなり、
前記ベース冷却フィンの外周側面にアタッチメント冷郎
フィンを取り外し自在に囲繞嵌着することを特徴とする
構成手段を、 または、他の本発明のLSI等空冷却フィンが、LSI
パッケージ等の端子部分を含む面より小さい底面をLS
Iパッケージ等上に接着したベース冷郎用フィンと、底
面外郭が前記1stパッケージ等の端子部分を含む面縁
よりも小さいアタッチメント冷却フィンからなり、前記
ベース冷却フィン外周側面に7タッヂメント冷却フィン
を取り外し自在に囲繞嵌着することを特徴とする構成手
段を採用することにより達成される。
[作 用]
本発明は、前記手段を講ずるので、空冷却フィンの底面
がLSIパッケージ等の端子面より大きくなるような場
合に、LSIパッケージ等の端子部分を含む面より底面
が小さく、かつLSIパッケージ等上に接着したベース
冷却フィンと、底面外郭が前記LSIパッケージ等の端
子部分を含む面縁よりも大きいアタッチメント冷却フィ
ンまたは該LSIパッケージ等の端子部分を含む面縁よ
りも底面外郭が小さく、かつ、ボードの垂直方向に拡が
っているアタッチメント冷即フィンに分割し、分割によ
って生ずる熱抵抗を低減できるように前記ベース冷却フ
ィンの外周側面にアタッチメント冷却フィンを取り外し
自在に囲繞嵌着して、それにより試験・調整及び181
パッケージ等の交換が容易に行えるようにしたものであ
る。
がLSIパッケージ等の端子面より大きくなるような場
合に、LSIパッケージ等の端子部分を含む面より底面
が小さく、かつLSIパッケージ等上に接着したベース
冷却フィンと、底面外郭が前記LSIパッケージ等の端
子部分を含む面縁よりも大きいアタッチメント冷却フィ
ンまたは該LSIパッケージ等の端子部分を含む面縁よ
りも底面外郭が小さく、かつ、ボードの垂直方向に拡が
っているアタッチメント冷即フィンに分割し、分割によ
って生ずる熱抵抗を低減できるように前記ベース冷却フ
ィンの外周側面にアタッチメント冷却フィンを取り外し
自在に囲繞嵌着して、それにより試験・調整及び181
パッケージ等の交換が容易に行えるようにしたものであ
る。
[実施例1]
本発明の第1実施例を第1図乃至第2図につき説明する
。
。
第1図は本実施例の平面図、第2図はアタッチメント玲
却フィンを取り外した状態の本実施例の正面図である。
却フィンを取り外した状態の本実施例の正面図である。
同図において第5図乃至第6図中の同一部分は同一番号
を付し、図中81はLSIパッケージ3上に接着しかつ
底面がLSI端子4の含面縁より小さいベース冷却フィ
ン、B2はベース冷却フィンB1外周側面に取り外し自
在に囲繞嵌肴しかつ底面外郭がLSI端子4の含面縁よ
りも大きいアタッチメント冷却フィンである。
を付し、図中81はLSIパッケージ3上に接着しかつ
底面がLSI端子4の含面縁より小さいベース冷却フィ
ン、B2はベース冷却フィンB1外周側面に取り外し自
在に囲繞嵌肴しかつ底面外郭がLSI端子4の含面縁よ
りも大きいアタッチメント冷却フィンである。
ここで、嵌合部について説明すると、平面正方形ベース
冷却フィンB1外周側面7の各4辺中央全高に亙り嵌合
突部8を設け、その嵌合突部8は第2図に示すようにわ
ずかな下方拡大傾斜をもつ千面台形とする。これに対し
、中央に正方形嵌孔9を貝設した平面正方形輪環形アタ
ッチメント冷却フィンB2の嵌孔9円周側面の各4辺中
央全高に亙り嵌合突部8と対応嵌合する嵌合凹部10を
陥設してある。当該嵌合凹部10がベース冷却フィンB
1の嵌合突部8の台形よりも多少長方形に近い台形また
は長方形であるため、嵌合突部8の嵌合凹部10溝への
差し込み方が深まれば深まるほど強く嵌合される。即ち
、ベース冷却フィンB1と7タッヂメント冷却フィンB
2が強く嵌合されることとなる。
冷却フィンB1外周側面7の各4辺中央全高に亙り嵌合
突部8を設け、その嵌合突部8は第2図に示すようにわ
ずかな下方拡大傾斜をもつ千面台形とする。これに対し
、中央に正方形嵌孔9を貝設した平面正方形輪環形アタ
ッチメント冷却フィンB2の嵌孔9円周側面の各4辺中
央全高に亙り嵌合突部8と対応嵌合する嵌合凹部10を
陥設してある。当該嵌合凹部10がベース冷却フィンB
1の嵌合突部8の台形よりも多少長方形に近い台形また
は長方形であるため、嵌合突部8の嵌合凹部10溝への
差し込み方が深まれば深まるほど強く嵌合される。即ち
、ベース冷却フィンB1と7タッヂメント冷却フィンB
2が強く嵌合されることとなる。
本実施例においてはベース冷却フィンB1に嵌合突部8
、アタッヂメント冷却フィン82に嵌合凹部10が設け
てあるが、その逆でもよいこと、大きさ、個数は問わな
いことは言うまでもない。
、アタッヂメント冷却フィン82に嵌合凹部10が設け
てあるが、その逆でもよいこと、大きさ、個数は問わな
いことは言うまでもない。
ベース冷却フィンB1は、LSIパッケージ3をボード
1上に搭載した後に接着され、さらにアタッチメント冷
却フィンB2を上から嵌着する。
1上に搭載した後に接着され、さらにアタッチメント冷
却フィンB2を上から嵌着する。
このような構造とすることにより、嵌肴時にLSIパッ
ケージ3にそれほど外力を加えることなく密着でき、分
割構造にも拘らず熱抵抗を低下させることができる。説
着時には、ベース冷却フィンB1を手で押えながらアタ
ッチメント玲却フィンB2を上に引き上げれば嵌着時と
同様にそれほど外力を加えることもなく取り外せる。ま
た、嵌合部分に熱伝導剤(図示せず)を注入することに
より一層の熱抵抗の低下が可能になる。本実施例によれ
ば通常の冷郎を要する動作状態では必要な放熱面積を確
保でき、かつ故障時にはアタッチメント冷却フィンB2
を外して容易にし81端子4に測定ジグαを当てること
ができる利点がある。また、試験・調整段階では、室温
、風量等を整備していれば、前記と同様にアタッチメン
ト冷却フィンB2を取り外してもベース玲郎フィンB1
のみでb冷却効采があるので、動作状態のままし81端
子4に測定用ジグαを当てることが可能になる。
ケージ3にそれほど外力を加えることなく密着でき、分
割構造にも拘らず熱抵抗を低下させることができる。説
着時には、ベース冷却フィンB1を手で押えながらアタ
ッチメント玲却フィンB2を上に引き上げれば嵌着時と
同様にそれほど外力を加えることもなく取り外せる。ま
た、嵌合部分に熱伝導剤(図示せず)を注入することに
より一層の熱抵抗の低下が可能になる。本実施例によれ
ば通常の冷郎を要する動作状態では必要な放熱面積を確
保でき、かつ故障時にはアタッチメント冷却フィンB2
を外して容易にし81端子4に測定ジグαを当てること
ができる利点がある。また、試験・調整段階では、室温
、風量等を整備していれば、前記と同様にアタッチメン
ト冷却フィンB2を取り外してもベース玲郎フィンB1
のみでb冷却効采があるので、動作状態のままし81端
子4に測定用ジグαを当てることが可能になる。
次の第2実施例においても同様である。
[実施例2]
本発明の第2実施例を第3図乃至第4図につき説明する
。
。
第3図は本実施例の平面図、第4図はアタッチメント冷
却フィンを取り外した状態の本実施例の正面図である。
却フィンを取り外した状態の本実施例の正面図である。
同図において第5図乃至第6図中の同一部分は同一番号
を付し、図中01は前記第1実施例のベース冷却フィン
と同一、C2はべ一ス冷却フィンC1外周側面に取り外
し自在に囲縞嵌着しかつ底面外郭がLS I1子4の含
面縁よりも小さいアタッチメント冷郎フィンである。ボ
ード1の垂直方向に余裕があり、ベース冷却フィンC1
のみでは不十分な場合に並列連立する放熱フィン11の
高さhを高くとったアタッチメント冷却フィンC2を用
いて放熱効果を向上するものである。また、装置に取り
付ける時には前記第1実施例のアタッチメント冷却フィ
ンB2を使用し、試m*整時は本実施例のアタッチメン
ト冷却フィンC2を用いて行うのが有効である。アタッ
チメント冷却フィンC2は放熱フィン11の放熱面積を
自由にとれるので、高発熱LSI等での動作状態での試
験調整に効果がある。
を付し、図中01は前記第1実施例のベース冷却フィン
と同一、C2はべ一ス冷却フィンC1外周側面に取り外
し自在に囲縞嵌着しかつ底面外郭がLS I1子4の含
面縁よりも小さいアタッチメント冷郎フィンである。ボ
ード1の垂直方向に余裕があり、ベース冷却フィンC1
のみでは不十分な場合に並列連立する放熱フィン11の
高さhを高くとったアタッチメント冷却フィンC2を用
いて放熱効果を向上するものである。また、装置に取り
付ける時には前記第1実施例のアタッチメント冷却フィ
ンB2を使用し、試m*整時は本実施例のアタッチメン
ト冷却フィンC2を用いて行うのが有効である。アタッ
チメント冷却フィンC2は放熱フィン11の放熱面積を
自由にとれるので、高発熱LSI等での動作状態での試
験調整に効果がある。
[発明の効果1
かくして、本発明は従来の空冷却フィンでは実現できな
い高発熱しSIや表面実装用LSIパッケージ等に効果
があり、しかも、分割したベース冷却フィンとアタッチ
メント冷却フィンを嵌肴させるために、一方の冷却フィ
ンの嵌合部に台形または長方形の嵌合突部を設け、他方
の嵌合部には長方形または台形の嵌合凹部を陥設する構
造としたので、繰り返し嵌朋着を行ってもLSIパッケ
ージに無理がかからず、かつ、密着させて熱抵抗を低減
できるので、試験段階や一定時期に交換を必要とする状
態での使用には特に効果が大きい。
い高発熱しSIや表面実装用LSIパッケージ等に効果
があり、しかも、分割したベース冷却フィンとアタッチ
メント冷却フィンを嵌肴させるために、一方の冷却フィ
ンの嵌合部に台形または長方形の嵌合突部を設け、他方
の嵌合部には長方形または台形の嵌合凹部を陥設する構
造としたので、繰り返し嵌朋着を行ってもLSIパッケ
ージに無理がかからず、かつ、密着させて熱抵抗を低減
できるので、試験段階や一定時期に交換を必要とする状
態での使用には特に効果が大きい。
第1図は本発明の第1実施例を示す平面図、第2図は同
上アタッヂメント冷郎フィンを取り外した状態の正面図
、第3図は本発明の第2実施例を示す平面図、第4図は
同上アタッチメント冷却フィンを取り外した状態の正面
図、第5図は従来発明の空冷却フィンの取り付け例を示
す平面図、第6図は第5図中Vl−Vl線視中央縦断面
図である。 A・・・空冷却フィン 81.C1・・・ベース冷
却フィン 82.C2・・・アタップーメント冷却フィンh・・・
高さ α・・・測定ジグ1・・・ボード
2・・・配線パターン3・・・LSIパッケ
ージ 5,6・・・接着箇所 8・・・嵌合突部 10・・・咲合凹部 1 4・・・LSI端子 7・・・外周側面 9・・・嵌孔 1・・・放熱フィン 第1図 第2図 3 5 第3回
上アタッヂメント冷郎フィンを取り外した状態の正面図
、第3図は本発明の第2実施例を示す平面図、第4図は
同上アタッチメント冷却フィンを取り外した状態の正面
図、第5図は従来発明の空冷却フィンの取り付け例を示
す平面図、第6図は第5図中Vl−Vl線視中央縦断面
図である。 A・・・空冷却フィン 81.C1・・・ベース冷
却フィン 82.C2・・・アタップーメント冷却フィンh・・・
高さ α・・・測定ジグ1・・・ボード
2・・・配線パターン3・・・LSIパッケ
ージ 5,6・・・接着箇所 8・・・嵌合突部 10・・・咲合凹部 1 4・・・LSI端子 7・・・外周側面 9・・・嵌孔 1・・・放熱フィン 第1図 第2図 3 5 第3回
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、LSIパッケージ等の端子部分を含む面より小さい
底面をLSIパッケージ等上に接着したベース冷却フィ
ンと、底面外郭が前記LSIパッケージ等の端子部分を
含む面縁よりも大きいアタッチメント冷却フィンからな
り、前記ベース冷却フィン外周側面にアタッチメント冷
却フィンを取り外し自在に囲繞嵌着することを特徴とす
るLSI等空冷却フィン 2、LSIパッケージ等の端子部分を含む面より小さい
底面をLSIパッケージ等上に接着したベース冷却フィ
ンと、底面外郭が前記LSIパッケージ等の端子部分を
含む面縁よりも小さいアタッチメント冷却フィンからな
り、前記ベース冷却フィン外周側面にアタッチメント冷
却フィンを取り外し自在に囲繞嵌着することを特徴とす
るLSI等空冷却フィン
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1192525A JPH0358459A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | Lsi等空冷却フィン |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1192525A JPH0358459A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | Lsi等空冷却フィン |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0358459A true JPH0358459A (ja) | 1991-03-13 |
Family
ID=16292736
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1192525A Pending JPH0358459A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | Lsi等空冷却フィン |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0358459A (ja) |
-
1989
- 1989-07-27 JP JP1192525A patent/JPH0358459A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI337387B (en) | Leadframe for leadless package, package structure and manufacturing method using the same | |
JP2001326236A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH05206338A (ja) | ヒートシンクを備えた半導体装置アセンブリ | |
JPH11204679A (ja) | 半導体装置 | |
JPH04291750A (ja) | 放熱フィンおよび半導体集積回路装置 | |
JP2003110080A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0358459A (ja) | Lsi等空冷却フィン | |
JPH03214763A (ja) | 半導体集積回路装置のリードフレーム及びこれを用いた半導体集積回路装置 | |
JPS58122753A (ja) | 高密度チツプキヤリア | |
JPH04230058A (ja) | 中空チップパッケージおよび製法 | |
JPH0281463A (ja) | 半導体装置の冷却実装構造 | |
KR19990055507A (ko) | 메모리모듈 및 그 제조방법 | |
JP2001035975A (ja) | Bga型半導体装置パッケージ | |
JPH07183435A (ja) | 電子部品用ヒートシンク | |
KR100209761B1 (ko) | 볼 그리드 어레이 패키지 및 그의 제조방법 | |
JP3981455B2 (ja) | リペア方法 | |
JPH04219966A (ja) | 半導体素子 | |
JPH0358458A (ja) | Lsi等空冷却フィン | |
JPH0412555A (ja) | 半導体装置 | |
KR100235750B1 (ko) | 반도체패키지 | |
JPH07183432A (ja) | ヒートシンク付半導体パッケージ | |
JPH0344953A (ja) | Lsi等冷却フィン | |
JPH046105B2 (ja) | ||
JPH06181395A (ja) | 放熱形プリント配線板 | |
JPH06268142A (ja) | 半導体装置 |