JPH0357455B2 - - Google Patents
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- JPH0357455B2 JPH0357455B2 JP58013563A JP1356383A JPH0357455B2 JP H0357455 B2 JPH0357455 B2 JP H0357455B2 JP 58013563 A JP58013563 A JP 58013563A JP 1356383 A JP1356383 A JP 1356383A JP H0357455 B2 JPH0357455 B2 JP H0357455B2
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 2
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005697 Pockels effect Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/0305—Constructional arrangements
- G02F1/0316—Electrodes
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電気光学効果と圧電効果の両特性を
有する材料で構成された板状の基板を用い、光学
的手法によつて光の透過を行なう光ゲート素子に
関するものである。
有する材料で構成された板状の基板を用い、光学
的手法によつて光の透過を行なう光ゲート素子に
関するものである。
一般に、光ゲート素子は、発光手段と組み合わ
せて表示装置として用いることができる。
せて表示装置として用いることができる。
従来、このようにして表示をするために用いる
光ゲート素子としては、例えば液晶があつた。
光ゲート素子としては、例えば液晶があつた。
しかし、液晶では、文字、記号等を表示するた
めに光を透過させる位置を１方向（１次元的）ま
たは２方向（２次元的）に変えたい場合は、光を
透過するように電圧を印加する電極を、１次元的
または２次元的に複数個配置しなければならな
い。このため、配線数が多くなつて駆動回路が複
雑になり、しかも素子の構成も複雑になるという
問題点があつた。
めに光を透過させる位置を１方向（１次元的）ま
たは２方向（２次元的）に変えたい場合は、光を
透過するように電圧を印加する電極を、１次元的
または２次元的に複数個配置しなければならな
い。このため、配線数が多くなつて駆動回路が複
雑になり、しかも素子の構成も複雑になるという
問題点があつた。
また、従来は電気光学効果を利用した光ゲート
素子や圧電効果を用いた光ゲート素子はあつた。
しかし、これらの素子は駆動電圧に対しての光透
過率の上昇が鈍いため、各画素間の明暗比が小さ
く、鮮明な画像が得られなかつた。
素子や圧電効果を用いた光ゲート素子はあつた。
しかし、これらの素子は駆動電圧に対しての光透
過率の上昇が鈍いため、各画素間の明暗比が小さ
く、鮮明な画像が得られなかつた。
本発明はこのような問題点を解決するためにな
されたものであり、光が透過する部分としない部
分の明暗比が大きく、鮮明な画像が得られる光ゲ
ート素子を実現することを目的とする。
されたものであり、光が透過する部分としない部
分の明暗比が大きく、鮮明な画像が得られる光ゲ
ート素子を実現することを目的とする。
本発明は、
電気光学効果と圧電効果の両特性を有する材料
で構成された板状の基板と、該基板に設けられて
いて電圧が印加されると基板の圧電効果により弾
性波を発生する第１の電極と、前記基板に前記第
１の電極と対応した所定の配列方向で複数個設け
られている第２の電極と、前記基板を両面から挟
んでいるハーフミラーとを具備し、前記第２の電
極に選択的に電圧を印加し、電圧を印加した電極
間と前記弾性波の交わる部分で複屈折を生じさせ
て光を透過させるFabri−Perot共振器を構成し
たことを特徴とする光ゲート素子である。
で構成された板状の基板と、該基板に設けられて
いて電圧が印加されると基板の圧電効果により弾
性波を発生する第１の電極と、前記基板に前記第
１の電極と対応した所定の配列方向で複数個設け
られている第２の電極と、前記基板を両面から挟
んでいるハーフミラーとを具備し、前記第２の電
極に選択的に電圧を印加し、電圧を印加した電極
間と前記弾性波の交わる部分で複屈折を生じさせ
て光を透過させるFabri−Perot共振器を構成し
たことを特徴とする光ゲート素子である。
以下、図面を用いて本発明を説明する。
第１図は本発明にかかる光ゲート素子の一実施
例の構成図であり、イは上面図、ロは側面図であ
る。
例の構成図であり、イは上面図、ロは側面図であ
る。
第１図において、１０は基板、２０，２１は第
１の電極例えば弾性波発生用電極、３０は第２の
電極例えば画素選択用電極、１００，１０１はハ
ーフミラーである。
１の電極例えば弾性波発生用電極、３０は第２の
電極例えば画素選択用電極、１００，１０１はハ
ーフミラーである。
基板１０は電気光学効果と圧電効果の両特性を
有する材料例えばニオブ酸リチウム（LiNbO3）
によつて構成されている。基板１０上には、一対
になつた直線形状の弾性波発生用電極２０，２１
が設けられている。なお、弾性波発生用電極２
０，２１はくし型の形状であつてもよい。２２は
第１の電圧印加手段であり、弾性波発生用電極２
０と２１の間にパルス電圧を印加して電界を発生
させている。画素選択用電極３０は、３０1から
３０2まで８個設けられていて、所定の方向に配
列されている。３１は第２の電圧印加手段であ
り、隣り合つた画素選択用電極３０1〜３０8に選
択的に電圧を印加する。
有する材料例えばニオブ酸リチウム（LiNbO3）
によつて構成されている。基板１０上には、一対
になつた直線形状の弾性波発生用電極２０，２１
が設けられている。なお、弾性波発生用電極２
０，２１はくし型の形状であつてもよい。２２は
第１の電圧印加手段であり、弾性波発生用電極２
０と２１の間にパルス電圧を印加して電界を発生
させている。画素選択用電極３０は、３０1から
３０2まで８個設けられていて、所定の方向に配
列されている。３１は第２の電圧印加手段であ
り、隣り合つた画素選択用電極３０1〜３０8に選
択的に電圧を印加する。
ハーフミラー１００，１０１は、誘電体等によ
つて構成されていて、基板１０の両面に設けられ
ている。これによつて、Fabri−Perot共振器が
構成されている。このような素子に入射する入射
光としては、コヒーレンシの高いものがよい。
つて構成されていて、基板１０の両面に設けられ
ている。これによつて、Fabri−Perot共振器が
構成されている。このような素子に入射する入射
光としては、コヒーレンシの高いものがよい。
第２図は第１図の光ゲート素子の光透過率の特
性を示したグラフであり、縦軸に光透過率Ｔ、横
軸に電界の強さＥをとつている。グラフの実線に
示すように、光透過率Ｔは画素選択用電極３０の
電界の強さＥによつて鋭敏に変化する。
性を示したグラフであり、縦軸に光透過率Ｔ、横
軸に電界の強さＥをとつている。グラフの実線に
示すように、光透過率Ｔは画素選択用電極３０の
電界の強さＥによつて鋭敏に変化する。
これによつて、第１図の光ゲート素子は２値的
（ON／OFF的）な動作をすることから、各画素
間の明暗比は増大し、鮮明な画像を得ることがで
きる。なお、第２図のグラフの破線は、第１図の
光ゲート素子で、ハーフミラー１００，１０１の
代わりに偏光板を設けた場合の光透過率特性のグ
ラフである。
（ON／OFF的）な動作をすることから、各画素
間の明暗比は増大し、鮮明な画像を得ることがで
きる。なお、第２図のグラフの破線は、第１図の
光ゲート素子で、ハーフミラー１００，１０１の
代わりに偏光板を設けた場合の光透過率特性のグ
ラフである。
次に、第１図の光ゲート素子の動作について説
明する。
明する。
入射側のハーフミラー１００には、光源（図示
せず）からの光が入射される。第１の電圧印加手
段２２により、弾性波発生電極２０，２１にパル
ス電圧を印加すると、基板１０の圧電効果により
弾性波が発生し、基板１０内をＡ方向に伝わつて
いく。基板１０の弾性波が伝播している部分で
は、その歪みのため電気光学効果が生じている。
第１の電圧印加手段２２のパルス電圧による電気
光学効果のみでは、入射側のハーフミラー１００
から入射した光が、出射側のハーフミラー１０１
から出射しないようにパルス電圧が設定されてい
る。次に、弾性波が基板１０上の光を透過させた
い画素上に達すると同時に、その画素に対応した
画素選択用電極例えば３０3と304との間に第２の
電圧印加手段３１によつて選択的に電圧が印加さ
れる。これによつて、画素選択用電極３０3，３
０4間を通過する光に複屈折が生じる。この複屈
折された光は、出射側のハーフミラー１０１を通
過する。これによつて、光を透過させたい画素の
部分で光が透過する。そして、この部分で出射側
のハーフミラー１０１の光出力が増大する。
せず）からの光が入射される。第１の電圧印加手
段２２により、弾性波発生電極２０，２１にパル
ス電圧を印加すると、基板１０の圧電効果により
弾性波が発生し、基板１０内をＡ方向に伝わつて
いく。基板１０の弾性波が伝播している部分で
は、その歪みのため電気光学効果が生じている。
第１の電圧印加手段２２のパルス電圧による電気
光学効果のみでは、入射側のハーフミラー１００
から入射した光が、出射側のハーフミラー１０１
から出射しないようにパルス電圧が設定されてい
る。次に、弾性波が基板１０上の光を透過させた
い画素上に達すると同時に、その画素に対応した
画素選択用電極例えば３０3と304との間に第２の
電圧印加手段３１によつて選択的に電圧が印加さ
れる。これによつて、画素選択用電極３０3，３
０4間を通過する光に複屈折が生じる。この複屈
折された光は、出射側のハーフミラー１０１を通
過する。これによつて、光を透過させたい画素の
部分で光が透過する。そして、この部分で出射側
のハーフミラー１０１の光出力が増大する。
第３図は、このようなハーフミラー１０１の光
出力の変化を示したグラフであり、縦軸に光出力
Ｐ、横軸に電界の強さＥをとつている。
出力の変化を示したグラフであり、縦軸に光出力
Ｐ、横軸に電界の強さＥをとつている。
第３図において、ａの状態では第１の電圧印加
手段２２による弾性波のみが発生していて、ｂの
状態では弾性波と複屈折が生じている。
手段２２による弾性波のみが発生していて、ｂの
状態では弾性波と複屈折が生じている。
光が透過する位置では、電圧を印加する画素選
択用電極３０1〜３０8の選択によつてＡ方向に変
えられる。これによつて、光が透過する位置は１
次元的に変えられる。
択用電極３０1〜３０8の選択によつてＡ方向に変
えられる。これによつて、光が透過する位置は１
次元的に変えられる。
このような構成の光ゲート素子によれば、駆動
電極３０1〜３０8に選択的に電圧を印加すること
によつて、光が透過する位置を容易に１次元的に
変えることができる。また、第１および第２の電
極２０，２１および３０は１枚の基板１０上に設
けられていることから、素子の構成を簡単にする
ことができる。素子の駆動は第１および第２の電
圧印加手段２２および３１のみによつて行なうこ
とができるため、駆動回路が単純になる。
電極３０1〜３０8に選択的に電圧を印加すること
によつて、光が透過する位置を容易に１次元的に
変えることができる。また、第１および第２の電
極２０，２１および３０は１枚の基板１０上に設
けられていることから、素子の構成を簡単にする
ことができる。素子の駆動は第１および第２の電
圧印加手段２２および３１のみによつて行なうこ
とができるため、駆動回路が単純になる。
なお、第１図の破線で示すように、基板１０の
下端付近にも弾性波発生用電極２０，２１と第１
の電圧印加手段２２が設けられていてもよい。
下端付近にも弾性波発生用電極２０，２１と第１
の電圧印加手段２２が設けられていてもよい。
このような構成の光ゲート素子では、基板１０
の両端付近から弾性波を発生させて、２つの弾性
波が重なると同時に、さらに画素選択用電極３０
１〜３０8に選択的に電圧を印加し、光を通過させ
る。
の両端付近から弾性波を発生させて、２つの弾性
波が重なると同時に、さらに画素選択用電極３０
１〜３０8に選択的に電圧を印加し、光を通過させ
る。
第４図は、このような光ゲート素子の出射側の
ハーフミラー１０１における光出力の変化を示し
たグラフであり、第３図と同様に縦軸と横軸をと
つている。
ハーフミラー１０１における光出力の変化を示し
たグラフであり、第３図と同様に縦軸と横軸をと
つている。
第４図において、a1の状態では一端の電極から
弾性波が発生していて、a2の状態では両端の電極
から弾性波が発生している。また、ｂの状態では
両端からの弾性波と複屈折が生じている。
弾性波が発生していて、a2の状態では両端の電極
から弾性波が発生している。また、ｂの状態では
両端からの弾性波と複屈折が生じている。
このような光ゲート素子によれば、第１図の光
ゲート素子によつて得られる効果のほかに各画素
間の明暗比を増大させることができる。
ゲート素子によつて得られる効果のほかに各画素
間の明暗比を増大させることができる。
また、第１の電圧印加手段２２は、印加電圧が
複数種類の電圧値に設定されるものであつてもよ
い。
複数種類の電圧値に設定されるものであつてもよ
い。
第５図は第１の電圧印加手段２２の印加電圧が
複数種類の電圧値に設定される場合における光ゲ
ート素子の光透過率の特性を示したグラフであ
り、縦軸に透過率Ｔ、横軸に波長λをとつてい
る。
複数種類の電圧値に設定される場合における光ゲ
ート素子の光透過率の特性を示したグラフであ
り、縦軸に透過率Ｔ、横軸に波長λをとつてい
る。
このような素子に入射する入射光としては、白
色光が適している。
色光が適している。
このような構成の光ゲート素子において、画素
選択用電極３０に印加する電圧をV0，V1，V2と
変えると、第５図のグラフに示すように光透過率
−波長特性は異なつたグラフになり、光透過率が
極大値をとる波長はそれぞれ異なる。これによつ
て、画素選択用電極３０への印加電圧によつて光
ゲート素子を透過する光の色は異なる。このこと
から、異なつた色で画像表示等を行なうことがで
きる。
選択用電極３０に印加する電圧をV0，V1，V2と
変えると、第５図のグラフに示すように光透過率
−波長特性は異なつたグラフになり、光透過率が
極大値をとる波長はそれぞれ異なる。これによつ
て、画素選択用電極３０への印加電圧によつて光
ゲート素子を透過する光の色は異なる。このこと
から、異なつた色で画像表示等を行なうことがで
きる。
第６図は本発明にかかる光ゲート素子の他の実
施例の構成図であり、イは上面図、ロは側面図、
ハは下面図である。第６図において、第１図と同
一のものは同一符号を付ける。以下、図において
同様とする。
施例の構成図であり、イは上面図、ロは側面図、
ハは下面図である。第６図において、第１図と同
一のものは同一符号を付ける。以下、図において
同様とする。
第６図において、弾性波発生用電極２０，２１
と画素選択用電極３０1〜３０8は、基板１０の一
側に設けられている。弾性波発生用電極２０，２
１の配列方向は、画素選択用電極３０1〜３０8の
配列方向と直交する方向である。第１の電圧印加
手段２２は、弾性波発生用電極２０，２１に電圧
を印加してＢ方向に弾性波を発生させる。第２の
電圧印加手段３１は基板１０上の隣り合う画素選
択電極３０1〜３０8に電圧を印加してＣ方向に電
界を発生させる。
と画素選択用電極３０1〜３０8は、基板１０の一
側に設けられている。弾性波発生用電極２０，２
１の配列方向は、画素選択用電極３０1〜３０8の
配列方向と直交する方向である。第１の電圧印加
手段２２は、弾性波発生用電極２０，２１に電圧
を印加してＢ方向に弾性波を発生させる。第２の
電圧印加手段３１は基板１０上の隣り合う画素選
択電極３０1〜３０8に電圧を印加してＣ方向に電
界を発生させる。
このような構成の光ゲート素子において、第１
図の光ゲート素子と同様にして光が透過する。
図の光ゲート素子と同様にして光が透過する。
ただし、画素選択用電極３０間に生じる電界の
方向（Ｃ方向）と光の進行方向（Ｄ方向）は直交
する。このことから、素子に生じている電気光学
効果はKerr効果である。
方向（Ｃ方向）と光の進行方向（Ｄ方向）は直交
する。このことから、素子に生じている電気光学
効果はKerr効果である。
また、光が透過する位置は、弾性波の経時的な
進行に伴つてＢ方向に、電圧を印加する画素選択
用電極３０1〜３０8の選択によつてＣ方向に、そ
れぞれ変えられる。これらによつて、光が透過す
る位置は２方向すなわち２次元的に変えられる。
進行に伴つてＢ方向に、電圧を印加する画素選択
用電極３０1〜３０8の選択によつてＣ方向に、そ
れぞれ変えられる。これらによつて、光が透過す
る位置は２方向すなわち２次元的に変えられる。
このような構成の光ゲート素子によれば、第１
図の光ゲート素子によつて得られる効果のほか
に、光が透過する位置を２次元的に変えることが
できる。
図の光ゲート素子によつて得られる効果のほか
に、光が透過する位置を２次元的に変えることが
できる。
第７図は本発明にかかる光ゲート素子の他の実
施例の構成図で、イは上面図、ロは側面図、ハは
下面図である。
施例の構成図で、イは上面図、ロは側面図、ハは
下面図である。
第７図において、弾性波発生用電極２０，２１
は基板１０の両面に互いに対向した状態で設けら
れている。第１の電圧印加手段２２は、これらの
弾性波発生用電極２０，２１間に電圧を印加して
Ｄ方向に弾性波を発生させる。画素選択用電極３
０1〜３０8は、基板１０の上面に弾性波発生用電
極２０，２１の配列方向と直交する方向に設けら
れている。さらに、基板１０の下面には画素選択
用電極３０1〜３０8とそれぞれ対向するように画
素選択用電極３０1′〜３０8′が設けられている。
第２の電圧印加手段３１は、対向した一対の画素
選択用電極３０1と３０1′，３０2と３０2′……３
０8と３０8′の間に選択的に電圧を印加して光の
進行方向と同方向のＤ方向に電界を発生させる。
は基板１０の両面に互いに対向した状態で設けら
れている。第１の電圧印加手段２２は、これらの
弾性波発生用電極２０，２１間に電圧を印加して
Ｄ方向に弾性波を発生させる。画素選択用電極３
０1〜３０8は、基板１０の上面に弾性波発生用電
極２０，２１の配列方向と直交する方向に設けら
れている。さらに、基板１０の下面には画素選択
用電極３０1〜３０8とそれぞれ対向するように画
素選択用電極３０1′〜３０8′が設けられている。
第２の電圧印加手段３１は、対向した一対の画素
選択用電極３０1と３０1′，３０2と３０2′……３
０8と３０8′の間に選択的に電圧を印加して光の
進行方向と同方向のＤ方向に電界を発生させる。
このような構成の光ゲート素子において、第１
図の光ゲート素子と同様にして光が透過する。
図の光ゲート素子と同様にして光が透過する。
ただし、画素選択用電極３０，３０′間に生じ
る電界の方向と光の進行方向は同方向である。こ
のことから、素子に生じている電気光学効果は
Pockels効果である。
る電界の方向と光の進行方向は同方向である。こ
のことから、素子に生じている電気光学効果は
Pockels効果である。
また、光が透過する位置は、弾性波の経時的な
進行に伴つてＢ方向に、電圧を印加する画素選択
用電極３０1と３０1′，３０2と３０2′……３０8と
３０8′を選択することによつてＣ方向に、それぞ
れ変えられる。これによつて、光が透過する位置
は２方向すなわち２次元的に変えられる。
進行に伴つてＢ方向に、電圧を印加する画素選択
用電極３０1と３０1′，３０2と３０2′……３０8と
３０8′を選択することによつてＣ方向に、それぞ
れ変えられる。これによつて、光が透過する位置
は２方向すなわち２次元的に変えられる。
このような構成の光ゲート素子によれば、第６
図の光ゲート素子と同様の効果が得られる。
図の光ゲート素子と同様の効果が得られる。
第８図は本発明にかかる光ゲート素子を用いた
表示装置の構成図である。
表示装置の構成図である。
第８図において、５０は吸音部材、６０は光
源、７０は光学フイルタ、８０はレンズ、９０は
表示面である。
源、７０は光学フイルタ、８０はレンズ、９０は
表示面である。
吸音部材５０は、例えばシリコンゴム等で構成
されていて、光ゲート素子を保持するとともに、
素子に発生する弾性波な乱反射を防ぐ。光源６０
からの光は、入射側のハーフミラー１００から入
射される。光学フイルタ７０は、出射側のハーフ
ミラー１０１から出た光を選択的に透過する。レ
ンズ８０は、光学フイルタ７０を透過した光を表
示面９０上に収束させる。
されていて、光ゲート素子を保持するとともに、
素子に発生する弾性波な乱反射を防ぐ。光源６０
からの光は、入射側のハーフミラー１００から入
射される。光学フイルタ７０は、出射側のハーフ
ミラー１０１から出た光を選択的に透過する。レ
ンズ８０は、光学フイルタ７０を透過した光を表
示面９０上に収束させる。
このような構成の表示装置において、光ゲート
素子は表示をしたい画素に対応した部分で光を透
過させる。そして、光ゲート素子を透過した光
は、光学フイルタ７０、レンズ８０を通過した
後、表示面９０上に照射させられる。これによつ
て、表示面９０上には所望の画像が表示される。
素子は表示をしたい画素に対応した部分で光を透
過させる。そして、光ゲート素子を透過した光
は、光学フイルタ７０、レンズ８０を通過した
後、表示面９０上に照射させられる。これによつ
て、表示面９０上には所望の画像が表示される。
なお、実施例では基板１０がニオブ酸リチウム
（LiNbO3）で構成されている場合について説明
したが、基板１０はこれ以外の材料例えばPLZT
セラミツクス等で構成されていてもよい。PLZT
セラミツクスは、その組成に応じてKerr効果、
Pockels効果を有し、圧電性も変化するのが知ら
れていることから、駆動電圧を小さくし、基板の
構成を大型化して大画面の表示を行なうことがで
きる。
（LiNbO3）で構成されている場合について説明
したが、基板１０はこれ以外の材料例えばPLZT
セラミツクス等で構成されていてもよい。PLZT
セラミツクスは、その組成に応じてKerr効果、
Pockels効果を有し、圧電性も変化するのが知ら
れていることから、駆動電圧を小さくし、基板の
構成を大型化して大画面の表示を行なうことがで
きる。
また、実施例では第２の電極３０が８個設けら
れている場合について説明したが、第２の電極は
これ以外の任意の数だけ設けられていてもよい。
れている場合について説明したが、第２の電極は
これ以外の任意の数だけ設けられていてもよい。
また、実施例では光ゲート素子を表示装置に用
いた場合について説明したが、光ゲート素子はこ
れ以外のもの例えば第８図の表示面９０の位置に
感光紙を配置し、記録装置として用いてもよい。
いた場合について説明したが、光ゲート素子はこ
れ以外のもの例えば第８図の表示面９０の位置に
感光紙を配置し、記録装置として用いてもよい。
以上説明したように本発明によれば、光が透過
する部分としない部分の明暗比が大きく、鮮明な
画像が得られる光ゲート素子を実現することがで
きる。
する部分としない部分の明暗比が大きく、鮮明な
画像が得られる光ゲート素子を実現することがで
きる。
第１図は本発明にかかる光ゲート素子の一実施
例の構成図、第２図乃至第５図は第１図の光ゲー
ト素子の特性を表わしたグラフ、第６図および第
７図は本発明にかかる光ゲート素子の他の実施例
の構成図、第８図は本発明にかかる光ゲート素子
を用いた表示装置の構成図である。 １０……基板、２０，２１……第１の電極、３
０，３０1〜３０8……第２の電極、１００，１０
１……ハーフミラー。
例の構成図、第２図乃至第５図は第１図の光ゲー
ト素子の特性を表わしたグラフ、第６図および第
７図は本発明にかかる光ゲート素子の他の実施例
の構成図、第８図は本発明にかかる光ゲート素子
を用いた表示装置の構成図である。 １０……基板、２０，２１……第１の電極、３
０，３０1〜３０8……第２の電極、１００，１０
１……ハーフミラー。
Claims (1)
- １ 電気光学効果と圧電効果の両特性を有する材
料で構成された板状の基板と、該基板に設けられ
ていて電圧が印加されると基板の圧電効果により
弾性波を発生する第１の電極と、前記基板に前記
第１の電極と対応した所定の配列方向で複数個設
けられている第２の電極と、前記基板を両面から
挟んでいるハーフミラーとを具備し、前記第２の
電極に選択的に電圧を印加し、電圧を印加した電
極間と前記弾性波の交わる部分で複屈折を生じさ
せて光を透過させるFabri−Perot共振器を構成
したことを特徴とする光ゲート素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1356383A JPS59139017A (ja) | 1983-01-28 | 1983-01-28 | 光ゲ−ト素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1356383A JPS59139017A (ja) | 1983-01-28 | 1983-01-28 | 光ゲ−ト素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59139017A JPS59139017A (ja) | 1984-08-09 |
| JPH0357455B2 true JPH0357455B2 (ja) | 1991-09-02 |
Family
ID=11836636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1356383A Granted JPS59139017A (ja) | 1983-01-28 | 1983-01-28 | 光ゲ−ト素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59139017A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6348518A (ja) * | 1986-08-18 | 1988-03-01 | Canon Inc | 光走査装置 |
| JPS6348517A (ja) * | 1986-08-18 | 1988-03-01 | Canon Inc | 光シヤツタ装置 |
| JPS6348519A (ja) * | 1986-08-18 | 1988-03-01 | Canon Inc | 光走査装置 |
| JPS6348516A (ja) * | 1986-08-18 | 1988-03-01 | Canon Inc | 光走査装置 |
| CN108873394B (zh) * | 2018-08-09 | 2021-09-28 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种保偏光纤声光电光器件 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5795662A (en) * | 1980-12-04 | 1982-06-14 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Light gate array element |
| JPS57161826A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-05 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Display device |
-
1983
- 1983-01-28 JP JP1356383A patent/JPS59139017A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5795662A (en) * | 1980-12-04 | 1982-06-14 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Light gate array element |
| JPS57161826A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-05 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59139017A (ja) | 1984-08-09 |
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