JPH03196111A - 電磁放射線変換装置に対する電磁放射線情報の入力方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は表示装置、プリンタ、光コンピュータ。

記録再生装置等に使用できる電磁放射線変換装置に対す
る電磁放射線情報の入力方法及び装置に関する。

（従来の技術） 情報信号によって強度変調された状態の光束を投影光学
系によりスクリーン上に投影して画像の表示を行うよう
にする表示装置や、情報信号によって強度変調された状
態の光束を用いて印刷を行うように構成した印刷装置、
その他の諸装置としては、従来から各種の構成形層のも
のが知られている。

（発明が解決しようとする課題） ところが、情報信号によって強度変調された状態の光束
を用いる従来装置では高輝度で高解像度の画像を、簡単
な構成の装置によって実現することは困難であった。

（課題を解決するための手段） 本発明は電磁放射線変換装置に入力させるべき情報信号
によって個別に駆動変位されるようになされている多数
の画素反射鏡を有する画素反射鏡列に電磁放射線束を入
射させる手段と、前記した各画素反射鏡の変位の態様に
応じた進行方向に進行する前記した画素反射鏡列からの
反射電磁放射線束をスリットに与えて前記した情報信号
と対応して強度変調されている状態の電磁放射線束を得
る手段と、前記のスリットを通過した断面形状が直線状
で前記の直線方向について画素毎に強度変調されている
状態の電磁放射線束を、前記の直線方向に直交する方向
に偏向させて電磁放射線変換装置に入力させる手段とか
らなる電磁放射線変換装置に対する電磁放射線情報の入
力方法及び装置を提供する。

（作用） 電磁放射線変換装置に入力させるべき情報信号によって
個別に駆動変位されるようになされている多数の画素反
射鏡を有する画素反射鏡列に、・断面形状が直線状の電
磁放射線束を前記の直線の方向が画素反射鏡列の方向と
なるようにして入射させる。

前記した各画素反射鏡の変位の態様に応じた進行方向に
進行する前記した画素反射鏡列からの反射電磁放射線束
をスリットに与えると前記した情報信号と対応して強度
変調されている状態の電磁放射線束が得られる。

前記のスリットを通過した電磁放射線束を、前記の直線
方向に直交する方向に偏向させてから電磁放射線変換装
置に入力させる。

（実施例） 第１図は本発明の電磁放射線変換装置に対する電磁放射
線情報の入力方法を適用して構成した表示装置のブロッ
ク図であって、図において１は光源である。光源１とし
ては例えばキセノンランプを用いた高輝度の光源が使用
されてよい。

光源１から出射された光束２は断面形状が直線状のもの
となされている。

前記したように断面形状が直線状の光束２は、画素毎の
微小な反射鏡（ビクセル・ミラー）の多数のものが所定
の配列パターン、例えば直線的な配列パターンで配列さ
れているものとして構成されている画素反射鏡列（ビク
セル・ミラー・アレイ）３に入射される。

前記した画素反射鏡列（ビクセル・ミラー・アレイ）３
は、変調用の情報信号に基づいて電磁放射線の進行方向
を変化させる部材として機能する。

画素反射鏡列（ビクセル・ミラー・アレイ））３の具体
的な構成例については第Ｃ図乃至第り！１１を参照して
後述されている。

前記した画素反射鏡列３によって各画素毎の情報に応じ
てそれぞれ異なる反射態様で反射された反射光束４は、
スリット板５におけるスリット６を通ることにより１強
度変調された状態の光束となされて回転鎖車７に入射さ
れる。

第３図は変調用の情報信号に基づいて電磁放射線の進行
方向を変化させる部材として機能する画素反射鏡列（ビ
クセル・ミラー・アレイ））３における反射鏡３ｒが、
変調用の情１［１９と対応して発生された駆動信号２０
によって、図中の矢印Ｖの方向に駆動変位されることに
より、１！！中の実線図示の３ｒで示されている位置か
ら図中の点線図示の３ｒ’で示されている位置にまで変
位したときに、スリット板５のスリット６を通過する前
記の反射鏡３ｒからの反射光束４，４′の光量が変化す
ること、すなわち、変調用の情報信号に基づいて電磁放
射線の進行方向を変化させる部材として機能する画素反
射鏡列（ビクセル・ミラー・アレイ））３とスリット板
５のスリット６とによって、情報信号により強度変調さ
れた光が得られることを図示説明している図である。

回転鎖車７では、それに入射された光束を回転方向に偏
向して断面形状が直線状の光束を、第４図及び第５図を
参照して後述されているような構成を有する電磁放射線
変換１４−Ｐ　ｃｉに書込み光どして入射させて、電磁
放射線変換索子８に書込み光により２次元画像情＠を瞥
込む７ 電磁放射線変換素子Ｅ３に齋込まわ、た２次元画像情報
は、読出し光源１．０からビ・〜ムスブリッタ１）を介
して電磁放射線変換素子８に供給され２る続出し光によ
って読出された後に、投影レンズ］０によりスクリ〜・
ン１２に投影されてスクリーン］、２上に画像が映出さ
れる。第４は電磁放射ｍ変換索子８の動作モ・−ドに応
じて所定の電圧後供給するよう番Ｊするｆ１１！Ｊ回ν
・谷である。

また、第２図は前記し１１１１図１こ示されているスリ
ット板５のスリット６から出射さノ１４だ光束、すなわ
ち４画素反射鮭列３にＪ、って各画素毎の情報に応じて
それぞれ異なる反射態様で反射ブｉれＬ反射光束４が、
スリット・・・板５＆：おけるスリット６を通ること＆
；よって強度変！１ＩＩｌさ第１．た状態になされてい
る断面形状がａ線状の光束髪感光体ドラム１３に入射ざ
ｆ、゛、感光体１ごラムＪ３をぞれに入射された断面形
状が直線状の光束における直線と直交する方向に回転さ
せるごとにより、感光体ドラム１．３における感光体層
１．コ２次元画像情報を記録させるようにしたプリンタ
を示しているが、この第２図に示され丁いるプリンタは
、それの感光体ドラム１３の回転動１作が第】図に示す
表示装し中の回転鎖車′７による光束の偏向動作と判・
“応し、また。

感光体ドラム１−３自体がＩＩＥ磁放耐放射線変換素子
。

て機能している。

第４図は前記した電磁変換素子８の構成原理や動作Ｒ理
髪説明するための＠′Ｔ？ある３電磁放射線便換素子（
例λば、光学似モー人力し、出力としても光学像が出力
できるように′構成されている光・−光変換素子）とし
ては１例λば液晶型光変」Ｌ光伝導性ボッゲルス効果素
イー、マイクロヂャンネル型光変ＵＳなどのような空ｆ
′ｌ１ｌｌ　ＨＩＩＩ素ｆ、あるいはフォトクロミッグ
材転用いて構成された素子というように各種の４１１成
形態のものが、光書込み投影装置、光コンピュータの光
並列処理のための素子、画像の記録用の素子などとして
従来から注１］されて来ている。

電磁放射ＩＩＡ変換素子の構戊例の側断面図転示す第４
図において、Ｂ　ＰＩ、Ｂ　Ｐ２は基板４、Ｅｔｌ、Ｎ
引、２は透明電極、１．、５　、１６　、１．、８は端
子、ＰＣｌＪは光導電層部ゼ：、ＤＭｙ、は誘電体ミラ
ー、ＰＭＬは印加された電界の強度分布に応じて光の散
乱状π・１、光の旋光の状態、光の偏向の状態、などの
ような光の状態を変化させる赤変製材（例えば二メ゛ブ
酸リチウム単結晶、ＰＬＺＴ、、ネマチック液起１．そ
の他の光変調材）ｋ用いで構成した光変訓材ｊｊ′ｇ部
材、ＷＩ７は書込み光、ＲＬＩｉ続出し光、ＩシＩ２は
消去光である。

第４図中において」プ、消去光ＥＩ、の入射方向が前１
出し光ＲＬの入射方向と同じであるとして示さ第１、て
いるが、これは電磁放射ｉｓ検索子で使用されているｓ
＠体ミラー・Ｄ　Ｍ　Ｌとして、第５ｒｓに示されてい
るような光の透過特性し有するものが使用されている場
合における電磁放射線を３換オう子「、対する消去光の
入射方向＆示したものである。なお、消去光を書込み光
と同一の方向で電磁放射線変換素子に入射させるような
構成の電磁放射線変換素子についでは、消去光が書込み
光と同一・の方向から入射されることはいうまでもない
、マ、た。電磁放射ｍ変換索子が交流駆＠さ肛ているよ
うな場合のように消去光が必要とされない場合もある。

第４図示の電磁放射線−１１子に光学的な情報の書込み
を行う場合にＩＪ“１、電磁放射ＩｉＡ変換素子の端ｆ
　３．、５　、１．、６に［源１７（図中では電源１７
が直流電源であるとして示し工あるが、光変調材の種類
＆；゛よっては交流Ｗｉ源が＠′！川さ第１４るごとも
ある）と切換スインｆ　Ｓ　Ｗとからなる回路穀接続し
、切換スイッチＳＷにおける切換１ｉｌｌ信号の入力端
子Ｊ８に供給された切換制御１Ｒ４（、・により、切換
スイッチＳＷの可動接点を固定接点ｗＲ側に切換えた状
態にし、透明電極Ｅｔｌ、Ｅｔ２間ｒ、電源Ｊ７の電圧
を与λて光導電層部材Ｐ　ＣＩ、の両端間にＮＥＷが加
わるＪ、うにして電磁放射線変換素子の基板ＢＰＩ側か
ら書込光ＷＬを入射させ、電磁放射線変換素子に光学的
情報の誉込みが行われるのである。

すなわち前記のように電磁放射線変換素子に入射した書
込み光ＷＬが基板ＢＰＩと透明電極Ｅｔｌとを透過して
光導電層部材ＰＣＬに到達すると、光導電層部材ＰＣＬ
の電気抵抗値がそれに到達した入射光による光学像と対
応して変化するために、光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミ
ラーＤＭＬとの境界面には光導電層部材ＰＣＬに到達し
た入射光による光学像と対応した電荷像が生じる。

前記のようにして入射光による光学像と対応する電荷像
の形で書込みが行われた光学的情報を電磁放射線変換素
子から再生するのには、切換スイッチＳＷの可動接点を
固定接点ＷＲ側に切換えた状態として、電源１７の電圧
が端子１５．１６を介して透明電極Ｅｔｌ、ＥｔＺ間に
印加されている状態にしておいて、基板ＢＦ２側より図
示されていない光源からの一定の光強度の読出し光ＲＬ
を投射することによって行うことができる。

既述のように入射光による光情報の書込みが行われた電
磁放射線変換素子における光導電層部材ＰＣＬと誘電体
ミラーＤＭＬとの境界面には光導電層部材ＰＣＬに到達
した入射光による光学像と対応した電荷像が生じている
から、前記した光導電層部材ＰＣＬに対して誘電体ミラ
ーＤＭＬとともに直列的な関係に設けられている光変調
材層部材ＰＭＬには、入射光による光学像と対応した強
度分布の電界が加わっている状態になされている。

そして、前記した光変調材層部材ＰＭＬはそ九に印加さ
れている電界強度に応じて、それを通過する光の状態（
光の散乱状層、光の旋光の状態、光の偏向の状態）を変
化させるから、入射光による光学像と対応した強度分布
の電界が加わっている状態に前記した光導電層部材ＰＣ
Ｌに対して誘電体ミラーＤＭＬとともに直列的な関係に
設けられている光変調材層部材ＰＭＬの光学的な特性は
、既述した入射光による光情報の書込みにより電磁放射
線変換素子における光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラー
ＤＭＬとの境界面に光導電層部材ＰＣＬに到達した入射
光による光学像と対応して生じた電荷像に応じて変化し
ているものになる。

それで、基板ＢＦ２側に読出し光ＲＬが投射された場合
には、前記のよさに基板ＢＦ２側に投射された読出し光
ＲＬが、透明電極Ｅｔ２→光変調材層部材ＰＭＬ→誘電
体ミラーＤＭＬ→のように進行して行き、次いで前記し
た読出し光ＲＬは誘電体ミラーＤＭＬで反射して基板Ｂ
Ｆ２側に反射光として戻って行くが、光変調材層部材Ｐ
ＭＬの光学的な特性が電界強度に応じて変化しているか
ら。

読出し光ＲＬの反射光は光変調材層部材ＰＭＬに加わる
電界の強度分布に応じた画像情報を含むものとなって、
基板ＢＦ２側に入射光による光学像に対応した再生光学
像を生じさせる。

前記のようにして書込み光ＷＬによって書込まれた情報
を消去するのには、前記した切換スイッチＳＷにおける
切換制御信号の入力端子１８に切換制御信号を供給して
切換スイッチＳＷの可動接点を固定接点Ｅ側に切換え、
電磁放射線変換素子における端子１５．１６の電位を同
じにして透明電極Ｅｔｌ、　ＥｔＺ間に電界が生じない
ようにしてから、書込み光ＷＬの入射側とされている前
記した基板ＢＰＩ側から−様な強度分布の消去光ＥＬを
入射させたり、あるいは、前記した誘電体ミラーＤＭＬ
の光の波長に対する光の透過率特性が、読出し光ＲＬと
消去光ＥＬとに対して第５図に示すようなものであった
場合に番よ、第４図中に示されているように基板ＢＦ２
側から−様な強度分布の消去光ＥＬを入射させたりして
行う。

第４１１１を参照して説明した電磁放射線変換素子は、
電磁放射線変換素子に入射させた読出し光ＲＬが光変調
材層部材ＰＭＬを往復した状態の後に出射されるような
構成態様のものであったが、電磁放射線変換素子として
は、それに入射された読出し光が光変調材層部材を１度
だけ通過した状態で出射するような構成形態のものとし
て構成されてもよいのである。また、光変調材層部材Ｐ
ＭＬとしてメモリ機能を有する構成態様のもの１例えば
高分子材料中の多数の微小な孔中に液晶が封入された状
態の高分子一液晶複合膜を用いて構成された電磁放射線
変換素子が使用されてもよい（この場合の消去動作は光
変調材層部材ＰＭＬを加熱することにより行われる）。

さて、変調用の情報信号に基づいて電磁放射線の進行方
向を変化させる部材として用いられている画素反射鏡列
（ビグセル・ミラー・アレイ）３における画素反射鏡と
、スリット・・板５におけるスリット６とによって光の
強度変調が行わオ）、ることは、第３図髪参照して既述
したとおりであるが、光を強度変調するだめの情報信号
によって前記した画素反射鏡月割駆動変位することによ
りスリット・板５のスリット６を通過した光が強度変１
ｌＩｉされ、た状態の光となされるようにするための画
素反射鏡列における画素反射鏡に対する駆動態様として
は。

（１）光を強度変調するための情報信号の振幅と対応す
るように画素反射鏡が変位されるようにする９（２）画
素反射鏡からの反射光束がスリン］・板５のスリット６
の所定の巾にわたって通過する状態となるように画素反
射鏡が変位されている時間長が。

光を強度変岬するための情報信号の振幅と対応して変化
されるようにする。（３）スリット板５のスリット６の
所定の巾にわたりＷ＃Ｉ反射鏡からの反射光束が通過し
ている状態にされる回数が、光を強度変調するための情
報信号の振幅と対応して変化さ紅るようにする、の３種
類があるが、前記した（１）〜・（３）の駆動態様の何
カ、のものでも使用でき机 次に、変調用の悄軟（１９号に基づいて電磁放射線の進
行方向を変化させる画素反射鏡列（ビクセル・ミラー・
アレイ）の具体的な４１１成＠１ついて説明する。

第６図は変調用の情報信号に基づいて電磁放射線の進行
方白髪変化させるような動作を行う画素反射鏡列（ビク
セル・ミラー・アレイ）の全体のブロック図であり、第
６図において２１．は光を強度変調するために用いられ
る情報信号（例えば画像信号）の信号源、２２は直並列
信号変換回路、２３は多数の画素反射鏡構体が所定の配
列パターンに配列されている画素反射鏡構体群である。

前記の画素反射鏡構体群２３を構成している多数の画素
反射ｍ構体は、電界の強さに応じて反射鏡を変位させう
るような構成態様のものであり、それの具体的な構成例
が第９１Ｉ！ｉｌ以降の各図に例示されている。

前記した情報信号の信号源２Ｊから送出された時系列信
号は、直並列信号変換回＄２２において同時信号（並列
信号）に変換されてから２画素反射鏡構体群２３に所定
の配列パターンで配列されている多数の画素反射鏡構体
に同時に供給される。

前記の直並列信号変換回ｕ２２としては例えばシフトレ
ジスタを使用することができる。

情報信号源２１から送出された情報信号が、例えば画像
信号の場合には１画像信号における時間軸上で直列的に
並ぶ順次の画素信号は、前記した直並列信号変換回路２
２によって画素反射Ｒ４１１１体群２３の多数の画素反
射鏡構体の個々のものに同時に供給されることにより、
変調用の情報信号、に基づいて電磁放射線の進行方向を
変化させる機能を有する画素反射鏡列（ビクセル・ミラ
ー・アレイ）３からは５画素毎の反射光が直線状に連続
している状態の光束が出射される。

ところで、前記した画素反射鏡構体群２３はそれからの
反射光が画像における１本の線に構成している多数の画
素の情報に応じてそれぞれ進行方向を異にしでいる反射
光開開−の期間内で出射させうるような動作を行うよう
にされているために、例えば高精細度の画像を形成させ
る場合に用いられる非常に多数の画素反射鏡構体によっ
て構成されている画素反射ｆｌｉ構体群２３の駆動につ
いて考えると、直並列信号変換同ｗｓＦ２２の動作に用
いられる駆動パルスとして極めて繰返し周波数の高いも
のが必要とされるなどの問題点が生じる。

第７図は前記の問題点を解決できるような構成形態とし
た変調用の情報信号に基づいて電磁放射線の進行方向を
変化させる画素反射鏡列（ビクセル・ミラー・アレイ）
３の構成例のブロック図であり、第７図において２１は
光を強度変調するために用いられる情報信号（例えば［
偉信号）の信号源。

２４．２５は直並列信号変換回路、２６．２７はそれぞ
れ多数の画素反射ａ構体が所定の配列パターンに配列さ
れている画素反射鏡構体群である。

前記の画素反射鏡構体群２６．２７は、それぞｈｔ構成
するために配列されている単位の画素反射鏡構体におけ
る反射鏡が互に１７２ピツチずつずらされた状態になる
ようにして配置されている。

前記の画素反射鏡構体群２６．２７を構成している多数
の画素反射鏡構体は、電界の強さに応じて反射鏡を変位
させつるような構成態様のものである。

前記した情報信号の信号源２１から送出された時間軸上
で引続く時系列信号は、２個の直並列信号変換回路２４
．２５に時分割式に順次交互に分配されて供給され、そ
れぞれの直並列信号変換回路２４．２５において同時信
号（並列信号）に変換されてから、画素反射鏡構体群２
６．２７に所定の配列パターンで配列されている多数の
画素反射鏡構体に同時に供給される。

それで９速調用の情報信号に基づいて電磁放射線の進行
方向を変化させる画素反射鏡列（ビクセル・ミラー・ア
レイ）の構成態様が第７図示のようになされた場合と、
画素反射鏡列（ビクセル・ミラー・アレイ）の構成態様
が既述のような第６図示の場合とにおいて、両者におけ
る画素反射鏡構体、の全個数が同一であったとすると、
２個の画素反射鏡構体群２６，２７＃用いられている第
７図示の構成態様のものにおける直並列信号変換回路２
４．２５の動作に用いられる駆動パルスの繰返し周波数
は、１個の画素反射鏡構体群２３が用いられている第６
図示の構成態様のものにおける直並列信号変換回路２２
の動作に用いられる駆動パルスの繰返し周波数の１７２
となることは容易に判かる。

第７図は２個の画素反射鏡構体群２６．２７と２個の直
並列信号変換回路２４．２５とを用いて、変調用の情報
信号に基づいて電磁放射線の進行方向を変化させる画素
反射鏡列（ビクセル・ミラー・アレイ）を構成させた場
合の構成例であるが、Ｎ個（Ｎ；３以上）の画素反射鏡
構体群とＮ個（Ｎ＝３以上）の直並列信号変換回路２４
．２５とを用いて１画素反射鏡列（ビクセル・ミラー・
プレイ）を構成させてもよいことは勿論である。

第８図は第７図について既述したような構成とした画素
反射鏡列（ビクセル・ミラー・アレイ）における２個の
画素反射鏡構体群２６．２７における反射鏡からの反射
光の状態とスリット板５におけるスリット６との対応関
係を示したものであり。

第８図中における実線図示の反射鏡からの反射光は実線
によって示してあり、また、点線図示の反射鏡からの反
射光は点線によって示しである。

次に、変調用の情報信号に基づいて電磁放射線の進行方
向を変化させる画素反射鏡列（ビクセル・ミラー・アレ
イ）の構成に用いられている画素反射鏡構体、及び前記
の画素反射鏡構体を所定の配列パターンに配列して構成
させた画素反射鏡構体群。

その他の光路変更部材の具体的な構成例を第９図以降の
各図を参照して説明する。

第９図は多数の画素反射鏡構体を所定の配列パターンに
配列して構成させた画素反射鏡構体群の一実施例の一部
の構成を示す斜視図であって、第９図において２８はエ
ラストマ（高分子弾性体）製の電極支持体、　２９　ａ
　、　２９　ｂ　、　２９　ｃ−は第１の電極、３０ａ
、３０ｂ、３０ｃ・・・は反射鏡としても機能するよう
に構成されている第２の電極。

２４は第２の電極３０　ａ　、　３０　ｂ　、　３０　
ｏ−の端部を固定する固定部材である。

前記した多数の第１の電極２９ａ、２９ｂ、２９　ｃ−
と第２の電極３０　ａ　、　３０　ｂ　、　３０　ｏ−
とにおけるそれぞれ対をなすもの同士がエラストマ製の
電極支持体２８を挟んで対向配置された状態においてエ
ラストマ製の電極支持体２８に固着されている。

今、多数の第１の電極２９ａ、２９ｂ、２９ｃ・・・を
固定状層にしておき、また、多数の第２の電極３０ａ、
３０ｂ、３０ｏ・・・の端部を固定部材２４に固着させ
た状態にして、第１の電極２９ａ。

２９ｂ、２９ｃｍと第２の電極３０ａ、３０ｂ。

３０ｏ・・・とにおける対のもの同士を電源に接続した
場合には、第１の電極ｇ第２の電極とには第１の電極の
電荷と第２の電極の電荷との間の静電気力が作用するこ
とにより、第２の電極は固定部材３１の位置を回動支点
として、エラストマ製の電極支持体２８を変形させなが
ら固定状態になされている第１の電極の方に近接するよ
うな態様で変位する。

そして、第１の電極と第２の電極との間の静電気力が除
去されるとエラストマ製の電極支持体２８がもとの状態
に復原して第２の電極と第１の電極との相対位置も復旧
する。第１０図は第９図を参照して説明した第２の電極
の変位の態様を図示説明している図であり１図中の３２
は１例として第１の電極２９ａと第２の電極３０ａとに
接続されている駆動用電源を示したものであり、また、
図中の矢印Ｖは駆動用電源３２から第１．第２の電極２
９ａ、３０ａに供給される電圧によって第２の電極３０
ａの変位方向を示している。

エラストマ製の電極支持体２８を挟んで対向配・置され
ている状態の多数の第１の電極２９ａ、２９ｂ、２９ｃ
・・・と反射鏡の機能をも有している多数の第２の電極
３０ａ、３０ｂ、３０ｃ・・・とにおけるそれぞれ対と
なされている第１．第２の電極間に対してそれぞれ個別
の駆動用電源が接続されることにより、それぞれ個別の
第２の電極３０ａ。

３０ｂ、３０ｃ・・・では、それぞれの変位の状態に応
じた反射光を生じさせることができるのであり。

第９図に示されている構造体は変調用の情報信号に基づ
いて電磁放射線の進行方向を変化させる画素反射鏡列（
ビクセル・ミラー・アレイ）の構成に用いられている画
素反射鏡構体、及び前記の画素反射鏡構体を所定の配列
パターンに配列して構成させた画素反射鏡構体群として
用いられるのである。なお、第１の電極と第２の電極と
は平行の状態に設けられても、あるいは不平行の状態に
設けられてもよい。

前記の第９図に示されている画素反射鏡構体群において
は、第１の電極がそれと対になされる第２の電極と対応
するような状態で多数に分割されている構成態様のもの
であったが、第１１図に例示した画素反射鏡列３の構成
に用いられている画素反射鏡構体、及び前記の画素反射
鏡構体を所定の配列パターンに配列して構成させた画素
反射鏡構体群は、第１の電極２９として分割されていな
い状態のものが使用されて構成されている実施例であり
、また、第１２図に例示した画素反射鏡列３の構成に用
いられている画素反射鏡構体、及び前記の画素反射鏡構
体を所定の配列パターンに配列して構成させた画素反射
鏡構体群は、第１の電極２９として分割されていない状
態のものを使用するとともに、第１の電極２９と第２の
電極３０ａ、ａｏｂ、３０ｃ・・・との間のエラストマ
製の電極支持体が第２の電極毎に分割された状態のもの
２８ａ、２８ｂ、２８ｃ・・・になされている場合の構
成例である。

さらに、第１３図に例示した画素反射鏡列３の構成に用
いられている画素反射鏡構体、及び前記の画素反射鏡構
体を所定の配列パターンに配列して構成させた画素反射
鏡構体群は、第１の電極としてそれと対になされる第２
の電極３０ａｆ、３０ｂｆ、３０ｃｆ・・・と対応する
ような状態で多数に分割されている電極２９ａ、２９ｂ
、２９ｃ・・・が用いられているとともに、第２の電極
として櫛歯状の電極３０ｆが使用される場合の構成例で
ある。

なお、第１０図乃至第１３図における３１は第９図にお
ける３１と同様に、第２の電極の端部を一固定する固定
部材である。

次に、第１４図に例示した画素反射鏡列３の構成に用い
られている画素反射鏡構体、及び前記の画素反射鏡構体
を所定の配列パターンに配列して構成させた画素反射鏡
構体群は、多数の第１の電９３３　ａ　、　３３　ｂ　
、　３３　ｏ　・・・と第２の電極３０ａ。

３０ｂ、３０ｃ・・・とにおけるそれぞれ対をなすもの
同士がエラストマ製の電極支持体２１を挟んで対向配置
させた状態としてエラストマ製の電極支持体２１に固着
させておくとともに、前記した第１の電極３３ａ、３３
ｂ、３３ｏ・・・を高い電気抵抗値を示す電極として構
成させたものである。

第１５図及び第１６図は、前記した第１４図に示した構
成態様の画素反射鏡構体、゛及び前記の画素反射鏡構体
を所定の配列パターンに配列して構成させた画素反射鏡
構体群の駆動原理を説明する図である。

まず、第１４図に示した構成態様の画素反射鏡構体にお
いて、第１５図のように高い電気抵抗値を有する第１の
電極３３ａと反射鏡の機能を有する第２の電極３０ａと
の一端部間を抵抗器３４で接続し、また、第１の電極３
３ａにおける前記した抵抗＠３４を接続した端部とは反
対側の端部と第２の電極３０との間に駆動用電源３２を
接続すると、駆動用電源３２からの電圧が第１．第２の
電極３３ａ、３０ａ間に供給されて、駆動用電源３２→
高い抵抗値を有する第１の電極３３ａ→抵抗器３４→駆
動用電源３２→の回路に電流が流れることにより、第１
の電極３３ａに電圧降下が生じるために、第１．第２の
電極３３ａ、３０ａ間には電極の長さの方向にわたって
電界強度の傾斜が生じる。

それで、第２の電極３０ａは前記した第１．第２の電極
３３ａ、３０ａ間に電極の長さ方向で生じている電界強
度の傾斜と対応して発生した静電気力により、第１５図
中の実線図示の位置から点線図示の位置まで変位する。

次に、前記した第１４図に示した構成態様の画素反射鏡
構体において、第１６図に示すように高い電気抵抗値を
有する第１の電極３３ａと反射鏡の機能を有する第２の
電極３０ａとの一端部間に所定の定電圧を供給する電源
３２ｆを接続し、また、第１．第２の電極３３ａ、３０
ａの他端部間にに駆動用電源３２を接続すると、前記し
た電源３２ｆの電圧によって電源３２ｆ→第２の電極３
０ａ→駆動用電ｗ３２→高い抵抗値を有する第１の電極
３３ａ→電源３２ｆの回路に電流が流れることにより、
第１の電極３３ａに電圧降下が生じるために、第１．第
２の電極３３ａ、３０ａ間には電極の長さの方向にわた
って電界強度の傾斜が生じ、それにより第２の電極３０
ａは前記した第１、第２の電極３３ａ、ＳＱａ間に電極
の長さ方向で生じている電界強度の傾斜と対応して発生
した静電気力により、第１６図中の実線図示の位置から
点線図示の位置まで変位している状態になされるが、前
記した回路に駆動用電源３２の電圧が加わると、駆動用
電源３２→第２の電極３０ａ→電源３２ｆ→高い抵抗値
を有する第１の電極３３ａ→駆動用電源３２の回路には
、駆動用電源３２の電圧により前記した電源３２ｆによ
る電流とは逆方向の電流が流れて第１の電極３３ａに電
圧降下を生じさせることにより、第１．第２の電極３３
ｇ、３０ａ間における電極の長さの方向にわたる電界強
度の傾斜の状態が、駆動用電源３２の電圧に応じて変化
し、それに伴って電極の長さ方向で生じている電界強度
の傾斜と対応して発生する静電気力により、第２の電極
３０ａの変位の状態が変化する。

前記の第１４図に示されている画素反射鏡構体群におい
ては、第１の電極３３ａ、３３ｂ、３３Ｃ・・・がそれ
と対になされる第２の電極３０，３０ｂ、３０ｃ・・・
と対応するような状態で多数に分割されている構成態様
のものであったが、第１７図に例示した画素反射鏡列３
の構成に用いられている画素反射鏡構体、及び前記の画
素反射鏡構体を所定の配列パターンに配列して構成させ
た画素反射鏡構体群は、第１の電極３３として分割され
ていない状態のものが使用されて構成されている実施例
である。

第１８図は前記した第１７図に例示した画素反射鏡列３
の構成に用いられている画素反射鏡構体、及び前記の画
素反射鏡構体を所定の配列パターンに配列して構成させ
た画素反射鏡構体群を、第１５図を参照して説明したよ
うな駆動態様で駆動させるようにした場合を例示したも
のであって、第１の電極３３と第２の電極との間に接続
される抵抗器３４は、それぞれの第２の電極３０ａ、３
０ｂ・・・毎に第１の電極３３との間に接続されるので
ある。なお、駆動用電源は第２の電極３０ａ、３ｏｂ・
・・の回路毎に設けられるのである。

次に第１９図は前記した前記した第１７図に例示した画
素反射鏡列３の構成に用いられている画素反射鏡構体、
及び前記の画素反射鏡構体を所定の配列パターンに配列
して構成させた画素反射鏡構体群における第２の電極３
０ａ、３０ｂ、３０Ｃ・・・の表面に、それぞれ誘電体
ミラー３５ａ、３５ｂ、３５ｃ・・・を設けて、画素反
射鏡を波長選択性を示すようなものとして構成させた場
合の構成例であり、この第１９図示の構成例においても
駆動の態様は第１５図（第１８１！ｌ）の場合と同じで
ある。

また、第２０図は第１９図示の画素反射鏡列３の構成に
用いられている画素反射鏡構体、及び前記の画素反射鏡
構体を所定の配列パターンに配列して構成させた画素反
射鏡構体群では、第２の電極３０ａ、３０ｂ、３０ｃ・
・・の表面に、それぞれ個別に設けられていた誘電体ミ
ラー３５ａ、３５ｂ、３５ｃ・・・を１分割されていな
い状態の誘電体ミラー３５に変更した構成形態の実施例
である。

次に、第２１図及び第２２図は画素反射鏡列３の構成に
用いられている画素反射鏡構体、及び前記の画素反射鏡
構体を所定の配列パターンに配列して構成させた画素反
射鏡構体群を電歪物質を用いて構成させた場合の製作工
程及び構成形態を説明するための図であり、第２１図に
おいて３６は基板、３７は電極、３８は電歪物質のブロ
ック材である。

第２１図に示されているように、基板３６上に形成させ
た電極３７上に固着させた電歪物質のブロック材３８は
、厚み振動が行われるような態様・に切出されて用いら
れる。第２１図中に示されている電歪物質のブロック材
３８は、それの上面が研磨されて第２２図に示されるよ
うな傾斜面に形成された後に、上面に反射面となる電極
膜３２・が形成される０次いで、第２２図中に点線で示
されている位置でそれぞれ切断されて、単位の画素反射
鏡構体が所定の配列パターンに配列された画素反射鏡構
体群となされる。

電極３０と電極膜３２とに駆動用電源を接続すると１反
射面となされている電極膜３２が電歪物質の厚さの小さ
い部分になるほど変位量が大になるように変位し１反射
面となされている電極膜３２に入射された光の反射光の
光路を変化させる。

第２３図は電歪物質層３３を積層して構成した単位の画
素反射鏡１体の斜視図であり、この第１３図に例示され
ている゛′単位の画素反射鏡構体の多数のものを所定の
配列パターンに配列して画素反射鏡構体群を構成させる
のである。

第２４図は複数枚の電歪物質層３３を積層して例えば第
２３図示のようにして構成した単位の画素反射鏡構体の
駆動回路であり、図中の３２は駆動用電源である。第２
３図示の構成のように複数枚の電歪物質層４０を積層し
た例えば第２３図示のような画素反射鏡構体は、低い駆
動電圧によって大きな変位が生じるように駆動できる。

次に、第２５図に示されている画素反射鏡列３の構成に
用いられている画素反射鏡構体、及び前記の画素反射鏡
構体を所定の配列パターンに配列して構成させた画素反
射鏡構体群は、電歪物質によるバイモルフ４４に反射膜
４５を設けた構成のものであり、この第２５図示の画素
反射鏡構体群は１例えば基板４１に成膜技術の適用によ
り膜４２を形成し、その上に成膜技術によって電極や電
歪物質によるバイモルフ構成や反射膜を構成した後にエ
ツチング処理により溝４３を構成させることにより製作
できる。

第２１〜第２５１１を参照して説明した画素反射鏡構体
に使用される電歪物質としては９例えば、セラミックス
系のＰＬＺＴ、高分子複合体のＰＺＴ、あるいはＬｉＴ
ａＯ３，ＬｉＮｂＯ３などの単結晶などが使用できる。

次に、第２６図乃至第２８図は例えば、セラミックス系
のＰＬＺＴ、高分子複合体のＰＺＴ、あるいはＬｉＴ　
ａ　０３、ＬｉＮｂＯ３などの単結晶、もしくは強誘電
液晶などの電気光学結晶を用いて構成された画素反射鏡
構体（または画素反射鏡構体群）の構成例を示している
。

第２６図の（ａ）は画素毎の光路変更部材として電気光
学結晶によるプリズム４６．４６・・・を使用した場合
の構成例を示し、前記した電気光学結晶によるプリズム
４６．４６・・・の各側面には電極４７．４７・・・が
設けられて、電極４７．４７・・・問には駆動用電源３
２．３２・・・が接続されている。

前記した画素毎の光路変更部材として用いられる電気光
学結晶によるプリズム４６は、それに電界が加えられる
と屈折率が変化する。それで、−定方向の入力光が供給
されている電気光学結晶によるプリズム４６に設けられ
ている電極４７問に加える電圧を変化させる゛と、電気
光学結晶によるプリズム４６からの出射光の進行方向は
図中の矢印Ｖのように変化する。

したがって、電気光学結晶によるプリズム４６゜４６・
・・は画素毎の光路変更部材として使用できるのである
。

第２７図及び第２８図は前記した２６図の（ａ）と同様
に、電気光学結晶によるプリズムを画素毎の光路変更部
材として使用する場合の他の構成例を示したものである
。

第２７図及び第２８図にそれぞれ示されている電気光学
結晶のプリズムによる画素毎の光路変更部材は、屈折率
の変化を大きくするために２個の電気光学結晶のプリズ
ム４６ａ、４６ｂを、それの光学軸が互に逆になるよう
にして貼り合わせて構成した貼合わせプリズムを用いた
構成例であり。

第２７図は各画素毎に単位の貼合わせプリズムを用いる
ようにしたものであって各画素毎に設けられた単位の貼
合わせプリズムのそれぞれの側面に電極４７．４７・・
・を設けて、それに個別の駆動用電源３２からの駆動電
圧が供給されることにより、それに入射された光の進行
方向が光学結晶の複屈折現象によって駆動電圧に応じて
変化して出射されるようにしたものであり、また、第２
８図に示されている電気光学結晶のプリズムによる画素
毎の光路変更部材は、それの光学軸が互に逆になるよう
にして貼合わされた２個の電気光学結晶のプリズム４６
ａ、４６ｂとしては１個々の画素毎に切断されていない
状態のものが用いられ、前記した貼合わされた２個の電
気光学結晶のプリズム４６ａ、４６ｂの内の一方のもの
（図示の例ではプリズム４６ｂ）には各画素毎に分割さ
れた電極４９．４９・・・が設けられ、他方の電気光学
結晶のプリズム（図示の例ではプリズム４６ａ）には分
割されていない状態の電極４８を設けて構成した場合の
例であり、この第２８１ＩＩ示の構成例においても各画
素毎に個別の駆動用電源３２．３２・・・からの駆動電
圧が供給されることにより、それに入射された光の進行
方向は光学結晶の屈折率の変化によって駆動電圧に応じ
て変化して出射する。

これまでの実施例の説明においては、それぞれ特定な実
施例について、画素反射鏡を波長選択性を有するものと
して構成させたり、あるいは電極の表面に誘電体ミラー
を積層させたり、もしくは電極と反射鏡とを兼用したり
別にしたり、というような構成のものであるとして説明
しであるが、前記した構成態様は、どの実施例について
適用されてもよいことはいうまでもない。

（発明の効果） 以上、詳細に説明したところから明らかなように１本発
明は電磁放射線変換装置に入力させるべき情報信号によ
って個別に駆動変位されるようになされている多数の画
素反射鏡を有する画素反射鏡列に、断面形状が直線状の
電磁放射線束を前記の直線の方向が画素反射鏡列の方向
となるようにして入射させ、前記した各画素反射鏡の変
位の態様に応じた進行方向に進行する前記した画素反射
鏡列からの反射電磁放射線束をスリットに与えると前記
した情報信号と対応して強度変調されている状態の電磁
放射線束を得て、それを前記の直線方向に直交する方向
に偏向させてから電磁放射線変換装置に入力させるよう
にしたものであるから。

本発明によれば電磁放射線変換装置に対して高精細度の
２次元情報を容易に書込むことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明の電磁放射線変換装置に対す
る電磁放射線情報の入力方法を適用して構成した表示装
置のブロック図、第３図は光束を強度変調する手段の説
明図、第４図は電磁放射線変換素子の側面図、第５ｗＩ
は光学部材の特性曲線側図、第６図乃至第２８図は画素
反射鏡列（ビクセル・ミラー・アレイ）を説明するため
の図である。 １・・・光源、２，４・・・光束、３・・・画素反射鏡
列（ビクセル・ミラー・アレイ）、５・・・スリット板
、６・・・スリット、７・・・回転鎖車、８・・・電磁
放射線変換素子、９・・・ビームスプリッタ、１０・・
・光源、１１・・・投影レンズ、１２・・・スクリーン
、１３・・・感光体ドラム、１４・・・駆動回路、１５
，１６，１８・・・端子。 １７・・・電源、２１・・・光を強度変調するために用
いられる情報信号（例えば画像信号）の信号源、２２゜
２４．２５・・・直並列信号変換回路、２３，２６゜２
７・・・多数の画素反射鏡構体が所定の配列パターンに
配列されている画素反射鏡構体群、２８・・・ラストマ
（高分子弾性体）製の電極支持体、２９ａ。 ２９ｂ、２９ｃｍ第１の電極、３０ａ、３０ｂ。 ３０ｃ・・・反射鏡としても機能するように構成されて
いる第２の電極、３１・・・固定部材、３２・・・駆動
用電源、３２ｆ−・・電源、３３ａ、３３ｂ、３３゜・
・・高抵抗を有する第１の電極、３５，３５ａ、３５ｂ
、３５ｃ・・・誘電体ミラー　３６・・・基板、３７・
・・電極、３８・・・電歪物質のブロック材、３９・・
・電極膜、４０・・・電歪物質層、４１・・・基板、４
２・・・膜、４３・・・溝、４４・・・バイモルフ、４
５・・・反射膜、４６．４６ａ、４６ｂ・・・電気光学
結晶のプリズム。 ＢＰＩ、ＢＦ２・・・基板、Ｅ　ｔｌ、　Ｅ　ｔ２・・
・透明電極、ｐｃＬ・・・光導電層部材、ＤＭＬ・・・
誘電体ミラー、ＰＭＬ・・・印加された電界の強度分布
に応じて光の散乱状態、光の旋光の状態、光の偏向の状
態、などめような光の状態を変化させる光変調材（例え
ばニオブ酸リチウム単結晶、ＰＬＺＴ、ネマチック液晶
、その他の光変調材）を用いて構成した光変調材層部材
、ＷＬ・・・書込み光、ＲＬ・・・読出し光、ＥＬ・・
・消去光、 ＳＷ・・・切換スイッチ。 ０Ｃ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、電磁放射線変換装置に入力させるべき情報信号にお
   ける直線的に並ぶ順次の画素毎に強度変調された状態の
   直線的な断面形状を有する電磁放射線束を、前記した電
   磁放射線束におけ断面形状の直線方向と直交する方向に
   電磁放射線束を偏向させて電磁放射線変換装置に入力さ
   せるようにした電磁放射線変換装置に対する電磁放射線
   情報の入力方法 ２、電磁放射線変換装置に入力させるべき情報信号によ
   って個別に駆動変位されるようになされている多数の画
   素反射鏡を有する画素反射鏡列に電磁放射線束を入射さ
   せる手段と、前記した各画素反射鏡の変位の態様に応じ
   た進行方向に進行する前記した画素反射鏡列からの反射
   電磁放射線束をスリットに与えて前記した情報信号と対
   応して強度変調されている状態の電磁放射線束を得る手
   段と、前記のスリットを通過した断面形状が直線状で前
   記の直線方向について画素毎に強度変調されている状態
   の電磁放射線束を、前記の直線方向に直交する方向に偏
   向させて電磁放射線変換装置に入力させる手段とからな
   る電磁放射線変換装置に対する電磁放射線情報の入力装
   置