JPH0357150A - イオン注入装置 - Google Patents

イオン注入装置

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JPH0357150A
JPH0357150A JP1192284A JP19228489A JPH0357150A JP H0357150 A JPH0357150 A JP H0357150A JP 1192284 A JP1192284 A JP 1192284A JP 19228489 A JP19228489 A JP 19228489A JP H0357150 A JPH0357150 A JP H0357150A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lock chamber
load lock
main body
carrier
wafer
Prior art date
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Pending
Application number
JP1192284A
Other languages
English (en)
Inventor
Ikuo Konishi
郁夫 小西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
Priority to JP1192284A priority Critical patent/JPH0357150A/ja
Publication of JPH0357150A publication Critical patent/JPH0357150A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は半導体製造工程等において使用されるイオン注
入装置に関する。
〈従来の技術〉 半導体ウェハ等へのイオン注入は、通常、高真空圧下(
〜1 0−’Torr)にて行われる.そのため、大気
圧下にてイオン注入装置に持ち込まれたウェハは、大気
圧下から高真空下へと移動し、イオン注入後に再び大気
圧下へと戻す必要がある.このような搬送の方式として
は、ウエハを複数枚収容するウェハキャリア単位で、ロ
ードロック室に挿入して、ここを低〜中真空にまで排気
した後、イオンを注入する真空室内のターゲットディス
クに順次装着し、イオン注入後は、同様に低〜中真空に
まで排気されたロードロック室内のウエハキャリア内に
収容した後、このロードロ・冫シ室をリーク(給気)し
、外部に取り出す、いわゆるバッチ方式が挙げられる. 〈発明が解決しようとする課題〉 ところで、上述のようなロードロック室の排気および給
気を行う際、大気〜l O OTorr間にて、ダス}
Iい上がりによるウエハ汚染が生じ易い。
このウェハ汚染を防止するためには、ロードロック室の
排気および給気を、いずれも緩やかにおこなう、いわゆ
るスロー排気、スロー給気を行う必要があるが、量産時
のスループットの関係上、その給排気に充分な時間をと
れないのが現状である。
本発明はこのような点に鑑みてなされたもので、量産時
のスループソトを低下させることなく、ダスト汚染をよ
り軽減することのできるイオン注入装置の提供を目的と
している。
く諜題を解決するための手段〉 上記の目的を達戒するため、本発明では、ロードロソク
室を、気密を保持した状態で、本体部とキャリア収納箱
とに分割可能の構造とし、そのキャリア収納箱の給排気
を、ロードロック室本体とは異なる場所において行える
よう構成している。
く作用〉 ロードロック室本体に合体したキャリア収納箱内のウエ
ハの処理、例えばイオン注入やウェハ搬送等を行ってい
る間に、処理前および処理後のウエハを収納した、他の
キャリア収納箱の給排気を行えるので、その給排気に充
分な時間をとることができる。
〈実施例〉 本発明の実施例を、以下、図面に基づいて説明する。
第1図は本発明実施例のロードロック室1の近傍の構造
を示す縦断面図、第2図はそのA部詳細図である。また
、第3図は、本発明が適用されるイオン注入装置のエン
ドステーションにおける各要素の配置を説明するための
平面断面図である。
まず、装置全体を説明すると、第3図に示すように、イ
オン注入室101内には、複数枚のウェハW・・・Wを
装着して、回転および往復動自在の夕一ゲットディスク
102が配設されており、イオン源(図示せず)からの
イオンビームが各ウエハW・・・Wに順次照射される。
このイオン注入室101に隣接し、かつ、連通して、ウ
エハ搬送装置103を備えた搬送機室104が設けられ
ている。
殿送機室104に隣接して、開閉自在の扉3でこの搬送
機室104に対して仕切られたロード口ツタ室1が配設
されている。このロードロック室1は、イオン注入後の
ウェハを収容するたのもので、ウェハWは複数枚づつウ
エハキャリアCに収容された状態でこのロードロック室
i内に挿入される。
搬送機室104に隣接して、同様に開閉自在の扉3′で
仕切られたもう一つのロードロック室1′が配設されて
いる.このロードロック室1′は、イオン注入後のウエ
ハWを収容するためのウエハキャリアCを収納すること
ができる. さて、第1図に示すように、ロード口ツタ室1は、ロー
ドロック室本体10とその上部のキャリア収納箱11に
より構成されている. ロードロック室本体10内には、エレベータ2の!!置
台21が配設されている。この載置台21は、エレベー
タ2の上昇端においてロード口・冫ク室本体10の上部
壁体10aに形威された穴10bに嵌合するとともに、
そのフランジ部21aの上面が壁体10aの下面に当接
し、この壁体10aに装着された真空パッキンP2と協
動して、ロードロック室本体10の内部を気密に仕切る
よう構tc+されている。また、ロードロック室本体1
0には、エレベータの載置台21が嵌合する部分に連通
ずる給排気管4が設けられている。この給排気管4は電
磁開閉弁5を介して給排気装置(図示せず)に接続され
ている. エレベータ2は、載置台21を支持するシャフト22と
ねじ棒23間にボールねし機構が構成され、このねじ棒
23を外部に設けたモータ24により回転させることに
よって、載置台21を上昇あるいは下降させる構造とな
っている。なお、ねじ棒23がロードロソク室本体10
の壁体を貫通する部分には、真空パッキンP4およびベ
アリング25が設けられている。
一方、 キャリア収納箱11は、下面が開放された筐体
であって、その下部にはフランジllaが一体形威され
ている。フランジllaの下面には凹部が形威されてお
り、この凹部に、ウエハキャリアCを位置決めするため
のプレート12が嵌め込まれている。プレート12の上
面が当接する凹部には真空パッキンP3が装着されてお
り、このパッキンの存在により、キャリア収納箱11内
を密閉することができる.なお、フランジ1taの凹部
に嵌め込まれたプレート12は、数本のロノクビン(図
示せず)等により、そのフランジに固定される。
キャリア収納箱11には、プレート12により位置決め
されたウェハキャリアCの上部を固定するための固定部
材1lbが設けられている。また、キャリア収納箱11
の上部壁体には給排気ボート11cが設けられており、
このボートの先端部には閉鎖型カプラ6が取付けられて
いる。なお、給排気ボートl 1cは、キャリア収納箱
11の側壁に設けてよい。
以上の構造のキャリア収納箱11は、ロードロンク室1
の上部に載置され、プレート12がエレヘータ2の載置
台21上に、ビン7によって位置決めされる。また、キ
ャリア収納箱11のフランジIlaが当接するロードロ
ソク室本体の壁体10には、この当接面を封止するため
の真空パッキンP,が装着されている。
以上は、ロードロック室1の構造について説明したが、
もう一つのロードロック室1′も同等の構造となってい
る。
つぎに、第4図を参照して、作用を操作手順とともに述
べる。
まず、(a)に示すように、キャリア収納箱11のプレ
ート12を、イオン注入装置とは別置されたテーブルT
上に載せ、このプレート12上に、イオン注入すべきウ
ェハW・・・Wを収容したウェハキャリアCを位置決め
した後、キャリア収納箱11を搬送装置(図示せず)等
によりプレート12の上方から下降させてテーブルT上
に載置する(b)。
このとき、プレート12をロツクピンによりキャリア収
納箱11に固定しておく。次いで、キャリア収納箱11
の閉鎖型カプラ6に排気系(図示せず)に接続されたカ
プラ8を装着して、キャリア収納箱11内の排気を、一
分以上かけて緩やかに行う。なお、この真空排気は1 
0 −’Torr程度であれば充分である。
次に、キャリア収納箱11を搬送装置により、口−ドロ
ック室本体10上方へと移動させ下降させてることによ
って、キャリア収納箱11をロードロソク室本体10上
に載置する(C)。この状態で、ロソクビンを解除する
とともに、給排気管4の電磁開閉弁5を開放してプレー
ト12とエレベータの載置台21間等に介在する空気を
排気した後、エレベータ2を下降させる。このとき、ロ
ードロソク室本体10内が1 0−2Torr−1 0
 −3Torr程度に真空排気されているので、(d)
に示すように、ウエハキャリアCはプレート12を介し
てエレベータの!3!置台2a上に載った状態で下降す
る。そして、ウェハキャリアC内の最下部のウヱハWが
扉3に位置した時点で、扉3を開いてキャリアC内のウ
ェハW・・・Wをウエハ搬送機103によってイオン注
入室101内のターゲ・冫トディスク102上に順次装
着する。
イオンが注入されたウエハW・・・Wは、ロードロック
室1′内のエレベータの載置台上に載置されたウェハキ
ャリアC内に収容される。
すなわち、ロードロック室本体の上部に上記の手順と同
様にして、空のウェハキャリアCを収納したキャリア収
納箱11を載置した状態でエレベータを降下させ、イオ
ン注入後のウェハW・・・Wをウェハ搬送機103によ
ってウェハキャリアC内に順次収容する。そして、全て
のウェハW・・・Wを収容した後、エレベータを最上端
まで上昇させ、以後、上記とは逆の手順により、キャリ
ア収納箱11をテーブルT上に移動させ、ウェハキャリ
アCを大気に開放する。
以上のように、ロードロック室本体10を、常に真空排
気した状態で、イオンを注入すべきウエハを収容したウ
ェハキャリアCのロードロック室本体10への導入、お
よびイオン注入後のウェハが収容されたウェハキャリア
Cのロードロンク室本体10からの導出を行うことがで
き、これにより量産時のスループットが向上する。しか
も、ウエハの処理、例えばイオン注入やウェハ搬送等を
行っている間に、次のキャリア収納箱11の真空排気、
また、イオン注入後のウエハを収容したキャリア収納箱
11の給気を行うことが可能となり、その給排気に充分
な時間をとることができる。
なお、以上の実施例では、縦型のウェハキャリアを用い
ているが、横型のウェハキャリアを用いても、本発明を
実施できることは勿論である。
また、以上の実施例においては、キャリア収納箱11を
ロードロック室本体の上部に載置する構造としているが
、例えば、キャリア収納箱11全体をロード口ツタ室本
体内に挿入し、そのロードロック室本体内の給排気を急
速に行うよう構成してもよい。
なお、本発明は、イオン注入装置のほか、ウェハをキャ
リア単位で持ち込む他の半導体製造装置にも応用可能で
ある。この場合、イオン注入装置と他の半導体製造装置
との間において、キャリア収納箱の互換性を.持たすこ
とができれば、装置間のウェハの受渡しをキャリア収納
箱単位で行え、ウエハ処理工程全体におけるスルーブッ
トの向上をはかることも可能となる. く発明の効果〉 以上説明したように、本発明によれば、ロードロック室
を、気密を保持した状態で本体部とキャリア収納箱とに
分割可能の構造とし、そのキャリア収納箱の給排気をロ
ード口ツタ室本体とは異なる場所において行えるよう構
成したから、イオン注入やウエハ搬送等のウェハ処理を
行っている間に、他のウエハを収納したキャリア収納箱
の給排気を行うことが可能となり、その給排気に充分な
時間をとることができる。その結果、量産時のスルーブ
ットを低下させることなく、ダスト汚染をより軽減させ
ることができる。
なお、本発明よると、ロードロノク室本体を、常に真空
排気した状態で、そのロードロック室本体内へのウエハ
キャリアの導入および導出を行うことも可能で、これに
より、スルーブソトを従来に比して向上させることがで
きる、という効果もある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明実施例のロードロック室1の近傍の構造
を示す縦断面図、第2図はそのA部詳細図である。 第3図は、本発明が適用されるイオン注入装置のエンド
ステーションにおける各要素の配置を説明するための平
面断面図である. 第4図は本発明実施例の作用説明図である。 1・・・ロードロック室 10・・・ロードロック室本体 11・・・キャリア収納箱 12・ ・・プレート 2・・ ・エレベータ 21・・・載置台 3・・・扉 101・・・イオン注入室 102・・・ターゲットディスク 103・・・ウエハ搬送機 C・・・ウエハキャリア W・・・ウエハ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 真空室と、その真空室内のターゲットにイオンビームを
    照射する手段と、上記真空室および外部とそれぞれ開閉
    自在の扉で仕切られたロードロック室と、そのロードロ
    ック室と上記真空室の間でターゲットを搬送する手段を
    備えるとともに、上記ロードロック室と外部との間では
    ターゲットをキャリア内に収容した状態で搬送するよう
    構成された装置において、上記ロードロック室を、気密
    を保持した状態で本体部とキャリア収納部とに分割可能
    の構造とし、そのキャリア収納部の給排気を上記本体部
    とは異なる場所において行えるよう構成したことを特徴
    とする、イオン注入装置。
JP1192284A 1989-07-25 1989-07-25 イオン注入装置 Pending JPH0357150A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1192284A JPH0357150A (ja) 1989-07-25 1989-07-25 イオン注入装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1192284A JPH0357150A (ja) 1989-07-25 1989-07-25 イオン注入装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0357150A true JPH0357150A (ja) 1991-03-12

Family

ID=16288720

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1192284A Pending JPH0357150A (ja) 1989-07-25 1989-07-25 イオン注入装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0357150A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6186722B1 (en) 1997-02-26 2001-02-13 Fujitsu Limited Chamber apparatus for processing semiconductor devices

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6186722B1 (en) 1997-02-26 2001-02-13 Fujitsu Limited Chamber apparatus for processing semiconductor devices

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