JPH0352248B2 - - Google Patents

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JPH0352248B2
JPH0352248B2 JP56197531A JP19753181A JPH0352248B2 JP H0352248 B2 JPH0352248 B2 JP H0352248B2 JP 56197531 A JP56197531 A JP 56197531A JP 19753181 A JP19753181 A JP 19753181A JP H0352248 B2 JPH0352248 B2 JP H0352248B2
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transistor
current
base
collector
emitter
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Hiroshi Mizuguchi
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Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/34DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
    • H03F3/343DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はきわめて低い電源電圧のもとで安定に
動作するカレントミラー回路を提供するものであ
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention provides a current mirror circuit that operates stably under extremely low power supply voltage.

第1図は従来よりよく知られているカレントミ
ラー回路の結線図である。同図において、入力端
子Xを介してトランジスタ1のコレクタ側から基
準電流が供給され、トランジスタ2,3,4のコ
レクタから、それぞれ出力端子Y1,Y2,Y3を介
して基準電流に比例した出力電流を取り出す様に
構成されている。
FIG. 1 is a wiring diagram of a conventionally well-known current mirror circuit. In the same figure, a reference current is supplied from the collector side of transistor 1 through input terminal It is configured to take out the output current.

ところで、第1図において、トランジスタ5は
入力電流と出力電流のマツチングを出来る限り向
上させる目的で用いられている。例えば前記トラ
ンジスタ5を用いない場合にはトランジスタ1の
ベースとコレクタを接続することによつて最も一
般的なカレントミラー回路が構成出来る訳である
が、その場合には基準入力電流の多くがトランジ
スタ1,2,3,4のベース電流となつてしま
い、例えば各トランジスタの直流電流増幅率を1
0とすると基準電流を100μA与えて各出力端子か
ら100μAの出力電流を取り出そうとしても、実際
には70μAしか取り出すことが出来ず、しかも入
力電流と出力電流の比率が各トランジスタの直流
電流増幅率に左右されるので、精密さを要求され
る様なカレントミラー回路では前記トランジスタ
5は不可欠であつた。
By the way, in FIG. 1, the transistor 5 is used for the purpose of improving the matching of input current and output current as much as possible. For example, if the transistor 5 is not used, the most common current mirror circuit can be constructed by connecting the base and collector of the transistor 1, but in that case, most of the reference input current is transferred to the transistor 1. , 2, 3, and 4. For example, if the DC current amplification factor of each transistor is 1
If it is set to 0, even if you apply a reference current of 100 μA and try to extract 100 μA of output current from each output terminal, you can actually extract only 70 μA, and the ratio of input current to output current is equal to the DC current amplification factor of each transistor. Therefore, the transistor 5 is indispensable in current mirror circuits that require precision.

ところが、前記トランジスタ5を用いることに
よつて、プラス側給電端子Bに印加される電源電
圧の下限値が上昇してしまうという問題があつ
た。
However, by using the transistor 5, a problem arises in that the lower limit value of the power supply voltage applied to the positive power supply terminal B increases.

例えば、トランジスタ1のベースとコレクタを
接続した形では電源電圧が1V以下になつても充
分に動作するが、トランジスタ5を用いた場合に
は電源電圧が1.4Vよりも低くなると、トランジ
スタ5およびトランジスタ1のベース電流が流れ
なくなつてしまい、動作しなくなるという問題が
あつた。
For example, if the base and collector of transistor 1 are connected, it will operate satisfactorily even if the power supply voltage drops below 1V, but if transistor 5 is used, and the power supply voltage becomes lower than 1.4V, transistor 5 and transistor There was a problem that the base current of No. 1 stopped flowing and the device stopped operating.

入力電流と出力電流のマツチングを向上させた
カレントミラー回路としては第1図の回路の他に
有名なウイルソン型カレントミラー回路がある
が、この回路も電源電圧としてトランジスタのベ
ース・エミツタ間電圧の2倍以上を必要とし、同
様の問題があつた。
In addition to the circuit shown in Figure 1, there is a famous Wilson type current mirror circuit as a current mirror circuit that improves the matching of input current and output current. I needed more than double the amount and had the same problem.

本発明のカレントミラー回路は以上の様な問題
を解消するものである。
The current mirror circuit of the present invention solves the above problems.

第2図は本発明の一実施例に係るカレントミラ
ー回路の回路結線図である。第2図において、ト
ランジスタ1のベースとコレクタが接続され、同
コレクタは基準電流入力端子Xに接続され、同エ
ミツタは抵抗6を介してプラス側給電線路Baに
接続されている。前記トランジスタ1のベースに
はトランジスタ2のベースが接続され、前記トラ
ンジスタ2のエミツタは抵抗7を介してプラス側
給電線路Baに接続され、同コレクタは前記トラ
ンジスタ1および前記トランジスタ2と相補型の
NPNトランジスタ8のベースに接続されている。
FIG. 2 is a circuit connection diagram of a current mirror circuit according to an embodiment of the present invention. In FIG. 2, the base and collector of a transistor 1 are connected, the collector is connected to a reference current input terminal X, and the emitter is connected via a resistor 6 to a positive feed line Ba. The base of the transistor 1 is connected to the base of the transistor 2, the emitter of the transistor 2 is connected to the plus side feed line Ba through the resistor 7, and the collector is of the complementary type to the transistors 1 and 2.
Connected to the base of NPN transistor 8.

また、前記トランジスタ2のエミツタにはトラ
ンジスタ9のエミツタが接続され、前記トランジ
スタ9のベースは前記トランジスタ8のコレクタ
に接続され、同コレクタは第1の電流出力端子
Y1に接続されている。前記トランジスタ9のベ
ースにはトランジスタ10およびトランジスタ1
1のベースが接続され、前記トランジスタ10,
11のエミツタは、それぞれ抵抗12,13を介
してプラス側給電線路Baに接続され、前記トラ
ンジスタ10,11のコレクタはそれぞれ第2、
第3の電流出力端子Y2,Y3に接続されている。
Further, the emitter of the transistor 2 is connected to the emitter of a transistor 9, the base of the transistor 9 is connected to the collector of the transistor 8, and the collector is connected to a first current output terminal.
Connected to Y 1 . A transistor 10 and a transistor 1 are connected to the base of the transistor 9.
1 is connected to the bases of the transistors 10,
The emitters of transistors 11 and 11 are connected to the positive feed line Ba through resistors 12 and 13, respectively, and the collectors of transistors 10 and 11 are connected to the second and second transistors, respectively.
It is connected to the third current output terminals Y 2 and Y 3 .

なお、前記トランジスタ8のエミツタはマイナ
ス側給電線路Caに接続されている。
Note that the emitter of the transistor 8 is connected to the negative power supply line Ca.

さて、第2図の回路において、抵抗6,7,1
2,13の抵抗値がそれぞれR6,R7,R12,R13
であり、トランジスタ1,2,8,9,10,1
1の直流電流増幅率がそれぞれβ1,β2,β8,β9
β10,β11でベース・エミツタ間電圧がそれぞれ
VBE1,VBE2,VBE8,VBE9,VBE10,VBE11で、コレ
クタ電流がそれぞれI1,I2,I8,I9,I10,I11であ
つたとすると、基準電流入力端子Xから吸い込ま
れる基準電流Ixと、第1、第2、第3の電流出力
端子Y1,Y2,Y3から流し出される出力電流Iy1
Iy2,Iy3(各出力端子には負荷が接続されているも
のとする。)の関係は次の様にして求めることが
出来る。
Now, in the circuit shown in Figure 2, resistors 6, 7, 1
The resistance values of 2 and 13 are R 6 , R 7 , R 12 , R 13 respectively
and transistors 1, 2, 8, 9, 10, 1
The DC current amplification factors of 1 are β 1 , β 2 , β 8 , β 9 , respectively.
The base-emitter voltage is β 10 and β 11 , respectively.
If V BE1 , V BE2 , V BE8 , V BE9 , V BE10 , and V BE11 and the collector currents are I 1 , I 2 , I 8 , I 9 , I 10 , and I 11 , respectively, then the reference current input terminal The reference current I x is drawn in from the reference current I
The relationship between I y2 and I y3 (assuming that a load is connected to each output terminal) can be determined as follows.

Ix=I1(1+1/β1)+I2/β2 ……(1) R6I1(1+1/β1)+VBE1 =R7{I2(1+1/β2)+I9(1+1/β9)}+
VBE2 ……(2) I2β8=I8 ……(3) I8=I9/β9+I10/β10+I11/β11 ……(4) R7{I2(1+1/β2)+I9(1+1/β9)}+VBE9 =R12I10(1+1/β10)+VBE10 ……(5) R12I10(1+1/β10)+VBE10 =R13I11(1+1/β11)+VBE11 ……(6) I9=Iy1 ……(7) I10=Iy2 ……(8) I11=Iy3 ……(9) (3),(4)式より、 I2=1/β8(I9/β9+I10/β10+I11/β11)……
(10) (1),(2),(7),(10)式より、 Iy1=Ix−1/β8{R7/R6(1+1/β2)+
1/β2}(Iy2/β10+Iy3/β11)+VBE1−VBE2/R6
/R7/R6(1+1/β9)+1/β8β9{R7/R6(1+
1/β2)+1/β2}……(11) (1),(2),(5),(8),(10)式より、 Iy2=Ix−1/β2β8(Iy1/β9+Iy3/β11
+1/β6(VBE9−VBE10+VBE1−VBE2)/R12/R6(1
+1/β10)+1/β2β8β10……(12) (1),(2),(5),(9),(10)式より、 Iy3=Ix1/β2β8(Iy1/β9+Iy2/β10)+
1/R6(VBE9−VBE10+VBE1−VBE2)/R13/R6(1+1
/β11)+1/β2β8β11……(13) ここで、β2,β8,β9,β10,β11はいずれも10よ
りも大きく、トランジスタ9,10,11のエミ
ツタ電流密度がほぼ等しくなる様にそれぞれのエ
ミツタ面積が設定されているものとすると、 Iy1≒Ix+VBE1−VBE2/R6/R7/R6(1+1/β9)…
…(14) Iy2≒Ix+VBE1−VBE2/R6/R12/R6(1+1/β10
……(15) Iy3≒Ix+VBE1−VBE2/R6/R13/R6(1+1/β11
……(16) 第2図において、トランジスタ2のエミツタ電
流密度をトランジスタ1のそれと同じにすること
によつて、(14)〜(16)式のVBE1とVBE2を等しくす
ることが出来る。例えば第3図に示す様にトラン
ジスタ8のベース・エミツタ間に抵抗を接続した
り、第4図の様にトランジスタ2のコレクタ電流
の一部を別の定電流回路によつて引き込むことに
よつてVBE1とVBE2の差を零にすることが出来る
し、トランジスタ1とトランジスタ2のエミツタ
面積を異ならせることによつても可能である。
I x = I 1 (1 + 1 / β 1 ) + I 2 / β 2 ... (1) R 6 I 1 (1 + 1 / β 1 ) + V BE1 = R 7 {I 2 (1 + 1 / β 2 ) + I 9 (1 + 1 / β 9 )}+
V BE2 ……(2) I 2 β 8 =I 8 ……(3) I 8 =I 9 /β 9 +I 10 /β 10 +I 11 /β 11 ……(4) R 7 {I 2 (1+1/ β 2 )+I 9 (1+1/β 9 )}+V BE9 = R 12 I 10 (1+1/β 10 )+V BE10 ……(5) R 12 I 10 (1+1/β 10 )+V BE10 = R 13 I 11 ( 1+1/β 11 )+V BE11 ...(6) I 9 =I y1 ...(7) I 10 =I y2 ...(8) I 11 =I y3 ...(9) Equations (3) and (4) Therefore, I 2 = 1/β 8 (I 99 +I 1010 +I 1111 )...
(10) From equations (1), (2), (7), and (10), I y1 = I x −1/β 8 {R 7 /R 6 (1+1/β 2 )+
1/β 2 } (I y2 / β 10 + I y3 / β 11 ) + V BE1 −V BE2 /R 6
/R 7 /R 6 (1+1/β 9 )+1/β 8 β 9 {R 7 /R 6 (1+
1/β 2 )+1/β 2 }……(11) From formulas (1), (2), (5), (8), and (10), I y2 = I x −1/β 2 β 8 ( I y1 / β 9 + I y3 / β 11 )
+1/β 6 (V BE9 −V BE10 +V BE1 −V BE2 )/R 12 /R 6 (1
+1/β 10 )+1/β 2 β 8 β 10 ...(12) From formulas (1), (2), (5), (9), and (10), I y3 = I x 1/β 2 β 8 (I y1 / β 9 + I y2 / β 10 ) +
1/R 6 (V BE9 −V BE10 +V BE1 −V BE2 )/R 13 /R 6 (1+1
11 )+1/β 2 β 8 β 11 ...(13) Here, β 2 , β 8 , β 9 , β 10 , and β 11 are all larger than 10, and the emitters of transistors 9, 10, and 11 are Assuming that the emitter areas are set so that the current densities are approximately equal, I y1 ≒ I x +V BE1 −V BE2 /R 6 /R 7 /R 6 (1+1/β 9 )...
…(14) I y2 ≒I x +V BE1 −V BE2 /R 6 /R 12 /R 6 (1+1/β 10 )
……(15) I y3 ≒I x +V BE1 −V BE2 /R 6 /R 13 /R 6 (1+1/β 11 )
(16) In FIG. 2, by making the emitter current density of transistor 2 the same as that of transistor 1, V BE1 and V BE2 in equations (14) to (16) can be made equal. For example, by connecting a resistor between the base and emitter of transistor 8 as shown in Figure 3, or by drawing part of the collector current of transistor 2 through another constant current circuit as shown in Figure 4. The difference between V BE1 and V BE2 can be made zero, and this can also be done by making the emitter areas of transistors 1 and 2 different.

いま、説明を簡単にするためにVBE1=VBE2が成
立しているものとすると、R6=R7=R12=R13
設定して、β9,β10,β11がいずれも10であると仮
定した場合、Ixが100μAであれば、出力電流Iy1
Iy2,Iy3はいずれも90μAとなり、第1図のトラン
ジスタ1のベース・コレクタ間を短絡した場合に
比べて(先に述べた様に、その場合は100μAの入
力電流に対して70μAの出力電流となる。)、マツ
チングが良くなつている。
Now, to simplify the explanation, let us assume that V BE1 = V BE2 holds, then set R 6 = R 7 = R 12 = R 13 , and β 9 , β 10 , and β 11 are all 10, if I x is 100 μA, the output current I y1 ,
I y2 and I y3 are both 90 μA, compared to the case where the base and collector of transistor 1 in Figure 1 are shorted (as mentioned earlier, in that case, the output is 70 μA for an input current of 100 μA). ), the matching has improved.

また、(14),(15),(16)式からも明らかな様に本
発明のカレントミラー回路では、抵抗7,12,
13の抵抗値を抵抗8の抵抗値の数分の1に設定
して出力電流を入力電流の数倍以上にしたとして
も、入力基準電流Ixに対する出力電流のマツチン
グが悪くなることはない。
Furthermore, as is clear from equations (14), (15), and (16), in the current mirror circuit of the present invention, the resistors 7, 12,
Even if the resistance value of resistor 13 is set to a fraction of the resistance value of resistor 8 and the output current is made to be several times the input current or more, the matching of the output current to the input reference current I x will not deteriorate.

これは、トランジスタ9,10,11にとつて
必要なベース電流が入力基準電流から直接供給さ
れるのではなくて、トランジスタ8を介して供給
されるためである。
This is because the base current required for transistors 9, 10, 11 is not supplied directly from the input reference current, but via transistor 8.

さて、第2図の回路において、例えば抵抗7の
両端に100mVの電圧降下をもたせたとしても、
トランジスタ9のベース・エミツタ間電圧が
0.65V程度であり、トランジスタ8の飽和電圧が
0.2V以下であるから、電源電圧が1Vよりも低く
なつたとしても充分に動作する。
Now, in the circuit shown in Figure 2, even if a voltage drop of 100 mV is created across resistor 7, for example,
The base-emitter voltage of transistor 9 is
It is about 0.65V, and the saturation voltage of transistor 8 is
Since it is 0.2V or less, it can operate satisfactorily even if the power supply voltage is lower than 1V.

なお、第2図においては3個の電流出力端子が
設けられているが、これらは必要に応じて増設す
ることも可能であるし、トランジスタ10,1
1、抵抗12,13を省いて1個の電流出力端子
とすることも可能である。
In addition, although three current output terminals are provided in FIG. 2, these can be added as necessary, and transistors 10 and
1. It is also possible to omit the resistors 12 and 13 and provide one current output terminal.

第3図は本発明の別の実施例を示したもので、
ここではトランジスタ1とトランジスタ10のエ
ミツタ電流密度がほぼ同じになる様に設定し、さ
らにトランジスタ2とトランジスタ9のエミツタ
電流密度がほぼ同じになる様に設定されている。
FIG. 3 shows another embodiment of the present invention,
Here, the emitter current densities of transistors 1 and 10 are set to be approximately the same, and furthermore, the emitter current densities of transistors 2 and 9 are set to be approximately the same.

すなわち、(12)式において、 VBE1−VBE2=VBE10−VBE9 ……(17) が成立するので、VBE1とVBE2の差電圧によるミ
スマツチングが解消される。
That is, in equation (12), V BE1 − V BE2 = V BE10 − V BE9 (17) holds true, so mismatching due to the voltage difference between V BE1 and V BE2 is eliminated.

また、第3図の回路ではトランジスタ9のコレ
クタ電流を出力電流として利用していないが、必
要に応じて、出力電流として取り出すことも出来
る。
Further, although the collector current of the transistor 9 is not used as an output current in the circuit shown in FIG. 3, it can be taken out as an output current if necessary.

第4図もまた本発明の別の実施例を示す回路結
線図で、電流出力トランジスタ10,11,14
のエミツタ面積を3対2の広さに設定して出力端
子Y2,Y3,Y4から取り出すことの出来る電流値
を決めており、さらにトランジスタ9のコレクタ
電流の半分の値の電流をトランジスタ2のコレク
タから、トランジスタ15によつて吸い込む様に
構成されている。また、基準電流のほぼ3分の1
の電流をトランジスタ1のベースにそのベースが
接続されたトランジスタ16ののコレクタから出
力端子Y0を介して取り出す様に構成されている。
FIG. 4 is also a circuit connection diagram showing another embodiment of the present invention, in which current output transistors 10, 11, 14
The current value that can be taken out from the output terminals Y 2 , Y 3 , and Y 4 is determined by setting the emitter area of the transistor to a ratio of 3 to 2. The transistor 15 is configured to suck in the current from the collector of the transistor 2. Also, approximately one-third of the reference current
The current is taken out from the collector of the transistor 16 whose base is connected to the base of the transistor 1 through the output terminal Y0 .

ところで、第2図、第3図、第4図に示した本
発明の実施例は、いずれも電流電圧が1Vよりも
低くなつても動作するが、本発明の応用範囲は必
らずしも1V以下の電源電圧のもとで動作させる
カレントミラー回路に限定される訳ではなく、第
1図に示した従来のカレントミラー回路に本発明
を適用することによつて、さらにマツチング精度
を向上させることも出来る。
By the way, the embodiments of the present invention shown in FIGS. 2, 3, and 4 all operate even when the current voltage is lower than 1V, but the scope of application of the present invention is not necessarily limited to this. The present invention is not limited to current mirror circuits that operate under a power supply voltage of 1V or less, but by applying the present invention to the conventional current mirror circuit shown in Figure 1, matching accuracy can be further improved. You can also do that.

例えば、D−Aコンバータなどにしばしば見ら
れる様に微少基準電流をもとにして、多くの出力
端子に精度の良い定電流出力を供給する場合には
本発明のカレントミラー回路を適用することによ
り、きわめて高いマツチング精度を実現すること
が出来る。
For example, when supplying accurate constant current output to many output terminals based on a minute reference current, as is often seen in D-A converters, the current mirror circuit of the present invention can be applied. , extremely high matching accuracy can be achieved.

第5図は本発明の更に別の実施例として10ビツ
トのD−Aコンバータ用のカレントミラー回路の
構成例を示したもので、すでに説明した様に、ト
ランジスタ1のエミツタ電流密度とトランジスタ
10,11,17,18,19,20,21,2
2,23,24のエミツタ電流密度が同じになる
様に設定し、さらにトランジスタ2のエミツタ電
流密度と、トランジスタ9のエミツタ電流密度が
同じになる様に設定しておくことによつて、それ
ぞれのトランジスタのベース・エミツタ間電圧の
差を零にすることが出来、しかもトランジスタ1
およびトランジスタ2のベース電流はトランジス
タ5によつて供給され、トランジスタ9〜11,
17〜24のベース電流はトランジスタ8によつ
て供給されるので、基準入力電流の殆んどがトラ
ンジスタ1のコレクタに供給され、出力端子Y2
〜Y11から非常にマツチング精度の良い出力電流
を取り出すことが出来る。
FIG. 5 shows a configuration example of a current mirror circuit for a 10-bit D-A converter as yet another embodiment of the present invention. As already explained, the emitter current density of transistor 1 and the current density of transistor 10, 11, 17, 18, 19, 20, 21, 2
By setting the emitter current densities of transistors 2, 23, and 24 to be the same, and setting the emitter current densities of transistor 2 and transistor 9 to be the same, each It is possible to reduce the difference in voltage between the base and emitter of the transistor to zero, and in addition, transistor 1
and the base current of transistor 2 is supplied by transistor 5, transistors 9-11,
Since the base current of 17 to 24 is supplied by transistor 8, most of the reference input current is supplied to the collector of transistor 1 and the output terminal Y 2
It is possible to extract an output current with very good matching accuracy from ~ Y11 .

なお、第2図〜第5図に示した本発明の実施例
では、いずれも出力トランジスタとしてPNPト
ランジスタを用いているが、これらをすべて
NPNトランジスタに置き換え、トランジスタ8,
15などをPNPトランジスタに置き換えても同
様の効果が期待出来ることはいうまでもない。
In addition, in the embodiments of the present invention shown in FIGS. 2 to 5, PNP transistors are used as output transistors, but all of them are
Replaced with NPN transistor, transistor 8,
It goes without saying that the same effect can be expected even if 15 etc. are replaced with a PNP transistor.

以上をまとめると、本発明はコレクタ側から入
力端子(前述の実施例のXに相当)を介して基準
電流が供給され、エミツタが一方の給電線路に接
続された第1のトランジスタ(同1に相当)と、
ベースが前記第1のトランジスタのベースに接続
され、エミツタが抵抗(同7に相当)を介して前
記給電線路に接続された第2のトランジスタ(同
2に相当)と、前記第1および第2のトランジス
タと相補型であつて、ベース電流が前記第2のト
ランジスタのコレクタから給電される第3のトラ
ンジスタ(同8に相当)と、エミツタが前記第2
のトランジスタのエミツタに接続され、ベース電
流が前記第3のトランジスタのコレクタから給電
される第4のトランジスタ(同9に相当)を備え
たことを特徴とするもので、実施例では、さら
に、ベースが前記第4のトランジスタのベースに
接続され、エミツタが前記給電線路に接続された
第5のトランジスタ(同10に相当)と、ベース
が前記第4のトランジスタのベースに接続され、
エミツタが前記給電線路に接続された第6のトラ
ンジスタ(同11に相当)、同様構成の第7〜第
14のトランジスタを備えている。
To summarize the above, the present invention provides a first transistor (corresponding to equivalent) and
a second transistor (corresponding to 2) whose base is connected to the base of the first transistor and whose emitter is connected to the feed line via a resistor (corresponding to 7); A third transistor (corresponding to No. 8), which is complementary to the transistor, and whose base current is supplied from the collector of the second transistor (corresponding to No. 8);
The fourth transistor (corresponding to No. 9) is connected to the emitter of the transistor, and the base current is supplied from the collector of the third transistor. is connected to the base of the fourth transistor, and a fifth transistor (corresponding to No. 10) whose emitter is connected to the feed line, and whose base is connected to the base of the fourth transistor,
A sixth transistor (corresponding to No. 11) whose emitter is connected to the feed line;
It has 14 transistors.

また、第2図の実施例では前記第4、第5、第
6のトランジスタのコレクタから出力電流を取り
出す様に構成されているが、第3図の実施例では
前記第4のトランジスタのコレクタにはマイナス
側給電線路Caから給電する様に構成されている。
Further, in the embodiment shown in FIG. 2, the output current is taken out from the collectors of the fourth, fifth, and sixth transistors, but in the embodiment shown in FIG. is configured to supply power from the negative side power supply line Ca.

この様に本発明のカレントミラー回路は第2の
トランジスタのコレクタ電流を相補型の第3のト
ランジスタのベースに供給し、前記第3のトラン
ジスタのコレクタ電流を少なくとも第4のトラン
ジスタのベース電流として供給する様に構成され
ているので、きわめて低い電源電圧のもとでマツ
チング精度を高めることが出来るだけでなく、比
較的高い電源電圧のもとで使用した場合にも、高
精度のマツチングを維持しつつ、少ない基準電流
をもとに多くの出力電流を得ることが出来るな
ど、大なる効果を奏するものである。
In this manner, the current mirror circuit of the present invention supplies the collector current of the second transistor to the base of the complementary third transistor, and supplies the collector current of the third transistor as the base current of at least the fourth transistor. Because it is configured to do so, it is not only possible to improve matching accuracy even at extremely low power supply voltages, but also to maintain high precision matching even when used at relatively high power supply voltages. At the same time, it has great effects, such as being able to obtain a large amount of output current based on a small reference current.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来例を示す回路結線図、第2図、第
3図、第4図および第5図は、それぞれ本発明の
各実施例に係るカレントミラー回路の回路結線図
である。 1,2,8,9,10,11,14〜24……
トランジスタ、7……抵抗、Ba……プラス側給
電線路、Ca……マイナス側給電線路。
FIG. 1 is a circuit connection diagram showing a conventional example, and FIGS. 2, 3, 4, and 5 are circuit connection diagrams of current mirror circuits according to each embodiment of the present invention. 1, 2, 8, 9, 10, 11, 14~24...
Transistor, 7... Resistor, Ba... Positive side power supply line, Ca... Negative side power supply line.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 コレクタ側から基準電流が供給され、エミツ
タが一方の給電線路に接続された第1のトランジ
スタと、ベースが前記第1のトランジスタのベー
スに接続され、エミツタが抵抗を介して前記給電
線路に接続された第2のトランジスタと、前記第
1および第2のトランジスタと相補型であつて、
エミツタが他方の給電線路に接続され、ベース電
流が前記第2のトランジスタのコレクタから給電
される第3のトランジスタと、エミツタが前記第
2のトランジスタのエミツタに接続され、ベース
電流が前記第3のトランジスタのコレクタから給
電される第4のトランジスタを備え、前記第4の
トランジスタのコレクタから出力電流を取り出す
よう構成してなるカレントミラー回路。 2 コレクタ側から基準電流が供給され、エミツ
タが一方の給電線路に接続された第1のトランジ
スタと、ベースが前記第1のトランジスタのベー
スに接続され、エミツタが抵抗を介して前記給電
線路に接続された第2のトランジスタと、前記第
1および第2のトランジスタと相補型であつて、
エミツタが他方の給電線路に接続され、ベース電
流が前記第2のトランジスタのコレクタから給電
される第3のトランジスタと、エミツタが前記第
2のトランジスタのエミツタに接続され、ベース
電流が前記第3のトランジスタのコレクタから給
電される第4のトランジスタと、ベースが前記第
4のトランジスタのベースに接続され、エミツタ
が前記給電線路に接続された第5のトランジスタ
を備え、前記第4のトランジスタのコレクタには
他方の給電線路から給電するとともに、前記第5
のトランジスタのコレクタから出力電流を取り出
すよう構成してなるカレントミラー回路。
[Claims] 1. A first transistor to which a reference current is supplied from the collector side and whose emitter is connected to one of the power supply lines, and whose base is connected to the base of the first transistor, and whose emitter is connected to the base of the first transistor through a resistor. a second transistor connected to the power supply line; and a second transistor complementary to the first and second transistors,
a third transistor whose emitter is connected to the other feed line and whose base current is supplied from the collector of the second transistor; A current mirror circuit comprising a fourth transistor supplied with power from the collector of the transistor, and configured to take out an output current from the collector of the fourth transistor. 2 A first transistor to which a reference current is supplied from the collector side and whose emitter is connected to one of the feed lines, whose base is connected to the base of the first transistor, and whose emitter is connected to the feed line via a resistor. a second transistor complementary to the first and second transistors,
a third transistor whose emitter is connected to the other feed line and whose base current is supplied from the collector of the second transistor; a fourth transistor to which power is supplied from the collector of the transistor; a fifth transistor having a base connected to the base of the fourth transistor and an emitter connected to the power supply line; is supplied with power from the other feed line, and the fifth
A current mirror circuit configured to extract output current from the collector of a transistor.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3904976A (en) * 1974-04-15 1975-09-09 Rca Corp Current amplifier

Patent Citations (1)

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US3904976A (en) * 1974-04-15 1975-09-09 Rca Corp Current amplifier

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