JPH0351851Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0351851Y2 JPH0351851Y2 JP1986098738U JP9873886U JPH0351851Y2 JP H0351851 Y2 JPH0351851 Y2 JP H0351851Y2 JP 1986098738 U JP1986098738 U JP 1986098738U JP 9873886 U JP9873886 U JP 9873886U JP H0351851 Y2 JPH0351851 Y2 JP H0351851Y2
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- JP
- Japan
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- resin
- tetrafluoroethylene
- dielectric
- coaxial cable
- flux
- Prior art date
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- Expired
Links
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Landscapes
- Communication Cables (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この考案は、連続多孔質四弗化エチレン樹脂製
誘電体を用いた同軸ケーブルの端末半田処理に先
立つフラツクス処理によつて、絶縁抵抗低下を生
ずることの無い同軸ケーブル構造に関する。
誘電体を用いた同軸ケーブルの端末半田処理に先
立つフラツクス処理によつて、絶縁抵抗低下を生
ずることの無い同軸ケーブル構造に関する。
高周波用同軸ケーブルの誘電体として、例えば
特開昭56−94802号公報に開示のように、連続多
孔質四弗化エチレン樹脂製誘電体を用いる場合が
ある。
特開昭56−94802号公報に開示のように、連続多
孔質四弗化エチレン樹脂製誘電体を用いる場合が
ある。
同軸ケーブルの端末導体を半田処理する場合
は、まず端末部の導体、誘電体等を竹の子状に露
出させて、この端末部をフラツクス内に浸漬し、
取り出したのち、導体先端部を溶融半田槽内に入
れて半田処理し、これを冷却洗浄する。
は、まず端末部の導体、誘電体等を竹の子状に露
出させて、この端末部をフラツクス内に浸漬し、
取り出したのち、導体先端部を溶融半田槽内に入
れて半田処理し、これを冷却洗浄する。
しかしながら、誘電体に前記の連続多孔質材料
を用いた場合は、フラツクスが誘電体の微孔内に
入り、洗浄しても除去できず残存することによ
り、中心導体と外部導体との間に絶縁抵抗の低下
をまねくことがある。
を用いた場合は、フラツクスが誘電体の微孔内に
入り、洗浄しても除去できず残存することによ
り、中心導体と外部導体との間に絶縁抵抗の低下
をまねくことがある。
そこでこの考案は、上記従来の欠点を除去し、
端末部半田処理に先立つケーブル端末部のフラツ
クス浸漬による中心導体と外部導体間絶縁抵抗低
下を生じない同軸ケーブルを提供せんとするもの
である。
端末部半田処理に先立つケーブル端末部のフラツ
クス浸漬による中心導体と外部導体間絶縁抵抗低
下を生じない同軸ケーブルを提供せんとするもの
である。
このためこの考案によれば、中心導体と外部導
体との間に連続多孔質四弗化エチレン樹脂製誘電
体を配してなる同軸ケーブルにおいて、前記連続
多孔質四弗化エチレン樹脂製誘電体と外部導体と
の間に、四弗化エチレン−パーフロロアルキルビ
ニルエーテル共重合樹脂、四弗化エチレン−六弗
化プロピレン共重合樹脂、四弗化エチレン−エチ
レン共重合樹脂、および三弗化塩化エチレン樹脂
から選んだ充実樹脂層を長手方向に連続して設け
てなることを特徴とする耐フラツクス同軸ケーブ
ルを構成する。
体との間に連続多孔質四弗化エチレン樹脂製誘電
体を配してなる同軸ケーブルにおいて、前記連続
多孔質四弗化エチレン樹脂製誘電体と外部導体と
の間に、四弗化エチレン−パーフロロアルキルビ
ニルエーテル共重合樹脂、四弗化エチレン−六弗
化プロピレン共重合樹脂、四弗化エチレン−エチ
レン共重合樹脂、および三弗化塩化エチレン樹脂
から選んだ充実樹脂層を長手方向に連続して設け
てなることを特徴とする耐フラツクス同軸ケーブ
ルを構成する。
この考案によれば、中心導体の外周に設けた連
続多孔質四弗化エチレン樹脂製誘電体の直上に、
四弗化エチレン−パーフロロアルキルビニルエー
テル共重合樹脂、四弗化エチレン−六弗化プロピ
レン共重合樹脂、四弗化エチレン−エチレン共重
合樹脂、および三弗化塩化エチレン樹脂から選ん
だ充実樹脂層を長手方向に沿つて連続して設けて
あるので、中心導体と外部導体との間(外部導体
の直下)に充実樹脂層の絶縁遮蔽層が存在し、誘
電体の連続微孔内にフラツクスが侵入したとして
も、それによつて生ずる高抵抗導電路は、先の充
実樹脂層によつて遮断され、ケーブル端末部のフ
ラツクス浸漬によつても、絶縁抵抗低下を生ずる
ことのない連続多孔質四弗化エチレン樹脂製誘電
体を用いた同軸ケーブルが提供されることにな
る。
続多孔質四弗化エチレン樹脂製誘電体の直上に、
四弗化エチレン−パーフロロアルキルビニルエー
テル共重合樹脂、四弗化エチレン−六弗化プロピ
レン共重合樹脂、四弗化エチレン−エチレン共重
合樹脂、および三弗化塩化エチレン樹脂から選ん
だ充実樹脂層を長手方向に沿つて連続して設けて
あるので、中心導体と外部導体との間(外部導体
の直下)に充実樹脂層の絶縁遮蔽層が存在し、誘
電体の連続微孔内にフラツクスが侵入したとして
も、それによつて生ずる高抵抗導電路は、先の充
実樹脂層によつて遮断され、ケーブル端末部のフ
ラツクス浸漬によつても、絶縁抵抗低下を生ずる
ことのない連続多孔質四弗化エチレン樹脂製誘電
体を用いた同軸ケーブルが提供されることにな
る。
図は、この考案の一実施例による耐フラツクス
同軸ケーブル1の端部斜視図である。
同軸ケーブル1の端部斜視図である。
この耐フラツクス同軸ケーブル1は、中心導体
2と外部導体3との間に設けた連続多孔質四弗化
エチレン樹脂(PTFE)製誘電体4の直上に、充
実樹脂層5を同軸ケーブル1の長手方向に沿つて
連続して設けてある。そして、最外周には任意の
充実樹脂よりなるシース6が設けられている。
2と外部導体3との間に設けた連続多孔質四弗化
エチレン樹脂(PTFE)製誘電体4の直上に、充
実樹脂層5を同軸ケーブル1の長手方向に沿つて
連続して設けてある。そして、最外周には任意の
充実樹脂よりなるシース6が設けられている。
この構成に用いる連続多孔質四弗化エチレン樹
脂製誘電体4は、特公昭51−18991号公報に記載
の方法で得られる。また、この連続多孔質四弗化
エチレン樹脂製誘電体4の直上に設けられる充実
樹脂層5は、四弗化エチレン−パーフロロアルキ
ルビニルエーテル共重合樹脂(PFA)、四弗化エ
チレン−六弗化プロピレン共重合樹脂(FEP)、
四弗化エチレン−エチレン共重合樹脂(ETFE)、
および三弗化塩化エチレン樹脂(CTFE)から選
んで用いる。
脂製誘電体4は、特公昭51−18991号公報に記載
の方法で得られる。また、この連続多孔質四弗化
エチレン樹脂製誘電体4の直上に設けられる充実
樹脂層5は、四弗化エチレン−パーフロロアルキ
ルビニルエーテル共重合樹脂(PFA)、四弗化エ
チレン−六弗化プロピレン共重合樹脂(FEP)、
四弗化エチレン−エチレン共重合樹脂(ETFE)、
および三弗化塩化エチレン樹脂(CTFE)から選
んで用いる。
上記のごとく形成されたこの考案による耐フラ
ツクス同軸ケーブル1によれば、連続多孔質四弗
化エチレン樹脂製誘電体4の直上に、充実樹脂層
5が同軸ケーブル1の長手方向に連続して設けら
れているので、半田処理に先立つフラツクス槽内
への浸漬によつて生ずる高抵抗導電路を、充実樹
脂層5が遮蔽するため、中心導体2と外部導体3
との間の絶縁抵抗低下を生ずることが無くなる。
ツクス同軸ケーブル1によれば、連続多孔質四弗
化エチレン樹脂製誘電体4の直上に、充実樹脂層
5が同軸ケーブル1の長手方向に連続して設けら
れているので、半田処理に先立つフラツクス槽内
への浸漬によつて生ずる高抵抗導電路を、充実樹
脂層5が遮蔽するため、中心導体2と外部導体3
との間の絶縁抵抗低下を生ずることが無くなる。
連続多孔質四弗化エチレン樹脂製誘電体の直上
に、厚さ0.05mmの四弗化エチレン−六弗化プロピ
レン共重合樹脂からなる充実樹脂層を設けた場
合、絶縁抵抗の低下は見られず、特性インピーダ
ンス、静電容量、伝搬遅延時間、減衰量、パルス
歪等の電気的特性が安定していた。これは、充実
樹脂層の位置が誘電体の直上、即ち外部導体の直
下であり、電気力線密度が小さな部分であるた
め、実行比誘電率の上昇が少ないことが主な理由
である。
に、厚さ0.05mmの四弗化エチレン−六弗化プロピ
レン共重合樹脂からなる充実樹脂層を設けた場
合、絶縁抵抗の低下は見られず、特性インピーダ
ンス、静電容量、伝搬遅延時間、減衰量、パルス
歪等の電気的特性が安定していた。これは、充実
樹脂層の位置が誘電体の直上、即ち外部導体の直
下であり、電気力線密度が小さな部分であるた
め、実行比誘電率の上昇が少ないことが主な理由
である。
以上の通りこの考案によれば、連続多孔質四弗
化エチレン樹脂製誘電体の直上、即ち外部導体の
直下に四弗化エチレン−パーフロロアルキルビニ
ルエーテル共重合樹脂、四弗化エチレン−六弗化
プロピレン共重合樹脂、四弗化エチレン−エチレ
ン共重合樹脂、および三弗化塩化エチレン樹脂か
ら選んだ充実樹脂層を設けることにより、同軸ケ
ーブル端末部半田処理に先立つフラツクスの浸透
による絶縁抵抗の抵抗を防止し、耐フラツクス性
を高めることにより、伝送速度の高い高周波同軸
ケーブルの接続に不都合を生ぜず、その実用上の
効果大なるものがある。
化エチレン樹脂製誘電体の直上、即ち外部導体の
直下に四弗化エチレン−パーフロロアルキルビニ
ルエーテル共重合樹脂、四弗化エチレン−六弗化
プロピレン共重合樹脂、四弗化エチレン−エチレ
ン共重合樹脂、および三弗化塩化エチレン樹脂か
ら選んだ充実樹脂層を設けることにより、同軸ケ
ーブル端末部半田処理に先立つフラツクスの浸透
による絶縁抵抗の抵抗を防止し、耐フラツクス性
を高めることにより、伝送速度の高い高周波同軸
ケーブルの接続に不都合を生ぜず、その実用上の
効果大なるものがある。
図は、この考案の一実施例による耐フラツクス
同軸ケーブルの端部斜視図である。 1:耐フラツクス同軸ケーブル、2:中心導
体、3:外部導体、4:連続多孔質四弗化エチレ
ン樹脂製誘電体、5:充実樹脂層。
同軸ケーブルの端部斜視図である。 1:耐フラツクス同軸ケーブル、2:中心導
体、3:外部導体、4:連続多孔質四弗化エチレ
ン樹脂製誘電体、5:充実樹脂層。
Claims (1)
- 中心導体と外部導体との間に連続多孔質四弗化
エチレン樹脂製誘電体を配してなる同軸ケーブル
において、前記連続多孔質四弗化エチレン樹脂製
誘電体と外部導体との間に、四弗化エチレン−パ
ーフロロアルキルビニルエーテル共重合樹脂、四
弗化エチレン−六弗化プロピレン共重合樹脂、四
弗化エチレン−エチレン共重合樹脂、および三弗
化塩化エチレン樹脂から選んだ充実樹脂層を長手
方向に連続して設けてなることを特徴とする耐フ
ラツクス同軸ケーブル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1986098738U JPH0351851Y2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1986098738U JPH0351851Y2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS634026U JPS634026U (ja) | 1988-01-12 |
JPH0351851Y2 true JPH0351851Y2 (ja) | 1991-11-08 |
Family
ID=30966975
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1986098738U Expired JPH0351851Y2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0351851Y2 (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5849528U (ja) * | 1981-09-26 | 1983-04-04 | 株式会社フジクラ | プラスチツク外被ケ−ブル分岐接続部の密封構造 |
-
1986
- 1986-06-27 JP JP1986098738U patent/JPH0351851Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5849528U (ja) * | 1981-09-26 | 1983-04-04 | 株式会社フジクラ | プラスチツク外被ケ−ブル分岐接続部の密封構造 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS634026U (ja) | 1988-01-12 |
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