JPH03501547A - ポリイミドスペーサをもつフィールドエミッションカソードをベースとする平面パネルディスプレイ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 男−瞥 ポリイミドスペーサをもつフィールドエミッションカソードをベースとする平面 パネルディスプレイ本発明はフィールドエミッションカソード型の平面パネルデ ィスプレイに係り、更に詳しくいえば本発明はかかるパネルの表示面とカソード アレイとの間にスペ・−サを形成すること並びにその結果得られる構造体に関す る。

平面パネルディスプレイは様々な情況下にある情報を視覚的に表示するのに広く 利用されているが、公知の陰極線管（ブラウン管）に関連する嵩高さが主な欠点 となっている。これらはポータプルパーソナルコンピュータディスプレイとして 並びにパネルおよび他の演夏ディスプレイなど、占有空間が重要視されもしくは 重さが重大な問題となるようなものに対して利用されている。いくつかの平面パ ネルディスプレイはフィールドエミッション型のカソードアレイを基本としてい る。このようなディスプレイパネルは、本願と同じ譲受人に譲渡された、マトリ ックス−アドレス指定可能なフラットパネルディスプレイ（ＭＡＴ［１ＩＸ−Ａ ＤＤＲＥＳＳＥＤ　Ｆｌ、ＡＴＰＡＮＥＬ　ＤＩＳＰＬＡＹ）と題する米国特許 出願第８９１．８５３号に記載されている。このような型のディスプレイは、Ｃ ＲＴの十分に確立されたカソードルミネンセンスーリン光体法によっているとい う利点があるが、依然として大部分がＩＣ回路の作製に利用されている技術によ って作られた特に薄く、単紙でかつ高解像度のディスプレイの開発に依存してい る。

フィールドエミッションカソード型の平面パネルディスプレイにおいては、粒子 放出面および対向表示面が咳表示面全面に亘り相互に比較的小さいが均一な距離 を保って相互に絶縁状態に保たれていることが重要である。カソード放出面と表 示面との間には比較的高い電位差、例えば一般に約２００Ｖという電位差がある 。

この放出面と表示面との間の電気破壊を防止することが重要である。しかし、こ れら両者間の間隔を小さくして、所定の薄さを保証しなければならず、また高い 解像度を達成しなければならない。

この間隔をまた均一な解像度および輝度を得るために均一にして、表示の歪など の発生を防止する必要がある１間隔の不均一さはフィールドエミフシッンカソー ド、マトリックスアドレス指定可能な平面真空型ディスプレイにおいて、他のい くつかの形のディスプレイにおけるよりも一層起こり易い、典型的に表示面の対 向する側に高い差圧があるからであり、例えばこのような面の露出した側が大気 圧下にある場合、一般に１０”’トール未満の高真空がカソード構造体と表示面 の他の側との間に印加されているからである。

過去において、フィールドエミッションカソード平面パネルディスプレイ用の多 数のスペーサ配列が、カソードアレイと表示面とから離れている１以上の構造体 によって与えられており、その例としては、例えばガス放出型ディスプレイ用と して米国特許第４．１８３．１２５号に記載されているものがある。これは位置 決めの問題をもたらす、最適の位置からの僅かなずれでも該ディスプレイの品位 に多大の影響を与える恐れがある。即ち、高解像度配置において、スペーサが正 しく配置されていないと、カソードアレイから放出される電子はリン光体塗布面 に衝突する前に捕獲されてしまうであろう、その結果、輝度が著しい影響を受け る。このことは、特に隣接画素が相互に比較的密に配置されている高解像度配列 において問題となる。

前述の米国特許出願第８９１．８５３号はスペーサの研究を開示しており、そこ では、平行な脚がディスプレイ面板と一体的に接続され、画素の隣接行間に散在 するように与えられている。この方法は利点があるが、製作上のかつ組立て上の 問題をも存している。

間隔の均一さは特に問題となる。従来の一つの方法はスペーサを接続するのに金 属を用いることであり、その金属は次いで誘電性の層で被覆される。この方法は ガス放出型の平面パネルディスプレイに対して、米国特許第４＋０９１＋３０５ 号で利用されている。

これはフィールドエミフシッン型配列に利用するには不適当である。このような 配列のアノードとカソードとの間には高い電位差が必要とされるからである。こ の高い電圧は誘電破壊電位を越える恐れがあり、しかもスペーサポストの金属は 咳面板とカソード放出面との間の電位の短絡を生ずる。

利用されているもう一つの方法は表示面とカソード構造上に相互作用するスペー サ部品を設けることである。米国特許第４．４２２，７３１号は液晶ディスプレ イ平面パネルに用いたこの種の配列を開示している。この方法は、フィールドエ ミッションカソードアレイを基本とする平面パネルに適用した場合、前述の位置 決めの問題をもつ。このような位置決めの問題がスペーサ構成とカソードとの間 にあるのではなくて、カソード放出面と表示面自体との間にある。

即ち、カソードと表示面との間のわずかな誤配列があってもスペーサ部品は誤配 列され、結果的に電圧破壊、表示の不均一化などが起こる恐れがある。ヘイニッ シュ（Ｉ（ｅｙｎｉｓｃｈ）の米国特許第Ｃ４５Ｌ７５９号はこのような平面パ ネルディスプレイ用の配列を開示しており、そこでは金属ビンが中空円筒部をも つフェースレジスタ上でカソードから突出している。電気破壊を防止しつつ、ス ペーサビンに金属を用いたことに関連する構造上の利点を得るためのこの努力に おいても、上述の位置決めの問題という欠点がある。

発明の概要 本発明はＩＣ工業で通常利用されている技術を用いて、フィールドエミッション 型の平面パネルディスプレイに均一な高さを持つスペーサを形成する方法および 該方法で得られた構造体に係る。

概して、本発明の方法はスペーサを形成するための材料の層をフィールドエミッ ションカソードの表面または対向する表示面のいずれかに塗布し、該材料層から スペーサのパターンを形成し、所定のスペーサを形成する部分以外の層を除去し 、その復液表示面とカソード面とを、その間に所定のスペーサをはさんだ状態で サンドインチ状に重ねる各工程を含む。

最も望ましくは、このスペーサは、フィールドエミッションカソード型のディス プレイに必要な高動作真空を設定することに関連する高い焼付は温度に耐え得る ポリイミド材料、重合有機材料から作られる。スペーサはポリアミックエステル （ｐｏｌｙａｍｉｃ　ｅｓｔｅｒ）即ちポリイミドのプリカーサを含む溶液をカ ソード放出面に注ぎ、次いでこの表面を回転させることにより形成される。結果 として、このポリアミック酸の均一な厚さの層、即ちこの酸をイミド化した際に 得られるポリイミドスペーサが表面に適用されることになる。このような材料は 感光性とすることができ、かつＩＣ工業で利用されている標準的なフォトリソグ ラフィー法が利用でき、か（して実際のスペーサがイミド化の前に形成される。

ポリイミドは、このものが有機物であるにも拘す、スペーサとして利用できるこ とがわかった。伝統的な見方からすると、有機材料のガス放出は該放出面と表示 面との間に印加すべき真空に悪影響を及ぼすものとされている。超高真空下（１ ０−”）−ル）にて高温（４００℃以上）での好ましいポリイミドの焼付けはあ らゆる揮発性成分を除去するであろう、その上、このスペーサの形成法では、多 数の極めて小さな均一な寸法のスペーサが得られる。

この方法は極めて薄いプレートをいかなる大気圧差にも耐え得るものとする。こ のスペーサを形成するのにＩＣ技術を利用することは、フィールドエミッション カソードを基本とするディスプレイにおいて特に有利である。というのは、この ようなカソードはそうでな（ともこのような技術で作られているからである。

図面の簡単な記載 三葉の添付図面において 第１図はフィールドエミッションカソードをベースとする本発明のディスプレイ パネルの好ましい態様の全体の等角投影模式図であり、 第２図は該好ましい態様に組込まれたアドレス指定スキームの模式的ブロック図 であり、 第３図は、多数の本発明により組込まれたスペーサをもつフィールドエミッショ ンカソードを図示した平面断面図であり、第４図は該好ましい態様の単一の画素 を示した拡大部分図であり、および 第５図は本発明の方法の好ましい態様を示す流れ図である。好ましい態様の詳細 な記載 第１図は本発明の平面パネルディスプレイの好ましい態様１１を模式的に示すも のである。これは透明な面板または構造１２と裏板１３とを含む、このパネルは 円板型のものとして示されているが、他の形状も可能であると理解すべきである 。この点につき、最も好ましくは裏板は、例えば米国特許第３．６６５．２４１ 号および同第３．７５５．７０４号および同第３．７９１，４７１号（これらを 本発明の参考文献とする）に記載された型のフィールドエミッションカソードの 矩形アレイを与える半導体ウェハである。

面板１２は透明であり、かつ表示を与える。これは、該カソードアレイの粒子放 出面に対向するその面上における１４（第４図）に示されているアノードを含み 、このアレイから放出された電子による適切な衝突を保証している。該カソード に対して約４００ｖ以上正である電圧が、第１図に１６で模式的に示したような 適当な電源からこれに印加される０図示したディスプレイは色付きであり、従っ てその各画素は三原色（赤、緑および青）の各々に対する３種のリン光体ストリ ップ１７．１８および１９を含んでいる。第４図に最も良く示されているように 、このようなストリップは表示面のアノード１４上に適用される。これらは標準 的なフォトデポジション法で作製できる。

図示した本発明の平面パネルディスプレイの好ましいＬｉ様はマトリックスアド レス指定可能なものである。このためには、各画素のカソードは、第１図および 第２図に模式的に示したように、カソードベース駆動ブロック２１とカソードゲ ート駆動ブロック２２により独立に駆動する直交関係にあるアドレスラインを含 んでいる。３つのフローラインがゲート駆動ブロック２２からディスプレイまで 伸びていて（但し、ベース駆動ブロック２１から伸びたラインのみ図示されてい る）、それらの関係を示している。

即ち、各ベースに対して夫々独立に電圧印加される３つのゲートがある。

本発明で利用できる標準的マトリックスアドレス指定スキームが第２図に示され ている。２３に示した直列データバスは所定の表示を規定するディジタルデータ を、バフファー２４を介して２６で示されたメモリに送る。マイクロプロセッサ ２７はメモリ２６の出力を制御する。情報が英数字を画成する場合、この出力は ライン２８で示されるように文字発生器２９に送られ、この発生器は所定の文字 を画成する必要な情報をシフトレジスタ３１に供給し、該レジスタはゲート駆動 回路の動作を制御する。他方、この情報が英数字以外の表示を画成する場合、こ のような情報はメモリ２６から直接、フローライン３２で示されているようにシ フトレジスタ３１に送られる。

３３で示されるタイミング回路はゲート駆動回路の動作を制御し、この動作はフ ローライン３４で示されるようにベース駆動と同期する０選ばれたベースに直交 するゲートの電圧印加のタイミングは、画素の選ばれた行のベースとゲートとが 同時に電圧印加されて電子を生成し、所定の画素の表示を与えるように制御され る０個々の画素を、より一般的なラスク走査法で別々に電圧印加するよりも画素 の全行を同時に通電する。この行電圧印加は、各画素が増強された輝度に対して 長いデユーティレシオをもつことを保証している。当業者には、全列および個々 の行の電圧印加は基本的に同じ結果を与えることを認識するであろう０次いで、 ライン走査は水平行ラインではなく、むしろ垂直列ラインである。

第３図は本発明の表示用フィールドエミッションカソードアレイの平面図であり 、画素のマトリックスに分割された該アレイの放出面を示している。一般的に参 照番号３６で示された各画素は、フォトデポジション法で作られた１つのベース 電極３７と、これと直交関係にある３つのゲート３８とを含λ７でいる。簡単の ために、第３図には、このような画素の大巾に拡大した断面を２つだけ示した。

しかし、この画素マトリックスは、裏基板１３上の矩形４０に囲まれた全表面積 に亘り拡っている。

本発明を理解すべく、複数のスペーサまたは“ピラー（ｐｉｌｌａｒｓ）″３９ が画素の各々を取囲んでいる。後でより詳しく論するように、スペーサ３９の各 々はＩＣ技術によって形成され、その結果スペーサは粒子放出面上に比較的小さ な“脚（ｆｏｏｔ）　”をもつ、即ち、その放出面における横方向の寸法は約５ ０μ毎になっている。かくして、多数のスペーサが各画素を備えていて、差圧に よって発生するかも知れない局所領域の表示歪さえも最小化できる。

単一の画素を第４図で拡大して示し、この構造を理解し易くした。各画素は４個 のスペーサまたはピラー３９で囲まれている。

ベース電極３７は絶縁物質４２に適用された導電性物質製の層状ストリップ４１ である。図示したように、ペースストリンプ４１は比較的中が広く、かつ４個の スペーサの間に拡がっている。即ち、このストリップは水平方向に隣接する画素 のスペーサ３９により基板４２上に画成された水平路間に伸びている。第４図の 破られた端部の一つにおいて最もよ（示されているように、このようなストリッ プは電気放出チップ４３をもつ。

カソード放出面は、更に各画素に対して３個のゲート電極４４．４６および４７ を含み、これらはベース４１に対し直交している。

このようなゲート電極はアパーチャー４８を含み、これらはベースの電子放出チ ップ４３に沿って配列され、かつそこからの電子の抽出を制御するように機能す る。この点については、電極ストリップは、例えば二酸化珪素の絶縁層によって 該ベース基板と電気的に絶縁されている。

ゲート電極４４〜４７は夫々リン光体１７〜１９と一列に配置されている０個々 の画素を作動すると、“作動（ｏｎ）　”画素の電極は、放出されて夫々のリン 光体を衝撃し、且つ該画素にて発光を生ずる電子の密度を調節する。アノード１ ４とカソードアレイとの間における電位差によって生ずる電場は粒子が螢光を発 するに必要なエネルギーをもつことを保証するであろう。

ピラー３９が満たさねばならないいくつかの基準がある。その一つはピラーが、 比較的近接した電極間距離、例えば１００μおよび比較的高い電位差、例えば２ ００Ｖ以上にも拘らず、十分に非導電性であってカソードアレイとアノードとの 間の電気破壊を防止するものでなくてはならない。更に、ピラーは極めて小さな りリープ（時間に使う伴う変形）をもっていて、平面パネルディスプレイが適当 な耐用寿命をもつことを保証する必要がある。これらは電子の衝撃下で安定でな ければならない。即ち、電子は各画素で発生し、かつスペーサを衝撃する。この ようなスペーサは何等有害な作用なしに、電子衝撃に耐え得るものでなければな らない、このスペーサは、また比較的高い焼付は温度、例えば４００℃に耐え得 るものでなければならない。平面パネルディスプレイは、フィールドエミッシヲ ンカソード型のディスプレイで必要とされる核間と裏板との間に高真空を設定す る工程でこの高温に曝される。

様々な材料が上述の基準を満たすが、ポリイミド樹脂が特に有用であることがわ かった。これらは既にＩＣにおける眉間絶縁体の製造で利用され、広範に研究さ れている（例えば、“ポリイミズ　イン　マイクロエレクトｏニクス（Ｐｏｌｙ ｉｍｉｄｅｓ　ｉｎ　Ｍｉｃｒｏｅｌｅ−ｃｔｒｏｎｉｃｓ）　″と題するセミ コンダクタ　インタナショナル（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｉｎｔｅｒｎａ ｔｉｏｎａｌ）、１９８８年３月、ｐ、５８に記載されたビータ−プルグラフ（ Ｐｉｔｅｒ　Ｂｕｒｇｇｒａｆｆ）の論文参照）。

このような論文に記載されているように、ある種のポリイミド処方物は感光性で あり、かつ標準的なＩＣ製造に用いられるフォトリソグラフィーによってパター ン化できる。

ポリイミドは芳香族二無水物と芳香族ジアミンとの重縮合反応によって調製され る。これらは、−ｉに予備イミド化された形で、ポリアミック酸またはエステル として得られる。このような酸またはエステルは極性有機溶媒に易溶性であり、 このような溶媒を除去するための高温度条件下でポリイミドに転化される。

本発明の好ましい態様において特に有用なポリイミドは、ブロヒミｔ’　＜Ｐｒ ｏｂｉ■１ｄｅ）　３４８　Ｆ　Ｃ処方物としてエレクトロ二ソクケミカルズグ ループ　オブ　チバーガイギー　コーポレーシヨン、サンタ　クララ　カリフォ ルニナ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｃａヱｓ　Ｇｒｏｕｐｏｆ　ＣＩＢ Ａ−ＧＥＩＧＹ　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ　ｏｆ　５ａｎｔａ　Ｃ１ａｒａ、　 Ｃａ１ｉｆｏｒｎｉａ）により製造販売されているポリイミドである。このプリ カーサ処方物は感光性で、かつ約３５００ｃ、ｓ、の粘度をもつ、これは約４８ 重量％のボリアミンクエステル、湿潤剤としての界面活性剤と、増感剤とを含む ＮＭＰ溶液である。

第５図は本発明の方法の好ましい態様を模式的に示した図である。最も好ましく はポリイミドのプリカーサは回転操作で基板に塗布される。これによって該プリ カーサの均一な塗布が保証され、結果として形成されるスペーサは均一な厚さを もつものとなる。

第５図をみると、プロピミド３４８ＦＣの処方物は、回転用のチャックなどにウ ェハを取付けた後に、カソード放出面上に注がれる。この処方物は上述の如く粘 稠で、かつこれは基板半導体ウェハの中心からその約１７３の部分に注がれる。

この操作は第５図にブロック５１として示しである。次いで、この基板を一定の 速度にて十分に長い時間回転させて、所定の被膜厚とする０図示した特定の態様 において、基板は６５０ＲＰＭにて約９秒間回転される。この粘稠なプリカーサ 処方物は、約１２５μの厚みのウェハ上に均一な被覆層を形成する。ブロック５ ２はこのような回転操作を示している。

スペーサは粒子放出カソード面ではなくむしろ表示面に形成するが、これをカソ ード自体の上に形成して、面板上のリン光体を汚染する恐れを回避し、効率の低 下を防止することが好ましいことに注意すべきである。

このカソードを、該プリカーサの塗布後、約１００℃にて約３０〜４０分予備焼 付けする。この予備焼付けの目的はプリカーサから溶媒を除去することにある。

この予備焼付けは第５図にブロック５３として示されている。

次いで、所定のスペーサマトリックスを、適当なマスクの使用により、該被覆カ ソード上でパターン化する。このマスクを適切に配置して、最終的に得られるス ペーサを正確に位置付けすることが重要である。高精度のマスキング技術はＩＣ 製造に関して全（十分に確立されており、しかも手近かな装置で正確な配置を行 うことは容易であることに注意すべきである。この高精度の配列は、ＩＣ技術を 本発明におけるようにスペーサを形成するのに利用する際に必要となる。第５図 のブロック５４はこのパターン化工程を示す、マスクをウェハ基板と適切に整合 させた後、該ウェハを紫外周波数領域の輻射光で約２０分間露光して現像する。

この操作を第５図にブロック５６で示した。次いで、この基板を温度約９０−１ ００℃のオーブン内に約２０公人れて、水分を除く。

この基板が依然として温い間に、マスキングした被覆に適当な現像材料、例えば 前記のチバーガイギー社のエレクトロコンク　ケミカルズ　グループから入手で きる現像剤ＱＺ３３０１などを散布ノズルで散布する。これは肉眼的に現像がｌ ｉＩ認されるまで行う。

ブロック５７にこの散布操作を示した。該被覆の未露光部分は、次に適当な洗液 、例えば同様にチバガイギー社のエレクトロニック　ケミカルズ　グループから 入手できるＱＺ３３１２などで洗うことによってカソードから除かれる。所定の スペーサマトリックスを形成する部分以外にあるプリカーサ層のこの除去は第５ 図のブロック５８に示しである。

この基板は、このような手順で、ポリイミドプリカーサで作られた所定のスペー サをもつようにパターン化される。スペーサの高さは約１２５μである０次に、 このスペーサマトリックスは最終的に硬化を行うために、高温かつ高真空条件下 に置かれて、所定のポリイミドスペーサとなる。即ち、このスペーサマトリック スをもつカソードｔよ超高真空（１０−”）−ル）の下で、約４００℃の条件下 に約１時間置かれる。このカソードの温度は２℃／ｗｉｎなる昇温速度で直線的 にこの温度で上げられる。第５図のブロック５９にこの硬化工程を示す。

上記操作の結果として所定のスペーサが形成され、あるいは換言すれば第５図ブ ロック６１に示したとラーを設けたカソード表面が得られる。このピラーはこの 硬化工程巾約１００μの大雑把なサイズまで収縮することがわかった。この収縮 は所定のスペーサの高さの均一性に何の影響も与えない、しかし、これはスペー サをより高密にし、かつスペーサをより大きな構造上の一体性をもつものとする 。

スペーサをカソードの放出面上に形成した後、このカソードと表示面板とを適当 に配列し、−緒にサンドインチ状に重ねる。この操作は、スペーサが一面上に完 全に形成されているという事実、即ちこれら２つの表面にスペーサ部品を適切に 整合させる必要がないという事実から、好ましい態様では単純化されることが理 解されよう０次に、このパネル面を適当に封止して、電極間距離、即ちカソード とアノードとの距離におけるパンジエン破壊を防止するための所定の真空を設定 することができる。前に述べたように、形成されたポリイミドスペーサはこの真 空設定中の高温度、例えば４００℃での焼付けに耐えることができる。

本発明の実質的に完全なスペーサアレイは画素をもつカソード表面の領域に限定 できることが理解されよう、即ち、該基板の電子放出部分の一部ではないその領 域におけるスペーサの数を最小化できる。このことは、基板セグメント６２　（ 第３図）が、エレクトロニクスに関連した、例えば入力および出力処理エレクト ロニクス、マトリックス接続などのエレクトロニクスのＩＣ技術を通して形成で きることを意味する。また、該基板の裏側、即ち放出面に対向する基板の側面は 表示用の所定の回路作製に利用できる。前述の米国特許出願第８９１，８５３号 に記載の形の“ウェハ貫通接続（ｔｈｒｏｕｇｈ−ｔｈｅ−ｗａｆｅｒ　ｃｏｎ ｎｅｃｔｉｏｎｓ）″も本発明と組合せて利用できる。

以上、本発明をその好ましい態様に関連して詳しく述べた。しかし、多数の変更 が、当業者にとっては実施し得るものと理解されよう０例えば、上述のポリイミ ド処方物を利用できるが、他の材料によっても、他の構成のフィールドエミッシ ョン型パネルに対する所定のスペーサパターンを十分に形成できる。従って、本 出願人の提示する発明の範囲は請求の範囲およびその等価な範囲によってのみ限 定されるものである。

浄書（内容に変更なし） ７シび、５ １．事件ＣＤ表示　ＰＣＴ／ＵＳ８９１０２８５３５、補正命令の日付　自　発 国際調査報告

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. １．フィールドエミッションカソードアレイの放出面と、対向する表示面との間 にスペーサを形成する方法において、Ａ．該スペーサを形成すべき材料の層を該 カソード表面または該表示面上に塗布する工程、 Ｂ．所定のスペーサマトリックスで該材料層をパターン化する工程、 Ｃ．該表示面またはカソード表面から、該スペーサマトリックスを形成する部分 以外の該層を除去する工程、およびＤ．該表示面と該カソード表面とを、その間 に該マトリックスのスペーサをはさんだ状態で、サンドイッチ状に重ねる工程、 を含むことを特徴とする上記方法。
2. ２．更に該スペーサを均一な高さに収縮する工程をも含む請求の範囲第１項記載 の方法。
3. ３．該材料の層がスペーサを形成すべき材料の粘稠な液体を上記表面または面を 与える基板上に注ぎ、かつ該基板を回転してこれを該材料の均一な厚さの層で覆 うことにより適用される請求の範囲第１項記載の方法。
4. ４．該材料の層が該カソード表面に適用ささる請求の範囲第３項記載の方法。
5. ５．該材料がフォトレジスト材料であり、かつ該パターン化工程が該材料の層の スペーサを形成しないすべての位置をマスキングし、露出した該材料を現像する 工程を含む請求の範囲第１項記載の方法。
6. ６．該材料がポリイミドプリカーサである請求の範囲第３〜５項のいずれか１項 に記載の方法。
7. ７．更に、該材料をイミド化してポリイミドスペーサを形成する工程をも含む請 求の範囲第６項記載の方法。
8. ８．更に、上記除去工程の後、超高真空下で高温にて該スペーサマトリックスを 焼付ける工程、および上記サンドイッチ工程の後該表面と該面との間に真空を設 定する工程を含む請求の範囲第６項記載の方法。
9. ９．該カソード表面が電子発生サイトのマトリックスを形成し、かつ多数の該ス ペーサが該サイト間の位置に与えられている請求の範囲第８項記載の方法。
10. １０．該対向する表示面が、該表示面において光に対し透明な表示パネルにより 与えられ、かつ複数のリン光体が該電子放出サイトの選ばれたものと一致するよ うに該表示面と結合されて、マトリックスアドレス指定可能な平面パネルディス プレイが与えられる請求の範囲第９項記載の方法。
11. １１．該複数のリン光体が一般に平行リン光体ストリップにより与えられ、かつ 更に画素のマトリックスアレイを形成する工程を含み、その各々が該ストリップ の各々の少なくとも一部を含み、また上記スペーサマトリックスのパターン化工 程が、一つの画素の各所定の位置近傍に複数のスペーサをパターン化する工程を 含む請求の範囲第１０項記載の方法。
12. １２．電子放出面を持つフィールドエミッションカソードと、該放出表面に対向 する面をもつディスプレイパネルと、該放出表面と該対向面との間に拡っている 有機ポリマーの均一な高さをもつ複数のスペーサとを 含む電子装置。
13. １３．該有機ポリマーがポリイミドである請求の範囲第１２項記載の装置。
14. １４．該ポリイミドのプリカーサがポリアミックエステルである請求の範囲第１ ３項記載の装置。
15. １５．該フィールドエミッションカソードが複数の電子発生サイトを備え、該サ イトはマトリックスを形成しており、該ディスプレイパネルは該対向面において 透明であり、かつ該表示面が画素を構成するリン光体被覆を含み、それによって 該装置がマトリックスアドレス指定可能な平面パネルディスプレイとなっている 請求の範囲第１２項記載の装置。
16. １６．該スペーサが該マトリックスアドレス指定可能な平面パネルディスプレイ の画素間に位置している請求の範囲第１５項記載の装置。