JPH03500468A - ポリカーボネート、ポリアリーレート及びポリ(アルキレンテレフタレート)から形成された装置 - Google Patents

ポリカーボネート、ポリアリーレート及びポリ(アルキレンテレフタレート)から形成された装置

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JPH03500468A
JPH03500468A JP50693787A JP50693787A JPH03500468A JP H03500468 A JPH03500468 A JP H03500468A JP 50693787 A JP50693787 A JP 50693787A JP 50693787 A JP50693787 A JP 50693787A JP H03500468 A JPH03500468 A JP H03500468A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ポリカーボネート、ボリアリーレ、−ト及びポリ(アルキレンテレフタレート) から構成される装置関連出願への参照 本発明は1986年10月28日に出願された米国特許出願番号924,063 の一部係属出願である。
11且至1 本発明は(a)芳香族ポリカーボネート樹脂、(b)ポリアリ−レート樹脂、( C)ポリ(アルキレンテレフタレート)樹脂、(d)ガラス11!維、及び(e )エステル−アリ−レート交換を抑制するのに有効な添加剤のブレンドから形成 された電気デバイスに間する。このデバイスは高い剛性、高い強度、高い加熱た わみ温度、■−0難燃性評価、及び低い反りを有している0本発明はまた(a) ポリエステル及び(b)芳香族ポリカーボネートからなる組成物であフて、上記 ポリエステルがポリアリ−レートに対し1:2乃至2:lのポリ(アルキレンテ レフタレート)重量比を含んでおり、上記ポリカーボネートがポリエステル10 0重量部当たり5〜50重量部の濃度で存在する組成物にも間するものである。
発明の背景 ポリ(ブチレンテレフタレート)又はポリ(エチレンテレフタレート)、即ち、 PBT及びPETのそれぞれとガラス繊維及び難燃剤と′に基づいた重合体複合 剤はコネクターなとの電気及び電子用途に於いて多大の市場を確立している。し かしながら、これらの複合剤の主要な欠点は、それらが反り抵抗性に弱いことで ある。これは平坦なセクションを成形することが極めて困難である長いコネクタ ーに於いて特に問題となる。この問題を解決するために多くの方法が試みられて いるが、それには種々の充填剤の添加も含まれている(ガラス1a維に更に加え るか又はガラス繊維を置き換える)。ポリスルホンを含んだ複合剤はこの問題の 解決を提供する。しかし、そのようなポリスルホン含有生成物はかなりの処方の 部分がポリスルホンであるためにPET又はPBTのガラス1a維を充填したも のよりもかなり高価である。ポリスルホンをポリアリ−レート又はポリカーボネ ートと置き換えることが、処方の原料コストをかなり下げつつ組成物の多くの望 まれる性質を生じることが見出された。
PBT又はPETガラス繊維充填複合剤の別の欠点(反り抵抗性以外)は、これ らの系が1ノ32インチ及び1716インチ厚みに於いて所望のUL−94V− 0評価を達成するために高い水準の難燃剤が要求されることである。ポリカーボ ネート又はポリアリ−レートに基づく材料は、ずっと少ない難燃剤水準しか要求 しない、ポリカーボネート又はポリアリ−レートに基づく組成物の生じる溶融安 定性は(より低い難燃剤濃度が可能であるから)かなりPBT−又はPET−に 基づく系よりも良好である。
PBTと比較したポリアリ−レート及び/又はポリカーボネー)/PET系の経 済的な利点は、要求される難燃剤がずつと低いこと及びスクラップ等級のPET の使用が可能であること(従って低コスト)であることである。
本発明 本発明は、(a)芳香族ポリカーボネート樹脂、(b)ポリアリ−レート樹脂、 (C)ポリ(アルキレンテレフタレート)、(d)ガラス繊維及び(e)エステ ル−アリ−レート交換を抑制するのに有効な添加剤のブレンドを射出成型、押し 出し、又は熱形成することによフて形成された電気デバイスに間するものである 。このブレンドは臭素化芳香族難燃剤なとの難燃性添加剤を含有し得る。
生じるデバイスは高い剛性、高い強度、高い加熱たわみ温度、〜′−0難燃性評 価、及び低い反りを有している。8インチ×8インチ×65ミルのブラック上で のそのような組成物での反りは、0.12インチ未満である。
本発明はまた(a)ポリエステル、及び(b)芳香族ポリカーボネートからなる 組成物であって、上記ポリエステルがポリアリ−レートに対しl:2ないし2: 1のポリ(アルキレンテレフタレート)の重量比を含んでおり、そして上記カー ボネートがポリエステル1011部当たり5〜50重量部の濃度で存在する組成 物にも間する。
本発明は更にガラス繊維、エステル−アリ−レート交換を抑制するのに有効な添 加剤、及びポリエステル、芳香族ポリカーボネートからなる組成物を含む組成物 にも間するものであり、上記ポリエステルはポリアリ−レートに対しl:2ない し2:1のポリ(アルキレンテレフタレート)の重量比を含んでおり、そして上 記ポリカーボネートはポリエステル100重量部当たり5〜50重量部の濃度で 存在するものである。
電気デバイス 芳香族ポリカーボネート、ポリアリ−レート樹脂、ポリ(アルキレンテレフタレ ート)樹脂、ガラス!i! &I、及び添加剤のブレンドから形成される電気デ バイスは、電気コネクター類、ターミネーション(端子)類、コンタクタ−(接 触子)類なとである。
より詳しくは、本発明は芳香族ポリカーボネート樹脂、ポリアリ−レート樹脂、 ポリ(アルキレンテレフタレート)樹脂、ガラスwk維、エステル−アリ−レー ト交換を抑制するのに有効な添加剤、及び任意付加的に含んでもよい難燃性添加 剤を含む難燃性組成物の殻を含んでいるスイッチ、コネクター、コンタクタ−( 接触子)、リレー、及びターミネーション(端子)に使用するための電気導体装 置に間するものである。
典型的には、金属の芯は上記膜に埋め込まれた金属導体を含んでおり、その殻は その芯と接触し、そしてこれを支持している実質的に剛性のハウジングからなっ ており、多くの場合上記芯はピンからなっている。
芳香族ポリカーボネート 本発明で使用することが出来る熱可塑性芳香族ポリカーボネート樹脂は、単独重 合体及び共重合体及びそれらの混合物であって、約0.4〜約1.0dl/gの 塩化メチレン中で25℃で測定した固有粘度を有している。ポリカーボネート類 はシバイドリックフェノールをカーボネート前駆体と反応させることによって製 造される。使用することの出来るシバイドリックフェノールの幾つかの典型的な ものはビスフェノール−A、 ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、2.2 −ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)プロパン、4,4・ビス(4− ヒドロキシフェニル)へブタン、2−2−(3,5,3’ 、5’テトラブロモ −4,4′−ジヒドロキシジフェニル)プロパン、(3,3’ジクロロ−4,4 ′ジヒドロキシジフエニル)メタン、などである、ビスフェノール型の他のシバ イドリックフェノールは、例えば米国特許2 、999 、835.3,028 ,365及び3,334,154に記載されている。
2又はそれ以上の異なるシバイドリックフェノール又はシバイドリックフェノー ルとグリコール又はヒドロキシ又は酸末端ポリエステルとの共重合体を使用する ことが可能であることは勿論である。
カーボネート前駆体はカルボニルハライド、カーボネートエステル、又はハロホ ルメートのいずれかであり得る。カルボニルハライドであって、本発明で使用す ることができるものは・、カルボニルブロマイド、カルボニルクロライド及びそ れらの混合物である。カーボネートエステルの典型的なものであって本発明で使 用することが出来るものは、ジフェニルカーボネート、ジー(ハロフェニル)カ ーボネート、例えばジ・(クロロフェニル)カーボネート又はジー(ブロモフェ ニル)カーボネートなど、ジー(アルキルフェニル)カーボネート、例えばジ( トリル)カーボネート、ジ(ナフチル)カーボネート、ジ(クロロナフチル)カ ーボネートなと、又はこれらの混合物である。
本発明で使用されるのに適したハロホルメートにはシバイドリックフェノールの とスハロホルメート、例えばビスフェノール−Aのビスクロロホルメート類、ヒ ドロキノンのビスクロロホルメート類など、又はグリコール類のもの、例えばエ チレングリコール、ネオペンチルグリコール、ポリエチレングリコールなどのビ スハロホルメート類が含まれる。他のカーボネート前駆体はこの技術の当業者に 明らかであるが、ホスゲンとして知られている塩化カルボニルが好ましい。
芳香族ポリカーボネート重合体はホスゲン又はハロホルメートを使用することに より、そして分子量調整剤、酸受容体及び触媒を使用することによって、この技 術で良く知られた方法によって製造できる。この方法を実施するのに使用するこ とが出来る分子!調整剤には、モノハイドリックフェノール、例えばフェノール 、パラ第三級ブチルフェノール、バラブロモフェノール、第−級及び第二級アミ ン類などが含まれる。好ましくは分子量調整剤としてフェノールが用いられる。
適当な酸受容体は、有機又は無機酸受容体のいずれかであり得る。適当な有機酸 受容体は、第三級アミンであり、例えばピリジン、トリエチルアミン、ジメチル アニリン、トリブチルアミン、などの物質が含まれる。無機酸受容体はアルカリ 又はアルカリ土類金属の水酸化物、カーボネート、重炭酸塩、又は燐酸塩のいず れかであり得る。
本発明で使用される触媒は例えば、ビスフェノール−Aとホスゲンの重合を助け る適当な触媒の任意のものであり得る。適当な触媒には第三級アミン、例えばト リエチルアミン、トリプロピルアミン、N、N−ジメチルアニリン、第四級アン モニウム化合物、例えばテトラエチルアンモニウムブロマイド、セチルトリエチ ルアンモニウムブロマイド、テトラ−n−ヘプチルアンモニウムアイオダイド、 及び第四級ホスホニウム化合物、例えばn−ブチルトリフェニルホスホニウムブ ロマイド及びメチル−トリフェニルホスホニウムブロマイドが含まれる。
ポリカーボネート類は、ホスゲン又はへロホルメートが使用されるときに一相( 均一溶液)又は二相(界面)系で製造できる。塊状反応がジアリールカーボネー ト前駆体が使用されるとき可能である。
また、芳香族ポリエステルカーボネートも使用できる。
これらは例えば米国特許3,169,121に記載されている。
好ましいポリエステルカーボネートは、ホスゲン、テレフタロイルクロライド、 イソフタロイルクロライドのビスフェノール−A及び少量のp−第三級ブチルフ ェノールとの縮合から生じる。
ポリアリ−レート樹脂 本発明で使用するのに適したポリアリ−レート樹脂は、シバイドリックフェノー ル及び少なくとも一種の芳香族ジカルボン酸から誘導され、そして約0.4〜約 1.0よりも大きな換算粘度、好ましくはクロロホルム(0,5g/100m+ 1クロロホルム)又は他の適当な溶媒中で25℃で測定した約0.6〜約0.8 dl/gの換算粘度を有している。
特に望ましいシバイドリックフェノールは、次の式のものである のaは独立に0〜4の値を有し、R1は二価の飽和又は不飽和脂肪族炭化水素基 、特にアルキレン又はアルキリデン基であって1〜6個の炭素原子を有するもの 、又は9個までの炭素原子を有するシクロアルキリデン又はシクロアルキレン基 、O,C01SO2、又はSである。シバイドリックフェノールは独立に又は組 み合わせて使用することが出来る。
本発明で使用することが出来るシバイドリックフェノールは、次のものを含む 2.2−ビス−4(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス−(2−ヒドロキ シフェニル)メタン、ビス−(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス−(4− ヒドロキシ−2,6−シメチルー3−メトキシフェニル)メタン、 1、】−ビス−(4・ヒドロキシフェニル)エタン、1.2−ビス−(4−ヒド ロキシフェニル)エタン、1.1−ビス−(4・ヒドロキシ−2−クロロフェニ ル)エタン、!、3−ビス−(3−メチルートヒドロキシフェニル)エタン、1 .3−ビス−(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2.2−ビス −(3・フェニル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、 2.2−ビス−(3・イソプロピル−4・ヒドロキシフェニル)プロパン、 2.2−ビス−(2−イソプロピル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、 2.2−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)ペンタン、3.3−ビス−(4−ヒ ドロキシフェニル)ペンタン、2.2−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)へブ タン、1.2−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)1,2−ビス−(フェニル) −プロパン、 4.4’−(ジヒドロキシフェニル)エーテル、4.4’−(ジヒドロキシフェ ニル)スルフィド、4.4’−(ジヒドロキシフェニル)スルホン、4.4’− (ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、4.4’−(ジヒドロキシベンゾフェ ノン〉、及びナフタレンジオール類 本発明で使用することが出来る芳香族ジカルボン酸にはテレフタル酸、イソフタ ル酸、任意のナフタレンジカルボン酸及びこれらの混合物、並びにアルキル基が 1〜4個の炭素原子を含むこれらのカルボン酸のアルキル置換同族体、及び他の 不活性置換基、例えばハライド類、アルキル又はアリルエーテル類などを含有し ている酸が含まれる。アセトキシ安息香酸も使用できる。好ましくはイソフタル 酸及びテレフタル酸の混合物が使用される。
イソフタル酸のテレフタル酸に対する混合物中の比は約0:100〜約100: Oであるが、最も好ましい酸の比は約75:25〜約50:10である。又2〜 約lO個の炭素原子を含有している脂肪族ジ酸、例えばアジピン酸、セパチン酸 等の約0.5〜約20%も追加的に重合反応で使用できる。
ポリアリ−レートは任意の良く知られた先行技術のポリエーテル形成反応、例え ば芳香族ジカルボン酸の酸塩化物のシバイドリックフェノールとの反応、芳香族 ジカルボン酸のジアリールエステルのシバイドリックフェノールとの反応、又は 芳香族ジ酸のシバイドリックフェノールのジエステル誘導体との反応等によって 製造することが出来る。これらの方法は例えば米国特許3,317.464.3 .948,856.3,780,148.3,824,213及び3,133, 898に記載されている。ポリアリ−レートは好ましくは米国特許4゜321. 355に記載されている方法によって製造される。この方法は次の段階からなる 。
(a)2〜8個の炭素原子を有する酸から誘導される酸無水物を少なくとも1種 のシバイトリックフェノールと反応させて、対応するジエステルを造り、(b) 上記ジエステルを少なくとも1種の芳香族ジカルボン酸とポリアリ−レートを形 成するのに充分な温度で反応させるが、ここで改良点はシバイドリックフェノー ルジエステルの形成の後、残留する酸をその濃度が、約1500ppm未満にな るように除去することからなる。
適した酸無水物は2〜8個の炭素原子を含有する酸から誘導される。好ましい酸 無水物は無水酢酸である。シバイドリックフェノールは上に記載されている。
一般にシバイドリックフェノールは慣用のエステル化条件下で酸無水物と反応し 、シバイドリックフェノールジエステルを形成する。この反応は溶媒の存在下、 又は非存在下で実施される。追加的に反応は慣用のエステル化触媒の存在下又は 非存在下で実施できる。
ポリ(アルキレンテレフタレート) ポリ(アルキレンテレフタレート)にはポリ(エチレンテレフタレート)、ポリ (ブチレンテレフタレート)又はこれらの混合物が含まれる。
エステル−アリ−レート交換を抑制するための添加剤ポリアリ−レートとポリ( アルキレンテレフタレート)の間で起きるエステル交換反応を抑制することが望 まれる。エステル交換反応はポリアリ−レート/ポリエステルブレンド中で観測 されてきた。エステル交換反応はエステル交換速度が典型的な加工温度で望まれ ない生成物シフト(例えば透明度、結晶化速度が変化すること、又は結晶性の消 失、従ってかなりより低い溶媒抵抗性)につながることから、望ましくない。従 って、ポリアリ−レートとポリ(アルキレンテレフタレート)の間のエステル交 換を抑制するか又は取除くことが出来ることが望ましい。
これらの添加物にはホスファイト類、ホスホナイト類、ヒドロキシ又はアミノ置 換カルボン酸誘導体、及び酸化砒素、例えばA s203が含まれる。
芳香族ホスファイト類、及びホスホナイト類は次の式%式% 式中R′、R2及UR3は同じか又は異なるものであり、キル基、又は6〜約3 0個の炭素原子を含有する置換又は非置換アリール基であり、bは1又は0であ るが、但しAが化学結合であるときに両方のbが1であり、Aが酸素であるとき にただ一つのbがOでありうることを条件とし、Aは化学結合又は酸素原子であ り、Ro、R2及びR3の少なくとも1個は勿香族基てなければならない。
好ましいアルキル基は5〜約20個の炭素原子を含有するものであり、最も好ま しいアルキル基は8〜約18個の炭素原子を含有している。
アリール基は好ましくは次の式を有するものから選ばれる。
式中入、は直接結合、S、SO2,0、CO,アルキレン有するアルキル基又は ハロゲン原子である。
次のアルキル及びアリール基が最も好ましい、:オクチル、ノニル、デシル、ド デシル、 式中R5は、直接結合、O,C01S、SO2、又はC(CH3)2である。
好ましいホスファイト類にはオクチルジフェニルホスファイト、及び次の式を有 するトリス(2,4−ジ第三ブチルフェニルホスファイト) が含まれる。
ジホスファイト及び/又はジホスファイトは次の式のものである。
式中A2は0又は化学結合であり、R6は芳香族基であり、R7は独立にアルキ ル又は芳香族基である。
好ましくはジホスファイト類及び/又はジホスファイト類は次の式のものである 。
式中A2は上に定義の通りでありA3は直接結合、S、SO□、0、CO、アル キレン又はアルキリデンであって1〜8個の炭素原子を有するものであり、R7 は独立に1〜約25個の炭素原子を含有する脂肪族基、又は6〜約30個の炭素 原子の置換又は非置換芳香族基である。R7は好ましくは次のものから選択され る。エステル、エチル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、フェニル、アルキ ル、又はアリール置換フェニル(ここでアルキル基は約25個迄の炭素原子を含 有することが出来、そして線状又は分子状である)、ハロゲン置換フェニル、ヒ ドロキシ置換アリール、ナフチル、アルキル、又はアリール置換ナフチル、ハロ ゲン置換ナフチルなどである。
好ましいR7基は次のもので表され得る。
好ましいジホスファイト類は次の式を有するテトラキス[2,4−ジ第三ブチル フェニル]−4,4’−ビフェニレンジスホスホナイトである。
この様な物質はサンドスタブ(Sandostab) P −E P Q (サ ンドズコーポレーション製)の名前で市販されている。
好ましいジホスファイト類は次の式を有する。
式中、Rtoは、直接結合、0、co、s、so2、C(CH3)2から選ばれ 、R11は次のものから選ばれる。
ホスファイト及び/又はホスホナイトはポリアリ−レート及びポリエステルの間 の押出機中でブレンドした後のエステル交換を効果的に減少させる量で使用され る。
この量は約0.02〜約2.5、好ましい約0.05〜約0.50重量ヒドロキ シ又はアミノ置換カルボン酸誘導体は式式中x1は0又はNHてあり、x2又は xlがNHであるときにOR,、であり、xlが0であるときに0Rta又はN HR13てあり、ZはCH又は車−環芳香族炭禦環状基であり、ここでXIH及 び 部分はオルソ位置を占めており、R12は水素、低級アルキル基又は低級アリー ル基であって任意付加的にヒドロキシ又はCOOR,3ft換基を含有すること もありうるものであり、R13は水素、低級アルキル又は低級アリールである。
この種の例示化合物はサリチル酸メチル、サリチル酸エチル、サリチル酸フェニ ル、サリチルアミド、グリシン、マレイン酸、マンデル酸及び酒石酸ジブチルで ある。
ポリエステルと芳香族ポリカーボネートを含有する組成物において、そのポリエ ステルはポリアリ−レートに対しl:2〜2:1のポリ(アルキレンテレフタレ ート)の重量比をなし、ポリカーボネートはポリエステル100重量部当たり5 〜50重量部の濃度で存在する。
特定的には、このブレンドは約5〜約20.好ましくは約5〜15重量%の芳香 族ポリカーボネート、約15〜約40、好ましくは約20〜約30重量%のポリ アリ−レート、約20〜約40、好ましくは約25〜約30重量%のポリ(アル キレンテレフタレート)樹脂、約15〜約40、好ましくは約25〜約30重量 %のガラス!!!維及び約0.02〜約2.5、好ましくは約0.05〜約0. 50重量%のエステル−アリ−レート交換を抑制するのに有用な添加剤を含有し ている。もし使用されるならば難燃剤は約4〜約12重量%の量で存在する。
他の添加物 このブレンドと組合せて使用することが出来る他の添加剤には、鉱物充填剤例え ば白亜、カルサイト、及びドロマイトを含めた炭酸塩、雲母、滑石、ワロステナ イトを含めたシリケート類、二酸化珪素、ガラス球、ガラス粉末−アルミニウム 、粘土、水晶等が含まれる。追加的な添加剤には顔料、例えば二酸化チタン、熱 安定剤例えば酸化亜鉛、紫外線安定剤、可塑剤、難燃剤例えばデカブロモジフェ ニルオキシド、又は臭素化ポリスチレン潤滑剤等が含まれる。更にこのブレンド は芳香族ホスファイト及び/又はホスホナイトを含む。
このブレンド及び1又はそれ以上の任意付加的な添加剤が一般に押出機中でコン パウンド化される。コンパウンド化は約り00℃〜約400℃の温度で実施され る。コンパウンド化された材料は慣用の技術でベレット化されうる。
コンパウンド化された材料は射出成形、圧縮成型又は熱形成等の慣用の成型技術 によって所望の物品に成型され得る0本発明の電気デバイスは(+)芳香族ポリ カーボネート樹脂、ポリアリ−レート樹脂、ポリ(アルキレンテレフタレート) 樹脂、ガラス繊維、エステル−アリ−レート交換反応を抑制するのに有効な添加 剤、及び任意付加的な添加剤からなる支持部材を形成し、(2)上記支持部材の 近くに導電体を位置させることからなる段階によりて造ることが出来る。
実施例 次の実施例は本発明の実施を特定的に例示する役目をするが本発明範囲を限定す ることを意図しない。
実施例で使用される次の命名は次の意味を有する。
ポリカーボネート:25℃でクロロホルム中で測定した換算粘度0.64dl/ gを有する芳香族ビスフェノール−Aボリカーボネー) (Lexan 101 、ゼネラルエレクトリックカンパニーによって販売)。
ポリアリ−レート: (ユニオンカーバイドコーポレーションにより販売される Ardel D−100) 49℃でt−クロロフェノール中で測定した換算粘 度0.66d l/gを有しく0.2g/100vl)、ビスフェノール−Aと イソフタル酸クロライド及びテレフタル酸クロライド各々50モル%の混合物と から製造される。
P E T : 60740フエノール/テトラクロロエタン中で0゜2g/1 00m1.25℃で測定した換算粘度0.76dl/gを有するポリ(エチレン テレフタレート)(グツドイヤーラバーカンパニーにより得られるフレアルタフ (C1eartuf)7202A) −マーク(Mark)21+2 : 次の 式を有するトリス(2,4−ジ第三ブチルホスファイト) る(テトラキス[2,4−ジーt−プチルフェニルコ−4,4・ビフェニレンジ ホスホナイト) 実施例1〜3 表1に挙げた物質を270℃で1インチのキリオン(に1llton)押出機中 でブレンドした。試料を次に260〜270℃で射出成形しく 1 ’Itオン スのニューバリー往復スクリュー射出成形機)試験片にした。試験標本を次につ いて試験した。
引張弾性率、引張強度、伸度X ASTM D−638引張衝撃強度 ASTM  D−1822ノツチ付きアイゾツト衝撃強度 ASTM D−256加熱りh  ミt’A Pi ASTM D−648燃焼性 UL−94 試験結果を成型したものとして表1に挙げ、そしてアニーリングしたものとして 表2に挙げた。これらの処方の性質の釣り合いは、成型された物品が高い剛性、 高い強度、高い加熱たわみ温度及びV−O燃焼性評価を有していることを示して いる。
ポリアリ−レートブレンドに対しては、ホスファイト安定剤が加えられた。とい うのは、性質のバランスに対し、二つの相の挙動が要求されたからである。ポリ アリ−レートとPETの間のエステル交換が生じるならば、単−相の挙動が生じ 、電気的/電子的用途に対しては弾性率一温度特性は望まれない、環境応力破裂 抵抗性を最適化するためにも二相の挙動が望まれる。ポリカーボネー)/PET 系では、エステル交換を防止する安定剤の添加も望まれる。エステル交換の速度 (又は単−相挙動を生じるための少なくともポリカーボネート/ PETブレン ドの挙動)は、表面的にはボリアリーレー)/PETブレンドと比較してポリカ ーボネー)/PUTについてはより低いように見える。
表 1 本01J7リー1−ト 40 30 25 20PET 27 27 30 3 0 本0リ力一本゛ネート 10 10 15ガラス繊維 26 26 28 28 DBDPO6,38,36,36,3 7・り2112 0.7 0.7 0.7 0.7引フ張す16,800 16 .100 +6.800 16.200強度(psi) 伸び% 2.0 2.0 2.0 2.2表 2 参〇す7リー1−ト 40 30 25 20PET 27 27 30 30 参09力一本゛ネート 10 10 15ガラス繊維 26 26 28 28 DBDPO6,36,36,36,3 マーク2112 0.7 0.7 0.7 0.7引っ張り 1,180.00 01,080.000 !、230,0001,200,000弾性率(psi ) 引っ張り 15,500 16,200 16,900 16,800強度(p si) 伸び% 1.5 +、6 1.6 1.7実施例4及び5 試験された第二の処方物群をボリアリーレー)/PET及びポリカーボネート/ PETに基づく複合剤について表3(成型されたもの)及び表4(アニーリング されたもの)中に挙げた。この結果は電気/電子用途に望まれる性質のプロフィ ールを実証した。
表 3 (成型されたもの) ポリアリ−レート 3030 ボリカーボネー) 8.3 8.3 PET 25 25 力ラスwk維 3030 DBDPO6,0− 臭素化ポリスチレン 6.0 サンドスタブP−EPQ O,70,7引っ張り弾性率(psi) 1.250 ,000 1,190,000引っ張り強度(psi) +5.900 15. 600伸び% 1.6 1.6 引っ張り衝撃強度 3423 フィート本0ント l平方インチ 表 4 アニーリングしたもの 施 例 45 ボリアリーレー) 30 30 ボリカーボネー) 8.3 8.3 PET 25 25 ガラス繊維 3030 DBDPO6,0− 臭素化ポリスチレン 6.0 サンドスタブP−EPQ O,70,7引っ張り弾性率(psi) 1,330 .000 +、240,000引フ張り強度(psi) +5.900 15. 000伸び% 1.2 1.3 IL倒−一旦 加工の変化したものと共に表5に挙げられた処方を81/4インチのプロトタイ プコネクターの金型中で行ない、そのようにして射出成型したプロトタイプのコ ネクターが得られた。
8.3%ポリカーボネート 25% PET 30%ガラスvs維0CF−497 0.7%サンラドタブP−EPQ )8度、 バレル、後 221’C 中央 256℃ 前方 265℃ ノズル 265℃ ストック 265℃ 金型 93℃ 圧力ニ ブースト 9000ps i 保持 5000ps i 機種=2.2オンス アルバーブ(Arburg)金型: 8−1/4インチ  ブロトタイブコネクター実施例6及び対照例 電子/電気用途のために評価された種々の複合剤の試料を509°F(265℃ )で8インチ×8インチ×65ミル キャビティーの金型中で成型した( UL −94燃焼試験に対するもの)、圧縮成型したブラックを次に平坦な表面上に置 き、歪みを測定した。平坦な表面からブラックの底までの最大高さを測定した( 縁の回り)、結果を表6に与える。 PBTのマトリックスに基づいた試料は、 明らかに歪んでおり、典型的な「サドル」歪みを示した。ポリカーボネート又は ポリアリ−レート/ポリエステル複合剤は全てPBT試料よりも圧縮成型の間に ずっと低い歪みしか示さなかった。
実施例 6 実 施 例 7 対照例 ポリアリーレート 3〇− ポリカーボネート 8.3− PET 25 − PBT 59.7 ガラス1a維0CF−497X 12 30 30DBDPO6− 臭素化ポリスチレン 10 (ピロチェック 68PB) サンドスタブP−EPQ O,7− マーク2112 0.3 補正書の写しく翻敷)提出書 C招−速1台係07倉l) 平成 1年 4月28日

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.(a)芳香族ポリカーボネート、(b)ポリアリーレート樹脂、(c)ポリ (アルキレンテレフタレート)樹脂、(d)ガラス繊維、及び(e)エステルー アリーレート交換を抑制するのに有効な添加剤を含んでいるブレンドから形成さ れた電気デバイス。
  2. 2.芳香族ポリカーボネート樹脂がジハイドリックフェノールとカーボネート前 駆体から製造される請求の範囲第1項に定義のデバイス。
  3. 3.芳香族ポリカーボネートがビスフェノール−Aとホスゲンの反応生成物であ る訴求の範囲第1項に定義のデバイス。
  4. 4.芳香族ポリカーボネートがビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニ ル)スルホン及びカーボネート前駆体の反応生成物である請求の範囲第1項に定 義のデバイス。
  5. 5.芳香族ポリカーボネートがビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニ ル)スルホン、ジハイドリックフェノール及びカーボネート前駆体の反応生成物 である請求の範囲第1項に定義のデバイス。
  6. 6.ポリカーボネートがポリ(エステルカーボネート)である請求の範囲第1項 に定義のデバイス。
  7. 7.ポリアリーレート樹脂がジハイドリックフェノールと少なくとも一積の芳香 族ジカルボン酸から誘導される請求の範囲第1項に定義のデバイス。
  8. 8.ジハイドリックフェノールが次の式▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Yは、独立に水素、1〜4個の炭素原子のアルキル基、塩素又は臭素から 選択され、各々のaは独立に0〜4の値を有し、R1は1〜6個の炭素原子を有 するアルキレン又はアルキリデン基から選はれる二価の飽和又は不飽和脂肪族炭 化水素基、又は9個までの炭素原子を有するシクロアルキリデン又はシクロアル キレン基、O、CO、SO2、又はSである〕である請求の範囲第8項に定義の デバイス。
  9. 9.ポリアリーレートがビスフェノールAとイソフタル酸及びテレフタル酸の混 合物とから誘導される請求の範囲第1項に定義のデバイス。
  10. 10.ポリ(アルキレンテレフタレート)がポリ(エチレンテレフタレート)で ある請求の範囲第1項に定義のデバイス。
  11. 11.ポリ(アルキレンテレフタレート)がポリ(ブチレンテレフタレート)で ある請求の範囲第1項に定義のデバイス。
  12. 12.エステル・アリーレート交換を抑制するのに有効な添加剤がホスファイト 類、ホスホナイト類、ヒドロキシ又はアミノ置換カルボン酸誘導体、及び酸化砒 素から選ばれる請求の範囲第1項に定義のデバイス。
  13. 13.難燃剤添加物を含有する請求の範囲第1項に定義のデバイス。
  14. 14.(a)芳香族ポリカーボネート樹脂、(b)ポリァリーレート樹脂、(c )ポリ(アルキレンテレフタレート)樹脂、(d)ガラス繊維、及び(e)エス テル−アリーレート交換を抑制するのに有効な添加剤、とこの殻を過って少なく とも部分的に伸びている導電金属の芯とを含んでいるスイッチ、コネクター、コ ンダクター、リレー、ターミネーション(端子)などに使用するための電気的導 体の組み立て物。
  15. 15.上記金属の芯が上記殻に埋め込まれている金属導体を含んでいる請求の範 囲第14項に記載の物品。
  16. 16.上記殻が接触係合し、芯を支持している実質的に剛性のハウジングを含ん でいる請求の範囲第14項に記載の物品。
  17. 17.芳香族ポリカーボネート、ポリアリーレート樹脂、ポリ(アルキレンテレ フタレート)樹脂、ガラス繊維、及びエステル−アリーレート交換を抑制するの に有効な添加剤からなる支持部材を形成し、そして上記支持部材の近くに電気的 導体を位置させる段階からなる電気的導体組み立て物を製造する方法。
  18. 18.上記形成することが上記ポリカーボネート、ポリァリーレート、ポリ(ア ルキレンテレフタレート)、ガラス繊維及び添加剤を混合し、そして上記混合物 を成型することからなる請求の範囲第17項に記載の方法。
  19. 19.(a)ポリエステル及び(b)芳香族ポリカーボネートを含んでおり、上 記ポリエステルがポリアリーレートに対し、1:2乃至2:1のポリ(アルキレ ンテレフタレート)の重量比を有しており、上記ポリカーボネートがポリエステ ル100重量部当たり、5〜50重量部の濃度である組成物。
  20. 20.ガラス繊維、エステル−アリーレート交換を抑制するのに有効な添加剤、 ポリエステル、及び芳香族ポリカーボネートを含んでおり、上記ポリエステルが ポリアリーレートに対し、1:2乃至2:1のポリ(アルキレンテレフタレート )の重量比をなすものであり、そして上記ポリカーボネートがポリエステル10 0重量部当たり5〜50重量部の濃度で存在する組成物。
  21. 21.ガラス繊維が約20〜40重量%の量で存在する請求の範囲第20項に定 義の組成物。
  22. 22.添加剤が約0.02〜約25重量%の量で存在する請求の範囲第20項に 記載の組成物。
JP50693787A 1986-10-28 1987-10-23 ポリカーボネート、ポリアリーレート及びポリ(アルキレンテレフタレート)から形成された装置 Pending JPH03500468A (ja)

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