JPH0349409Y2 - - Google Patents
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- JPH0349409Y2 JPH0349409Y2 JP1985161074U JP16107485U JPH0349409Y2 JP H0349409 Y2 JPH0349409 Y2 JP H0349409Y2 JP 1985161074 U JP1985161074 U JP 1985161074U JP 16107485 U JP16107485 U JP 16107485U JP H0349409 Y2 JPH0349409 Y2 JP H0349409Y2
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- heat exchange
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- thermoelectric
- thermoelectric device
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の技術分野〕
本考案は、電熱装置に係り、特に良否判定試験
を容易に行なうことのできる電熱装置の構造に関
する。
を容易に行なうことのできる電熱装置の構造に関
する。
P形半導体からなるP形熱電素子とN形半導体
からなるN形熱電素子とを接合せしめてPN素子
対を形成しこれに通電し、この通電方向によつて
接合側端部と開放側端部の一方が発熱せしめら
れ、他方が冷却せしめられるいわゆるペルテイエ
効果を利用した熱電素子対を1個又は複数個組み
込んだ熱電装置は、構造が簡単で通電方向によつ
て加熱および冷却のいずれかを容易に選択できる
ことから、幅広く使用されているデバイスであ
る。
からなるN形熱電素子とを接合せしめてPN素子
対を形成しこれに通電し、この通電方向によつて
接合側端部と開放側端部の一方が発熱せしめら
れ、他方が冷却せしめられるいわゆるペルテイエ
効果を利用した熱電素子対を1個又は複数個組み
込んだ熱電装置は、構造が簡単で通電方向によつ
て加熱および冷却のいずれかを容易に選択できる
ことから、幅広く使用されているデバイスであ
る。
このような熱電装置の良否および寿命の長さを
含む信頼性は、主として、装置内に組み込まれて
いる各PN素子対の接合の良否に依存している。
また、複数個のPN素子対を組み込んだ熱電装置
においては更にPN素子対間の接合の良否にも依
存する。従つて完成後各PN素子対毎に内部抵抗
値を測定し、良否を判定するのが望ましいが、第
3図に示す如く電気的絶縁性を有する熱交換基板
13,15によつて両端面を覆つた構造の熱電装
置では、各PN素子対8毎に内部抵抗値を測定す
るのは困難である。
含む信頼性は、主として、装置内に組み込まれて
いる各PN素子対の接合の良否に依存している。
また、複数個のPN素子対を組み込んだ熱電装置
においては更にPN素子対間の接合の良否にも依
存する。従つて完成後各PN素子対毎に内部抵抗
値を測定し、良否を判定するのが望ましいが、第
3図に示す如く電気的絶縁性を有する熱交換基板
13,15によつて両端面を覆つた構造の熱電装
置では、各PN素子対8毎に内部抵抗値を測定す
るのは困難である。
従つて従来は、外部からリード端子間の抵抗値
すなわち装置内に組み込まれているPN素子対の
内部抵抗値の合計値を測定し、あらかじめ定めら
れた内部抵抗値の合格範囲と比較することにより
良否の判定を行なつていた。
すなわち装置内に組み込まれているPN素子対の
内部抵抗値の合計値を測定し、あらかじめ定めら
れた内部抵抗値の合格範囲と比較することにより
良否の判定を行なつていた。
しかしながら、この方法では、次に示すような
不良の熱電装置を検出することは不可能であつ
た。− (1) 一部のPN素子対に接合不良が発生し、その
内部抵抗値が正常値に比較して高くなつている
にもかかわらず、測定値(全PN素子対の内部
抵抗値の合計)が合格範囲にある場合。
不良の熱電装置を検出することは不可能であつ
た。− (1) 一部のPN素子対に接合不良が発生し、その
内部抵抗値が正常値に比較して高くなつている
にもかかわらず、測定値(全PN素子対の内部
抵抗値の合計)が合格範囲にある場合。
(2) PN素子対に接合不良が発生し、接合抵抗が
正常値に比較して高くなつているにもかかわら
ず、別のPN素子対回路が短絡して接合抵抗が
正常値に比較して低くなり、抵抗値上昇分と抵
抗値減少分とが相殺し、見かけ上内部抵抗値が
合格範囲にある場合。− このため、従来は、熱電装置完成後に、多大
な工数を費やしてスクリーニング試験やバーン
イン試験を実施し、上述の如き不良の熱電装置
の検出を行なわねばならないという問題があつ
た。
正常値に比較して高くなつているにもかかわら
ず、別のPN素子対回路が短絡して接合抵抗が
正常値に比較して低くなり、抵抗値上昇分と抵
抗値減少分とが相殺し、見かけ上内部抵抗値が
合格範囲にある場合。− このため、従来は、熱電装置完成後に、多大
な工数を費やしてスクリーニング試験やバーン
イン試験を実施し、上述の如き不良の熱電装置
の検出を行なわねばならないという問題があつ
た。
本考案は、前記実情に鑑みてなされたもので、
完成後にも各PN素子対毎に良否の判定を容易に
行なうことのできる熱電装置を提供することを目
的とする。
完成後にも各PN素子対毎に良否の判定を容易に
行なうことのできる熱電装置を提供することを目
的とする。
そこで本考案の熱電装置では、各PN素子対の
両端面を一体的に覆う2つの熱交換基板のうち少
なくとも一方の所定位置に、各PN素子対の電極
端子に外部から接触できるようなプローブ挿通孔
を配設するようにしている。
両端面を一体的に覆う2つの熱交換基板のうち少
なくとも一方の所定位置に、各PN素子対の電極
端子に外部から接触できるようなプローブ挿通孔
を配設するようにしている。
例えば、熱電装置を通電状態にし、熱交換基板
に配設されたプローブ挿通孔を介して、順次各
PN素子対の電極端子間電圧を測定し、その測定
値を正常値と比較分析することにより、各PN素
子対毎に良否を判定し、1つでも不良品が含まれ
ている場合、即時に除去することができる。
に配設されたプローブ挿通孔を介して、順次各
PN素子対の電極端子間電圧を測定し、その測定
値を正常値と比較分析することにより、各PN素
子対毎に良否を判定し、1つでも不良品が含まれ
ている場合、即時に除去することができる。
以下、本考案の実施例について図面を参照しつ
つ詳細に説明する。
つ詳細に説明する。
第1図は、本考案実施例の熱電装置の外観を示
す図、第2図は、同装置の側面図である。
す図、第2図は、同装置の側面図である。
この熱電装置は、裏面側に複数個の低温側接合
用電極パターン1が形成されると共に、該低温側
接合用電極パターンに対応して穿孔せしめられた
プローブ挿通孔2を有するアルミナセラミツク製
の第1の熱交換基板3と、表面側に複数個の高温
側接合用電極パターン4が形成されたアルミナセ
ラミツク製の第2の熱交換基板5とによつて各17
個のP形熱電素子6およびN形熱電素子7を交互
に整列した状態で挟み半田付(図示せず)によつ
て固着し、前記低温側接合用電極パターンおよび
高温側接合用電極パターンによつて隣接するP形
熱電素子およびN形熱電素子が接続されてPN素
子対8を形成すると共にこのPN素子対8が直列
に接続されるように構成したもので、回路の両端
に位置する高温側接合用電極パターンに夫々第1
の電極リード9および第2の電極リード10が配
設され、これによつて通電を行ない、第1の熱交
換基板の側が低温部となり第2の熱交換基板の側
が高温部となるようにしたものである。
用電極パターン1が形成されると共に、該低温側
接合用電極パターンに対応して穿孔せしめられた
プローブ挿通孔2を有するアルミナセラミツク製
の第1の熱交換基板3と、表面側に複数個の高温
側接合用電極パターン4が形成されたアルミナセ
ラミツク製の第2の熱交換基板5とによつて各17
個のP形熱電素子6およびN形熱電素子7を交互
に整列した状態で挟み半田付(図示せず)によつ
て固着し、前記低温側接合用電極パターンおよび
高温側接合用電極パターンによつて隣接するP形
熱電素子およびN形熱電素子が接続されてPN素
子対8を形成すると共にこのPN素子対8が直列
に接続されるように構成したもので、回路の両端
に位置する高温側接合用電極パターンに夫々第1
の電極リード9および第2の電極リード10が配
設され、これによつて通電を行ない、第1の熱交
換基板の側が低温部となり第2の熱交換基板の側
が高温部となるようにしたものである。
良否の判定に際しては、第1および第2の電極
リード9,10間に通電を行ないつつ、前記プロ
ーブ挿通孔2を介して、電圧計11に接続された
2本のプローブ12によつて順次、隣接する低温
側接合用電極パターン間の電圧を測定し、測定値
を逐次、正常値と比較することにより各PN素子
対の接合の良否を検知するようにしている。
リード9,10間に通電を行ないつつ、前記プロ
ーブ挿通孔2を介して、電圧計11に接続された
2本のプローブ12によつて順次、隣接する低温
側接合用電極パターン間の電圧を測定し、測定値
を逐次、正常値と比較することにより各PN素子
対の接合の良否を検知するようにしている。
このようにして、完成された熱電装置をそのま
まの状態でPN素子対毎に正常であるか否かを検
知できるため、極めて容易に良否の判定を行なう
ことができる。
まの状態でPN素子対毎に正常であるか否かを検
知できるため、極めて容易に良否の判定を行なう
ことができる。
また、すべてのPN素子対に対して、夫々、正
常であるか否かを判断しているため、前述の(1),
(2)に示したような不良の熱電装置も容易に検出可
能であり、従つてスクリーニング試験やバーンイ
ン試験に多大な工数を費やすことなく極めて信頼
性の高い熱電装置を提供することができる。
常であるか否かを判断しているため、前述の(1),
(2)に示したような不良の熱電装置も容易に検出可
能であり、従つてスクリーニング試験やバーンイ
ン試験に多大な工数を費やすことなく極めて信頼
性の高い熱電装置を提供することができる。
なお、第1の熱交換基板に穿孔したプローブ挿
通孔は、そのままでも良いが、良否判定後、最終
的には電気的絶縁性を持つエポキシ系、シリコン
系、アルミナ系等の接着剤や充填剤を孔に充填
し、表面が平滑面となるようにしてもよい。
通孔は、そのままでも良いが、良否判定後、最終
的には電気的絶縁性を持つエポキシ系、シリコン
系、アルミナ系等の接着剤や充填剤を孔に充填
し、表面が平滑面となるようにしてもよい。
また、熱交換基板としては、アルミナセラミツ
クの他、酸化ベリリウム(BeO)、シリコンカー
バイド(SiC)、あるいは表面に陽極酸化被膜を
形成したアルミ板等、他の材料を使用しても良い
ことは言うまでもない。
クの他、酸化ベリリウム(BeO)、シリコンカー
バイド(SiC)、あるいは表面に陽極酸化被膜を
形成したアルミ板等、他の材料を使用しても良い
ことは言うまでもない。
更に、実施例においては、第1の熱交換基板の
みにプローブ挿通孔を穿孔したが、第2の熱交換
基板にもプローブ挿通孔を穿孔するようにしても
良い。
みにプローブ挿通孔を穿孔したが、第2の熱交換
基板にもプローブ挿通孔を穿孔するようにしても
良い。
以上説明してきたように、本考案によれば、熱
交換基板にプローブ挿通孔を形成することによ
り、外側から各PN素子対の内部抵抗値や電極端
子間電圧を測定できるようにしており極めて容易
に、各PN素子対毎に外側から正常か否かの判定
を行なうことができるため、性能試験に多大な工
数を費やすことなく良否の判定を行なうことがで
き、信頼性の高い熱電装置を得ることが可能とな
る。
交換基板にプローブ挿通孔を形成することによ
り、外側から各PN素子対の内部抵抗値や電極端
子間電圧を測定できるようにしており極めて容易
に、各PN素子対毎に外側から正常か否かの判定
を行なうことができるため、性能試験に多大な工
数を費やすことなく良否の判定を行なうことがで
き、信頼性の高い熱電装置を得ることが可能とな
る。
第1図は、本考案実施例の熱電装置を示す図、
第2図は、同装置の側面図、第3図は、従来例の
熱電装置を示す図である。 1……低温側接合用電極パターン、2……プロ
ーブ挿通孔、3……第1の熱交換基板、4……高
温側接合用電極パターン、5……第2の熱交換基
板、6……P形熱電素子、7……N形熱電素子、
8……PN素子対、9……第1の電極リード、1
0……第2の電極リード、11……電圧計、12
……プローブ、13,15……熱交換基板。
第2図は、同装置の側面図、第3図は、従来例の
熱電装置を示す図である。 1……低温側接合用電極パターン、2……プロ
ーブ挿通孔、3……第1の熱交換基板、4……高
温側接合用電極パターン、5……第2の熱交換基
板、6……P形熱電素子、7……N形熱電素子、
8……PN素子対、9……第1の電極リード、1
0……第2の電極リード、11……電圧計、12
……プローブ、13,15……熱交換基板。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 P形熱電素子とN形熱電素子とを交互に配列
し、隣接する2素子毎にその一端側を導電性部材
によつて接続して複数個のPN素子対を形成する
と共に、隣接する前記PN素子対間を他端側で導
電性部材によつて接続し、更に前記一端側および
他端側をそれぞれ電気絶縁性の熱交換基板によつ
て一体的に固着した熱電装置において、 前記熱交換基板の少なくとも一方に導電性部材
に到達する貫通孔を各素子対に対して穿孔したこ
とを特徴とする熱電装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1985161074U JPH0349409Y2 (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1985161074U JPH0349409Y2 (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6270458U JPS6270458U (ja) | 1987-05-02 |
JPH0349409Y2 true JPH0349409Y2 (ja) | 1991-10-22 |
Family
ID=31087050
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1985161074U Expired JPH0349409Y2 (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0349409Y2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007150231A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-06-14 | Denso Corp | 熱電変換装置 |
JP2008091442A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Okano Electric Wire Co Ltd | ペルチェモジュール劣化判断システムおよびペルチェモジュール駆動システム |
JP2009065044A (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 熱電変換モジュール及びその評価方法 |
WO2010113257A1 (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-07 | 富士通株式会社 | 熱電変換モジュール及びその修復方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53164770U (ja) * | 1977-05-31 | 1978-12-23 |
-
1985
- 1985-10-21 JP JP1985161074U patent/JPH0349409Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6270458U (ja) | 1987-05-02 |
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