JPH0346475B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0346475B2 JPH0346475B2 JP58098190A JP9819083A JPH0346475B2 JP H0346475 B2 JPH0346475 B2 JP H0346475B2 JP 58098190 A JP58098190 A JP 58098190A JP 9819083 A JP9819083 A JP 9819083A JP H0346475 B2 JPH0346475 B2 JP H0346475B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compounds
- product
- absorption
- butylethylmagnesium
- ether
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 19
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 5
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000000047 product Substances 0.000 description 16
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 13
- YHNWUQFTJNJVNU-UHFFFAOYSA-N magnesium;butane;ethane Chemical compound [Mg+2].[CH2-]C.CCC[CH2-] YHNWUQFTJNJVNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical group [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 150000002901 organomagnesium compounds Chemical class 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 10
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- -1 aluminum alkyls Chemical class 0.000 description 8
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 8
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 8
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 8
- 150000004795 grignard reagents Chemical class 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 5
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 4
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 4
- 150000004796 dialkyl magnesium compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- UWKKBEQZACDEBT-UHFFFAOYSA-N CCCC[Mg] Chemical compound CCCC[Mg] UWKKBEQZACDEBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007818 Grignard reagent Substances 0.000 description 3
- GJWAPAVRQYYSTK-UHFFFAOYSA-N [(dimethyl-$l^{3}-silanyl)amino]-dimethylsilicon Chemical compound C[Si](C)N[Si](C)C GJWAPAVRQYYSTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 3
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 3
- 150000003509 tertiary alcohols Chemical class 0.000 description 3
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DYVYOJNXORXFOE-UHFFFAOYSA-N CCCC[Mg+].C[Si](C)(C)[N-][Si](C)(C)C Chemical compound CCCC[Mg+].C[Si](C)(C)[N-][Si](C)(C)C DYVYOJNXORXFOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 2
- 150000001350 alkyl halides Chemical class 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 238000010539 anionic addition polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 2
- 150000002085 enols Chemical class 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IPJPAQIHUIKFLV-UHFFFAOYSA-N n-trimethylsilylaniline Chemical compound C[Si](C)(C)NC1=CC=CC=C1 IPJPAQIHUIKFLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 125000002734 organomagnesium group Chemical group 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 150000003333 secondary alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- RJVVJVRNYUJESZ-UHFFFAOYSA-N 1-[methyl-octyl-(trimethylsilylamino)silyl]octane Chemical compound C[Si](N[Si](CCCCCCCC)(CCCCCCCC)C)(C)C RJVVJVRNYUJESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CLRCKAZRRYUFSZ-UHFFFAOYSA-N C=1C=CC=CC=1[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)N([SiH](C)C)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)N([SiH](C)C)C1=CC=CC=C1 CLRCKAZRRYUFSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJJSAIBBVDHRMT-UHFFFAOYSA-N CCCC[Mg+].C[Si](C)(C)[N-]C1=CC=CC=C1 Chemical compound CCCC[Mg+].C[Si](C)(C)[N-]C1=CC=CC=C1 AJJSAIBBVDHRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910013470 LiC1 Inorganic materials 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000005842 biochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000010668 complexation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002681 magnesium compounds Chemical class 0.000 description 1
- KJJBSBKRXUVBMX-UHFFFAOYSA-N magnesium;butane Chemical compound [Mg+2].CCC[CH2-].CCC[CH2-] KJJBSBKRXUVBMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006384 oligomerization reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 239000002685 polymerization catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 150000003623 transition metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/10—Compounds having one or more C—Si linkages containing nitrogen having a Si-N linkage
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Polymerization Catalysts (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
グリニヤール試薬により例示されるように、有
機マグネシウム化合物が有機合成において大きな
有用性を持つていることは周知である。例えば、
グリニヤール試薬はケトンを第三アルコールに転
化することができる。しかしながら、多くの場合
に、ケトンの一部が所望の第三アルコールに転化
されるにすぎず、残りは第二アルコールとエノー
ルとの混合物として現われる。これらの副反応の
程度はR−Mg結合の極性(電子密度)に左右さ
れる。
機マグネシウム化合物が有機合成において大きな
有用性を持つていることは周知である。例えば、
グリニヤール試薬はケトンを第三アルコールに転
化することができる。しかしながら、多くの場合
に、ケトンの一部が所望の第三アルコールに転化
されるにすぎず、残りは第二アルコールとエノー
ルとの混合物として現われる。これらの副反応の
程度はR−Mg結合の極性(電子密度)に左右さ
れる。
したがつて、本発明の特徴は、その利点のうち
でも、特にケトンからの第三アルコールの合成に
おいて第二アルコール及びエノールの形成を減少
させる有機マグネシウム試薬を提供することであ
る。
でも、特にケトンからの第三アルコールの合成に
おいて第二アルコール及びエノールの形成を減少
させる有機マグネシウム試薬を提供することであ
る。
この特徴は、物質を保護し且つ付加反応の立体
化学を制御することがしばしば重要である生化学
的反応において大きな有用性を持つている。
化学を制御することがしばしば重要である生化学
的反応において大きな有用性を持つている。
これに関して、本発明の他の特徴は、分子の大
きさをシリルアミド基を単に変えるだけで容易に
変えることができる一連の有機マグネシウム化合
物を提供することである。
きさをシリルアミド基を単に変えるだけで容易に
変えることができる一連の有機マグネシウム化合
物を提供することである。
これらの化合物は、例えば、1−オレフインを
重合させ共重合させるのに触媒として用いること
ができる。
重合させ共重合させるのに触媒として用いること
ができる。
本発明の新規有機マグネシウム化合物は、安定
であり、炭化水素溶媒に通常可溶であり、用いる
のが簡便である。この一連の化合物は、次の構造
式 (ここで、Rは2〜8個の炭素原子を持つ直鎖
若しくは分岐鎖状アルキル基又はフエニル基であ
り、 R′はR、水素、メチル又はフエニルであり、
YはR、−SiR′3、メチル又はフエニルであり、
R′の全ては同一又は異なつていてよい) を有する新規物質である。
であり、炭化水素溶媒に通常可溶であり、用いる
のが簡便である。この一連の化合物は、次の構造
式 (ここで、Rは2〜8個の炭素原子を持つ直鎖
若しくは分岐鎖状アルキル基又はフエニル基であ
り、 R′はR、水素、メチル又はフエニルであり、
YはR、−SiR′3、メチル又はフエニルであり、
R′の全ては同一又は異なつていてよい) を有する新規物質である。
望ましいものとしては下記のものがあげられ
る。
る。
(ここで、Rは2〜8個の炭素原子を持つ直鎖
又は分岐鎖状アルキル基である) これらの化合物は、アルキルアルミニウム、アル
キルほう素及びアルキル亜鉛のような他の有機金
属化合物と錯化することができる。この錯化によ
り本発明の化合物の特徴、例えば炭化水素への溶
解度が変化する。
又は分岐鎖状アルキル基である) これらの化合物は、アルキルアルミニウム、アル
キルほう素及びアルキル亜鉛のような他の有機金
属化合物と錯化することができる。この錯化によ
り本発明の化合物の特徴、例えば炭化水素への溶
解度が変化する。
ジアルキルマグネシウム化合物は、共役1,3
−ジオレフインと反応させて狭い分子量分布の重
合体を形成させた。本発明のアルキルマグネシウ
ムシリルアミドは炭化水素溶媒中で分子種として
存在できるために、それらは、1,3−ブタジエ
ン及びイソプレンの陰イオン重合開始剤として用
いて1,3−及び1,4−付加の明確な分布並び
にcis及びtrans不飽和を持つ重合体を形成するこ
とができる。
−ジオレフインと反応させて狭い分子量分布の重
合体を形成させた。本発明のアルキルマグネシウ
ムシリルアミドは炭化水素溶媒中で分子種として
存在できるために、それらは、1,3−ブタジエ
ン及びイソプレンの陰イオン重合開始剤として用
いて1,3−及び1,4−付加の明確な分布並び
にcis及びtrans不飽和を持つ重合体を形成するこ
とができる。
本発明の有機マグネシウム化合物の他の用途
は、スチレン及びメタクリル酸メチルの重合並び
に昇圧下でのエチレンのような1−オレフインの
オリゴマー化及び重合における触媒としての使用
である。
は、スチレン及びメタクリル酸メチルの重合並び
に昇圧下でのエチレンのような1−オレフインの
オリゴマー化及び重合における触媒としての使用
である。
本発明の有機マグネシウム化合物は、この有機
マグネシウム化合物と遷移金属化合物、特にチタ
ン、バナジウム、クロム及びジルコニウムの化合
物との反応によるオレフイン重合触媒の形成に大
きな有用性を持つている。
マグネシウム化合物と遷移金属化合物、特にチタ
ン、バナジウム、クロム及びジルコニウムの化合
物との反応によるオレフイン重合触媒の形成に大
きな有用性を持つている。
従来の最も容易に入手でき且つ周知の有機マグ
ネシウム化合物は、1900年にビクトル・グリニヤ
ールにより発見された試薬である。これらの試薬
は、エーテル溶媒及びハロゲンの存在を必要とす
るという一般的な欠点を持つている。エーテルは
配位によつてアルキル−マグネシウム結合の反応
性を減少させる傾向があり、また陰イオン重合に
おいてはエーテルはポリ(1,3−ジエン)の
cis対trans比を変化させる。
ネシウム化合物は、1900年にビクトル・グリニヤ
ールにより発見された試薬である。これらの試薬
は、エーテル溶媒及びハロゲンの存在を必要とす
るという一般的な欠点を持つている。エーテルは
配位によつてアルキル−マグネシウム結合の反応
性を減少させる傾向があり、また陰イオン重合に
おいてはエーテルはポリ(1,3−ジエン)の
cis対trans比を変化させる。
エーテル溶媒を除去するか又はハロゲン化アル
キルとマグネシウムをエーテルの不在下に反応さ
せることによつてエーテルを含まないグリニヤー
ル試薬を製造しようと試みると、結果としてジア
ルキルマグネシウムとジハロゲン化マグネシウム
との粘稠な混合物が得られる。アルキル基がメチ
ル、エチル、プロピル及びブチルであるときは、
ジアルキルマグネシウム化合物は、それらが炭化
水素に不溶性であるために、やはり不溶性のジハ
ロゲン化マグネシウムから分離することが困難で
ある。ジアルキルマグネシウム化合物は熱的に不
安定であつて、熱的蒸留により分離することがで
きない。
キルとマグネシウムをエーテルの不在下に反応さ
せることによつてエーテルを含まないグリニヤー
ル試薬を製造しようと試みると、結果としてジア
ルキルマグネシウムとジハロゲン化マグネシウム
との粘稠な混合物が得られる。アルキル基がメチ
ル、エチル、プロピル及びブチルであるときは、
ジアルキルマグネシウム化合物は、それらが炭化
水素に不溶性であるために、やはり不溶性のジハ
ロゲン化マグネシウムから分離することが困難で
ある。ジアルキルマグネシウム化合物は熱的に不
安定であつて、熱的蒸留により分離することがで
きない。
本発明のアルキルマグネシウムシリルアミド
は、多くの場合に炭化水素に可溶性であり、ハロ
ゲン分なしで得ることができる。
は、多くの場合に炭化水素に可溶性であり、ハロ
ゲン分なしで得ることができる。
本発明は、反応性のアルキルマグネシウム結合
を有するのみならず安定でもある有機マグネシウ
ム化合物を提供する。これらの新規化合物は、グ
リニヤール試薬が必要とするようなエーテル溶媒
を必要としない。エーテルは、エーテルの配位が
アルキルマグネシウム結合の反応性を減少させる
ために多くの場合望ましくなく、またある場合に
は生成物の性質を変化させる。この後者の効果の
例はポリブタジエンの立体構造の変化である。
を有するのみならず安定でもある有機マグネシウ
ム化合物を提供する。これらの新規化合物は、グ
リニヤール試薬が必要とするようなエーテル溶媒
を必要としない。エーテルは、エーテルの配位が
アルキルマグネシウム結合の反応性を減少させる
ために多くの場合望ましくなく、またある場合に
は生成物の性質を変化させる。この後者の効果の
例はポリブタジエンの立体構造の変化である。
本発明の有機マグネシウム化合物は、炭化水素
溶媒に容易に溶解してそれほど粘稠でない溶液を
与えるという点でメチル、エチル、n−プロピル
及びn−ブチルのジアルキルマグネシウムよりも
優れている。
溶媒に容易に溶解してそれほど粘稠でない溶液を
与えるという点でメチル、エチル、n−プロピル
及びn−ブチルのジアルキルマグネシウムよりも
優れている。
上記の式()の新規化合物は、最近発見され
たブチルエチルマグネシウム、sec−ブチル−n
−ブチルマグネシウム及び類似の混合物の溶液と
異なつて1個の反応性のアルキルマグネシウム結
合しか有しない。
たブチルエチルマグネシウム、sec−ブチル−n
−ブチルマグネシウム及び類似の混合物の溶液と
異なつて1個の反応性のアルキルマグネシウム結
合しか有しない。
本発明の有機マグネシウム化合物は、炭化水素
への溶解性を誘発させるのに錯化剤は何ら必要と
されない。
への溶解性を誘発させるのに錯化剤は何ら必要と
されない。
マグネシウムに結合した特定のアルキル基の反
応性は、化合物のシリルアミノ部分の構造によつ
て変えることができる。このようなことは、従来
の知られた有機マグネシウム試薬ではすることが
できない。
応性は、化合物のシリルアミノ部分の構造によつ
て変えることができる。このようなことは、従来
の知られた有機マグネシウム試薬ではすることが
できない。
本発明の有機マグネシウム化合物は、多くの可
能な方法により作ることができる。非常に簡便な
合成法の一つは、酸性のN−H基を有するシリル
アミンを混成ジアルキルマグネシウム化合物溶
液、例えばブチルエチルマグネシウム溶液と結合
させることである。下記のようにシリルアミンN
−Hが最も反応性のアルキル基を置換する。
能な方法により作ることができる。非常に簡便な
合成法の一つは、酸性のN−H基を有するシリル
アミンを混成ジアルキルマグネシウム化合物溶
液、例えばブチルエチルマグネシウム溶液と結合
させることである。下記のようにシリルアミンN
−Hが最も反応性のアルキル基を置換する。
下記の合成法も用いることができる。
1) 塩化トリアルキルシリルをHC1を捕捉す
るための第三アミンの存在下に第一アミンと一
緒にする。この反応化合物にジアルキルマグネ
シウム溶液を加える。沈殿した第三アミン塩酸
塩を別して塩化物とエーテルを含まないアル
キルマグネシウムシリルアミドの溶液を得る。
この方法は、シリルアミンを反応混合物から分
離することを必要とせずに、知られた方法でシ
リルアミンを合成する。
るための第三アミンの存在下に第一アミンと一
緒にする。この反応化合物にジアルキルマグネ
シウム溶液を加える。沈殿した第三アミン塩酸
塩を別して塩化物とエーテルを含まないアル
キルマグネシウムシリルアミドの溶液を得る。
この方法は、シリルアミンを反応混合物から分
離することを必要とせずに、知られた方法でシ
リルアミンを合成する。
2) グリニヤール試薬とリチウムシリルアミド
との反応を用いる下記の方法を用いることもで
きる。
との反応を用いる下記の方法を用いることもで
きる。
RMgC1+LiN(SiR′3)2エーテル
→RMgN(SiR′3)2+LiC1
エーテル中でグリニヤール試薬にリチウムシ
リルアミドを付加させた後に、エーテルよりも
高い沸点を有する炭化水素溶媒を加える。次い
で、例えば蒸留によりエーテルを除去する。次
いで、例えば過により塩化物を除去する。
リルアミドを付加させた後に、エーテルよりも
高い沸点を有する炭化水素溶媒を加える。次い
で、例えば蒸留によりエーテルを除去する。次
いで、例えば過により塩化物を除去する。
3) エーテルをグリニヤール試薬から除去する
と固体残渣が残る。この残渣をシリルアミン溶
液で抽出するとエーテルとハロゲン化物を含ま
ないアルキルマグネシウムシリルアミドの溶液
が得られる。
と固体残渣が残る。この残渣をシリルアミン溶
液で抽出するとエーテルとハロゲン化物を含ま
ないアルキルマグネシウムシリルアミドの溶液
が得られる。
4) マグネシウム金属とハロゲン化アルキルと
シリルアミンを芳香族又は脂肪族炭化水素中で
共反応させてアルキルシリルアミドを生じさせ
ることができる。
シリルアミンを芳香族又は脂肪族炭化水素中で
共反応させてアルキルシリルアミドを生じさせ
ることができる。
例 1
ブチルマグネシウムビス(トリメチルシリル)
アミドの合成 16ミリモルのマグネシウム化合物を含む25ml容
量のブチルエチルマグネシウムのヘプタン溶液を
乾燥したキヤツプ付きの窒素を満したびんに隔膜
を介して注射器により移した。同じ方法で、3.3
mlのヘキサメチルジシラザン(16ミリモル)を加
え、そして混合物を室温で1時間かきまぜた。そ
の後、その溶液のある量を、窒素でふくらませた
グローブ状の袋内の塩板の表面に適用した。溶媒
を窒素流れにより塩板の表面から蒸発させた。も
う1枚の塩板を第一の塩板の表面にシールし、付
着層の赤外線スペクトルを得た。この反応生成物
は、ヘキサメチルジシラザンのN−H結合に帰因
する3380cm-1の吸収をほとんど有しなかつた。さ
らに、生成物は、いずれの反応体のスペクトルに
も存在しない992cm-1の吸収を有した。
アミドの合成 16ミリモルのマグネシウム化合物を含む25ml容
量のブチルエチルマグネシウムのヘプタン溶液を
乾燥したキヤツプ付きの窒素を満したびんに隔膜
を介して注射器により移した。同じ方法で、3.3
mlのヘキサメチルジシラザン(16ミリモル)を加
え、そして混合物を室温で1時間かきまぜた。そ
の後、その溶液のある量を、窒素でふくらませた
グローブ状の袋内の塩板の表面に適用した。溶媒
を窒素流れにより塩板の表面から蒸発させた。も
う1枚の塩板を第一の塩板の表面にシールし、付
着層の赤外線スペクトルを得た。この反応生成物
は、ヘキサメチルジシラザンのN−H結合に帰因
する3380cm-1の吸収をほとんど有しなかつた。さ
らに、生成物は、いずれの反応体のスペクトルに
も存在しない992cm-1の吸収を有した。
びん内のガス試料をガスクロマトグラフイーに
より分析した。ブタンとエタンが見出されたが、
上記のガスと比較してブチルエチルマグネシウム
溶液の原液は反応に帰因するエタンの富化を示し
た。
より分析した。ブタンとエタンが見出されたが、
上記のガスと比較してブチルエチルマグネシウム
溶液の原液は反応に帰因するエタンの富化を示し
た。
したがつて、この例は、ヘキサメチルジシラザ
ンのN−H結合がブチルエチルマグネシウム溶液
との反応で消費されて新規化合物が生成したこと
を示している。
ンのN−H結合がブチルエチルマグネシウム溶液
との反応で消費されて新規化合物が生成したこと
を示している。
例 2
ブチルマグネシウムビス(トリメチルシリル)
アミドの合成 フイツシヤー−ポーター試験管寸法のエーロゾ
ル適合容器に窒素雰囲気を保持するためにT字管
と弁を備えた。25ml容量の例1で用いたのと同じ
ブチルエチルマグネシウム溶液と3.3mlのヘキサ
メチルジシラザンを注射器により試験管に注入し
た。二つの反応体の間で接触するとガスが発生し
た。室温で1時間40分後に、試験管の内容物を空
気に露出させることなく溶媒蒸発用のフラスコに
移した。N2気流下に室温で約4時間後に粘稠な
残渣中に結晶が現われ始めた。翌朝、残渣は完全
に固化したものと思われた。2時間真空を適用し
た。圧力を最初に低下させると、フラスコ内の物
質は泡立つた。
アミドの合成 フイツシヤー−ポーター試験管寸法のエーロゾ
ル適合容器に窒素雰囲気を保持するためにT字管
と弁を備えた。25ml容量の例1で用いたのと同じ
ブチルエチルマグネシウム溶液と3.3mlのヘキサ
メチルジシラザンを注射器により試験管に注入し
た。二つの反応体の間で接触するとガスが発生し
た。室温で1時間40分後に、試験管の内容物を空
気に露出させることなく溶媒蒸発用のフラスコに
移した。N2気流下に室温で約4時間後に粘稠な
残渣中に結晶が現われ始めた。翌朝、残渣は完全
に固化したものと思われた。2時間真空を適用し
た。圧力を最初に低下させると、フラスコ内の物
質は泡立つた。
真空下に2時間後にフラスコを水浴に浸し、ゆ
つくりと加熱した、固体は50〜60℃で融解して非
常に粘稠な液体になつた、80℃の透明液体を追加
の期間にわたり真空処理し、次いで室温に冷却し
た。室温で5分後に生成物は曇り、粘稠となつ
た。ワツクス様生成物の試料を商業分析研究室に
送つた。試料の元素含有量及びブチルマグネシウ
ムビス(トリメチルシリル)アミドの計算元素含
有量を重量%として以下に示す。
つくりと加熱した、固体は50〜60℃で融解して非
常に粘稠な液体になつた、80℃の透明液体を追加
の期間にわたり真空処理し、次いで室温に冷却し
た。室温で5分後に生成物は曇り、粘稠となつ
た。ワツクス様生成物の試料を商業分析研究室に
送つた。試料の元素含有量及びブチルマグネシウ
ムビス(トリメチルシリル)アミドの計算元素含
有量を重量%として以下に示す。
試 料 計 算
炭 素 49.51 49.7
水 素 11.35 11.2
窒 素 5.53 5.8
マグネシウム 9.89 10.1
けい素 23.17 23.2
試料について見出された元素含有量とブチルマ
グネシウムビス(トリメチルシリル)アミドにつ
いて計算された元素含有量との間の優れた一致
は、次式 の化合物が製造されたという結論を支持してい
る。
グネシウムビス(トリメチルシリル)アミドにつ
いて計算された元素含有量との間の優れた一致
は、次式 の化合物が製造されたという結論を支持してい
る。
例 3
ブチルマグネシウムトリメチルシリルフエニル
アミドの合成 例2に記載のようなフイツシヤー−ポーター試
験管で25mlのブチルエチルマグネシウムのヘプタ
ン溶液を218mlのトリメチルシリルアニリン(16
ミリモル、ペトラルシユ・システムズ社製)と混
合した。ガスの早い発生があつた。ブタンは室温
で液状ヘプタン相から泡立つことが予期されなか
つたので、ガスはエタンと思われた。室温で4時
間41分後に試験管の内容物を溶媒を蒸発させるた
めにフラスコに移した。溶媒の大部分はN2気流
下に50℃で蒸発した。その残渣を泡立ちが終るま
で50℃で15分間真空処理した。反応生成物は、ド
ライアイス/アセトン浴中で透明ガラス質に固化
したが、結晶化しなかつた。
アミドの合成 例2に記載のようなフイツシヤー−ポーター試
験管で25mlのブチルエチルマグネシウムのヘプタ
ン溶液を218mlのトリメチルシリルアニリン(16
ミリモル、ペトラルシユ・システムズ社製)と混
合した。ガスの早い発生があつた。ブタンは室温
で液状ヘプタン相から泡立つことが予期されなか
つたので、ガスはエタンと思われた。室温で4時
間41分後に試験管の内容物を溶媒を蒸発させるた
めにフラスコに移した。溶媒の大部分はN2気流
下に50℃で蒸発した。その残渣を泡立ちが終るま
で50℃で15分間真空処理した。反応生成物は、ド
ライアイス/アセトン浴中で透明ガラス質に固化
したが、結晶化しなかつた。
生成物をヘキサンに溶解し、そのヘキサン溶液
の一部を例1に記載のような赤外スペクトル用の
塩板に適用した。生成物はヘキサンに素早く且つ
容易に溶解したが、これはジ−n−ブチルマグネ
シウムのような交換生成物の含有量が非常に低い
ことを証明している。
の一部を例1に記載のような赤外スペクトル用の
塩板に適用した。生成物はヘキサンに素早く且つ
容易に溶解したが、これはジ−n−ブチルマグネ
シウムのような交換生成物の含有量が非常に低い
ことを証明している。
赤外スペクトルは、生成物がトリメチルシリル
アニリンのN−H結合と関連している3380cm-1の
吸収を有しないことを示した。
アニリンのN−H結合と関連している3380cm-1の
吸収を有しないことを示した。
このことはMg−N結合が生成したことを示
す。また、2830〜2970cm-1の脂肪族C−H結合と
関連する吸収帯が3040cm-1の芳香族吸収帯と比べ
て強度が増大している。これは化合物内にブチル
基が新たに入つたためである。他に、1605及び
1500cm-1での芳香族、1295cm-1でのフエニル−N
結合、1255cm-1でのトリメチルシリル基、750及
び695cm-1での一置換ベンゼンの吸収帯が存在す
る。
す。また、2830〜2970cm-1の脂肪族C−H結合と
関連する吸収帯が3040cm-1の芳香族吸収帯と比べ
て強度が増大している。これは化合物内にブチル
基が新たに入つたためである。他に、1605及び
1500cm-1での芳香族、1295cm-1でのフエニル−N
結合、1255cm-1でのトリメチルシリル基、750及
び695cm-1での一置換ベンゼンの吸収帯が存在す
る。
生成物は、空気に露出させると、酸化のために
暗褐色になつた。
暗褐色になつた。
例 4
n−ブチルマグネシウムビス(ジメチルシリ
ル)アミドの合成 乾燥したフラスコを2時間以上N2でパージし
た。次いで一定量のブチルエチルマグネシウムの
ヘプタン溶液を注射器により添加した。反応フラ
スコに窒素をゆつくりと流し続けた。次いでフラ
スコに等モル量のテトラメチルジシラザンを添加
した。反応混合物を窒素雰囲気下に4時間かきま
ぜるとともに窒素の流れにより溶媒を蒸発させ
た。フラスコ内に残つた生成物の赤外線スペクト
ルを求め、反応体のテトラメチルジシラザン及び
ブチルエチルマグネシウムと比較した。
ル)アミドの合成 乾燥したフラスコを2時間以上N2でパージし
た。次いで一定量のブチルエチルマグネシウムの
ヘプタン溶液を注射器により添加した。反応フラ
スコに窒素をゆつくりと流し続けた。次いでフラ
スコに等モル量のテトラメチルジシラザンを添加
した。反応混合物を窒素雰囲気下に4時間かきま
ぜるとともに窒素の流れにより溶媒を蒸発させ
た。フラスコ内に残つた生成物の赤外線スペクト
ルを求め、反応体のテトラメチルジシラザン及び
ブチルエチルマグネシウムと比較した。
テトラメチルジシラザンの赤外線スペクトルは
3390cm-1で弱いが明確な吸収を有するが、上記生
成物はこの吸収を有せず、そして2080cm-1に吸収
ピークを有する。このピークはブチルエチルマグ
ネシウムにもないものである。この2080cm-1の吸
収はSi−H結合に帰因する。よつて、赤外線スペ
クトルから標記化合物の生成が確認された。
3390cm-1で弱いが明確な吸収を有するが、上記生
成物はこの吸収を有せず、そして2080cm-1に吸収
ピークを有する。このピークはブチルエチルマグ
ネシウムにもないものである。この2080cm-1の吸
収はSi−H結合に帰因する。よつて、赤外線スペ
クトルから標記化合物の生成が確認された。
例 5
n−ブチルマグネシウムビス(ジメチルオクチ
ルシリル)アミドの合成 上記の例4の方法と同じ方法でテトラメチルジ
オクチルジシラザンとブチルエチルマグネシウム
を反応させて標記化合物を得た。
ルシリル)アミドの合成 上記の例4の方法と同じ方法でテトラメチルジ
オクチルジシラザンとブチルエチルマグネシウム
を反応させて標記化合物を得た。
生成物の赤外線スペクトルを出発物質のものと
比較した。テトラメチルジオクチルジシラザンの
赤外スペクトルはN−H結合について明確な吸収
を有せず、広くかつ弱い基線吸収の増加があるだ
けである。しかし、上記生成物はN−H結合のこ
の弱い指示さえも有しないが、その赤外線スペク
トルは−Si−CH3に帰因する非常に強い1250cm-1
のピークを持つていた。1250cm-1の吸収はブチル
エチルマグネシウムのスペクトルには存在しな
い。これから、標記化合物の生成が確認された。
比較した。テトラメチルジオクチルジシラザンの
赤外スペクトルはN−H結合について明確な吸収
を有せず、広くかつ弱い基線吸収の増加があるだ
けである。しかし、上記生成物はN−H結合のこ
の弱い指示さえも有しないが、その赤外線スペク
トルは−Si−CH3に帰因する非常に強い1250cm-1
のピークを持つていた。1250cm-1の吸収はブチル
エチルマグネシウムのスペクトルには存在しな
い。これから、標記化合物の生成が確認された。
例 6
n−ブチルマグネシウムビス(メチルジフエニ
ルシリル)アミドの合成 前記の例4の方法と同じ方法でジメチルテトラ
フエニルジシラザンとブチルエチルマグネシウム
を反応させて標記化合物を得た。
ルシリル)アミドの合成 前記の例4の方法と同じ方法でジメチルテトラ
フエニルジシラザンとブチルエチルマグネシウム
を反応させて標記化合物を得た。
生成物の赤外線スペクトルを出発物質のスペク
トルと比較した。ジメチルテトラフエニルジシラ
ザンの赤外線スペクトルはN−H結合に帰因する
3390cm-1の小さいが鋭いピークを有するが、上記
生成物のスペクトルにはこのピークは存在しなか
つた。一置換芳香族に帰因する750及び695cm-1の
ピークが生成物のスペクトルに明らかに存在し
た。これらの結果から標記化合物の生成が確認さ
れた。
トルと比較した。ジメチルテトラフエニルジシラ
ザンの赤外線スペクトルはN−H結合に帰因する
3390cm-1の小さいが鋭いピークを有するが、上記
生成物のスペクトルにはこのピークは存在しなか
つた。一置換芳香族に帰因する750及び695cm-1の
ピークが生成物のスペクトルに明らかに存在し
た。これらの結果から標記化合物の生成が確認さ
れた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 次式 (ここで、Rは2〜8個の炭素原子を持つ直鎖
若しくは分岐鎖状アルキル基であり、 R′はR、水素、メチル又はフエニルであり、
YはR、−SiR′3、メチル又はフエニルであり、
R′の全ては同一又は異なつていてよい)により
表わされる化合物。 2 次式 (ここで、Rは2〜8個の炭素原子を持つ直鎖
又は分岐鎖状アルキル基である) を有する特許請求の範囲第1項記載の化合物。 3 次式 (ここで、Rは2〜8個の炭素原子を持つ直鎖
又は分岐鎖状アルキル基である) を有する特許請求の範囲第1項記載の化合物。 4 次式 を有する特許請求の範囲第1項記載の化合物。 5 次式 を有する特許請求の範囲第1項記載の化合物。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US384885 | 1982-06-04 | ||
US06/384,885 US4383119A (en) | 1982-06-04 | 1982-06-04 | Organomagnesium compounds |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS591493A JPS591493A (ja) | 1984-01-06 |
JPH0346475B2 true JPH0346475B2 (ja) | 1991-07-16 |
Family
ID=23519159
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58098190A Granted JPS591493A (ja) | 1982-06-04 | 1983-06-03 | 新規な有機マグネシウム化合物 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4383119A (ja) |
JP (1) | JPS591493A (ja) |
CA (1) | CA1174690A (ja) |
DE (1) | DE3319122A1 (ja) |
FR (1) | FR2528049B1 (ja) |
GB (1) | GB2121066B (ja) |
IT (1) | IT1173709B (ja) |
NL (1) | NL187975C (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4499198A (en) * | 1982-10-07 | 1985-02-12 | Chemplex Company | Polymerization catalysts and methods |
US4544646A (en) * | 1984-03-16 | 1985-10-01 | Chemplex Company | Olefin polymerization catalyst and method |
FR2599037B1 (fr) * | 1986-05-26 | 1990-05-04 | Europ Propulsion | Dihydrogeno-1,3 disilazanes fonctionnels et procede pour leur preparation |
EP0255790B1 (en) * | 1986-07-31 | 1990-10-03 | Montedison S.p.A. | Process for the polymerization of alpha-olefins or of their mixtures with minor amounts of ethylene, by means of catalysts comprising solid components or precursors of such components, in the form of microspheroidal particles |
ATE120750T1 (de) * | 1987-03-13 | 1995-04-15 | Lithium Corp | Ätherfreie organometallische amidverbindungen. |
US5036147A (en) * | 1989-06-30 | 1991-07-30 | Quantum Chemical Corporation | Propylene polymerization method |
US4968653A (en) * | 1989-06-30 | 1990-11-06 | Quantum Chemical Corporation | Propylene polymerization catalyst |
US5405817A (en) * | 1993-02-12 | 1995-04-11 | Quantum Chemical Corporation | V/TI multi-site olefin polymerization catalyst |
US5374597A (en) * | 1993-02-12 | 1994-12-20 | Quantum Chemical Corporation | Vanadium based olefin polymerization catalyst |
US5399540A (en) * | 1993-02-12 | 1995-03-21 | Quantum Chemical Corporation | ZR/V multi-site olefin polymerization catalyst |
US5359105A (en) * | 1993-11-01 | 1994-10-25 | Albemarle Corporation | Deprotonation of cyclopentadienyl derivatives |
US6156917A (en) * | 1996-10-24 | 2000-12-05 | Georgia Tech Research Corporation | Dopants for semiconducting materials |
US5910270A (en) * | 1997-08-19 | 1999-06-08 | Akzo Nobel Nv | Viscosity reduction of organomagnesium solutions |
US7012292B1 (en) * | 1998-11-25 | 2006-03-14 | Advanced Technology Materials, Inc | Oxidative top electrode deposition process, and microelectronic device structure |
US7005392B2 (en) * | 2001-03-30 | 2006-02-28 | Advanced Technology Materials, Inc. | Source reagent compositions for CVD formation of gate dielectric thin films using amide precursors and method of using same |
US7084080B2 (en) * | 2001-03-30 | 2006-08-01 | Advanced Technology Materials, Inc. | Silicon source reagent compositions, and method of making and using same for microelectronic device structure |
US9312557B2 (en) * | 2005-05-11 | 2016-04-12 | Schlumberger Technology Corporation | Fuel cell apparatus and method for downhole power systems |
US7750173B2 (en) * | 2007-01-18 | 2010-07-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | Tantalum amido-complexes with chelate ligands useful for CVD and ALD of TaN and Ta205 thin films |
US8470939B2 (en) * | 2007-06-01 | 2013-06-25 | Equistar Chemicals, Lp | Preparation of polyethylene |
US20090087561A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Advanced Technology Materials, Inc. | Metal and metalloid silylamides, ketimates, tetraalkylguanidinates and dianionic guanidinates useful for cvd/ald of thin films |
WO2010065874A2 (en) | 2008-12-05 | 2010-06-10 | Atmi | High concentration nitrogen-containing germanium telluride based memory devices and processes of making |
US9012876B2 (en) | 2010-03-26 | 2015-04-21 | Entegris, Inc. | Germanium antimony telluride materials and devices incorporating same |
US9190609B2 (en) | 2010-05-21 | 2015-11-17 | Entegris, Inc. | Germanium antimony telluride materials and devices incorporating same |
US9640757B2 (en) | 2012-10-30 | 2017-05-02 | Entegris, Inc. | Double self-aligned phase change memory device structure |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1158973B (de) * | 1961-03-25 | 1963-12-12 | Franz Josef Carduck Dipl Chem | Verfahren zur Herstellung von zweifachsilylsubstituierten Alkaliamiden |
-
1982
- 1982-06-04 US US06/384,885 patent/US4383119A/en not_active Expired - Lifetime
-
1983
- 1983-04-20 CA CA000426269A patent/CA1174690A/en not_active Expired
- 1983-05-03 GB GB08311975A patent/GB2121066B/en not_active Expired
- 1983-05-04 NL NLAANVRAGE8301565,A patent/NL187975C/xx not_active IP Right Cessation
- 1983-05-09 IT IT48249/83A patent/IT1173709B/it active
- 1983-05-18 FR FR8308211A patent/FR2528049B1/fr not_active Expired
- 1983-05-26 DE DE19833319122 patent/DE3319122A1/de active Granted
- 1983-06-03 JP JP58098190A patent/JPS591493A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2528049A1 (fr) | 1983-12-09 |
NL8301565A (nl) | 1984-01-02 |
GB2121066B (en) | 1985-05-22 |
IT8348249A0 (it) | 1983-05-09 |
GB8311975D0 (en) | 1983-06-08 |
FR2528049B1 (fr) | 1985-12-13 |
GB2121066A (en) | 1983-12-14 |
CA1174690A (en) | 1984-09-18 |
US4383119A (en) | 1983-05-10 |
NL187975B (nl) | 1991-10-01 |
NL187975C (nl) | 1992-03-02 |
IT1173709B (it) | 1987-06-24 |
DE3319122A1 (de) | 1983-12-08 |
JPS591493A (ja) | 1984-01-06 |
DE3319122C2 (ja) | 1987-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0346475B2 (ja) | ||
Reich et al. | Silyl ketone chemistry. Preparation of siloxyallenyl-and-allyllithium reagents | |
Lickiss | Transition metal complexes of silylenes, silenes, disilenes, and related species | |
Seyferth et al. | A general route to terminally substituted allylic derivatives of silicon and tin. Preparation of allylic lithium reagents | |
EP3395822A1 (en) | Organoaminosilanes and methods for making same | |
Nagashima et al. | Stoichiometric and catalytic activation of Si− H bonds by a triruthenium carbonyl cluster,(μ3, η2: η3: η5-acenaphthylene) Ru3 (CO) 7: isolation of the oxidative adducts, catalytic hydrosilylation of aldehydes, ketones, and acetals, and catalytic polymerization of cyclic ethers | |
CN104114278A (zh) | 基于非贵金属的氢化硅烷化催化剂 | |
EP2438072B1 (fr) | Nouveaux composes organometalliques a base d'un metal appartenant a la 2eme colonne de la classification periodique et procede de preparation | |
Stober et al. | The polymerization of vinylaminosilanes. Unique stability of silicon-nitrogen bonds toward alkylithium compounds | |
CN101039949B (zh) | 甲硅烷基烷氧基甲基卤化物的制备方法 | |
JP7300523B2 (ja) | カチオン性ゲルマニウム(ii)化合物、その製造方法、およびヒドロシリル化における触媒としての使用 | |
US2938046A (en) | Dithiocarbamyl-containing silicon compounds | |
JP2554850B2 (ja) | 二−,三−および四官能性メチル・イソブチルおよびメチル・アミル−ケトキシムをベースとするシラン類 | |
JP6555385B1 (ja) | ケチミン構造を有する有機ケイ素化合物の製造方法 | |
CA1143381A (en) | Hydrocarbon-soluble diorganomagnesium compounds, hydrocarbon solutions containing the same and processes for preparation thereof | |
JPH07247295A (ja) | ケチミン構造含有有機けい素化合物の製造方法 | |
Balatoni et al. | Disilene Fluoride Adducts versus β-Halooligosilanides | |
EP0282419B1 (en) | Ether free organometallic amide compositions | |
Brown et al. | Organoboranes: XXVIII. Convenient procedures for the synthesis of borinane | |
CN116134074A (zh) | 用于由氟化芳基硼烷路易斯酸催化的甲硅烷基氢化物反应的组合物和方法 | |
JP2023022908A (ja) | ケチミン構造を有する有機ケイ素化合物の製造方法 | |
Seyferth et al. | Halomethyl—metal compounds: LXXIV. Organolead compounds as precursors for halo-carbenes | |
JP2774362B2 (ja) | ジ(メタ)アクリロキシアルキル基を有するシロキサン化合物 | |
Roberts et al. | Dihydrotrimethylsiloxyaluminum | |
JPH10175983A (ja) | トリメトキシシラン化合物 |