JPH0342935B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0342935B2 JPH0342935B2 JP20175182A JP20175182A JPH0342935B2 JP H0342935 B2 JPH0342935 B2 JP H0342935B2 JP 20175182 A JP20175182 A JP 20175182A JP 20175182 A JP20175182 A JP 20175182A JP H0342935 B2 JPH0342935 B2 JP H0342935B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat treatment
- gas
- frequency heating
- processing chamber
- reducing gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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Landscapes
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
Description
本発明は、高周波加熱を用いて高温浸炭などの
無酸化熱処理技術（以下単に無酸化熱処理とい
う）、特に高周波加熱を用いて無酸化熱処理する
ため、処理室下方より挿入する還元性ガス（以下
単に還元性ガスという）を被処理物の側面に設け
た吹き出し口から、被処理物に吹きつけて処理す
るための装置に関する。 従来、高温加熱処理の１つとして、高周波加熱
処理を用いて被処理材を無酸化熱処理する場合、
第１図のような装置を用いて熱処理していた。従
来装置では、処理室７′が高周波加熱コイル２′か
ら処理室側壁１′まで100mm以上離して設置してあ
る。なお、３′は被処理物、４′は還元性ガス挿入
口、５′は還元性ガス排出口である。 ここでは、鋼製の炉体６′が誘導加熱されない
ように、大型の処理室７′を用いて処理室７′内に
高周波加熱コイル２′および被処理物３′を収容
し、窒素ガス等の不活性ガスあるいは還元ガスで
置換した後、高周波加熱を行ない所要の条件で熱
処理を行なつているが、処理室７′が大型のため
不活性ガス等とのガス置換に長時間を要するの
と、不活性ガス等ガス消費量が大であるという欠
点がある。 またこの処理室７′内で無酸化熱処理を行なう
場合、被処理物３′の全面にわたつて均一な無酸
化熱処理を行なうには、多大な還元性ガスを挿入
しなければ被処理物３′表面での活性ガスが不充
分となり、処理ムラを生ずる欠点もある。 本発明は高周波加熱を用いて無酸化熱処理を行
なう場合において、還元性ガス等のガス消費量を
低減させるとともに被処理物全面を均一に無酸化
熱処理させる熱処理装置の提供を目的とする。 かかる目的は、高周波加熱を用いて高温浸炭な
どの無酸化熱処理を行なう場合において、被処理
物を密閉するとともに、該被処理物側面には高周
波コイルおよび非金属材料を配して処理室を構成
し、処理室下方より挿入する還元性ガスを被処理
物の測面に設けた吹き出し口から、被処理物に吹
きつけて処理することを特徴とした無酸化熱処理
装置によつて達成される。 以下添付図面に基づいて本発明の実施例を説明
する。第２図は本発明にかかる無酸化熱処理装置
の一例を示す。天井と底面で囲むとともに側面を
高周波加熱コイルおよび非金属材料（たとえばセ
ラミツク）のガス遮蔽板３を設け処理室５を空室
４から隔絶した２室構造とし、処理室５内へのみ
還元性ガス（N2：99vol％、ブタン：1vol％から
なる還元性ガス）を挿入している。 また被処理物（JIS規格：S15C）６表面を活性
な還元性ガスで十分覆い被処理物６の表面の均一
な無酸化処理を行なうために、高周波加熱コイル
２の内周面のガス穴８から、あるいは被処理物６
近傍に設けたノズル７から、被処理物６表面に活
性な還元性ガスを吹きつけながら所要条件で高周
波加熱を行ない、無酸化熱処理を行なうものであ
る。 なお処理室５内を２室構造として空室４から隔
絶して高周波加熱コイル２の内面のガス穴８ある
いはノズル７から還元性ガスを吹きつけながら、
無酸化熱処理を行なうため、挿入口８からのキヤ
リヤガスは従来装置に比べて大幅に低減できる。 一例として所定の浸炭焼入を行なうために必要
な浸炭ガスの消費量を第１表に示す。
無酸化熱処理技術（以下単に無酸化熱処理とい
う）、特に高周波加熱を用いて無酸化熱処理する
ため、処理室下方より挿入する還元性ガス（以下
単に還元性ガスという）を被処理物の側面に設け
た吹き出し口から、被処理物に吹きつけて処理す
るための装置に関する。 従来、高温加熱処理の１つとして、高周波加熱
処理を用いて被処理材を無酸化熱処理する場合、
第１図のような装置を用いて熱処理していた。従
来装置では、処理室７′が高周波加熱コイル２′か
ら処理室側壁１′まで100mm以上離して設置してあ
る。なお、３′は被処理物、４′は還元性ガス挿入
口、５′は還元性ガス排出口である。 ここでは、鋼製の炉体６′が誘導加熱されない
ように、大型の処理室７′を用いて処理室７′内に
高周波加熱コイル２′および被処理物３′を収容
し、窒素ガス等の不活性ガスあるいは還元ガスで
置換した後、高周波加熱を行ない所要の条件で熱
処理を行なつているが、処理室７′が大型のため
不活性ガス等とのガス置換に長時間を要するの
と、不活性ガス等ガス消費量が大であるという欠
点がある。 またこの処理室７′内で無酸化熱処理を行なう
場合、被処理物３′の全面にわたつて均一な無酸
化熱処理を行なうには、多大な還元性ガスを挿入
しなければ被処理物３′表面での活性ガスが不充
分となり、処理ムラを生ずる欠点もある。 本発明は高周波加熱を用いて無酸化熱処理を行
なう場合において、還元性ガス等のガス消費量を
低減させるとともに被処理物全面を均一に無酸化
熱処理させる熱処理装置の提供を目的とする。 かかる目的は、高周波加熱を用いて高温浸炭な
どの無酸化熱処理を行なう場合において、被処理
物を密閉するとともに、該被処理物側面には高周
波コイルおよび非金属材料を配して処理室を構成
し、処理室下方より挿入する還元性ガスを被処理
物の測面に設けた吹き出し口から、被処理物に吹
きつけて処理することを特徴とした無酸化熱処理
装置によつて達成される。 以下添付図面に基づいて本発明の実施例を説明
する。第２図は本発明にかかる無酸化熱処理装置
の一例を示す。天井と底面で囲むとともに側面を
高周波加熱コイルおよび非金属材料（たとえばセ
ラミツク）のガス遮蔽板３を設け処理室５を空室
４から隔絶した２室構造とし、処理室５内へのみ
還元性ガス（N2：99vol％、ブタン：1vol％から
なる還元性ガス）を挿入している。 また被処理物（JIS規格：S15C）６表面を活性
な還元性ガスで十分覆い被処理物６の表面の均一
な無酸化処理を行なうために、高周波加熱コイル
２の内周面のガス穴８から、あるいは被処理物６
近傍に設けたノズル７から、被処理物６表面に活
性な還元性ガスを吹きつけながら所要条件で高周
波加熱を行ない、無酸化熱処理を行なうものであ
る。 なお処理室５内を２室構造として空室４から隔
絶して高周波加熱コイル２の内面のガス穴８ある
いはノズル７から還元性ガスを吹きつけながら、
無酸化熱処理を行なうため、挿入口８からのキヤ
リヤガスは従来装置に比べて大幅に低減できる。 一例として所定の浸炭焼入を行なうために必要
な浸炭ガスの消費量を第１表に示す。
【表】
所定の浸炭焼入を行なうのに必要な浸炭性ガス
は、従来装置に比べ本発明装置を用いることによ
り1/10に減少していることが理解される。 また従来装置において、本発明装置での浸炭に
適した量まで浸炭性ガスの挿入量を減少させると
第３図に示すように浸炭ムラを生じて所要の浸炭
焼入ができない。第３図ａおよびｂはそれぞれ同
一浸炭ガス挿入条件で、従来装置および本発明装
置で浸炭したものの外観および一部断面状態を観
察した結果である。図中１および１′は断面浸炭
層、２は浸炭ムラ部、３および３′は表面観察上
均一浸炭されていると認められる部分である。 なお、本実施例では、ガスシールを完全とする
ため、２室構造としているが、本発明において２
室構造であるとは必須の条件ではない。 本発明装置により浸炭したものは均一に浸炭さ
れているのに対し、従来装置により浸炭したもの
は表面観察からも断面観察からも浸炭ムラの存在
が明瞭に確認できる。 以上より明らかなように、本発明装置によれば
処理室５の内容積を著しく小さくでき、被処理物
６表面を活性な還元性ガスで十分覆うことができ
るため被処理物全体が均一に無酸化熱処理できる
ばかりか、該熱処理に要する還元性ガスの使用量
を著しく減少させることができる利点がある。
は、従来装置に比べ本発明装置を用いることによ
り1/10に減少していることが理解される。 また従来装置において、本発明装置での浸炭に
適した量まで浸炭性ガスの挿入量を減少させると
第３図に示すように浸炭ムラを生じて所要の浸炭
焼入ができない。第３図ａおよびｂはそれぞれ同
一浸炭ガス挿入条件で、従来装置および本発明装
置で浸炭したものの外観および一部断面状態を観
察した結果である。図中１および１′は断面浸炭
層、２は浸炭ムラ部、３および３′は表面観察上
均一浸炭されていると認められる部分である。 なお、本実施例では、ガスシールを完全とする
ため、２室構造としているが、本発明において２
室構造であるとは必須の条件ではない。 本発明装置により浸炭したものは均一に浸炭さ
れているのに対し、従来装置により浸炭したもの
は表面観察からも断面観察からも浸炭ムラの存在
が明瞭に確認できる。 以上より明らかなように、本発明装置によれば
処理室５の内容積を著しく小さくでき、被処理物
６表面を活性な還元性ガスで十分覆うことができ
るため被処理物全体が均一に無酸化熱処理できる
ばかりか、該熱処理に要する還元性ガスの使用量
を著しく減少させることができる利点がある。
第１図は従来の高周波加熱無酸化熱処理装置、
第２図は本発明にかかる高周波加熱無酸化熱処理
装置の一例、第３図は本発明装置の適正条件で、
従来装置および本発明装置を用いて浸炭処理した
処理品の一例を示す。 ２……高周波加熱用コイル、３……非金属材料
製遮蔽板、５……処理室、６……被処理物、７…
…ノズル、８……高周波加熱用コイル内周面のガ
ス穴、９……キヤリヤガス挿入口、１０……ガス
排出口。
第２図は本発明にかかる高周波加熱無酸化熱処理
装置の一例、第３図は本発明装置の適正条件で、
従来装置および本発明装置を用いて浸炭処理した
処理品の一例を示す。 ２……高周波加熱用コイル、３……非金属材料
製遮蔽板、５……処理室、６……被処理物、７…
…ノズル、８……高周波加熱用コイル内周面のガ
ス穴、９……キヤリヤガス挿入口、１０……ガス
排出口。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 高周波加熱を用いて高温浸炭などの無酸化熱
処理を行なう場合において、 被処理物を密閉するとともに、該被処理物側面
には高周波加熱コイルおよび非金属材料を配して
処理室を構成し、処理室下方より挿入する還元性
ガスを被処理物の側面に設けた吹き出し口から、
被処理物に吹きつけて処理することを特徴とした
無酸化熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20175182A JPS5992020A (ja) | 1982-11-17 | 1982-11-17 | 無酸化熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20175182A JPS5992020A (ja) | 1982-11-17 | 1982-11-17 | 無酸化熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5992020A JPS5992020A (ja) | 1984-05-28 |
| JPH0342935B2 true JPH0342935B2 (ja) | 1991-06-28 |
Family
ID=16446328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20175182A Granted JPS5992020A (ja) | 1982-11-17 | 1982-11-17 | 無酸化熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5992020A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011026651A (ja) * | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Toyota Motor Corp | 浸炭方法および浸炭装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2520816Y2 (ja) * | 1991-05-16 | 1996-12-18 | ミサワホーム株式会社 | 構築用パネル |
| JP2671919B2 (ja) * | 1992-07-29 | 1997-11-05 | ミサワホーム株式会社 | 樋内蔵壁パネル |
-
1982
- 1982-11-17 JP JP20175182A patent/JPS5992020A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011026651A (ja) * | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Toyota Motor Corp | 浸炭方法および浸炭装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5992020A (ja) | 1984-05-28 |
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