JPH0342801A - 高温用サーミスタ素子 - Google Patents
高温用サーミスタ素子Info
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- JPH0342801A JPH0342801A JP17844189A JP17844189A JPH0342801A JP H0342801 A JPH0342801 A JP H0342801A JP 17844189 A JP17844189 A JP 17844189A JP 17844189 A JP17844189 A JP 17844189A JP H0342801 A JPH0342801 A JP H0342801A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/04—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
- H01C7/042—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient mainly consisting of inorganic non-metallic substances
- H01C7/043—Oxides or oxidic compounds
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K13/00—Thermometers specially adapted for specific purposes
- G01K13/02—Thermometers specially adapted for specific purposes for measuring temperature of moving fluids or granular materials capable of flow
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
- G01K7/22—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01C1/00—Details
- H01C1/02—Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、耐熱金属製パイプの中に収納される高温用サ
ーミスタにおいて、その高温用サーミスタ素子の組成に
関するものであって、例えば自動車内燃機関の排気ガス
温度検出用センサーや電気炉中の温度検出用センサー等
の高温度検出用センサーに用いられるものである。
ーミスタにおいて、その高温用サーミスタ素子の組成に
関するものであって、例えば自動車内燃機関の排気ガス
温度検出用センサーや電気炉中の温度検出用センサー等
の高温度検出用センサーに用いられるものである。
従来、高温下における耐熱金属製パイプ中の雰囲気変化
にかかわらずサーミスタ素子の抵抗値の変動が少ない高
温用サーミスタ素子として、例えば特公昭５８−２３７
２１号公報記載のものが知られており、これはスピネル
型構造の固溶体からなる高温用サーミスタ素子とするこ
とにより、抵抗変化率を±４０％以下としたものである
。
にかかわらずサーミスタ素子の抵抗値の変動が少ない高
温用サーミスタ素子として、例えば特公昭５８−２３７
２１号公報記載のものが知られており、これはスピネル
型構造の固溶体からなる高温用サーミスタ素子とするこ
とにより、抵抗変化率を±４０％以下としたものである
。
しかし、この従来のものにおいては抵抗変化率が±４０
％以下になるとはいえ、設計上型まれる抵抗変化率が±
１５％以下となるものはなかった。
％以下になるとはいえ、設計上型まれる抵抗変化率が±
１５％以下となるものはなかった。
本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、高温下に
おける耐熱金属製パイプ中の雰囲気変化にかかわらずサ
ーミスタ素子の抵抗値の変動が±１５％以下と少ない高
温用サーミスタ素子を提供することを目的としている。
おける耐熱金属製パイプ中の雰囲気変化にかかわらずサ
ーミスタ素子の抵抗値の変動が±１５％以下と少ない高
温用サーミスタ素子を提供することを目的としている。
上記目的を達成するために本発明においては、耐熱金属
製パイプの中に収納される高温用サーミスタ素子におい
て、 酸化クロムと酸化チタンと酸化マンガンと酸化ケイ素に
より構成した。
製パイプの中に収納される高温用サーミスタ素子におい
て、 酸化クロムと酸化チタンと酸化マンガンと酸化ケイ素に
より構成した。
更には、６８ｍｏｆ％〜９２ｍｏｌ％の酸化クロムと３
Ｉｌｏ１％〜１２ＩＩｏ１％の酸化チタンと４＋ｗｏＪ
ｌ！％〜２０ｍｏｆ％の酸化マンガンとの組成物に、該
組成物に対して外ｓｏｎ％で５ｗ＋ｏ１％〜２０ｍｏｊ
２％の酸化ケイ素を添加した組成物から構成されるよう
にすれば、１０００℃という高温下における耐熱金属製
パイプの中に１００時間収納した後の抵抗変化率は±１
５％以下であり極めて安定である。
Ｉｌｏ１％〜１２ＩＩｏ１％の酸化チタンと４＋ｗｏＪ
ｌ！％〜２０ｍｏｆ％の酸化マンガンとの組成物に、該
組成物に対して外ｓｏｎ％で５ｗ＋ｏ１％〜２０ｍｏｊ
２％の酸化ケイ素を添加した組成物から構成されるよう
にすれば、１０００℃という高温下における耐熱金属製
パイプの中に１００時間収納した後の抵抗変化率は±１
５％以下であり極めて安定である。
以下、本発明を実施例により説明する。
酸化クロム（Ｃｒｚ０３）、酸化マンガン（Ｍ ｎ Ｏ
ｚ）酸化チタン（Ｔ ｉ Ｏ，） 、酸化ケイ素（Ｓｉ
ｎｇ）を、後述する＆ＩＩ戒となるように所定量秤量し
、ポットごルにて５０時間粉砕混合後バインダーとして
ポリビニルアルコールを１重量％添加し乾燥造粒する。
ｚ）酸化チタン（Ｔ ｉ Ｏ，） 、酸化ケイ素（Ｓｉ
ｎｇ）を、後述する＆ＩＩ戒となるように所定量秤量し
、ポットごルにて５０時間粉砕混合後バインダーとして
ポリビニルアルコールを１重量％添加し乾燥造粒する。
この粉末を金型プレスにて第１図に示すように円柱形状
にしてサーミスタ素子基体１０１を底形する。このサー
ミスタ素子基体１０１は直径５閣、長さ５０１１１の円
柱形状であり、サーミスタ素子基体１０１の一端から軸
方向に、中心間隔が２Ｍとなるように孔が並列に平行に
設けられていて、その孔に外径０．３ ｔｍ 、長さ５
ｍｍの白金電極線１０３が２．５ ｍｍ埋込んである。
にしてサーミスタ素子基体１０１を底形する。このサー
ミスタ素子基体１０１は直径５閣、長さ５０１１１の円
柱形状であり、サーミスタ素子基体１０１の一端から軸
方向に、中心間隔が２Ｍとなるように孔が並列に平行に
設けられていて、その孔に外径０．３ ｔｍ 、長さ５
ｍｍの白金電極線１０３が２．５ ｍｍ埋込んである。
これを電気炉にて１４５０°Ｃ〜１６５０°Ｃの大気中
で１時間焼成した。
で１時間焼成した。
焼成後１１００℃の大気中で５０時間エージング処理し
、サンプルとした。
、サンプルとした。
このようにして製造したサーミスタ素子において、７５
０″Ｃ，９００°Ｃでの初期抵抗値を測定、より算出し
た。同式中においてＲ１は絶対温度Ｔ＋にのときの、Ｒ
２は絶対温度Ｔ、にのときのサーミスタ素子の抵抗値で
あり、今回Ｔ、＝１０２３に、Ｔｔ −１１７３にで行
った。これらのサーミスタ素子を第２図に示す密閉型排
気温センサに組み込み１０００″Ｃの温度下において１
００時間放置した後再び抵抗値を測定し、初期抵抗値に
対する前記抵抗値の変化率をみる密閉耐久試験を行った
。なお、密閉耐久試験後の抵抗値変化率はより算出した
。
０″Ｃ，９００°Ｃでの初期抵抗値を測定、より算出し
た。同式中においてＲ１は絶対温度Ｔ＋にのときの、Ｒ
２は絶対温度Ｔ、にのときのサーミスタ素子の抵抗値で
あり、今回Ｔ、＝１０２３に、Ｔｔ −１１７３にで行
った。これらのサーミスタ素子を第２図に示す密閉型排
気温センサに組み込み１０００″Ｃの温度下において１
００時間放置した後再び抵抗値を測定し、初期抵抗値に
対する前記抵抗値の変化率をみる密閉耐久試験を行った
。なお、密閉耐久試験後の抵抗値変化率はより算出した
。
また、第２図に示す密閉型排気温センサは、５ＵＳ３１
０より成る直径７．６ｍｍ、長さ３２．５ｍｍ。
０より成る直径７．６ｍｍ、長さ３２．５ｍｍ。
先端部の厚さが１ａｕａの円筒形状をしたキャップ１０
５をシースビン１０７に、接合部１０９にて円周溶接し
たものである。シースピン１０７の材質は５ＵＳ３１０
で、直径３．７ｍｍ、長さ９０ｍｍであり、第３図に示
すように内部にはマグネシア充てん剤が充填しである。
５をシースビン１０７に、接合部１０９にて円周溶接し
たものである。シースピン１０７の材質は５ＵＳ３１０
で、直径３．７ｍｍ、長さ９０ｍｍであり、第３図に示
すように内部にはマグネシア充てん剤が充填しである。
また、２本の白金電極線１０３は、第２図に示すように
一方が正極、他方が負極に接続しである。
一方が正極、他方が負極に接続しである。
次に、ＣｒｔＯｓ、Ｍｎ０ｇ、Ｔｉ０ｚ、Ｓ ｆｏｇの
４つの成分を変化させて、上記の如く作製したサーミス
タ素子を用いた密閉型排気温セッサによる評価結果を第
１表乃至第５表に示す。
４つの成分を変化させて、上記の如く作製したサーミス
タ素子を用いた密閉型排気温セッサによる評価結果を第
１表乃至第５表に示す。
本実施例における抵抗変化率は、Ｎ型酸化物半導体であ
るＴｉｅ、の添加量を増加させると＋側から一側へと移
行し、抵抗変化率が±１５％以下の最適量は３〜１２Ｉ
ｌｌｏ１％となる。また、Ｐ型酸化物半導体であるＭｎ
Ｏ，の添加量を増加させると一側から＋側へと移行し、
抵抗変化率が±１５％以下の最適量は４〜２０１ＩＩＯ
１２％となる。さらに、焼結助剤として液相を生成させ
、焼結性を向上させる５ｉＣｈの添加量は５〜２０外ｍ
ｏｌ％の間で安定領域となる。
るＴｉｅ、の添加量を増加させると＋側から一側へと移
行し、抵抗変化率が±１５％以下の最適量は３〜１２Ｉ
ｌｌｏ１％となる。また、Ｐ型酸化物半導体であるＭｎ
Ｏ，の添加量を増加させると一側から＋側へと移行し、
抵抗変化率が±１５％以下の最適量は４〜２０１ＩＩＯ
１２％となる。さらに、焼結助剤として液相を生成させ
、焼結性を向上させる５ｉＣｈの添加量は５〜２０外ｍ
ｏｌ％の間で安定領域となる。
このＭｎ戒の中央値であるＣ ｒ、０３８４ｍｏｆｆ％
−Ｔ ｉ ０□８ｍｏｒ！、％−ＭｎＯｚ８ｍｏｌ％−
３ｉＯｚ１０外ｍｏｌ％のものについて、サーミスタ特
性（抵抗温度特性）の耐久試験前後の値について第４図
に示す。このように、耐久前後における抵抗値変化が少
ないためＢ値（抵抗温度係数）もほとんど変化しない。
−Ｔ ｉ ０□８ｍｏｒ！、％−ＭｎＯｚ８ｍｏｌ％−
３ｉＯｚ１０外ｍｏｌ％のものについて、サーミスタ特
性（抵抗温度特性）の耐久試験前後の値について第４図
に示す。このように、耐久前後における抵抗値変化が少
ないためＢ値（抵抗温度係数）もほとんど変化しない。
この理由について、以下に考察する。Ｐ型酸化物半導体
とＮ型酸化物半導体の混合により抵抗値が相殺すること
に着目し雰囲気に安定な高温サーミスタを得ることを狙
ったが、単にＰ型とＮ型を混合するだけではその安定領
域はほとんどない。
とＮ型酸化物半導体の混合により抵抗値が相殺すること
に着目し雰囲気に安定な高温サーミスタを得ることを狙
ったが、単にＰ型とＮ型を混合するだけではその安定領
域はほとんどない。
その−例としてＣｒｚＯｉ（Ｐ型）にＴ ｉ Ｏ！ （
Ｎ型）を混合した場合の初期抵抗値及び抵抗変化率（先
に示した耐久試験と同様の試験による）を第５図に示す
。このようにＴｉ０ｚの添加量が０．３ｍｏｌ％よりも
少ない場合はＣｒ、Ｏ，の特性により抵抗変化率は＋側
となり、Ｔｉ０ｚ添加量を増すと、Ｔ ｉＯｚの特性が
強くなり抵抗変化は一側になる。
Ｎ型）を混合した場合の初期抵抗値及び抵抗変化率（先
に示した耐久試験と同様の試験による）を第５図に示す
。このようにＴｉ０ｚの添加量が０．３ｍｏｌ％よりも
少ない場合はＣｒ、Ｏ，の特性により抵抗変化率は＋側
となり、Ｔｉ０ｚ添加量を増すと、Ｔ ｉＯｚの特性が
強くなり抵抗変化は一側になる。
しかし、第５図よりわかるようにＴｉＯ２の添加ｆｌｏ
、３ｍｏｌ％近傍に抵抗変化率ΔＲが０の点があるが、
Ｔ ｉ Ｏを添加量のわずかな変化で、その変化率は大
きく変化するため、抵抗変化率が±１５％以下の範囲で
安定に作製することは困難である。これはＴｉ１ｔがＣ
ｒ２Ｏ３の粒界に析出して、粒界にＴ ｉ Ｏ，の径路
を形成するためと考えられる。
、３ｍｏｌ％近傍に抵抗変化率ΔＲが０の点があるが、
Ｔ ｉ Ｏを添加量のわずかな変化で、その変化率は大
きく変化するため、抵抗変化率が±１５％以下の範囲で
安定に作製することは困難である。これはＴｉ１ｔがＣ
ｒ２Ｏ３の粒界に析出して、粒界にＴ ｉ Ｏ，の径路
を形成するためと考えられる。
そこで、発明者らが鋭意研究した結果ＣｒｚＯ＊Ｔｉ０
ｚ系酸化物にＭｎ０ｚ ５ｉｎ２系酸化物を添加する
ことで、粒界部がＣｒ、Ｏ，−ＭｎＯ。
ｚ系酸化物にＭｎ０ｚ ５ｉｎ２系酸化物を添加する
ことで、粒界部がＣｒ、Ｏ，−ＭｎＯ。
Ｔ ｉ Ｏｚの混合相となりＰ型−Ｎ型の混合バランス
域（抵抗変化率ΔＲが±１５％以下の範囲）が広がるこ
とをつきとめた。Ｍｎ０ｚ −３ｉＯｘ添加の効果を第
６図に示す。これは、第５図と同様にＣｒ、Ｏ，に対す
るＴ ｉ Ｏ！添加量を変化させたものであるが、Ｍｎ
Ｏｚ８ｍｏｆ％、５ｉｎ２１０外ｍｏｌ％を添加しであ
る。このように、Ｃｒ、ｏ、 −Ｔ ｉ Ｏ，だけの場
合に比べＣｒ２Ｏ。
域（抵抗変化率ΔＲが±１５％以下の範囲）が広がるこ
とをつきとめた。Ｍｎ０ｚ −３ｉＯｘ添加の効果を第
６図に示す。これは、第５図と同様にＣｒ、Ｏ，に対す
るＴ ｉ Ｏ！添加量を変化させたものであるが、Ｍｎ
Ｏｚ８ｍｏｆ％、５ｉｎ２１０外ｍｏｌ％を添加しであ
る。このように、Ｃｒ、ｏ、 −Ｔ ｉ Ｏ，だけの場
合に比べＣｒ２Ｏ。
Ｔｉ０ｚ Ｍｎ０ｔ Ｓｉｎｇの場合は、Ｔｉｅ。
添加量の広い範囲で抵抗変化率が±１５％の領域（破線
で囲まれた領域）があり安定している。つまり広範囲で
Ｐ型−Ｎ型のバランスがとれている。
で囲まれた領域）があり安定している。つまり広範囲で
Ｐ型−Ｎ型のバランスがとれている。
（以下余白）
次に、本実施例の高温サーミスタ素子を密閉型排気温セ
ンサに組み込んだ例を第７図に示す。この場合、この排
気温センサは４００°Ｃ〜１１００°Ｃの温度範囲にて
使用される。第７図において、１０１は上記実施例の高
温サーミスタ素子、１１１は保護管、１１３はマグネシ
ア充填材を内部に充填したシースピン、１１５は保護管
１１１の外周に溶接、固定したステンレス製の円筒状の
リブであり、触媒コンバータの取付座部１１７と中空ボ
ルトｌ１９の螺合により挟まれて固定されることにより
、この密閉型排気温センサ全体が固定される。１２１は
リード線１２３の引出し部を保護するための鋼管で、カ
ラーと呼ばれるもの、１２５は気密を保持するためのシ
リコン製のブツシュ、１２７はリード線１２３を保護す
るためのワニスチューブである。この場合、内部酸素分
圧が低下するが、酸素分圧の変化により抵抗値が変化し
ない上記実施例の高温サーミスタ素子１０１を使用して
いるので、排気温センサ内部と大気を連通させる必要が
なくなる。
ンサに組み込んだ例を第７図に示す。この場合、この排
気温センサは４００°Ｃ〜１１００°Ｃの温度範囲にて
使用される。第７図において、１０１は上記実施例の高
温サーミスタ素子、１１１は保護管、１１３はマグネシ
ア充填材を内部に充填したシースピン、１１５は保護管
１１１の外周に溶接、固定したステンレス製の円筒状の
リブであり、触媒コンバータの取付座部１１７と中空ボ
ルトｌ１９の螺合により挟まれて固定されることにより
、この密閉型排気温センサ全体が固定される。１２１は
リード線１２３の引出し部を保護するための鋼管で、カ
ラーと呼ばれるもの、１２５は気密を保持するためのシ
リコン製のブツシュ、１２７はリード線１２３を保護す
るためのワニスチューブである。この場合、内部酸素分
圧が低下するが、酸素分圧の変化により抵抗値が変化し
ない上記実施例の高温サーミスタ素子１０１を使用して
いるので、排気温センサ内部と大気を連通させる必要が
なくなる。
尚、本実施例のサーミスタ素子１０１は、酸素分圧０．
２ａｔｍ （つまり大気雰囲気）においても抵抗値は
安定しているため、第８図に示す従来の非密閉型排気温
センサに適用してもよい。
２ａｔｍ （つまり大気雰囲気）においても抵抗値は
安定しているため、第８図に示す従来の非密閉型排気温
センサに適用してもよい。
この第８図に示す適用例においては、第７図と同じ箇所
には同一の符号を付し、その説明は省略する。１１２は
ステンレス製の保護管であり、サーミスタ素子１０１を
振動から保護するための充てん物であるフィラー１２９
を詰めるためのものである。また、１３０は大気導入孔
であり、この孔１３０、多孔質フッ素樹脂のフィルタ１
３２及び保護管１１２に設けられた穴部１３４を介して
大気中の酸素がサーミスタ素子１０１の周囲に供給され
る。この適用例においても、１ｏｏｏ″Ｃの温度下で１
０００時間の耐久試験の結果は、その抵抗値変化率が±
１５％以下となった。
には同一の符号を付し、その説明は省略する。１１２は
ステンレス製の保護管であり、サーミスタ素子１０１を
振動から保護するための充てん物であるフィラー１２９
を詰めるためのものである。また、１３０は大気導入孔
であり、この孔１３０、多孔質フッ素樹脂のフィルタ１
３２及び保護管１１２に設けられた穴部１３４を介して
大気中の酸素がサーミスタ素子１０１の周囲に供給され
る。この適用例においても、１ｏｏｏ″Ｃの温度下で１
０００時間の耐久試験の結果は、その抵抗値変化率が±
１５％以下となった。
更にサーミスタは、通常、焼成完了後に大気中エージン
グ処理を行っているが、本実施例のサーミスタ素子は大
気中においても抵抗値変化はほとんどないため、エージ
ング処理の前後で抵抗値はほとんど変化しない。ゆえに
、従来行っていた安定化のためのエージング処理工程を
省略することが可能となる。
グ処理を行っているが、本実施例のサーミスタ素子は大
気中においても抵抗値変化はほとんどないため、エージ
ング処理の前後で抵抗値はほとんど変化しない。ゆえに
、従来行っていた安定化のためのエージング処理工程を
省略することが可能となる。
また、本実施例のサーミスタ素子の性能においては形状
依存性がないので、第１図に示した素子形状に限られず
、例えば第９図に示すように外径２．５ｍｍ、長さ６．
４ ｍｓの円柱形状のサーミスタ素子基体２００に長さ
３．２ ｍｍ 、外径０．３ ｍｍの白金電極２０２を
半分埋込んだものでもよい。なお、各寸法に限定される
ものではない。
依存性がないので、第１図に示した素子形状に限られず
、例えば第９図に示すように外径２．５ｍｍ、長さ６．
４ ｍｓの円柱形状のサーミスタ素子基体２００に長さ
３．２ ｍｍ 、外径０．３ ｍｍの白金電極２０２を
半分埋込んだものでもよい。なお、各寸法に限定される
ものではない。
〔発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、高温用サーミスタ
素子を収納する耐熱金属製パイプの中の雰囲気が変化し
ても、高温用サーミスタ素子の抵抗値の変動が少ない高
温用チー５スタ素子を得ることができるという優れた効
果を奏する。
素子を収納する耐熱金属製パイプの中の雰囲気が変化し
ても、高温用サーミスタ素子の抵抗値の変動が少ない高
温用チー５スタ素子を得ることができるという優れた効
果を奏する。
第１図は本発明の一実施例に係わる高温用サーミスタ素
子の形状の一例を示す図、第２図は上記一実施例に係わ
る高温用サーミスタ素子を耐久試験に使用した密閉型排
気温センサに適用した例を示す部分断面図、第３図は第
２図におけるシースピン１０７の断面図、第４図は本発
明において酸化クロム８４ｍｏｌ％、酸化チタン８ｍｏ
ｌ％、酸化マンガン８ｍｏｆ％、５ｔＯｚｌＯ外ｍｏｎ
％とした場合のサーミスタ特性（抵抗温度特性）につい
て耐久試験の前後で比較したグラフ、第５図は酸化クロ
ムと酸化チタンを使用し、酸化マンガンと酸化ケイ素は
使用しない場合の初期抵抗値及び抵抗変化率を示す図、
第６図は本発明に係わる高温サーミスタ素子（酸化クロ
ム、酸化チタン、酸化マンガン、酸化ケイ素を使用した
もの）の初期抵抗値及び抵抗変化率を示す図、第７図は
本発明に係わるサーミスタ素子を密閉型排気温センサに
適用した他の実施例を示す部分断面図、第８図は本発明
に係わるサーミスタ素子を非密閉型排気温センサに適用
した例を示す部分断面図、第９図は第８図におけるサー
ごスタ素子の形状を示す図である。 ０ １・・・サーミスタ素子基体。 Ｏ３・・・白金型 極線。
子の形状の一例を示す図、第２図は上記一実施例に係わ
る高温用サーミスタ素子を耐久試験に使用した密閉型排
気温センサに適用した例を示す部分断面図、第３図は第
２図におけるシースピン１０７の断面図、第４図は本発
明において酸化クロム８４ｍｏｌ％、酸化チタン８ｍｏ
ｌ％、酸化マンガン８ｍｏｆ％、５ｔＯｚｌＯ外ｍｏｎ
％とした場合のサーミスタ特性（抵抗温度特性）につい
て耐久試験の前後で比較したグラフ、第５図は酸化クロ
ムと酸化チタンを使用し、酸化マンガンと酸化ケイ素は
使用しない場合の初期抵抗値及び抵抗変化率を示す図、
第６図は本発明に係わる高温サーミスタ素子（酸化クロ
ム、酸化チタン、酸化マンガン、酸化ケイ素を使用した
もの）の初期抵抗値及び抵抗変化率を示す図、第７図は
本発明に係わるサーミスタ素子を密閉型排気温センサに
適用した他の実施例を示す部分断面図、第８図は本発明
に係わるサーミスタ素子を非密閉型排気温センサに適用
した例を示す部分断面図、第９図は第８図におけるサー
ごスタ素子の形状を示す図である。 ０ １・・・サーミスタ素子基体。 Ｏ３・・・白金型 極線。
Claims (2)
- （１）耐熱金属製パイプの中に収納される高温用サーミ
スタ素子において、 酸化クロムと酸化チタンと酸化マンガンと酸化ケイ素か
らなることを特徴とする高温用サーミスタ素子。 - （２）６８ｍｏｌ％〜９２ｍｏｌ％の酸化クロムと３ｍ
ｏｌ％〜１２ｍｏｌ％の酸化チタンと４ｍｏｌ％〜２０
ｍｏｌ％の酸化マンガンとの組成物に、該組成物に対し
て外ｍｏｌ％で５ｍｏｌ％〜２０ｍｏｌ％の酸化ケイ素
を添加した組成物から構成されることを特徴とする請求
項１記載の高温用サーミスタ素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1178441A JP2621488B2 (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 高温用サーミスタ素子 |
| DE19904021997 DE4021997C2 (de) | 1989-07-11 | 1990-07-11 | Hochtemperaturthermistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1178441A JP2621488B2 (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 高温用サーミスタ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0342801A true JPH0342801A (ja) | 1991-02-25 |
| JP2621488B2 JP2621488B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=16048577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1178441A Expired - Lifetime JP2621488B2 (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 高温用サーミスタ素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2621488B2 (ja) |
| DE (1) | DE4021997C2 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3666289B2 (ja) * | 1998-05-20 | 2005-06-29 | 株式会社デンソー | サーミスタ式温度センサ |
| JP3555492B2 (ja) | 1998-09-22 | 2004-08-18 | 株式会社デンソー | 温度センサ |
| US6305841B1 (en) | 1998-09-29 | 2001-10-23 | Denso Corporation | Temperature sensor with thermistor housed in blocked space having ventilation |
| JP2002122486A (ja) | 2000-08-11 | 2002-04-26 | Denso Corp | 温度センサの取付構造 |
| JP4016627B2 (ja) * | 2000-11-22 | 2007-12-05 | 株式会社デンソー | 温度センサ |
| US7138901B2 (en) * | 2004-03-30 | 2006-11-21 | General Electric Company | Temperature measuring device and system and method incorporating the same |
| DE102008060033B4 (de) * | 2008-12-02 | 2013-08-14 | Temperaturmeßtechnik Geraberg GmbH | Temperaturfühler für Turbolader |
| DE102010034427A1 (de) * | 2010-03-09 | 2011-10-06 | Tesona Gmbh & Co. Kg | Gekapselter elektrischer Anschluss für insbesondere thermisch und/oder druckseitig beanspruchte Sensoren |
| DE102011083437B4 (de) | 2011-01-10 | 2013-07-18 | Klaus Irrgang | Universelles Hochtemperaturelement |
| DE202011001280U1 (de) | 2011-01-10 | 2012-04-18 | Klaus Irrgang | Universelles Hochtemperaturelement |
| DE202012104929U1 (de) | 2012-12-18 | 2013-02-12 | Klaus Irrgang | Thermoelektrischer Hochtemperaturfühler mit einer Mantelleitung |
| DE202013100708U1 (de) | 2013-02-18 | 2013-04-05 | Klaus Irrgang | Temperaturfühler für schnelle Temperaturwechsel |
| DE202015008966U1 (de) | 2015-03-31 | 2016-05-02 | Temperaturmeßtechnik Geraberg GmbH | Modular strukturierter Hochtemperaturfühler |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52140893A (en) * | 1976-05-19 | 1977-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Element for detecting temperature of moisture |
| JPS5823721A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-02-12 | 井関農機株式会社 | コンバインにおける脱穀穀粒収容装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5623281B2 (ja) * | 1974-02-28 | 1981-05-30 | ||
| US4015230A (en) * | 1975-02-03 | 1977-03-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Humidity sensitive ceramic resistor |
| DE2740566A1 (de) * | 1977-09-08 | 1979-03-22 | Siemens Ag | Verfahren zur herstellung eines varistor-materials |
| JP3130096B2 (ja) * | 1991-12-04 | 2001-01-31 | 富士写真フイルム株式会社 | 熱記録方法 |
-
1989
- 1989-07-11 JP JP1178441A patent/JP2621488B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-07-11 DE DE19904021997 patent/DE4021997C2/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52140893A (en) * | 1976-05-19 | 1977-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Element for detecting temperature of moisture |
| JPS5823721A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-02-12 | 井関農機株式会社 | コンバインにおける脱穀穀粒収容装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4021997C2 (de) | 1999-03-18 |
| DE4021997A1 (de) | 1991-01-17 |
| JP2621488B2 (ja) | 1997-06-18 |
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