JPH0342609Y2 - - Google Patents
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- JPH0342609Y2 JPH0342609Y2 JP8378683U JP8378683U JPH0342609Y2 JP H0342609 Y2 JPH0342609 Y2 JP H0342609Y2 JP 8378683 U JP8378683 U JP 8378683U JP 8378683 U JP8378683 U JP 8378683U JP H0342609 Y2 JPH0342609 Y2 JP H0342609Y2
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- Japan
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- sample
- objective lens
- detector
- mirror
- electron
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- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案は走査型電子顕微鏡とか電子線マイクロ
アナライザのような荷電粒子線で試料面を照射
し、試料から放出される種々な放射線を検出して
試料分析を行う装置に関する。
アナライザのような荷電粒子線で試料面を照射
し、試料から放出される種々な放射線を検出して
試料分析を行う装置に関する。
(ロ) 従来技術
上述した型の分析装置において試料から放射さ
れる放射線は２次電子，反射電子，Ｘ線，光等で
あり、このうち反射電子，Ｘ線，光等を検出する
のに電子対物レンズの下面に半導体検出素子を貼
着すると云う方法が採られる。この半導体検出素
子は絶縁基板上にPN2層を形成したもので厚さ
は１〜２mmであるが広い面積を有し、試料に対し
て広い立体角で臨ませることができる上、増幅作
用を有するから、Ｓ／Ｎ比の良好な高感度検出が
できると云う利点があり、対物レンズの下面に貼
着すれば、別途検出素子保持のための構造物が不
要と云う利点もある。
れる放射線は２次電子，反射電子，Ｘ線，光等で
あり、このうち反射電子，Ｘ線，光等を検出する
のに電子対物レンズの下面に半導体検出素子を貼
着すると云う方法が採られる。この半導体検出素
子は絶縁基板上にPN2層を形成したもので厚さ
は１〜２mmであるが広い面積を有し、試料に対し
て広い立体角で臨ませることができる上、増幅作
用を有するから、Ｓ／Ｎ比の良好な高感度検出が
できると云う利点があり、対物レンズの下面に貼
着すれば、別途検出素子保持のための構造物が不
要と云う利点もある。
しかし対物レンズの下面に半導体検出器を貼着
すると云う方式には次のような問題がある。対物
レンズ下面と試料面との間隔は数mm程度である
が、試料は小さな物ばかりでなく、時には大きく
凹凸を有するものがあり、このような試料で分析
点を探すため対物レンズに下で試料を動かすとき
試料の凸部が対物レンズ下面の検出器に当つて、
これを傷つけることがある。又高倍率の試料像を
得る場合、外部からの振動の影響を防ぐため、試
料ホルダに上向きの突起を設けてこれを対物レン
ズ下面に当接させることにより、試料と対物レン
ズとを一体化することが行われるが、このときに
も検出器の表面を傷つける。また、試料から出る
２次電子を検出するには、２次電子がエネルギー
が低いので、対物レンズ下面の半導体検出器とは
別に、試料の側方に２次電子検出器を配置し、電
子加速電界を形成して試料から出る２次電子を吸
引する方法が用いられるが、試料と対物レンズと
の間が数mmであり、これから半導体検出器の厚さ
１〜２mmを引算した値が試料から２次電子検出器
へと２次電子を導く有効間隙であり、対物レンズ
下面と試料面との距離に対する半導体検出器の厚
さの割合が大きいから、２次電子検出効率を著る
しく低下させる。
すると云う方式には次のような問題がある。対物
レンズ下面と試料面との間隔は数mm程度である
が、試料は小さな物ばかりでなく、時には大きく
凹凸を有するものがあり、このような試料で分析
点を探すため対物レンズに下で試料を動かすとき
試料の凸部が対物レンズ下面の検出器に当つて、
これを傷つけることがある。又高倍率の試料像を
得る場合、外部からの振動の影響を防ぐため、試
料ホルダに上向きの突起を設けてこれを対物レン
ズ下面に当接させることにより、試料と対物レン
ズとを一体化することが行われるが、このときに
も検出器の表面を傷つける。また、試料から出る
２次電子を検出するには、２次電子がエネルギー
が低いので、対物レンズ下面の半導体検出器とは
別に、試料の側方に２次電子検出器を配置し、電
子加速電界を形成して試料から出る２次電子を吸
引する方法が用いられるが、試料と対物レンズと
の間が数mmであり、これから半導体検出器の厚さ
１〜２mmを引算した値が試料から２次電子検出器
へと２次電子を導く有効間隙であり、対物レンズ
下面と試料面との距離に対する半導体検出器の厚
さの割合が大きいから、２次電子検出効率を著る
しく低下させる。
(ハ) 目的
本考案は荷電粒子線分析装置において半導体検
出器を用いる上記従来方法の上述問題点を解決す
ることを目的とするものである。
出器を用いる上記従来方法の上述問題点を解決す
ることを目的とするものである。
(ニ) 構成
本考案は、荷電粒子線分析装置に、試料の位置
決め及び試料面の光による目視観察のために併設
されている反射光学顕微鏡の反射鏡の一つを利用
し、その鏡面を半導体検出器とすること内容とす
るものである。
決め及び試料面の光による目視観察のために併設
されている反射光学顕微鏡の反射鏡の一つを利用
し、その鏡面を半導体検出器とすること内容とす
るものである。
(ホ) 実施例
図面は本考案の一実施例を示す。１は電子銃、
２は電子光学系のコンデンサレンズ、３は同じく
対物レンズで４が試料であり、Ｅは電子ビームで
ある。５は反射光学顕微鏡の対物凹面鏡であり、
６は同じく接眼レンズである。Ｌはこの光学顕微
鏡における光路を示す。本考案の特徴は対物凹面
鏡５の鏡面を半導体検出器Ｄとした所にある。
２は電子光学系のコンデンサレンズ、３は同じく
対物レンズで４が試料であり、Ｅは電子ビームで
ある。５は反射光学顕微鏡の対物凹面鏡であり、
６は同じく接眼レンズである。Ｌはこの光学顕微
鏡における光路を示す。本考案の特徴は対物凹面
鏡５の鏡面を半導体検出器Ｄとした所にある。
半導体検出器は絶縁基板にシリコン等を蒸着
し、Ｐ層Ｎ層を形成するものであるから、ガラス
を研磨して作られた凹面鏡そのものを基板として
シリコン等を蒸着して検出器Ｄを形成することに
より、同検出器の表面は自然に反射顕微鏡の対物
鏡としての鏡面になる。
し、Ｐ層Ｎ層を形成するものであるから、ガラス
を研磨して作られた凹面鏡そのものを基板として
シリコン等を蒸着して検出器Ｄを形成することに
より、同検出器の表面は自然に反射顕微鏡の対物
鏡としての鏡面になる。
(ヘ) 効果
本考案によれば半導体検出器は既存の対物反射
鏡を利用しているので、保持構造が不要であり、
電子対物レンズの下面と異り試料等が当つて損傷
されると云うおそれがなく、電子対物鏡下面と試
料面との間をせまくしないから２次電子の捕集効
率の低下を来さない等所期の効果を得ることがで
きる。
鏡を利用しているので、保持構造が不要であり、
電子対物レンズの下面と異り試料等が当つて損傷
されると云うおそれがなく、電子対物鏡下面と試
料面との間をせまくしないから２次電子の捕集効
率の低下を来さない等所期の効果を得ることがで
きる。
図面は本考案の一実施例の縦断側面図である。
１……電子銃、２……コンデンサレンズ、３…
…対物レンズ、４……試料、５……光学顕微鏡の
対物凹面鏡、Ｄ……半導体検出器。
…対物レンズ、４……試料、５……光学顕微鏡の
対物凹面鏡、Ｄ……半導体検出器。
Claims (1)
- 荷電粒子線光学系に併設された反射光学顕微鏡
の光学系を構成する反射鏡のうち試料に対向する
面を有する鏡の鏡面を反射電子等に対する半導体
検出器の入射面によつて形成した荷電粒子線分析
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8378683U JPS59187069U (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 荷電粒子線分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8378683U JPS59187069U (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 荷電粒子線分析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59187069U JPS59187069U (ja) | 1984-12-12 |
| JPH0342609Y2 true JPH0342609Y2 (ja) | 1991-09-06 |
Family
ID=30213743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8378683U Granted JPS59187069U (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 荷電粒子線分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59187069U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5047318B2 (ja) * | 2010-03-05 | 2012-10-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子顕微鏡画像と光学画像を重ねて表示する方法 |
-
1983
- 1983-05-31 JP JP8378683U patent/JPS59187069U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59187069U (ja) | 1984-12-12 |
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