JPH0340509A - バルク波装置 - Google Patents
バルク波装置Info
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- JPH0340509A JPH0340509A JP1174762A JP17476289A JPH0340509A JP H0340509 A JPH0340509 A JP H0340509A JP 1174762 A JP1174762 A JP 1174762A JP 17476289 A JP17476289 A JP 17476289A JP H0340509 A JPH0340509 A JP H0340509A
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Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、水晶やタンタル酸リチウム（ＬｉＮｂＯ５）
、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ５） 、四ボウ酸リチ
ウム（Ｌｉ２Ｂａ０７）のような単結晶の圧電基板の表
面に電極を設けたバルク波装置に関する。
、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ５） 、四ボウ酸リチ
ウム（Ｌｉ２Ｂａ０７）のような単結晶の圧電基板の表
面に電極を設けたバルク波装置に関する。
［背景技術］
近年、水晶などの単結晶圧電基板を用いた振動子やフィ
ルタ等のバルク波装置が広く用いられるようになってい
る。これらのバルク波装置は、般に、圧電基板の両面に
電極を形成して圧電基板の厚み振動を利用したものが多
いが、これ以外にも種々の構造もしくは振動モードのも
のも用いられており、一部では音片屈曲振動や音叉型の
振動を利用したもの等もある。
ルタ等のバルク波装置が広く用いられるようになってい
る。これらのバルク波装置は、般に、圧電基板の両面に
電極を形成して圧電基板の厚み振動を利用したものが多
いが、これ以外にも種々の構造もしくは振動モードのも
のも用いられており、一部では音片屈曲振動や音叉型の
振動を利用したもの等もある。
バルク波装置に用いられる電極金属材料としては、一般
的には、金（Ａｕ）が用いられている。その理由は、導
電率が高く、マイグレーションが発生しにくく、また酸
化されにくくて経時変化が少ない等の長所をＡｕ電極が
備えているがらである。
的には、金（Ａｕ）が用いられている。その理由は、導
電率が高く、マイグレーションが発生しにくく、また酸
化されにくくて経時変化が少ない等の長所をＡｕ電極が
備えているがらである。
一方、Ａｕ電極には、コストが高価につく、フォトエツ
チングが困難で微細な電極を形成しにくい、圧電基板へ
の付着強度が弱くて電極剥がれを生じることがある、ま
た低励振レベルにおいて共振抵抗が増大する等の問題点
がある。
チングが困難で微細な電極を形成しにくい、圧電基板へ
の付着強度が弱くて電極剥がれを生じることがある、ま
た低励振レベルにおいて共振抵抗が増大する等の問題点
がある。
そこで、Ａｕ電極に代わる電極材料として、同じく導電
率が高く、安価で、フォトエツチングが容易で、しかも
圧電基板への付着力が強いアルミニウム（Ａｆ２）を用
いることが考えられている。
率が高く、安価で、フォトエツチングが容易で、しかも
圧電基板への付着力が強いアルミニウム（Ａｆ２）を用
いることが考えられている。
［発明が解決しようとする課題］
しか（７ながら、アルミニウムをバルク波装置の電極材
料として用いる場合の障害と１−で、次のような欠点が
指摘されている。
料として用いる場合の障害と１−で、次のような欠点が
指摘されている。
まず、アルミニウムは酸化されやすく、そのため経時変
化が大きく、バルク波装置の特性に影響を与えるという
問題がある。また、アルミニウム電極は、エレクトロマ
イグレーションにも余り強くない。
化が大きく、バルク波装置の特性に影響を与えるという
問題がある。また、アルミニウム電極は、エレクトロマ
イグレーションにも余り強くない。
そこで、本発明の発明者らは、このアルミニウム電極の
欠点を詳細に調べた結果、従来のアルミニウム電極はラ
ンダム配向の多結晶の集合体であり、そのため表面から
内部の深くまで酸化され易く、かつ粒界拡散によるマイ
グレーションを起こし易いということがわかった。
欠点を詳細に調べた結果、従来のアルミニウム電極はラ
ンダム配向の多結晶の集合体であり、そのため表面から
内部の深くまで酸化され易く、かつ粒界拡散によるマイ
グレーションを起こし易いということがわかった。
しかして、本発明は、上記従来例の欠点と発明者らの到
達した知見に基づいてなされたものであり、その目的と
するところは酸化に強くて経時変化が少なく、しがも耐
マイグレ−シヨン特性の良好なアルミニウム電極を備え
たバルク波装置を提供することにある。
達した知見に基づいてなされたものであり、その目的と
するところは酸化に強くて経時変化が少なく、しがも耐
マイグレ−シヨン特性の良好なアルミニウム電極を備え
たバルク波装置を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
このため本発明のバルク波装置は、単結晶圧電基板を用
いたバルク波装置において、結晶方位的に一定方向に配
向したアルミニウム膜によって耐酸化特性に優れ、かつ
マイグレーション防止機能をもつ電極を形成したことを
特徴としている。
いたバルク波装置において、結晶方位的に一定方向に配
向したアルミニウム膜によって耐酸化特性に優れ、かつ
マイグレーション防止機能をもつ電極を形成したことを
特徴としている。
前記単結晶圧電基板としては、水晶基板やタンタル酸リ
チウム基板、ニオブ酸リチウム基板、四ホウ酸リチウム
基板等を用いることができる。
チウム基板、ニオブ酸リチウム基板、四ホウ酸リチウム
基板等を用いることができる。
また、圧電基板として水晶基板を用いる場合には、２５
°可転Ｙカツ１〜がら３９°回転Ｙカットの範囲の回転
Ｙカット基板を用いるのが好ましく、前記アルミニウム
膜としては（３１１）配向膜が適当である。
°可転Ｙカツ１〜がら３９°回転Ｙカットの範囲の回転
Ｙカット基板を用いるのが好ましく、前記アルミニウム
膜としては（３１１）配向膜が適当である。
さらに、アルミニウム膜には、Ｃｕ、 Ｔｔ、 Ｎｉ、
ＭｇＰｄ等の耐マイグレーション特性に優れた添加物
を微量添加するのが効果的であり、その添加量としては
０．１ｗｔ％〜１０ｗｔ％の範囲で用いるのが適当であ
る。
ＭｇＰｄ等の耐マイグレーション特性に優れた添加物
を微量添加するのが効果的であり、その添加量としては
０．１ｗｔ％〜１０ｗｔ％の範囲で用いるのが適当であ
る。
［作用］
上述のように、従来のアルミニウム電極は、結晶方位的
に一定方向に配向していないランダム配向の多結晶膜で
あり、このため酸化が進み易く、かつマイグレーション
に対しても弱かった。
に一定方向に配向していないランダム配向の多結晶膜で
あり、このため酸化が進み易く、かつマイグレーション
に対しても弱かった。
これに対し、本発明のバルク波装置にあっては、一定方
位に結晶軸配向したアルミニウム膜の電極を用いている
。このような結晶学的に一定方位に配向したアルミニウ
ム電極は、単結晶膜に近い性質を示し、酸化の進行が遅
くなり、またマイグレーションに対しても非常に強くな
る。
位に結晶軸配向したアルミニウム膜の電極を用いている
。このような結晶学的に一定方位に配向したアルミニウ
ム電極は、単結晶膜に近い性質を示し、酸化の進行が遅
くなり、またマイグレーションに対しても非常に強くな
る。
したがって、本発明のバルク波装置によれば、酸化に強
く経時変化の少ないアルミニウム電極を得ることができ
、さらにアルミニウム電極の耐マイグレーション特性を
改善することができる。
く経時変化の少ないアルミニウム電極を得ることができ
、さらにアルミニウム電極の耐マイグレーション特性を
改善することができる。
［実施例コ
以下、本発明の実施例を添付図に基づいて詳述する。
第１図に示すものは、いわゆるＡＴカット水晶を用いた
水晶振動子１であり、水晶単結晶体の圧電基板２の両面
にアルミニウム膜の電！３．４を形成したものである。
水晶振動子１であり、水晶単結晶体の圧電基板２の両面
にアルミニウム膜の電！３．４を形成したものである。
この水晶振動子１を−実施例とし、製造順序に従って次
に説明する。
に説明する。
圧電基板２としては、所定の板厚となるように両面研磨
し、さらに鏡面研磨された約３５°１５′回転Ｙカット
水晶基板を用い、この圧電基板２の表面に電子ビーム蒸
着により電ｆ！３．４となるアルミニウム膜を形成した
。この時、その蒸着速度および基板温度を適当に制御す
ることによりエピタキシャルアルミニウム膜を形成する
ことができた。
し、さらに鏡面研磨された約３５°１５′回転Ｙカット
水晶基板を用い、この圧電基板２の表面に電子ビーム蒸
着により電ｆ！３．４となるアルミニウム膜を形成した
。この時、その蒸着速度および基板温度を適当に制御す
ることによりエピタキシャルアルミニウム膜を形成する
ことができた。
例えば、蒸着速度および基板温度は、従来１０人／秒、
＋１６０°Ｃで蒸着していたのを、発明者らの実験した
範囲では、４０入／秒、＋８０°Ｃと高速、低温で蒸着
することにより（３１１）配向膜が得られた。このアル
ミニウム膜の（３１１）面がエピタキシャル成長してい
ることをＲＨＥＥＤ（反射高速電子線回折〉法により確
認したく第２図（ａ）にこのＲＨＥＥＤ写真を示す。な
お、第２図（ｂ）は第２図（ａ）の写真の説明図であり
、イが電子ビーム、口の領域内に見えるものが反射光で
ある〉。従来の蒸着条件のもとでは、アルミニウム膜の
エピタキシャル成長は見られず、ランダム配向（アモル
ファス〉になっている〈第３図（ａ）にこのＲＨＥＥＤ
写真を示す。なお、第３図（ｌ〕〉は第３図（ａ）の写
真の説明図で、ハが電子ビーム、二の領域内に見えるも
のが反射光である〉。
＋１６０°Ｃで蒸着していたのを、発明者らの実験した
範囲では、４０入／秒、＋８０°Ｃと高速、低温で蒸着
することにより（３１１）配向膜が得られた。このアル
ミニウム膜の（３１１）面がエピタキシャル成長してい
ることをＲＨＥＥＤ（反射高速電子線回折〉法により確
認したく第２図（ａ）にこのＲＨＥＥＤ写真を示す。な
お、第２図（ｂ）は第２図（ａ）の写真の説明図であり
、イが電子ビーム、口の領域内に見えるものが反射光で
ある〉。従来の蒸着条件のもとでは、アルミニウム膜の
エピタキシャル成長は見られず、ランダム配向（アモル
ファス〉になっている〈第３図（ａ）にこのＲＨＥＥＤ
写真を示す。なお、第３図（ｌ〕〉は第３図（ａ）の写
真の説明図で、ハが電子ビーム、二の領域内に見えるも
のが反射光である〉。
このようにして圧電基板の表面に形成されたアルミニウ
ム配向膜と、多結晶アルミニウム膜の酸化の進み具合を
調べた。実験の方法は、室内に圧電基板を約１ケ月間自
然放置した後、アルミニウム膜の酸化の状況をオージェ
電子分光法による膜の深さ方向の組成分析によって調べ
た。この結果、エピタキシャルアルミニウム膜の自然酸
化の深さ方向の進行度合いは、通常の多結晶アルミニウ
ム膜の酸化進行度合いの約１／４に過ぎないことが分か
った。このようにエピタキシャルアルミニウム膜は、従
来の多結晶アルミニウム膜と比較して、酸化の進み方が
はるかに遅いので、バルク波振動子等の経時変化を小さ
くすることができる。
ム配向膜と、多結晶アルミニウム膜の酸化の進み具合を
調べた。実験の方法は、室内に圧電基板を約１ケ月間自
然放置した後、アルミニウム膜の酸化の状況をオージェ
電子分光法による膜の深さ方向の組成分析によって調べ
た。この結果、エピタキシャルアルミニウム膜の自然酸
化の深さ方向の進行度合いは、通常の多結晶アルミニウ
ム膜の酸化進行度合いの約１／４に過ぎないことが分か
った。このようにエピタキシャルアルミニウム膜は、従
来の多結晶アルミニウム膜と比較して、酸化の進み方が
はるかに遅いので、バルク波振動子等の経時変化を小さ
くすることができる。
またエピタキシャルアルミニウム膜は多結晶体でないた
め、粒界拡散によるマイグレーションにも強い性質を示
す。エピタキシャルアルミニウム膜の耐マイグレーショ
ン特性については、アルミニウムにＣｕ、 Ｔｉ、 Ｎ
ｉ、 Ｍｇ、 Ｐｄ等の耐マイグレーション特性に優れ
た添加物を微量加えることにより、さらに改善すること
ができる。
め、粒界拡散によるマイグレーションにも強い性質を示
す。エピタキシャルアルミニウム膜の耐マイグレーショ
ン特性については、アルミニウムにＣｕ、 Ｔｉ、 Ｎ
ｉ、 Ｍｇ、 Ｐｄ等の耐マイグレーション特性に優れ
た添加物を微量加えることにより、さらに改善すること
ができる。
上記各添加物の添加量は少なすぎると効果がないので、
通常０．１ｗｔ％以上必要であり、また、多すぎるとア
ルミニウム膜の抵抗率が増大するので、通常１０ ｗ
ｔ、％以下が望ましい。したがって、ＣＩｌ、 Ｔｉ、
Ｎｉ、 ｌ＋１ｇ、 Ｐｄ等の添加物の添加量として
は０．１ ｗｔ％〜１０ｗｔ％の範囲が好適である。
通常０．１ｗｔ％以上必要であり、また、多すぎるとア
ルミニウム膜の抵抗率が増大するので、通常１０ ｗ
ｔ、％以下が望ましい。したがって、ＣＩｌ、 Ｔｉ、
Ｎｉ、 ｌ＋１ｇ、 Ｐｄ等の添加物の添加量として
は０．１ ｗｔ％〜１０ｗｔ％の範囲が好適である。
なお、２５°〜３９°回転Ｙカットの範囲の水晶基板を
用いた場合にも、エピタキシャルアルミニウム膜が確認
できている。さらに１０５°回転Ｙカット水晶基板では
、（３１１）面以外の面のアルミニウムエピタキシャル
成長を確認できた。結晶格子定数が大体合えばエピタキ
シャル成長は可能であるので、他のカット角の水晶やタ
ンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３） 、ニオブ酸リチウ
ム（ＬｉＮｂ０＊ ） 。
用いた場合にも、エピタキシャルアルミニウム膜が確認
できている。さらに１０５°回転Ｙカット水晶基板では
、（３１１）面以外の面のアルミニウムエピタキシャル
成長を確認できた。結晶格子定数が大体合えばエピタキ
シャル成長は可能であるので、他のカット角の水晶やタ
ンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３） 、ニオブ酸リチウ
ム（ＬｉＮｂ０＊ ） 。
四ホウ酸リチウム（Ｌｉ２Ｂ４０７）などでも、アルミ
ニウム膜のエピタキシャル成長は可能である。その場合
、アルミニウム膜は（３１１）面とは限らず、結晶格子
定数のだいたい合致する面が成長する。また、アルミニ
ウム膜の成長する面も必ずしも圧電基板の表面に平行と
は限らず、圧電基板のカット角の傾きに応じてアルミニ
ウム膜の配向面も傾く。
ニウム膜のエピタキシャル成長は可能である。その場合
、アルミニウム膜は（３１１）面とは限らず、結晶格子
定数のだいたい合致する面が成長する。また、アルミニ
ウム膜の成長する面も必ずしも圧電基板の表面に平行と
は限らず、圧電基板のカット角の傾きに応じてアルミニ
ウム膜の配向面も傾く。
タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム、あるいは四ホ
ウ酸リチウムの圧電基板を用いた場合、電気機械結合係
数が水晶の場合と比較して大きいため、水晶よりも低容
量比の共振子や広帯域のフィルターを実現できる。また
、タンタル酸リチウム基板、四ホウ酸リチウム基板の場
合は、周波数温度特性も良好である。
ウ酸リチウムの圧電基板を用いた場合、電気機械結合係
数が水晶の場合と比較して大きいため、水晶よりも低容
量比の共振子や広帯域のフィルターを実現できる。また
、タンタル酸リチウム基板、四ホウ酸リチウム基板の場
合は、周波数温度特性も良好である。
〔発明の効果コ
上述のように、本発明によれば、バルク波装置のｔ極と
して、酸化に対して強い特性のアルミニウム電極を得る
ことができ、その経時変化を小さくすることができ、し
たがって特性の安定したバルク波装置を製作することが
できる。また、アルミニラム電極の耐マイグレーション
特性を向上させることができる。
して、酸化に対して強い特性のアルミニウム電極を得る
ことができ、その経時変化を小さくすることができ、し
たがって特性の安定したバルク波装置を製作することが
できる。また、アルミニラム電極の耐マイグレーション
特性を向上させることができる。
よって、従来の多結晶アルミニウム電極の場合に指摘さ
れていたような欠点を解消することができ、アルミニウ
ム電極を備えたバルク波装置の実用化が可能となる。す
なわち、コストが安価に済み、圧電基板への付着強度が
強く、さらにフォトエツチングによる微細加工が容易で
あるというアルミニウム電極の長所を生かしたバルク波
装置を実現することができる。
れていたような欠点を解消することができ、アルミニウ
ム電極を備えたバルク波装置の実用化が可能となる。す
なわち、コストが安価に済み、圧電基板への付着強度が
強く、さらにフォトエツチングによる微細加工が容易で
あるというアルミニウム電極の長所を生かしたバルク波
装置を実現することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す概略断面図、第２図（
ａ）（ｂ）は本発明の回転Ｙカット水晶基板上のアルミ
ニウムエピタキシャル膜のＸ線写真及びその説明図、第
３図＜ａ）（ｂ）は通常のアルミニウム膜のＸ線写真及
びその説明図である。 ２・・・圧電基板 ３．４・・・電極
ａ）（ｂ）は本発明の回転Ｙカット水晶基板上のアルミ
ニウムエピタキシャル膜のＸ線写真及びその説明図、第
３図＜ａ）（ｂ）は通常のアルミニウム膜のＸ線写真及
びその説明図である。 ２・・・圧電基板 ３．４・・・電極
Claims (8)
- （１）単結晶圧電基板を用いたバルク波装置において、
結晶方位的に一定方向に配向したアルミニウム膜によっ
て耐酸化特性に優れ、かつマイグレーション防止機能を
もつ電極を形成したことを特徴とするバルク波装置。 - （２）前記圧電基板が水晶基板であることを特徴とする
請求項１に記載のバルク波装置。 - （３）前記水晶基板が２５゜回転Ｙカットから３９゜回
転Ｙカットの範囲の回転Ｙカット基板であり、前記アル
ミニウム膜が（３１１）配向膜であることを特徴とする
請求項２に記載のバルク波装置。 - （４）前記圧電基板がタンタル酸リチウムであることを
特徴とする請求項１に記載のバルク波装置。 - （５）前記圧電基板がニオブ酸リチウムであることを特
徴とする請求項１に記載のバルク波装置。 - （６）前記圧電基板が四ホウ酸リチウムであることを特
徴とする請求項１に記載のバルク波装置。 - （７）前記アルミニウム膜にＣｕ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｍｇ，
Ｐｄ等の耐マイグレーション特性に優れた添加物を微量
添加したことを特徴とする請求項１，２，３，４，５又
は６に記載のバルク波装置。 - （８）前記添加物の添加量が０．１ｗｔ％〜１０ｗｔ％
であることを特徴とする請求項７に記載のバルク波装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1174762A JPH0340509A (ja) | 1989-07-06 | 1989-07-06 | バルク波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1174762A JPH0340509A (ja) | 1989-07-06 | 1989-07-06 | バルク波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0340509A true JPH0340509A (ja) | 1991-02-21 |
Family
ID=15984228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1174762A Pending JPH0340509A (ja) | 1989-07-06 | 1989-07-06 | バルク波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0340509A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0746074A (ja) * | 1993-07-26 | 1995-02-14 | Nec Corp | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| JP2006339840A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Kyocera Kinseki Corp | 水晶振動子 |
| KR100748830B1 (ko) * | 1999-07-30 | 2007-08-13 | 닛폰 세이키 가부시키가이샤 | 코일식 계기 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5833309A (ja) * | 1981-08-21 | 1983-02-26 | Toyo Commun Equip Co Ltd | すべり波共振器 |
| JPS5947741A (ja) * | 1982-09-13 | 1984-03-17 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS61251307A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-08 | Fujitsu Ltd | 圧電振動子 |
| JPS62163408A (ja) * | 1986-01-13 | 1987-07-20 | Hitachi Ltd | 弾性表面波装置 |
| JPS6410716A (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-13 | Toko Inc | Manufacture of piezoelectric transducer |
| JPH01128607A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-22 | Hitachi Ltd | 弾性表面波装置 |
-
1989
- 1989-07-06 JP JP1174762A patent/JPH0340509A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5833309A (ja) * | 1981-08-21 | 1983-02-26 | Toyo Commun Equip Co Ltd | すべり波共振器 |
| JPS5947741A (ja) * | 1982-09-13 | 1984-03-17 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS61251307A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-08 | Fujitsu Ltd | 圧電振動子 |
| JPS62163408A (ja) * | 1986-01-13 | 1987-07-20 | Hitachi Ltd | 弾性表面波装置 |
| JPS6410716A (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-13 | Toko Inc | Manufacture of piezoelectric transducer |
| JPH01128607A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-22 | Hitachi Ltd | 弾性表面波装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0746074A (ja) * | 1993-07-26 | 1995-02-14 | Nec Corp | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| KR100748830B1 (ko) * | 1999-07-30 | 2007-08-13 | 닛폰 세이키 가부시키가이샤 | 코일식 계기 |
| JP2006339840A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Kyocera Kinseki Corp | 水晶振動子 |
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