JPH0340423A - 光ｃｖｄ装置 - Google Patents
光ｃｖｄ装置Info
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- JPH0340423A JPH0340423A JP26100889A JP26100889A JPH0340423A JP H0340423 A JPH0340423 A JP H0340423A JP 26100889 A JP26100889 A JP 26100889A JP 26100889 A JP26100889 A JP 26100889A JP H0340423 A JPH0340423 A JP H0340423A
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- mixed gas
- composition ratio
- film deposition
- quartz window
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、光ＣＶＤ装置に関するものである。
（従来の技術）
光ＣＶＤ装置は、反応容器の内部に基板を設け、該容器
の一側に光入射窓例えば石英窓を形成し、その外側に紫
外線ランプを設け、該容器に供給される最適組成比の混
合ガスを紫外線ランプの光エネルギーにより分解してウ
ェハ上に膜を成長させている。
の一側に光入射窓例えば石英窓を形成し、その外側に紫
外線ランプを設け、該容器に供給される最適組成比の混
合ガスを紫外線ランプの光エネルギーにより分解してウ
ェハ上に膜を成長させている。
（発明が解決しようとする問題点）
二の光ＣＶＤにおいて、上記ウェハをカロ熱して成膜し
ているが、この加熱手段としてヒータを用いることが多
い。しかし、真空容器内においてヒータを配設できない
場合がある。
ているが、この加熱手段としてヒータを用いることが多
い。しかし、真空容器内においてヒータを配設できない
場合がある。
本発明は上記に鑑み、反応容器内にヒータを用いること
なく、基板を予め定められた温度に加熱できるようにし
た光ＣＶＤ装置を提供するものである。
なく、基板を予め定められた温度に加熱できるようにし
た光ＣＶＤ装置を提供するものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、光の照射により活性化した反応ガスにより上
記反応容器内に設けた基板に底膜するＣＶＤ装置におい
て、上記基板を光照射により加熱するようにしたことを
特徴とする光ＣＶＤ装置を得るものである。
記反応容器内に設けた基板に底膜するＣＶＤ装置におい
て、上記基板を光照射により加熱するようにしたことを
特徴とする光ＣＶＤ装置を得るものである。
（作用）
本発明は、光ＣＶＤに際して行なう基板の加熱を光照射
により行なうので、容器内にヒータを導入することなく
構成でき、容器内を簡易に構成できる。
により行なうので、容器内にヒータを導入することなく
構成でき、容器内を簡易に構成できる。
（実施例）
以下、本発明装置を窒化膜の光ＣＶＤ処理に適用した一
実施例につき、図面を参照して説明する。
実施例につき、図面を参照して説明する。
第１図において、ｌは反応容器、２は光入射窓例えば石
英窓３から反応容器１内に光を照射する紫外線ランプ（
ＵＶランプ）、４．５はガス供給管で、４は石英窓３に
最適組成比と異なる組成比の混合ガス即ち膜成長速度が
最高速度より遅い組成′比に選択された混合ガスを供給
するガス供給管であり、５は板６上に膜成長速度がほぼ
最高となる組成比に選択された混合ガスを供給して反応
を行なわしめるガス供給管である。また、８は板６を加
熱する赤外線ランプ（ＩＲクランプ、９は使用済みの混
合ガスを排気する排気管である。
英窓３から反応容器１内に光を照射する紫外線ランプ（
ＵＶランプ）、４．５はガス供給管で、４は石英窓３に
最適組成比と異なる組成比の混合ガス即ち膜成長速度が
最高速度より遅い組成′比に選択された混合ガスを供給
するガス供給管であり、５は板６上に膜成長速度がほぼ
最高となる組成比に選択された混合ガスを供給して反応
を行なわしめるガス供給管である。また、８は板６を加
熱する赤外線ランプ（ＩＲクランプ、９は使用済みの混
合ガスを排気する排気管である。
第３図は膜成長速度（μｍ／５ｉｎ）とＩＪＩ或比との
関係を示す図で、シランＳｉＨ，とアンモニアＮＨ，の
組成比がａの時膜成長速度は極大を示し、組成比がａと
異なると小さくなり、ｂの時は極端に小さくなることを
示す。
関係を示す図で、シランＳｉＨ，とアンモニアＮＨ，の
組成比がａの時膜成長速度は極大を示し、組成比がａと
異なると小さくなり、ｂの時は極端に小さくなることを
示す。
次に、上述した光ＣＶＤ装置の動作作用について説明す
ると、板６上に基板例えばウェハ７を設置し、ＵＶラン
プ２、ＩＲクランプを点灯すると共に、ガス供給管４．
５から混合ガスを反応容器ｌ内に供給し排気管９より混
合ガスを排気する。
ると、板６上に基板例えばウェハ７を設置し、ＵＶラン
プ２、ＩＲクランプを点灯すると共に、ガス供給管４．
５から混合ガスを反応容器ｌ内に供給し排気管９より混
合ガスを排気する。
また、石英窓３近傍のガス供給管４には、膜成長速度が
最高速度となる組成比とは異なる組成比の（第３図のｂ
）シラン５ｉＨａとアンモニアＮＨ３の混合ガスを供給
し、矢印Ａ４方向に噴射せしめ、更にウェハ７近傍のガ
ス供給管５には、ウェハ７上において膜成長速度がほぼ
最高速度となる組成比（第３図のＣ）のシランＳｉＨ４
とアンモニアＮＨ，の混合ガスを供給し、矢印Ａ５方向
に噴射せしめ、ウェハ７上で最適組成比（第３図のａ）
で反応させる。
最高速度となる組成比とは異なる組成比の（第３図のｂ
）シラン５ｉＨａとアンモニアＮＨ３の混合ガスを供給
し、矢印Ａ４方向に噴射せしめ、更にウェハ７近傍のガ
ス供給管５には、ウェハ７上において膜成長速度がほぼ
最高速度となる組成比（第３図のＣ）のシランＳｉＨ４
とアンモニアＮＨ，の混合ガスを供給し、矢印Ａ５方向
に噴射せしめ、ウェハ７上で最適組成比（第３図のａ）
で反応させる。
ＵＶランプ２の光はＡ３方向に照射され、石英窓３を通
って反応容器１内の混合ガスに光エネルギーを与える。
って反応容器１内の混合ガスに光エネルギーを与える。
この光エネルギーを与えられた混合ガスは、分解されて
活性化し、シリコンＳｉの窒化物が生成され、板６上の
ウェハ７に堆積して膜成長が行なわれる。
活性化し、シリコンＳｉの窒化物が生成され、板６上の
ウェハ７に堆積して膜成長が行なわれる。
ｌ！！Ｊ成長速度は、最適組成比の混合ガスの供給を受
けるウェハ７近傍が極端に速くこれによりウェハ７上に
底膜が行なわれ、最適組成比と異なる混合ガスの供給を
受ける石英窓３側は遅くこれにより石英窓３に膜が付着
せず、石英窓３のくもりを防止することができる。
けるウェハ７近傍が極端に速くこれによりウェハ７上に
底膜が行なわれ、最適組成比と異なる混合ガスの供給を
受ける石英窓３側は遅くこれにより石英窓３に膜が付着
せず、石英窓３のくもりを防止することができる。
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明
の前述の要旨の範囲内で具体的技術手段及び付加を行な
って実施することが可能である。例えば、組成比によっ
て成長する膜質が変化する場合、窓につく膜の光透過率
がより多くなる方向の組成比の混合ガスを石英窓例のガ
ス供給管から供給すれば、石英窓のくもりの影響を更に
抑えることができる。また、窓側のガス供給管に供給す
る混合ガスは、組成比が零、即ち一成分の反応ガスだけ
でもよい。
の前述の要旨の範囲内で具体的技術手段及び付加を行な
って実施することが可能である。例えば、組成比によっ
て成長する膜質が変化する場合、窓につく膜の光透過率
がより多くなる方向の組成比の混合ガスを石英窓例のガ
ス供給管から供給すれば、石英窓のくもりの影響を更に
抑えることができる。また、窓側のガス供給管に供給す
る混合ガスは、組成比が零、即ち一成分の反応ガスだけ
でもよい。
本発明は、紫外線を用いた光ＣＶＤ装置のみならず光で
あればレーザを用いたレーザＣＶＤ装置にも適用可能で
あり、又第３図の様な最適組成比を示す反応系一般に利
用できる。
あればレーザを用いたレーザＣＶＤ装置にも適用可能で
あり、又第３図の様な最適組成比を示す反応系一般に利
用できる。
以上説明したように本発明によれば、光ＣＶＤに際して
の基板の加熱を光照射することにより行なったので、容
器内にヒータを配置することなく構成できる。
の基板の加熱を光照射することにより行なったので、容
器内にヒータを配置することなく構成できる。
第１図は本発明装置の一実施例を説明するための光ＣＶ
Ｄ装置の斜視図、第２図は第１図の要部拡大断面図、第
３図は膜成長速度と組成比との関係を示す図である。
Ｄ装置の斜視図、第２図は第１図の要部拡大断面図、第
３図は膜成長速度と組成比との関係を示す図である。
Claims (1)
- 光の照射により活性化した反応ガスにより上記反応容器
内に設けた基板に成膜するＣＶＤ装置において、上記基
板を光照射により加熱するようにしたことを特徴とする
光ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26100889A JPH0340423A (ja) | 1989-10-05 | 1989-10-05 | 光ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26100889A JPH0340423A (ja) | 1989-10-05 | 1989-10-05 | 光ｃｖｄ装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11725684A Division JPS60261129A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | 光ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0340423A true JPH0340423A (ja) | 1991-02-21 |
Family
ID=17355775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26100889A Pending JPH0340423A (ja) | 1989-10-05 | 1989-10-05 | 光ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0340423A (ja) |
-
1989
- 1989-10-05 JP JP26100889A patent/JPH0340423A/ja active Pending
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