JPH0338850A - Method for apparatus for selecting semiconductor chip - Google Patents

Method for apparatus for selecting semiconductor chip

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JPH0338850A
JPH0338850A JP17526389A JP17526389A JPH0338850A JP H0338850 A JPH0338850 A JP H0338850A JP 17526389 A JP17526389 A JP 17526389A JP 17526389 A JP17526389 A JP 17526389A JP H0338850 A JPH0338850 A JP H0338850A
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Abstract

PURPOSE:To eliminate a useless process by a method wherein an aging operation and a test of many semiconductor chips which are arranged on a wafer are executed in parallel and the semiconductor chips are selected in a wafer state. CONSTITUTION:Terminals 111, 121,... are extracted respectively at peripheral parts of semiconductor chips 11, 12, 13,... which have been arranged on a wafer 10. Normally, 200 to 300 pieces of such semiconductor chips are arranged on the wafer 10; an arrangement interval between the individual terminals is several tens of mmu to several hundred mmu. An aging operation and a test of the many semiconductor chips 11, 12, 13,... which are arranged on the wafer 10 are executed in parallel. When the semiconductor chips 11, 12, 13,... are decided to be defective in a state that they are arranged on the wafer 10, they are thrown away; thereby, it is possible to eliminate a useless operation that the defective semiconductor chips are sent to a bonding process of connection pins and a packaging process.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体チップの選別方法および装置に関する
ものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a method and apparatus for sorting semiconductor chips.

従来の技術 半導体チップからなるメモリ、LSIロック等のIC素
子の製造は、ウェハーと呼ばれるシリコン上に写真印刷
およびそれのエツチング等各種の工程を経て多数の半導
体チップを形成し、個々の半導体チップにダイシングし
、パッケージングする等して製造されるものである。現
在では、ウェハー上には、200個から300個の半導
体チップが配列されている。一般の製造工程では、出来
上がったウェハーを、ウェハープローバーとテスターの
組合せで、ウェハー上の半導体チップを1つIつテスト
し、このステージで規格からはずれた半導体チップには
、インキでマーキングし、不良とみなし、以後の工程に
は入らずに、その不良半導体チップとして廃棄していた
。このステージで良品とされた半導体チップは、ウェハ
ーのダイシングにより1つ1つの半導体チップとして切
り離され、半導体チップの各端子に必要な接続用ピンを
ボンディングにより接続して後モールドによりパッケー
ジングしてIC素子とされる。
Conventional technology In the manufacture of IC devices such as memories and LSI locks made of semiconductor chips, a large number of semiconductor chips are formed on a silicon wafer through various processes such as photo printing and etching, and then each semiconductor chip is separated into individual semiconductor chips. It is manufactured by dicing, packaging, etc. Currently, 200 to 300 semiconductor chips are arranged on a wafer. In the general manufacturing process, each semiconductor chip on the wafer is tested one by one using a combination of a wafer prober and a tester, and semiconductor chips that deviate from the standard at this stage are marked with ink and defective. Therefore, the chip was discarded as a defective semiconductor chip without going into any further process. Semiconductor chips determined to be non-defective at this stage are separated into individual semiconductor chips by wafer dicing, and the necessary connection pins are connected to each terminal of the semiconductor chip by bonding, and then packaged by molding to form an IC. It is considered to be an element.

このようにして形成されたIC素子は、エージングされ
る。もし、エージングをしないで出荷してしまうと、最
終テストで良品と判定されたIC素子でも、はぼ100
0時間作動させると初期不良を起こすものが多数生じて
しまって問題となるから、このように出荷前にエージン
グをしておく必要があるのである。このエージングは、
IC素子を高温状態(125℃)にして約24時間直流
電圧を印加する等の方法で行われている。このようなエ
ージングの後に、最終テストを行って、規格に合格した
ものを最終製品として出荷している。
The IC element thus formed is aged. If shipped without aging, even if the IC element was determined to be good in the final test, it would still be 100%
If the device is operated for 0 hours, many items will develop initial defects, which is problematic, so it is necessary to age the device in this way before shipping. This aging is
This is done by heating the IC element to a high temperature (125° C.) and applying a DC voltage for about 24 hours. After such aging, a final test is performed, and those that pass the standards are shipped as final products.

発明が解決しようとする課題 前述したようなIC素子の製造方法では、エジング後の
最終テストにて不良品とされるIC素子がかなりの数に
のぼり、これら不良IC素子は、製品とされずに廃棄し
なければならなかったのである。これら廃棄されてしま
う不良IC素子でも、ダイシングされた半導体チップに
接続用ピンをボンディングしたりモールドによるパッケ
ージングしたりする工程を経てきたものであるから、こ
れを廃棄してしまうのでは、このような工程に費やされ
た時間と労力と費用が全くの無駄となってしまうことに
なっていた。
Problems to be Solved by the Invention In the above-mentioned IC device manufacturing method, a considerable number of IC devices are found to be defective in the final test after aging, and these defective IC devices are not made into products. It had to be discarded. Even these defective IC elements that are discarded have gone through processes such as bonding connection pins to diced semiconductor chips and packaging them with molds, so it is difficult to discard them. The time, effort, and money spent on this process would have been a complete waste.

そこで、もし、ウェハー上に多数の半導体チップが配列
された状態において、前述したようなエージングを行い
、その後においてウェハープローバーとテスターとの組
合せでテストし、良品と判定されたものだけをダイシン
グにより個々の半導体チップとして、接続用ピンのボン
ディング、パッケージングをしてIC素子とするように
すれば、前述したような無駄をなくすることができるも
のと考えられる。
Therefore, if a large number of semiconductor chips are arranged on a wafer, aging as described above is performed, and then a test is performed using a combination of a wafer prober and a tester, and only those that are determined to be good are individually diced. It is thought that if the semiconductor chip is made into an IC element by bonding the connection pins and packaging, the above-mentioned waste can be eliminated.

ところが、現在行われているエージングには、大別して
次のような3種類のものがある。
However, there are three types of aging that are currently being performed:

(1)  半導体チップを高温(例えば、125℃)状
態にして、直流電圧を印加するDCエージング。
(1) DC aging, in which a semiconductor chip is brought to a high temperature (for example, 125°C) and a DC voltage is applied.

(2)前記(1)のDCエージングに加えて、必要な接
続用ピンにパルスを印加するグイナミックエージング。
(2) In addition to the DC aging described in (1) above, dynamic aging involves applying pulses to necessary connection pins.

(3)  出力ピンから読み出してモニター(テスト)
するモニタードエージング又はテストエージング。
(3) Read from the output pin and monitor (test)
Monitored aging or test aging.

このようなエージングを、ウェハー上に配列された多数
の半導体チップに対して行うには、各半導体チップの各
端子に、必要な直流電圧やパルスを印加する必要がある
。これを、ウェハー上の半導体チップについて1つずつ
行うのでよいならば、従来のウェハープローバーという
機器でチップの端子とテスターとを接続することにより
可能であり、現在でも行われている。しかしながら、ウ
ェハー上に200から300個もある多数の半導体チッ
プを、このように1つずつエージングするのでは、時間
と手間が掛かり過ぎ実際的ではない。
In order to perform such aging on a large number of semiconductor chips arranged on a wafer, it is necessary to apply a necessary DC voltage or pulse to each terminal of each semiconductor chip. If this can be done for each semiconductor chip on a wafer one by one, it can be done and is still done today by connecting the chip terminals to a tester using a conventional device called a wafer prober. However, aging a large number of 200 to 300 semiconductor chips on a wafer one by one in this way takes too much time and effort and is not practical.

本発明の目的は、前述したような従来の技術の問題点を
解消しうるような半導体チップの選別方法および装置を
提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method and apparatus for sorting semiconductor chips that can solve the problems of the conventional techniques as described above.

課題を解決するための手段 本発明による半導体チップの選別方法は、ウェハー上に
配列された多数の半導体チップを並列的にエージングし
、テスティングすることにより、ウェハー状態にて半導
体チップの選別を行うことを特徴とする。
Means for Solving the Problems The method for sorting semiconductor chips according to the present invention performs sorting of semiconductor chips in a wafer state by aging and testing a large number of semiconductor chips arranged on a wafer in parallel. It is characterized by

また、本発明による半導体チップの選別装置は、選別す
べき半導体チップを配列したウェハーを載置するための
基台と、該基台上に載置された前記ウェハーの上に重ね
られ所定の弾性的圧縮力を受けるときにその部分が電気
的に導通ずる弾性的導通部材と、該弾性的導通部材の上
に積層される複数のプリント基板層からなる端子取出し
手段と、前記弾性的導通部材および端子取出し手段を前
記ウェハーに対して押圧するための押圧手段と、前記端
子取出し手段をエージングおよびテスティング装置に接
続するための接続手段とを備えており、前記端子取出し
手段の前記複数のプリント基板層のうち前記弾性的導通
部材に最も近いプリント基板層の面には、エージングま
たはテスティングのために取り出す必要のある半導体チ
ップの端子の総数に等しい数の導電性凸部が各端子に対
応する位置に設けられており、各プリント基板層には、
導電性の配線パターンおよびスルーホールが設けられて
おり、前記配線パターンおよびスルーホールは、前記半
導体チップの端子の各々を、前記弾性的導通部材および
前記各導電性凸部を介して、前記複数のプリント基板層
に分散させつつ前記接続手段へと取り出しうるように配
設されていることを特徴とする。
Further, the semiconductor chip sorting apparatus according to the present invention includes a base for placing a wafer on which semiconductor chips to be sorted are arranged, and a base for placing a wafer placed on the base and having a predetermined elasticity. an elastic conductive member whose portion becomes electrically conductive when subjected to a compressive force; a terminal extraction means comprising a plurality of printed circuit board layers laminated on the elastic conductive member; a pressing means for pressing the terminal extracting means against the wafer; and a connecting means for connecting the terminal extracting means to an aging and testing device, the plurality of printed circuit boards of the terminal extracting means On the surface of the printed circuit board layer closest to the elastic conductive member among the layers, there are conductive protrusions corresponding to each terminal, the number being equal to the total number of terminals of the semiconductor chip that need to be taken out for aging or testing. Each printed circuit board layer has a
A conductive wiring pattern and a through hole are provided, and the wiring pattern and through hole connect each of the terminals of the semiconductor chip to the plurality of terminals via the elastic conductive member and each of the conductive protrusions. It is characterized in that it is arranged so that it can be taken out to the connection means while being dispersed in the printed circuit board layer.

実施例 次に、添付図面に基づいて、本発明の実施例について本
発明をより詳細に説明する。
Embodiments Next, the present invention will be described in more detail with reference to embodiments of the present invention based on the accompanying drawings.

第1図は、本発明による半導体チップの選別装置の一実
施例の構成を示す概略図である。第1図に示されるよう
に、この実施例の装置は、選別すべき半導体チップ11
.12.13等を配列したウェハー10を載置するため
の基台1と、この基台1上に載置されたウェハー10の
上に重ねられ所定の弾性的圧縮力を受けるときにその部
分が電気的に導通する弾性的導通部材としての導電ゴム
シー)20と、この導電ゴムシート20の上に積層され
る9枚のプリント基板層31〜39からなる端子取出し
手段30と、導電ゴムシート20および端子取出し手段
30をウェハー10に対して押圧するための押圧板40
と、端子取出し手段30をエージングおよびテスティン
グ装置(図示していない)に接続するための接続手段と
してのエツジコネクタ50とを備えている。
FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of an embodiment of a semiconductor chip sorting apparatus according to the present invention. As shown in FIG. 1, the apparatus of this embodiment has semiconductor chips 11 to be sorted.
.. A base 1 on which wafers 10 arranged with wafers 12, 13, etc. are placed; A conductive rubber sheet 20 as an elastic conductive member that conducts electrically, a terminal extraction means 30 consisting of nine printed circuit board layers 31 to 39 laminated on the conductive rubber sheet 20, and a conductive rubber sheet 20 and Pressing plate 40 for pressing the terminal extraction means 30 against the wafer 10
and an edge connector 50 as a connection means for connecting the terminal extraction means 30 to an aging and testing device (not shown).

最下層のプリント基板層31の下面には、エージングま
たはテスティングのために取り出す必要のある半導体チ
ップの端子の総数に等しい数の導電性凸部311が各端
子に対応する位置に設けられており、各プリント基板層
には、後述するように、導電性の配線パターンおよびス
ルーホールが設けられている。
On the bottom surface of the lowermost printed circuit board layer 31, conductive protrusions 311 are provided at positions corresponding to each terminal, the number being equal to the total number of terminals of the semiconductor chip that need to be taken out for aging or testing. , each printed circuit board layer is provided with a conductive wiring pattern and through holes, as will be described later.

次に、各プリント基板層に設けられる導電性の配線パタ
ーンおよびスルーホールの配置例について説明する。
Next, an example of the arrangement of conductive wiring patterns and through holes provided in each printed circuit board layer will be described.

第2図に部分的に拡大して示すように、ウェハ−10の
上に配列された半導体チップ11.12、弘13.14
.15、・・・・には、それぞれ周辺部に端子111.
121、・・・・が出されている。これら各半導体チッ
プの周辺部に設けられた端子は、例えば、第2図におい
て端子番号1から20を付して示されるように、20個
ある。このような半導体チップがウェハー10上に、通
常、200〜300個あり、各端子の配列間隔は、数■
0ミクロンから数100ミクロンである。一方、本発明
の半導体チップの選別方法によれば、ウェハー」二に配
列された多数の半導体チップを並列的にエージングし、
テスティングすることにより、非常に短時間に簡単な操
作にて、半導体チップの選別を行うことができる。しか
し、このような並列的なエージングを行うためには、ウ
ェハー10上の200から300個の半導体チップの各
端子に同時に直流電圧なり、パルス電圧を印加しなけれ
ばならない。そして、このためには、各半導体チップの
各端子をエージングおよびテスティング装置へと接続で
きるように取り出すことが必要で0 ある。数10ミクロンから数100ミクロンという狭い
間隔でウェハーlO上に配列されている半導体チップの
多数の端子に対して直接的に接続用接触子を立てること
は難しい。そこで、第1図に示した本発明の選別装置の
実施例では、導電ゴムシート20と、9枚のプリント基
板層からなる端子取出し手段30とを用いて、半導体チ
ップの端子の各々を、その9枚のプリント基板層31か
ら39に分散させつつエツジコネクタ50へと取り出し
うるようにしている。
As partially enlarged in FIG. 2, semiconductor chips 11, 12 and 13, 14 are arranged on a wafer 10.
.. 15, . . . each have a terminal 111 .
121,... are issued. There are, for example, 20 terminals provided on the periphery of each of these semiconductor chips, as shown by terminal numbers 1 to 20 in FIG. There are usually 200 to 300 such semiconductor chips on the wafer 10, and the arrangement interval of each terminal is several inches.
The range is from 0 microns to several hundred microns. On the other hand, according to the semiconductor chip sorting method of the present invention, a large number of semiconductor chips arranged on a wafer are aged in parallel,
By testing, semiconductor chips can be sorted in a very short time and with simple operations. However, in order to perform such parallel aging, it is necessary to simultaneously apply a DC voltage or pulse voltage to each terminal of 200 to 300 semiconductor chips on the wafer 10. And for this purpose, it is necessary to take out each terminal of each semiconductor chip so that it can be connected to aging and testing equipment. It is difficult to erect connection contacts directly to a large number of terminals of semiconductor chips arranged on a wafer IO at narrow intervals of several tens of microns to several hundreds of microns. Therefore, in the embodiment of the sorting device of the present invention shown in FIG. It is arranged so that it can be taken out to the edge connector 50 while being distributed among the nine printed circuit board layers 31 to 39.

すなわち、ウェハー10上に配列された半導体チップの
端子の全てを、−層面にて出すことはできないので次の
ような方法をとっている。
That is, since it is not possible to expose all the terminals of the semiconductor chips arranged on the wafer 10 on the negative layer surface, the following method is used.

第3図は、ウェハー上に配列された半導体チップを9つ
のグループに分け、各半導体チップにそれが属するグル
ープの番号を付して示したものである。第3図において
、番号1を付して示されるグループの半導体チップの端
子は、プリント基板層31を用いて取り出し、番号2を
付して示されるグループの半導体チップの端子は、プリ
ント基板層32を用いて取り出し、番号3を付して示さ
れるグループの半導体チップの端子は、プリント基板層
33を用いて取り出し、番号4を付して示されるグルー
プの半導体チップの端子は、プリント基板層34を用い
て取り出し、番号5を付して示されるクループの半導体
チップの端子は、プリント基板層35を用いて取り出し
、番号6を付して示されるグループの半導体チップの端
子は、プリント基板層36を用いて取り出し、番号7を
付して示されるグループの半導体チップの端子は、プリ
ント基板層37を用いて取り出し、番号8を付して示さ
れるグループの半導体チップの端子は、プリント基板層
38を用いて取り出し、番号9を付して示されるグルー
プの半導体チップの端子は、プリント基板層39を用い
て取り出すようにする。
In FIG. 3, semiconductor chips arranged on a wafer are divided into nine groups, and each semiconductor chip is shown with the number of the group to which it belongs. In FIG. 3, the terminals of the semiconductor chips in the group designated by number 1 are taken out using the printed circuit board layer 31, and the terminals of the semiconductor chips in the group designated by number 2 are taken out using the printed circuit board layer 31. The terminals of the semiconductor chips in the group marked with number 3 are taken out using the printed circuit board layer 33, and the terminals of the semiconductor chips in the group marked with number 4 are taken out using the printed circuit board layer 34. The terminals of the semiconductor chips in the group numbered 5 are taken out using the printed circuit board layer 35, and the terminals of the semiconductor chips in the group numbered 6 are taken out using the printed circuit board layer 36. The terminals of the semiconductor chips in the group designated with number 7 are taken out using the printed circuit board layer 37, and the terminals of the semiconductor chips in the group designated with number 8 are taken out using the printed circuit board layer 38. The terminals of the semiconductor chips in the group indicated by number 9 are taken out using the printed circuit board layer 39.

DCエージングの場合には、プリント基板層31に設け
る導電性の配線パターンおよびスルホールは、第4図に
平面的に略示するようにすることができる。第4図にお
いて、このプリント基板層31の下にくるウェハー上の
半導体チップは、2 点線で示されている。このプリント基板層31の下面に
は、第1図に示されるように、ウェハ10上の半導体チ
ップの端子のうちの取り出す必要のある端子に対応する
位置に導電性凸部311がもうけられており、これら導
電性凸部311の位置からプリント基板層31の上面へ
と抜ける導電性のスルーホール312が設けられており
、第4図によく示されるように、プリント基板層31の
上面には、各スルーホール312を相互接続するような
導電性の配線パターン313が設けられている。これら
配線パターン313は、プリント基板層のエツジ部に設
けられる接続端子333で終わっている。同様に、プリ
ント基板層32から39にも、グループ番号2から9の
半導体チップの取り出しを要する端子に接続するための
スルホールおよび配線パターンがそれぞれ設けられてい
る。プリント基板層31から39の間の電気的接続は、
各プリント基板層に適当に配置したスルーホールを介し
て行うようにする。そして、ウェハー10上の全ての半
導体チップの取り出しを必3 要とする端子は、最下層のプリント基板層31の下面の
エツジ部に配設された必要数の接続端子333と、最上
層のプリント基板層39の上面のエツジ部に配設された
必要数の接続端子393とへと取り出されることになる
In the case of DC aging, the conductive wiring pattern and through-holes provided in the printed circuit board layer 31 can be as schematically shown in plan in FIG. 4. In FIG. 4, the semiconductor chips on the wafer below this printed circuit board layer 31 are indicated by two dotted lines. As shown in FIG. 1, conductive protrusions 311 are provided on the lower surface of this printed circuit board layer 31 at positions corresponding to terminals that need to be taken out among the terminals of the semiconductor chips on the wafer 10. , conductive through-holes 312 extending from the positions of these conductive protrusions 311 to the upper surface of the printed circuit board layer 31 are provided, and as shown in FIG. A conductive wiring pattern 313 is provided to interconnect each through hole 312. These wiring patterns 313 terminate at connection terminals 333 provided at the edges of the printed circuit board layer. Similarly, printed circuit board layers 32 to 39 are also provided with through holes and wiring patterns for connecting to terminals from which semiconductor chips of group numbers 2 to 9 need to be taken out. The electrical connections between printed circuit board layers 31 to 39 are
This is done through appropriately placed through holes in each printed circuit board layer. The terminals required to take out all the semiconductor chips on the wafer 10 are the necessary number of connection terminals 333 arranged on the edge of the bottom surface of the bottom printed circuit board layer 31 and the printed circuit board layer 333 on the top layer. It is taken out to the necessary number of connection terminals 393 disposed on the edge portion of the upper surface of the substrate layer 39.

第1図に示すように、前述したような構成の端子取出し
手段30の左側のエツジ部に対してエツジコネクタ50
を嵌合させると、エツジコネクタ50のハウジング51
内に配設された各対応する接触子53および54がそれ
ぞれ各対応する接続端子333および393にそれぞれ
接触する。エツジコネクタ50の各接触子53および5
4には、電気ケーブル52が結線されており、この電気
ケーブル52によって、エージングおよびテスティング
装置へと接続される。
As shown in FIG. 1, the edge connector 50
When fitted, the housing 51 of the edge connector 50
Each corresponding contactor 53 and 54 disposed within contacts each corresponding connection terminal 333 and 393, respectively. Each contact 53 and 5 of the edge connector 50
4 is connected to an electrical cable 52, which connects it to aging and testing equipment.

第1図に示したような状態において、押圧板40を矢印
Pで示すように、下方へ押圧すると、最下層のプリント
基板層31の下面に配置された導電性凸部311によっ
て、導電ゴムシート20の対応部分が弾性的に圧縮され
、このように所定4 の圧縮力にて弾性的に圧縮された導電ゴムシートの部分
は、導電性となる。したがって、ウェハー10上の各半
導体チップ11.12、・・・の各対応する端子111
.121、・・・・は、導電ゴムシート20の圧縮部分
、導電性凸部311、各プリント基板層31から39に
適当に配置された導電性スルーホール312および配線
パターン313等を通して、接続端子333および39
3へと電気的に接続されることになる。エージング装置
から電気ケーブル52およびエツジコネクタ50を介し
てエージング用の適当なりC電圧を接続端子333およ
び393に印加することにより、ウェハー10上の全て
の半導体チップのエージングを並列的に行うことができ
る。
In the state shown in FIG. 1, when the press plate 40 is pressed downward as indicated by the arrow P, the conductive rubber sheet is The corresponding portions of 20 are elastically compressed, and the portions of the conductive rubber sheet thus elastically compressed with a predetermined compression force of 4 become conductive. Therefore, each corresponding terminal 111 of each semiconductor chip 11, 12, . . . on the wafer 10
.. 121, . . . are connecting terminals 333 through the compressed portion of the conductive rubber sheet 20, the conductive convex portion 311, conductive through holes 312 and wiring patterns 313 appropriately arranged in each of the printed circuit board layers 31 to 39, etc. and 39
It will be electrically connected to 3. By applying an appropriate C voltage for aging from the aging device to the connection terminals 333 and 393 via the electric cable 52 and the edge connector 50, all semiconductor chips on the wafer 10 can be aged in parallel. .

また、例えば、メモリーのエージングで、グイナミック
エージングおよびモニタードエージングするような場合
でも、前述したようなプリント基板層に設ける導電性の
配線パターンおよびスルホールの配置を適当に設計する
ことにより、各同一ピンをパラレルに結線し、パルスを
その端子に5 印加することにより、すべての半導体チップを同時にエ
ーシングすることができる。
Furthermore, even when aging memory, such as dynamic aging and monitored aging, by appropriately designing the conductive wiring pattern and through-hole arrangement on the printed circuit board layer as described above, it is possible to By connecting the pins in parallel and applying 5 pulses to their terminals, all semiconductor chips can be aced simultaneously.

さらにまた、テストしながらのモニタードエジングも、
同様の方法にて簡単に行うことができる。
Furthermore, we also carry out monitored aging while testing.
This can be easily done using a similar method.

発明の効果 前述したような本発明の半導体チップの選別方法および
装置によれば、ウェハー上の半導体チップの各種エージ
ングおよびモニタードエージングを、ウェハー上にある
状態にて、短時間に非常に簡単に行うことができるので
、ICの製造コストを大幅に低減するとかできる。その
上、ウェハー上にある状態で不良と判定された半導体チ
ップは、その時点で廃棄し、不良となる半導体チップを
、接続ピンのボンディングやパッケージングの工程にか
けるというような無駄をなくすることができるので、I
C製造の歩留まりをさらに上げることができ、製造コス
トをさらに低減させることができる。
Effects of the Invention According to the semiconductor chip sorting method and apparatus of the present invention as described above, various types of aging and monitored aging of semiconductor chips on a wafer can be performed very easily in a short time while the semiconductor chips are on the wafer. Therefore, it is possible to significantly reduce the manufacturing cost of the IC. Furthermore, semiconductor chips that are determined to be defective while still on the wafer are discarded at that point, eliminating waste such as subjecting defective semiconductor chips to processes such as bonding of connection pins and packaging. can be done, so I
The yield of C manufacturing can be further increased, and manufacturing costs can be further reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本発明による半導体チップの選別装置の一実
施例の構成を示す概略図、第2図は、ウェハー上の半導
体チップを部分的に拡大して示す概略図、第3図は、ウ
エノ\−上の半導体チップのグループ分けを説明するた
めの概略図、第4図は、第1図の半導体チップの選別装
置に使用するプリント基板層の一例を示す概略平面図で
ある。 1・・・・・・基台、10・・・・・・ウエノ\−11
,12,13,14,15・・・・・・半導体チップ、
20・・・・・・導電ゴムシート、 30・・・・・・端子取出し手段、 31〜39・・・・・・プリント基板層、40・・・・
・・押圧板、50・・・・・・エツジコネクタ、111
.1.21131・・・・・・端子、311・・・・・
導電性凸部、 312・・・・・・スルーホール、 313・・・・・・配線パターン、 333.393・・・・・・接続端子。 7 第こ 0回国円 田田円円 口円ロロ 円困円円 円田円困 El[]田円 田囚OB 第4 1図 困困円囚 日円円円 円円口口 EIEIEI困 E1円円田 円日日円 円日口口 図
FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of an embodiment of a semiconductor chip sorting device according to the present invention, FIG. 2 is a schematic diagram showing a partially enlarged view of semiconductor chips on a wafer, and FIG. FIG. 4 is a schematic diagram for explaining grouping of semiconductor chips on Ueno\-. FIG. 4 is a schematic plan view showing an example of a printed circuit board layer used in the semiconductor chip sorting apparatus of FIG. 1. 1... Base, 10... Ueno\-11
, 12, 13, 14, 15... semiconductor chip,
20... Conductive rubber sheet, 30... Terminal extraction means, 31-39... Printed board layer, 40...
... Pressing plate, 50 ... Edge connector, 111
.. 1.21131...Terminal, 311...
Conductive convex portion, 312... Through hole, 313... Wiring pattern, 333.393... Connection terminal. 7 This 0th Country Entada En Enku Yen Rolo En Taku En En Ta En Ta En En Exec El [] Tan Enda Prisoner OB No. 4 1 Difficult Yen Prisoner Day Yen Yen Yen Yen En Entrance Mouth EIEIEI E 1 Yen Tayen daily yen daily yen daily mouth map

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)ウエハー上に配列された多数の半導体チップを並
列的にエージングし、テスティングすることにより、ウ
エハー状態にて半導体チップの選別を行うことを特徴と
する半導体チップの選別方法。
(1) A semiconductor chip sorting method characterized by sorting semiconductor chips in a wafer state by aging and testing a large number of semiconductor chips arranged on a wafer in parallel.
(2)選別すべき半導体チップを配列したウエハーを載
置するための基台と、該基台上に載置された前記ウエハ
ーの上に重ねられ所定の弾性的圧縮力を受けるときにそ
の部分が電気的に導通する弾性的導通部材と、該弾性的
導通部材の上に積層される複数のプリント基板層からな
る端子取出し手段と、前記弾性的導通部材および端子取
出し手段を前記ウエハーに対して押圧するための押圧手
段と、前記端子取出し手段をエージングおよびテスティ
ング装置に接続するための接続手段とを備えており、前
記端子取出し手段の前記複数のプリント基板層のうち前
記弾性的導通部材に最も近いプリント基板層の面には、
エージングまたはテスティングのために取り出す必要の
ある半導体チップの端子の総数に等しい数の導電性凸部
が各端子に対応する位置に設けられており、各プリント
基板層には、導電性の配線パターンおよびスルーホール
が設けられており、前記配線パターンおよびスルーホー
ルは、前記半導体チップの端子の各々を、前記弾性的導
通部材および前記各導電性凸部を介して、前記複数のプ
リント基板層に分散させつつ前記接続手段へと取り出し
うるように配設されていることを特徴とする半導体チッ
プ選別装置。
(2) A base for placing a wafer on which semiconductor chips to be sorted are arranged, and a portion of the wafer placed on the base when the wafer is placed on top of the wafer and subjected to a predetermined elastic compressive force. an elastic conductive member that is electrically conductive; a terminal extraction means comprising a plurality of printed circuit board layers laminated on the elastic conduction member; and a terminal extraction means that connects the elastic conduction member and the terminal extraction means to the wafer. and a connecting means for connecting the terminal extracting means to an aging and testing device, and the terminal extracting means is provided with a pressing means for pressing the elastic conductive member among the plurality of printed circuit board layers. On the side of the nearest printed circuit board layer,
A number of conductive protrusions equal to the total number of terminals of the semiconductor chip that need to be taken out for aging or testing are provided at positions corresponding to each terminal, and each printed circuit board layer is provided with a conductive wiring pattern. and a through hole are provided, and the wiring pattern and the through hole distribute each of the terminals of the semiconductor chip to the plurality of printed circuit board layers via the elastic conductive member and each of the conductive convex portions. 1. A semiconductor chip sorting device, wherein the semiconductor chip sorting device is arranged such that it can be taken out to the connecting means while being removed.
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