JPH03384B2 - - Google Patents

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JPH03384B2
JPH03384B2 JP58127143A JP12714383A JPH03384B2 JP H03384 B2 JPH03384 B2 JP H03384B2 JP 58127143 A JP58127143 A JP 58127143A JP 12714383 A JP12714383 A JP 12714383A JP H03384 B2 JPH03384 B2 JP H03384B2
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JP
Japan
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group
formula
solution
compound
ethyl acetate
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JP58127143A
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JPS6019763A (ja
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Takeo Kobayashi
Naoko Fujino
Tetsuo Hiraoka
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Sankyo Co Ltd
Original Assignee
Sankyo Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6019763A publication Critical patent/JPS6019763A/ja
Publication of JPH03384B2 publication Critical patent/JPH03384B2/ja
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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/55Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は強力な抗菌活性を有するチエナマイシ
ン及びその類縁化合物の合成中間体として重要な
化合物である一般式 を有するアゼチジノンチオエステル類の製造法に
関するものである。 式中、R1は水素原子または低級アルキル基を
示し、R2は水素原子または水酸基の保護基を示
し、R3は低級アルキル基、シクロアルキル基、
ヘテロシクリル基、アリール基、アラルキル基、
ヘテロアリール基またはヘテロアラルキル基を示
し、R4は水素原子またはアミド基の保護基を示
す。 前記一般式()中のR1,R2,R3およびR4
ついて具体的に説明する。R1として水素原子ま
たは炭素数1乃至8個のアルキル基(例えばメチ
ル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−
ブチル、イソブチル、ペンチル、ヘキシル、オク
チル等)があげられる。 R2としては、水素原子または常用される水酸
基の保護基があげられ、保護基としては、例えば
脂肪族アシル基(例えばホルミル、アセチル、プ
ロピオニル、n−ブチチリル、イソブチリル等)、
芳香族アシル基(例えばベンゾイル、o−ニトロ
ベンゾイル、p−ニトロベンゾイル等)、低級ア
ルコキシカルボニル基(例えばメトキシカルボニ
ル、エトキシカルボニル、n−ブトキシカルボニ
ル、イソブトキシカルボニル等)ハロゲノ低級ア
ルコキシカルボニル基(例えば2,2,2−トリ
クロルエトキシカルボニル等)、トリアルキルシ
リル低級アルコキシカルボニル基(例えば2−ト
リメチルシリル、エトキシカルボニル等)、アラ
ルキル基(例えばベンジル、o−ニトロベンジ
ル、p−ニトロベンジル等)、アラルキルオキシ
カルボニル基(例えばベンジルオキシカルボニ
ル、o−ニトロベンジルオキシカルボニル、p−
ニトロベンジルオキシカルボニル、p−メトキシ
ベンジルオキシカルボニル等)、トリ低級アルキ
ルシリル基(例えばトリメチルシリル、ジメチル
−tert−ブチルシリル等)、低級アルコキシ基を
置換分として有するか有しない環内に酸素原子ま
たは硫黄原子を含有する5または6員複素環基
(例えば2−テトラヒドロフラニル、2−テトラ
ヒドロピラニル、4−メトキシテトラヒドロフラ
ン−4−イル、2−テトラヒドロチオピラニル
等)、低級アルコキシまたはアラルキルオキシ基
を置換分として有する低級アルキル基(例えばメ
トキシメチル、エトキシメチル、2−メトキシエ
トキシメチル、ベンジルオキシメチル等)、低級
アルキルチオメチル基(メチルチオメチル、エチ
ルチオメチル等)またはアラルキルチオメチル基
(例えばベンジルチオメチル、o−ニトロベンジ
ルチオメチル、p−ニトロベンジルチオメチル
等)があげられる。 R3としては、炭素数1乃至8個のアルキル基
(例えばメチル、エチル、n−プロピル、イソプ
ロピル、n−ブチル、イソブチル、ペンチル、ヘ
キシル、オクチル等)、シクロアルキル基(例え
ばシクロブチル、シクロペンチル、シクロヘプチ
ル等)、ヘテロシクリル基(例えばピペリジル、
ピロリジニル、モルホリニル等)、アリール基
(例えばフエニル、p−トリル、p−ニトロフエ
ニル、p−メトキシフエニル、p−クロロフエニ
ル等)、アラルキル基(例えばベンジル、p−ニ
トロベンジル、p−メトキシベンジル、p−クロ
ロベンジル等)、ヘテロアリール基(例えばピリ
ジン、チエニル、フリル、イミダゾリル等)また
はヘテロアラルキル基(例えばピリジルメチル、
チエニルメチル、フルフリル等)があげられる。 R4としては、水素原子、または常用されるア
ミド基の保護基があげられ、保護基としては、炭
素数1乃至8個のアルキル基(例えばメチル、エ
チル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチ
ル、イソブチル、ペンチル、ヘキシル、オクチル
等)、アラルキル基〔例えばベンジル、p−ニト
ロベンジル、p−メトキシベンジル、2,4−ジ
メトキシベンジル、ジフエニルメチル、ジ(p−
メトキシフエニル)メチル等〕、アリール基(例
えばフエニル、p−ニトロフエニル、p−メトキ
シフエニル、2,4−ジメトキシフエニル、p−
ブロモフエニル等)、アシル基(例えばアセチル、
イソブチリルのような炭素数2乃至4個を有する
脂肪族アシル基若しくはベンゾイル、p−クロロ
ベンゾイルのような芳香族アシル基等)、アラル
キルオキシカルボニル基(例えばベンジルオキシ
カルボニル、p−ニトロベンジルオキシカルボニ
ル等)、トリアルキルシリル低級アルコキシカル
ボニル基(例えば2−トリメチルシリルエトキシ
カルボニル等)、またはトリ低級アルキルシリル
基(例えばトリメチルシリル、ジメチル−tert−
ブチルシリル等)があげられる。 本発明によつて得られる前記一般式()を有
する化合物においては、アゼチジノン環の3およ
び4位に結合している置換分並びに側鎖
【式】基の配置により種々の立体異性体が 存在する。前記一般式()においては、これら
の異性体およびこれらの異性体の混合物がすべて
単一の式で示されているが、これにより本発明の
記載の範囲は限定されるものではない。 本発明の製造方法においては立体化学は反応中
に変化しないので光学活性の立体異性体を出発原
料に用いれば、前記一般式()で示される化合
物の内の一つの光学活性を有する立体異性のみを
得ることが可能である。 近年、グラム陽性菌および陰性菌にわたる広範
囲の病原菌に対して優れた抗菌活性を表わす抗生
物質であるチエナマイシンが発見されて、その全
合成法に関しても報告されている(特開昭53−
65892号;J.Am.Chem.Soc.,1978,100,313;J.
Am.Chem,Soc.,1980,102,6161;J.Chem,
Soc.Parkin ,1981,964等)。本発明者は、
抗菌作用を有する医薬の開発研究の一環としてア
ゼチジノン化合物の合成研究を進めた結果、チエ
ナマイシン系化合物の合成中間体として有用な新
規アゼチノン化合物()を見出し、本発明を完
成するに到つた。 以下、化合物()の製造方法について、詳し
く説明する。 一般式 (式中、R1,R2,R3およびR4は前述したもの
と同意義を示す。)で表わされる化合物()は、
一般式 (式中、R1,R2,R3およびR4は前述したもの
と同意義を示す。)で表わされる化合物()を
水加反応に付することにより得られる。すなわち
チオエチニル化合物()を溶媒中で酸触媒、ア
ルカリ触媒、無機金属触媒あるいは無触媒の条件
下で水と反応させるかまたは有機酸と反応させた
後水と処理することによりチオエステル()が
得られる。使用される溶媒としてはヘキサン、ベ
ンゼンのような炭化水素類、ジクロロメタン、ク
ロロホルムのようなハロゲン化炭化水素類、ジエ
チルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン
のようなエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチルの
ようなエステル類、アセトン、メチルエチルケト
ンのようなケトン類、N,N−ジメチルホルムア
ミド、N,N−ジメチルアセトアミドのようなア
ミド類、ジメチルスルホキシド等があげられる
が、本反応に影響を及ぼさない溶媒が望ましい。
酸触媒としては、トリフルオロ酢酸、酢酸、モノ
クロロ酢酸、安息香酸などの有機カルボニル酸ま
たはp−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン
酸等のスルホン酸をあげることができる。塩基触
媒としては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等
の無機塩基をあげることができる。無機金属触媒
としては酸化水銀、塩化第二水銀等の水銀触媒、
酸化銀、塩化銀等の触媒をあげることができる。
有機酸としては、トリフルオロ酢酸、トリクロロ
酢酸、ジクロロ酢酸、モノクロロ酢酸、酢酸等を
あげることができる。反応温度は触媒の種類にも
よるが、通常−80乃至100℃で行なわれる。反応
時間は30分乃至一昼夜である。反応終了後、必要
ならば反応液を中和したのち反応物を水にあけ、
有機溶媒で抽出したのち、有機溶媒抽出液を洗浄
し、乾燥後、有機溶媒を留去することにより得る
ことができる。 本発明の原料化合物()は次の工程式に従つ
て製造しうる。(工程A〜工程H) 本発明の製法における原料化合物であるアゼチ
ノン化合物()は公開公報明細書(特開昭57−
163362号および特開昭55−7251号)記載の方法に
よつて合成することができる。 (上記式中、R1,R2,R3およびR4は前述した
ものと同意義を有し、R5は低級アルキル基、ア
ラルキル基またはアリール基であり、Arはアリ
ール基を示し、Xはハロゲン原子である。) β−ヒドロキシ−α−ハロゲノカルボン酸
()とアリールアミンとから通常のアミド化縮
合方法、例えばN,N′−ジシクロヘキシルカル
ボジイミド法、混合酸無水物法等によりアミド化
合物()とした後(工程A)、脱ハロゲン化水
素剤を作用させてエポキシ化合物()とする
(工程B)。このエポキシ化合物()と置換チオ
メチルハライド化合物を脱ハロゲン化水素剤を作
用させてスルフイド化合物()としたのち(工
程C)、スルフイドの酸化剤として知られる試薬
を反応させてスルホン化合物()を得(工程
D)、これを塩基で処理することによつてアセチ
ジノン化合物()とする(工程E)。このアゼ
チジノンを得る反応は立体特異性を有することが
特徴である。すなわちエポキシ化合物()に含
まれる2位と3位の2つの不斉炭素原子が光学活
性であるような出発原料を反応させると、アゼチ
ジノン環の3位と側鎖
【式】基の2つの不斉 炭素原子が光学活性であるアゼチジノン化合物
()が得られる。すなわち、2R,3R配位のエ
ポキシ体()を用いると、アゼチジノン生成物
()のアゼチジノン環3位と4位の側鎖がトラ
ンス配位のもののみが得られる。このアゼチジノ
ン化合物()の1位アリール基を硝酸第二セリ
ウムアンモニウムあるいはオゾン等によつて除去
したのち(工程F)、チオアセチレンのグリニヤ
ール化合物を反応させて4−チオエチニル化合物
()とする(工程G)。このアゼチジノンの4位
にチオエチニル基を導入する反応はアゼチジノン
環3位と4位の側鎖はトランス配位のみが選択的
に得られる。このチオエチニル化合物()はヒ
ドロキシル基および1位のNH基が未置換である
が、目的とするチオエチニル化合物()がヒド
ロキシ基および/または1位のNH基が置換され
ている場合には、最後に通常の置換反応を行つて
ヒドロキシル置換および/またはN−置換チオエ
チニル化合物()とする(工程H)。 本発明の製法によつて得られる前記一般式
()を有するアゼチジノン化合物は、前述した
ようにチエナマイシン及びその類縁化合物製造に
おける重要な中間体化合物であるが、例えば以下
に示す反応経路に従つて、強力な抗菌作用を有す
るカルバペネム誘導体()を合成することが
できる。 上記式中、R6はアミノ低級アルキル基、アミ
ジノ低級アルキル基、環内に酸素原子、硫黄原
子、窒素原子若しくはカルボニル基を介していて
もよい4員環乃至8員環を形成する環状脂肪族ア
ミン残基〔上記の置換基における窒素原子はそれ
ぞれ低級アルキル基、低級脂肪族アシル基または
【式】基(式中、R7およびR8は同一 または異なつて水素原子または低級アルキル基を
示す。)で置換されていてもよい。〕またはヘテロ
アリール基を示し、R9は前述したR2と同意義を
有する水酸基の保護基を示し、R10は前述したR6
と同意義を有してその窒素原子が保護されている
基を示し、R11はカルボキシ基の保護基を示し、
R12は低級アルコキシ基またはジ低級アルキルア
ミノ基を示し、Arはアリール基を示し、Xはハ
ロゲン原子を示す。 上記式中、好適な置換基として、以下に示すも
のをあげることができる。 R6としては、例えば−CH2CH2NH2、−
CH2CH2NH−CH=NH、
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】 などがあげられ、 R9としては例えば
【式】 −COOCH2−CH=CH2
【式】 −COOCH2CH2Si(CH33 などがあげられ、 R10における窒素原子の保護基としては例えば
【式】−COOCH2− CH=CH2、−COOCH2CH2Si(CH33などがあげ
られ、R11としては例えば
【式】−CH2CH=CH2、− CH2CH2Si(CH33などがあげられ、 R12としては例えばメトキシ、エトキシ、ジメチ
ルアミノなどがあげられ、 Arとしては例えばフエニル、p−トリル、p−
ニトロフエニル、p−メトキシフエニル、p−ク
ロロフエニル、 Xとしては例えば塩素原子をあげることができ
る。 以下、上記の工程式に従つて説明すると、アゼ
チジノン化合物(a)とメルカプト化合物によ
るチオエステル交換反応により化合物(XI)とし
た後(工程A)、これにシユウ酸モノエステルハ
ライドを反応させてオキザロ誘導体(XII)となし
(工程B)、得られた化合物(XII)に亜リン酸トリ
アルキルエステル若しくはトリジアルキルアミド
を作用させてホスフアイトイリド()を得る
(工程C)。また、化合物(a)をオキザロ誘導
体となし(工程A′)、これをホスフアイトイリド
化合物()として後(工程B′)、チオエステ
ル交換反応によつて化合物()を得ることも
できる(工程C′)。 このようにして得られたホスフアイトイリド化
合物()を加熱閉環反応に付して、カルバペ
ネム化合物()を得(工程D)、これを常法
に従つて水酸基の保護基R9、置換基R10における
窒素原子の保護基およびカルボキシル基の保護基
R1 11を除去して(工程E)、目的の抗菌作用を有
するカルバペネム誘導体()を得ることがで
きる。 以下、実施例ならびに参考例をあげて本発明を
さらに詳細に説明する。 実施例 1 (3S,4R)−3−〔1−(R)−t−ブチルジ
メチルシリルオキシ〕エチル−4−フエニルチ
オカルボニルメチル−アゼチジン−2−オン (3S,4S)−3−〔1−(R)−t−ブチルジメ
チルシリルオキシ〕エチル−4−フエニルチオエ
チニル−アゼチジン−2−オン(3.28g)の無水
ジクロロメタン(75.0ml)溶液に、窒素雰囲気中
にて氷冷撹拌下、トリフルオロ酢酸(3.5ml)を
加え、氷冷下で30分間と更に室温で1.5時間撹拌
する。ついで、反応液を重曹(1.14g)、水(75
ml)及び酢酸エチル(300ml)からなる混液に注
加する。混合溶液を食塩で飽和させたのち分液し
て有機層を分け取り、水層は酢酸エチルにて2回
抽出操作を行なう。得られた有機層と酢酸エチル
層を合わせて炭酸水素ナトリウム水溶液と飽和食
塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥する。溶媒
を減圧で留去したのち得られる残渣をシリカゲル
カラムクロマトグラフイー(シクロヘキサン−酢
酸エチル/3:1)にて精製して、目的とするチ
オエステル化合物(3.09g)を無定形固化物とし
て得た。(収率89.8%) IR スペクトル(CHCl3):1765cm-1 NMRスペクトル(CDCl3)δppm:0.07(6H,
s)、0.87(9H,s)、1.20(3H,d,J=
6)、2.7−3.3(3H,m)、3.8−4.4(2H,
m)、6.12(1H,bs)、7.38(5H,s)。 実施例 2 (3S,4R)−3−〔1−(R)−ヒドロキシエ
チル〕−4−フエニルチオカルボニルメチル−
アゼチジン−2−オン (3S,4S)−3−〔1−(R)−ヒドロキシエチ
ル〕−4−フエニルチオエチニル−アゼチジン−
2−オン(718mg)の無水ジクロロメタン(8ml)
溶液に、窒素雰囲気中にて氷冷撹拌下、トリフル
オロ酢酸(1.1ml)を加え、氷冷下で30分間と更
に室温で1.5時間撹拌する。ついで、反応液を重
曹(2.44g)、水(15ml)及び酢酸エチル(30ml)
からなる混液に注加する。混合溶液を食塩で飽和
させたのち分液して有機層を分け取り、水層は酢
酸エチルにて2回抽出操作を行なう。得られた有
機層と酢酸エチル層を合わせて炭酸水素ナトリウ
ム水溶液と飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウム
で乾燥する。溶媒を減圧で留去したのち得られる
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフイー(シ
クロヘキサン−酢酸エチル/1:3)にて精製し
て、目的とするチオエステル化合物(281mg)を
得た。酢酸エチル−n−ヘキサンから再結晶。融
点121.5〜123.5℃。(収率36.5%) IR スペクトル(KBr):1730cm-1 NMRスペクトル(acetone−d6)δppm:1.23
(3H,d,J=6)、2.77(1H,s)、2.8−
3.3(3H,m)、3.8−4.2(2H,m)、7.25
(1H,bs)、7.50(5H,s) 実施例 3 (3S,4R)−3−〔1−(R)−p−ニトロベ
ンジルオキシカルボニルオキシ〕エチル−4−
フエニルチオカルボニルメチル−アゼチジン−
2−オン (3S,4S)−3−〔1−(R)−p−ニトロベン
ジルオキシカルボニルオキシ〕エチル−4−フエ
ニルチオエチニル−アゼチジン−2−オン(448
mg)の無水ジクロロメタン(5ml)溶液に窒素雰
囲気中にて氷冷撹拌下、トリフルオロ酢酸(0.4
ml)を加え、氷冷下で30分間と更に室温で1.5時
間撹拌する。ついで、反応液を重曹(1.0g)、水
(10ml)及び酢酸エチル(20ml)からなる混液に
注加する。混合溶液を食塩で飽和させたのち分液
して有機層を分け取り、水層は酢酸エチルにて2
回抽出操作を行なう。得られた有機層と酢酸エチ
ル層を合わせて炭酸水素ナトリウム水溶液と飽和
食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥する。溶
媒を減圧で留去したのち得られる残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフイー(シクロヘキサン−
酢酸エチル/1:1)にて精製して、目的とする
チオエステル化合物(95.0mg)を粘調性油状物と
して得た。(収率63.0%) IR スペクトル(CHCl3):1770cm-1 NMRスペクトル(CDCl3)δppm:1.43(3H,
d,J=6)、2.9−3.3(3H,m)、3.8−4.2
(1H,m)、4.7−5.4(1H,m)、5.13(2H,
s)、6.40(1H,bs)、7.33(5H,s)、7.75
(4H,A2B2q,Δδ=44Hz,J=9)。 参考例 1 N−(4−メトキシフエニル)−2S−ブロム
−3R−ヒドロキシ−n−ブチルアミド 2S−ブロム−3R−ヒドロキシ−n−酪酸
(4.61g)とp−アニシジン(3.10g)のテトラ
ヒドロフラン(30ml)溶液に氷冷下、N,N′−
ジシクロヘキシルカルボジイミド(5.2g)を加
え、混合物を1時間撹拌する。沈澱物を去し、
沈澱物をクロロホルムでよく洗浄後、液にクロ
ロホルムを加えて、溶液を重硫酸カリ水溶液、重
曹水で洗浄する。無水硫酸マグネシウムで乾燥
後、溶媒を留去し、結晶性残留物をベンゼンから
再結晶して目的物(3.5g)を得る。母液を濃縮
して得た残留物をシリカゲル・カラムクロマト
(クロロホルム−酢酸エチル/4:1)に付して、
結晶性目的物(3.0g)を得た。全収量6.5g。ベ
ンゼンから再結晶。融点111〜113℃。 IR スペクトル(nujol):3370,3250,1655,
1535,1510cm-1。 NMRスペクトル(CDCl3)δppm:1.35(3H,
d,J=6)、3.25(1H,brd,J=6、重
水で消失)、3.81(3H,s)、4.17(1H,
m;重水によりd,q,J=2.5,6)、
4.39(1H,d,j=2.5)、7.12(4H,
A2B2q,Δδ=37Hz,J=9)、8.45(1H,
brs)。 参考例 2 N−(4−メトキシフエニル)−2R,3R−エ
ポキシ−n−ブチルアミド N−(4−メトキシフエニル)−2S−ブロム−
3R−ヒドロキシ−n−ブチルアミド(850mg)の
ジクロルメタン(10ml)溶液にベンジルトリエチ
ルアンモニウムヨーダイド(50mg)ついで50%カ
性ソーダ水溶液(2ml)を加え、室温で30分撹拌
する。有機溶媒層を分離し、重硫酸カリ水溶液、
水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶
媒を留去すると、結晶性目的物(0.63g)が得ら
れた。融点75℃。 IR スペクトル(nujol):3250,1665cm-1 NMRスペクトル(CDCl3)δppm:1.37(3H,
d,J=5.5)、3.15−3.6(2H,m)、3.79
(3H,s)、7.11(4H,A2B2q,Δδ=37Hz,
J=9)、7.81(1H,brs)。 参考例 3 N−(4−メトキシフエニル)−N−(フエニ
ルチオメチル)−2R,3R−エポキシ−n−ブ
チルアミド N−(4−メトキシフエニル)−2R,3R−エポ
キシ−n−ブチルアミド(9.3g)とフエニルチ
オメチルクロリド(11.3g)の混合物に氷冷下、
ベンジルトリエチルアンモニウムヨーダイド
(0.5g)、50%カ性ソーダ水溶液(10ml)を加え、
つぎに室温で1.5時間撹拌する。クロロホルム、
重硫酸カリ水溶液を加え、クロロホルム層を分
離、水洗、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒
を留去する。残留物をシリカゲル・カラムクロマ
ト(クロロホルム−酢酸エチル/20:1および
10:1)に付して、シロツプ状の目的物(13.5
g)を得た。 IR スペクトル(CHCl3溶液):1670,1510,
1245cm-1。 NMRスペクトル(CDCl3)δppm:1.16(3H,
d,J=5.5)、2.8−3.15(2H,m)、3.83
(3H,s)、5.24(2H,ABq,Δδ=48Hz,
J=14)、6.8−7.5(9H,m)。 参考例 4 N−(4−メトキシフエニル)−N−(フエニ
ルスルホニルメチル)−2R,3R−エポキシ−
n−ブチルアミド N−(4−メトキシフエニル)−N−(フエニル
チオメチル)−2R,3R−エポキシ−n−ブチル
アミド(1.34g)のジクロルメタン(10ml)溶液
に氷冷下、m−クロル過安息香酸(純度85%)
(1.75g)のジクロルメタン(30ml)溶液を加え、
室温で16時間放置する。沈澱物を去し、液を
重曹水で洗浄し、無水流硫酸マグネシウムで乾燥
後、濃縮する。残留物をシリカグゲル・カラムク
ロマト(クロロホルム−酢酸エチル/9:1)に
付して、結晶性の目的物(1.18g)を得た。 ベンゼンから再結晶。融点158〜159℃。 IR スペクトル(nujol):1700,1510,1150cm
-1。 NMRスペクトル(CDCl3)δppm:1.19(3H,
d,J=5.5)、2.8−3.2(2H,m)、3.81
(3H,s)、5.09(2H,ABq,Δδ=35Hz,
J=13.5)、7.09(4H,A2B2q,Δδ=22Hz,
J=9)、7.4−8.0(5H,m)。 参考例 5 3S−(1R−ヒドロキシエチル)−1−(4−メ
トキシフエニル)−4R−(フエニルスルホニル)
アゼチジン−2−オン N−(4−メトキシフエニル)−N−(フエニル
スルホニルメチル)−2R,3R−エポキシ−n−
ブチルアミド(0.50g)のテトラヒドロフラン
(10ml)−リン酸ヘキサメチルトリアミド(以下
HMPTと略す)(1.5ml)溶液に窒素ガス雰囲気
下、エタノール−ドライアイス沿冷却下、1.6Mn
−ブチルリチウム−ヘキサン溶液(1.82ml)を加
え、30分間撹拌する。反応液に重硫酸カリ水溶
液、酢酸エチルを加え、酢酸エチル層を分離し、
水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を
留去する。残留物をシリカゲル・カラムクロマト
(クロロホルム−酢酸エチル/3:1)に付して、
結晶性の目的物(0.41g)を得た。エタノールか
ら再結晶。融点186〜187℃。 IR スペクトル(Nujol):3540,1780,1510,
1250,1150cm-1。 NMRスペクトル(DMSO−d6)δppm:0.86
(3H,d,J=6.5)、3.45(1H,d,d,
J=2,3)、3.76(3H,s)、4.0(1H,
m,重水でd,q,J=3,6.5)、5.10
(1H,d,J=5,重水で消失),5.77
(1H,d,J=2)、7.08(4H,A2B2q,
Δδ=28Hz,J=9)、7.5−8.0(5H,m)。 参考例 6 (3S,4R)−〔1R−(t−ブチルジメチルシ
リルオキシ)エチル〕−1−(4−メトキシフエ
ニル)−4−(フエニルスルホニル)アゼチジン
−2−オン (3S,4R)−(1R−ヒドロキシエチル)−1−
(4−メトキシフエニル)−4−(フエニルスルホ
ニル)アゼチジン−2−オン(300mg)のN,N
−ジメチルホルムアミド(3ml)溶液にイミダゾ
ール(414mg)およびt−ブチルジメチルシリル
クロライド(450mg)を加える。反応液を室温で
一昼夜撹拌後、反応液を酢酸エチルで希釈し、水
で充分に洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥す
る。溶媒を減圧留去したのち、残留物をシリカゲ
ル・カラムクロマト(シクロヘキサン−酢酸エチ
ル/4:1)に付して、シロツプ状の目的物395
mgを得た。(収率:100%) IR スペクトル(CHCl3):1770cm-1 NMRスペクトル(CDCl3)δppm:0.12(6H,
s)、0.85(9H,s)、1.28(3H,d,J=
6)、3.48(1H,t,J=2)、3.87(3H,
s)、4.38(1H,dq,J=2,6)、5.33
(1H,d,J=2)、7.05(4H,A2B2q,
Δδ=28Hz,J=9)、7.3−7.9(5H,m) 参考例 7 (3S,4R)−〔1R−(t−ブチルジメチルシ
リルオキシ)エチル〕−4−(フエニルスルホニ
ル)アゼチジン−2−オン (3S,4R)−〔1R−(t−ブチルジメチルシリ
ルオキシ)エチル〕−1−(4−メトキシフエニ
ル)−4R−(フエニルスルホニル)アゼチジン−
2−オン(49mg)のアセトニトリル(1.8ml)溶
液に氷冷撹拌下硝酸セリウム()アンモニウム
(259mg)の水溶液(10.5ml)をゆつくりと滴下
し、滴下終了後、更に氷冷にて2時間撹拌する。
反応終了後、反応液を減圧濃縮したのち残留水溶
液を食塩で飽和し、酢酸エチルで抽出する。次い
で酢酸エチル抽出液を10%亜硫酸ナトリウム水溶
液で水層が無色になるまで洗浄し、更に飽和重曹
水ならびに飽和食塩水で洗浄する。無水硫酸ナト
リウムで乾燥後、溶媒を留去する。残留物をプリ
パラテイブシリカゲルクロマト(シクロヘキサン
−酢酸エチル/3:1)に付して、結晶状の目的
物17.5mgを得た。(収率46.1%)n−ヘキサン−
エタノールから再結晶。融点164〜168℃。 IR スペクトル(KBr):1780cm-1 NMSスペクトル(CDCl3)δppm:0.10(3H,
s)、0.13(3H,s)、0.92(9H,s)、1.18
(3H,d,J=6)、3.47(1H,t,J=
2)、4.30(1H,dq,J=2,6)、4.80
(1H,d,J=2)、6.62(1H,bs)、7.6−
8.1(5H,m) 参考例 8 (3S,4R)−3−〔(1R)−ヒドロキシエチ
ル)−4−(フエニルスルホニル)アゼチジン−
2−オン 3S,4R−〔3−(1R)−ヒドロキシエチル〕−1
ー(4−メトキシフエニル)−4−(フエニルスル
ホニル)アゼチジン−2−オン(1.80g)のアセ
トニトリル(50ml)溶液に室温撹拌下硝酸セリウ
ム()アンモニウム(8.19g)の水溶液(90
ml)をゆつくりと滴下し、滴下終了後、更に室温
にて2時間撹拌する。反応終了後、反応液を減圧
濃縮したのち残留水溶液を食塩で飽和し、酢酸エ
チルで抽出する。次いで酢酸エチル抽出液を10%
亜硫酸ナトリウム水溶液で水層が無色になるまで
洗浄し、更に飽和重曹水ならびに飽和食塩水で洗
浄する。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留
去する。残留物をn−ヘキサン−酢酸エチルにて
再結晶して、結晶性の目的物(890mg)を得た。
融点141〜143℃。(収率70.1%) IR スペクトル(KBr):1775cm-1 NMRスペクトル(acetone−d6)δppm:1.13
(3H,d,J=6)、2.70(1H,s)、3.45
(1H,t,J=2)、4.4−3.9(2H,m)、
4.92(1H,d,J=2)、7.6−8.1(5H,
m)。 参考例 9 (3S,4S)−3−〔1−(R)−t−ブチルジ
メチルシリルオキシ〕エチル−4−フエニルチ
オエチニル−アゼチジン−2−オン マグネシウム(2.72g)の無水テトラヒドロフ
ラン溶液(150ml)中にゆつくりと氷冷下エチル
ブロマイド(8.37ml)の無水テトラヒドロフラン
溶液(10ml)を滴下し、更に室温にて2時間撹拌
してエチルマグネシウムブロマイド溶液を調整す
る。この溶液を−30℃に冷却し、フエニルチオア
セチレン(18.5g)をゆつくりと加え、滴下終了
後、室温にて2.5時間撹拌する。再び反応溶液を
−60℃に冷却したのち、(3S,4R)−3−〔(1R)
−t−ブチルジメチルシリルオキシエチル−4−
ベンゼンスルホニル−アゼチジン−2−オン
(8.28g)を加え、−20℃まで徐々に温度を上昇し
たのち、氷冷下40分間及び室温にて一晩撹拌す
る。反応終了後、氷冷まで下げ、塩化アンモニウ
ム(12.0g)、水(150ml)及び酢酸エチル(370
ml)からなる混液に注加する。混合溶液を食塩で
飽和させたのち分液して有機層を分け取り、水層
は酢酸エチルにて2回抽出操作を行なう。得られ
た有機層と酢酸エチル層を合わせて飽和食塩水で
洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥する。溶媒を減圧
で留去したのち得られる残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフイー(ベンゼン及びベンゼン−酢
酸エチル/1:1)にて精製して、チオアセチレ
ン化合物(7.50g)を無定形固化物として得た。
(収率92.6%) IR スペクトル(CHCl3):1770cm-1 NMRスペクトル(CDCl3)δppm:0.10(6H,
s)、0.90(9H,s)、1.27(3H,d,J=
6)、3.35(1H,t,J=2)、4.27(1H,
dq,J=2,6)、4.55(1H,d,J=
2)、6.07(1H,bs)、7.1−7.5(5H,m) 参考例 10 (3S,4S)−3−〔1−(R)−ヒドロキシエ
チル〕−4−フエニルチオエチニル−アゼチジ
ン−2−オン マグネシウム(143mg)の無水テトラヒドロフ
ラン溶液(10ml)中にゆつくりと氷冷下エチルブ
ロマイド(0.44ml)の無水テトラヒドロフラン
(2ml)を滴下し、更に室温にて2時間撹拌して
エチルマグネシウムブロマイド溶液を調整する。
この溶液を−30℃に冷却し、フエニルチオアセチ
レン(0.85ml)のn−ヘキサン(0.84ml)溶液を
ゆつくりと加え、滴下終了後、室温にて1時間撹
拌する。再び反応溶液を−30℃に冷却し、t−ブ
チルマグネシウムクロライド溶液(2.1モル/
溶液、5.6ml)を加え室温にて30分間撹拌したの
ち、反応液を−30℃に冷却する。(3S,4R)−3
−(ヒドロキシエチル)−4−ベンゼンスルホニル
−アゼチジン−2−オン(1.0g)を加えたのち、
徐々に温度を上昇したのち室温で2時間撹拌す
る。反応終了後、氷冷まで下げ、塩化アンモニウ
ム(1.67g)、水(20ml)及び酢酸エチル(50ml)
からなる混液に注加する。混合溶液を食塩で飽和
させたのち分液して有機層を分け取り、水層は酢
酸エチルにて2回抽出操作を行なう。得られた有
機層と酢酸エチル層を合わせて飽和食塩水で洗浄
し、硫酸ナトリウムで乾燥する。溶媒を減圧で留
去したのち得られる残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフイー(シクロヘキサン−酢酸エチル/
1:1及びシクロヘキサン−酢酸エチル/1:
2)にて精製して、チオアセチレン化合物(807
mg)を油状物として得た。(収率83.3%) IR スペクトル(CHCl3):1765cm-1 NMRスペクトル(CDCl3)δppm:1.28(3H,
d,J=7)、2.40(1H,bs)、3.3−3.5
(1H,m)、4.0−4.5(1H,m)、4.53(1H,
d,J=2.5)、6.30(1H,bs)、7.1−7.6
(5H,m) 参考例 11 (3S,4S)−3−〔1−(R)−p−ニトロベ
ンジルオキシカルボニルオキシ〕エチル−4−
フエニルチオエチニル−アゼチジン−2−オン (3S,4S)−3−〔1−(R)−ヒドロキシエチ
ル〕−4−フエニルチオエチニル−アゼチジン−
2−オン(245mg)の無水テトラヒドロフラン
(10ml)溶液に室温撹拌下、ピリジン(0.17ml)
を加え、次いでp−ニトロベンジルオキシカルボ
ニルクロライド(661mg)の無水テトラヒドロフ
ラン(10ml)溶液を1.5時間かけてゆつくりと滴
下する。滴下終了後、更に室温で1時間撹拌す
る。反応終了後、反応液を酢酸エチルで希釈した
のち、硫酸水素カリウム水溶液及び飽和食塩水で
洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥する。溶媒を減圧
にて留去したのち、得られる残渣を減圧にて留去
したのち得られる残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフイー(シクロヘキサン−酢酸エチル/
2:1)にて精製して、p−ニトロベンジルオキ
シカルボニル化合物(422mg)を油状物(放置後、
固化)として得た。融点80〜81℃(n−ヘキサン
−酢酸エチルより再結晶)(収率69.1%) IR スペクトル(CHCl3):1770cm-1 NMRスペクトル(CDCl3)δppm:1.47(2H,
d,J=6)、3.53(1H,dd,J=2,
6)、4.52(1H,d,J=2)、4.9−5.2
(1H,m)、5.20(2H,s)、6.60(1H,
bs)、7.30(5H,s)、7.80(4H,A2B2q,
Δδ=42Hz、J=9) 参考例 12 (3S,4R)−3−〔1−(R)−P−ニトロベ
ンジルオキシカルボニルオキシ〕エチル−4−
フエニルチオカルボニルメチル−アゼチジン−
2−オン (3S,4R)−3−〔1−(R)−ヒドロキシエチ
ル〕−4−フエニルチオカルボニルメチル−アゼ
チジン−2−オン(265mg)の無水テトラヒドロ
フラン(10ml)溶液に氷冷撹拌下、ピリジン
(0.08ml)を加え、次いでp−ニトロベンジルオ
キシカルボニルクロライド(322mg)の無水テト
ラヒドロフラン(3ml)溶液をゆつくりと滴下
し、滴下終了後更に氷冷下3時間撹拌する。反応
終了後、反応液を酢酸エチルで希釈したのち、10
%塩酸水及び飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウ
ムで乾燥する。溶媒を減圧にて留去したのち、得
られる残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフイ
ー(シクロヘキサン−酢酸エチル/1:1)にて
精製して、p−ニトロベンジルオキシカルボニル
化合物(276mg)を油状物として得た。(収率62.2
%)ここで得られた化合物の赤外吸収スペクトル
及び核磁気共鳴スペクトルは実施例3で得られた
サンプルと全く一致した。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 (式中、R1は水素原子または低級アルキル基
    を示し、R2は水素原子または水酸基の保護基を
    示し、R3は低級アルキル基、シクロアルキル基、
    ヘテロシクリル基、アリール基、アラルキル基、
    ヘテロアリール基またはヘテロアラルキル基を示
    し、R4は水素原子またはアミド基の保護基を示
    す。) を有する化合物を水加反応に付すことを特徴とす
    る。 一般式 (式中、R1,R2,R3およびR4は前述したもの
    と同意義を示す。) を有する化合物の製造法。
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