JPH03384B2 - - Google Patents
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Description
本発明は強力な抗菌活性を有するチエナマイシ
ン及びその類縁化合物の合成中間体として重要な
化合物である一般式 を有するアゼチジノンチオエステル類の製造法に
関するものである。 式中、R1は水素原子または低級アルキル基を
示し、R2は水素原子または水酸基の保護基を示
し、R3は低級アルキル基、シクロアルキル基、
ヘテロシクリル基、アリール基、アラルキル基、
ヘテロアリール基またはヘテロアラルキル基を示
し、R4は水素原子またはアミド基の保護基を示
す。 前記一般式()中のR1,R2,R3およびR4に
ついて具体的に説明する。R1として水素原子ま
たは炭素数1乃至8個のアルキル基(例えばメチ
ル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−
ブチル、イソブチル、ペンチル、ヘキシル、オク
チル等)があげられる。 R2としては、水素原子または常用される水酸
基の保護基があげられ、保護基としては、例えば
脂肪族アシル基(例えばホルミル、アセチル、プ
ロピオニル、n−ブチチリル、イソブチリル等)、
芳香族アシル基(例えばベンゾイル、o−ニトロ
ベンゾイル、p−ニトロベンゾイル等)、低級ア
ルコキシカルボニル基(例えばメトキシカルボニ
ル、エトキシカルボニル、n−ブトキシカルボニ
ル、イソブトキシカルボニル等)ハロゲノ低級ア
ルコキシカルボニル基(例えば2,2,2−トリ
クロルエトキシカルボニル等)、トリアルキルシ
リル低級アルコキシカルボニル基(例えば2−ト
リメチルシリル、エトキシカルボニル等)、アラ
ルキル基(例えばベンジル、o−ニトロベンジ
ル、p−ニトロベンジル等)、アラルキルオキシ
カルボニル基(例えばベンジルオキシカルボニ
ル、o−ニトロベンジルオキシカルボニル、p−
ニトロベンジルオキシカルボニル、p−メトキシ
ベンジルオキシカルボニル等)、トリ低級アルキ
ルシリル基(例えばトリメチルシリル、ジメチル
−tert−ブチルシリル等)、低級アルコキシ基を
置換分として有するか有しない環内に酸素原子ま
たは硫黄原子を含有する5または6員複素環基
(例えば2−テトラヒドロフラニル、2−テトラ
ヒドロピラニル、4−メトキシテトラヒドロフラ
ン−4−イル、2−テトラヒドロチオピラニル
等)、低級アルコキシまたはアラルキルオキシ基
を置換分として有する低級アルキル基(例えばメ
トキシメチル、エトキシメチル、2−メトキシエ
トキシメチル、ベンジルオキシメチル等)、低級
アルキルチオメチル基(メチルチオメチル、エチ
ルチオメチル等)またはアラルキルチオメチル基
(例えばベンジルチオメチル、o−ニトロベンジ
ルチオメチル、p−ニトロベンジルチオメチル
等)があげられる。 R3としては、炭素数1乃至8個のアルキル基
(例えばメチル、エチル、n−プロピル、イソプ
ロピル、n−ブチル、イソブチル、ペンチル、ヘ
キシル、オクチル等)、シクロアルキル基(例え
ばシクロブチル、シクロペンチル、シクロヘプチ
ル等)、ヘテロシクリル基(例えばピペリジル、
ピロリジニル、モルホリニル等)、アリール基
(例えばフエニル、p−トリル、p−ニトロフエ
ニル、p−メトキシフエニル、p−クロロフエニ
ル等)、アラルキル基(例えばベンジル、p−ニ
トロベンジル、p−メトキシベンジル、p−クロ
ロベンジル等)、ヘテロアリール基(例えばピリ
ジン、チエニル、フリル、イミダゾリル等)また
はヘテロアラルキル基(例えばピリジルメチル、
チエニルメチル、フルフリル等)があげられる。 R4としては、水素原子、または常用されるア
ミド基の保護基があげられ、保護基としては、炭
素数1乃至8個のアルキル基(例えばメチル、エ
チル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチ
ル、イソブチル、ペンチル、ヘキシル、オクチル
等)、アラルキル基〔例えばベンジル、p−ニト
ロベンジル、p−メトキシベンジル、2,4−ジ
メトキシベンジル、ジフエニルメチル、ジ(p−
メトキシフエニル)メチル等〕、アリール基(例
えばフエニル、p−ニトロフエニル、p−メトキ
シフエニル、2,4−ジメトキシフエニル、p−
ブロモフエニル等)、アシル基(例えばアセチル、
イソブチリルのような炭素数2乃至4個を有する
脂肪族アシル基若しくはベンゾイル、p−クロロ
ベンゾイルのような芳香族アシル基等)、アラル
キルオキシカルボニル基(例えばベンジルオキシ
カルボニル、p−ニトロベンジルオキシカルボニ
ル等)、トリアルキルシリル低級アルコキシカル
ボニル基(例えば2−トリメチルシリルエトキシ
カルボニル等)、またはトリ低級アルキルシリル
基(例えばトリメチルシリル、ジメチル−tert−
ブチルシリル等)があげられる。 本発明によつて得られる前記一般式()を有
する化合物においては、アゼチジノン環の3およ
び4位に結合している置換分並びに側鎖
ン及びその類縁化合物の合成中間体として重要な
化合物である一般式 を有するアゼチジノンチオエステル類の製造法に
関するものである。 式中、R1は水素原子または低級アルキル基を
示し、R2は水素原子または水酸基の保護基を示
し、R3は低級アルキル基、シクロアルキル基、
ヘテロシクリル基、アリール基、アラルキル基、
ヘテロアリール基またはヘテロアラルキル基を示
し、R4は水素原子またはアミド基の保護基を示
す。 前記一般式()中のR1,R2,R3およびR4に
ついて具体的に説明する。R1として水素原子ま
たは炭素数1乃至8個のアルキル基(例えばメチ
ル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−
ブチル、イソブチル、ペンチル、ヘキシル、オク
チル等)があげられる。 R2としては、水素原子または常用される水酸
基の保護基があげられ、保護基としては、例えば
脂肪族アシル基(例えばホルミル、アセチル、プ
ロピオニル、n−ブチチリル、イソブチリル等)、
芳香族アシル基(例えばベンゾイル、o−ニトロ
ベンゾイル、p−ニトロベンゾイル等)、低級ア
ルコキシカルボニル基(例えばメトキシカルボニ
ル、エトキシカルボニル、n−ブトキシカルボニ
ル、イソブトキシカルボニル等)ハロゲノ低級ア
ルコキシカルボニル基(例えば2,2,2−トリ
クロルエトキシカルボニル等)、トリアルキルシ
リル低級アルコキシカルボニル基(例えば2−ト
リメチルシリル、エトキシカルボニル等)、アラ
ルキル基(例えばベンジル、o−ニトロベンジ
ル、p−ニトロベンジル等)、アラルキルオキシ
カルボニル基(例えばベンジルオキシカルボニ
ル、o−ニトロベンジルオキシカルボニル、p−
ニトロベンジルオキシカルボニル、p−メトキシ
ベンジルオキシカルボニル等)、トリ低級アルキ
ルシリル基(例えばトリメチルシリル、ジメチル
−tert−ブチルシリル等)、低級アルコキシ基を
置換分として有するか有しない環内に酸素原子ま
たは硫黄原子を含有する5または6員複素環基
(例えば2−テトラヒドロフラニル、2−テトラ
ヒドロピラニル、4−メトキシテトラヒドロフラ
ン−4−イル、2−テトラヒドロチオピラニル
等)、低級アルコキシまたはアラルキルオキシ基
を置換分として有する低級アルキル基(例えばメ
トキシメチル、エトキシメチル、2−メトキシエ
トキシメチル、ベンジルオキシメチル等)、低級
アルキルチオメチル基(メチルチオメチル、エチ
ルチオメチル等)またはアラルキルチオメチル基
(例えばベンジルチオメチル、o−ニトロベンジ
ルチオメチル、p−ニトロベンジルチオメチル
等)があげられる。 R3としては、炭素数1乃至8個のアルキル基
(例えばメチル、エチル、n−プロピル、イソプ
ロピル、n−ブチル、イソブチル、ペンチル、ヘ
キシル、オクチル等)、シクロアルキル基(例え
ばシクロブチル、シクロペンチル、シクロヘプチ
ル等)、ヘテロシクリル基(例えばピペリジル、
ピロリジニル、モルホリニル等)、アリール基
(例えばフエニル、p−トリル、p−ニトロフエ
ニル、p−メトキシフエニル、p−クロロフエニ
ル等)、アラルキル基(例えばベンジル、p−ニ
トロベンジル、p−メトキシベンジル、p−クロ
ロベンジル等)、ヘテロアリール基(例えばピリ
ジン、チエニル、フリル、イミダゾリル等)また
はヘテロアラルキル基(例えばピリジルメチル、
チエニルメチル、フルフリル等)があげられる。 R4としては、水素原子、または常用されるア
ミド基の保護基があげられ、保護基としては、炭
素数1乃至8個のアルキル基(例えばメチル、エ
チル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチ
ル、イソブチル、ペンチル、ヘキシル、オクチル
等)、アラルキル基〔例えばベンジル、p−ニト
ロベンジル、p−メトキシベンジル、2,4−ジ
メトキシベンジル、ジフエニルメチル、ジ(p−
メトキシフエニル)メチル等〕、アリール基(例
えばフエニル、p−ニトロフエニル、p−メトキ
シフエニル、2,4−ジメトキシフエニル、p−
ブロモフエニル等)、アシル基(例えばアセチル、
イソブチリルのような炭素数2乃至4個を有する
脂肪族アシル基若しくはベンゾイル、p−クロロ
ベンゾイルのような芳香族アシル基等)、アラル
キルオキシカルボニル基(例えばベンジルオキシ
カルボニル、p−ニトロベンジルオキシカルボニ
ル等)、トリアルキルシリル低級アルコキシカル
ボニル基(例えば2−トリメチルシリルエトキシ
カルボニル等)、またはトリ低級アルキルシリル
基(例えばトリメチルシリル、ジメチル−tert−
ブチルシリル等)があげられる。 本発明によつて得られる前記一般式()を有
する化合物においては、アゼチジノン環の3およ
び4位に結合している置換分並びに側鎖
【式】基の配置により種々の立体異性体が
存在する。前記一般式()においては、これら
の異性体およびこれらの異性体の混合物がすべて
単一の式で示されているが、これにより本発明の
記載の範囲は限定されるものではない。 本発明の製造方法においては立体化学は反応中
に変化しないので光学活性の立体異性体を出発原
料に用いれば、前記一般式()で示される化合
物の内の一つの光学活性を有する立体異性のみを
得ることが可能である。 近年、グラム陽性菌および陰性菌にわたる広範
囲の病原菌に対して優れた抗菌活性を表わす抗生
物質であるチエナマイシンが発見されて、その全
合成法に関しても報告されている(特開昭53−
65892号;J.Am.Chem.Soc.,1978,100,313;J.
Am.Chem,Soc.,1980,102,6161;J.Chem,
Soc.Parkin ,1981,964等)。本発明者は、
抗菌作用を有する医薬の開発研究の一環としてア
ゼチジノン化合物の合成研究を進めた結果、チエ
ナマイシン系化合物の合成中間体として有用な新
規アゼチノン化合物()を見出し、本発明を完
成するに到つた。 以下、化合物()の製造方法について、詳し
く説明する。 一般式 (式中、R1,R2,R3およびR4は前述したもの
と同意義を示す。)で表わされる化合物()は、
一般式 (式中、R1,R2,R3およびR4は前述したもの
と同意義を示す。)で表わされる化合物()を
水加反応に付することにより得られる。すなわち
チオエチニル化合物()を溶媒中で酸触媒、ア
ルカリ触媒、無機金属触媒あるいは無触媒の条件
下で水と反応させるかまたは有機酸と反応させた
後水と処理することによりチオエステル()が
得られる。使用される溶媒としてはヘキサン、ベ
ンゼンのような炭化水素類、ジクロロメタン、ク
ロロホルムのようなハロゲン化炭化水素類、ジエ
チルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン
のようなエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチルの
ようなエステル類、アセトン、メチルエチルケト
ンのようなケトン類、N,N−ジメチルホルムア
ミド、N,N−ジメチルアセトアミドのようなア
ミド類、ジメチルスルホキシド等があげられる
が、本反応に影響を及ぼさない溶媒が望ましい。
酸触媒としては、トリフルオロ酢酸、酢酸、モノ
クロロ酢酸、安息香酸などの有機カルボニル酸ま
たはp−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン
酸等のスルホン酸をあげることができる。塩基触
媒としては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等
の無機塩基をあげることができる。無機金属触媒
としては酸化水銀、塩化第二水銀等の水銀触媒、
酸化銀、塩化銀等の触媒をあげることができる。
有機酸としては、トリフルオロ酢酸、トリクロロ
酢酸、ジクロロ酢酸、モノクロロ酢酸、酢酸等を
あげることができる。反応温度は触媒の種類にも
よるが、通常−80乃至100℃で行なわれる。反応
時間は30分乃至一昼夜である。反応終了後、必要
ならば反応液を中和したのち反応物を水にあけ、
有機溶媒で抽出したのち、有機溶媒抽出液を洗浄
し、乾燥後、有機溶媒を留去することにより得る
ことができる。 本発明の原料化合物()は次の工程式に従つ
て製造しうる。(工程A〜工程H) 本発明の製法における原料化合物であるアゼチ
ノン化合物()は公開公報明細書(特開昭57−
163362号および特開昭55−7251号)記載の方法に
よつて合成することができる。 (上記式中、R1,R2,R3およびR4は前述した
ものと同意義を有し、R5は低級アルキル基、ア
ラルキル基またはアリール基であり、Arはアリ
ール基を示し、Xはハロゲン原子である。) β−ヒドロキシ−α−ハロゲノカルボン酸
()とアリールアミンとから通常のアミド化縮
合方法、例えばN,N′−ジシクロヘキシルカル
ボジイミド法、混合酸無水物法等によりアミド化
合物()とした後(工程A)、脱ハロゲン化水
素剤を作用させてエポキシ化合物()とする
(工程B)。このエポキシ化合物()と置換チオ
メチルハライド化合物を脱ハロゲン化水素剤を作
用させてスルフイド化合物()としたのち(工
程C)、スルフイドの酸化剤として知られる試薬
を反応させてスルホン化合物()を得(工程
D)、これを塩基で処理することによつてアセチ
ジノン化合物()とする(工程E)。このアゼ
チジノンを得る反応は立体特異性を有することが
特徴である。すなわちエポキシ化合物()に含
まれる2位と3位の2つの不斉炭素原子が光学活
性であるような出発原料を反応させると、アゼチ
ジノン環の3位と側鎖
の異性体およびこれらの異性体の混合物がすべて
単一の式で示されているが、これにより本発明の
記載の範囲は限定されるものではない。 本発明の製造方法においては立体化学は反応中
に変化しないので光学活性の立体異性体を出発原
料に用いれば、前記一般式()で示される化合
物の内の一つの光学活性を有する立体異性のみを
得ることが可能である。 近年、グラム陽性菌および陰性菌にわたる広範
囲の病原菌に対して優れた抗菌活性を表わす抗生
物質であるチエナマイシンが発見されて、その全
合成法に関しても報告されている(特開昭53−
65892号;J.Am.Chem.Soc.,1978,100,313;J.
Am.Chem,Soc.,1980,102,6161;J.Chem,
Soc.Parkin ,1981,964等)。本発明者は、
抗菌作用を有する医薬の開発研究の一環としてア
ゼチジノン化合物の合成研究を進めた結果、チエ
ナマイシン系化合物の合成中間体として有用な新
規アゼチノン化合物()を見出し、本発明を完
成するに到つた。 以下、化合物()の製造方法について、詳し
く説明する。 一般式 (式中、R1,R2,R3およびR4は前述したもの
と同意義を示す。)で表わされる化合物()は、
一般式 (式中、R1,R2,R3およびR4は前述したもの
と同意義を示す。)で表わされる化合物()を
水加反応に付することにより得られる。すなわち
チオエチニル化合物()を溶媒中で酸触媒、ア
ルカリ触媒、無機金属触媒あるいは無触媒の条件
下で水と反応させるかまたは有機酸と反応させた
後水と処理することによりチオエステル()が
得られる。使用される溶媒としてはヘキサン、ベ
ンゼンのような炭化水素類、ジクロロメタン、ク
ロロホルムのようなハロゲン化炭化水素類、ジエ
チルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン
のようなエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチルの
ようなエステル類、アセトン、メチルエチルケト
ンのようなケトン類、N,N−ジメチルホルムア
ミド、N,N−ジメチルアセトアミドのようなア
ミド類、ジメチルスルホキシド等があげられる
が、本反応に影響を及ぼさない溶媒が望ましい。
酸触媒としては、トリフルオロ酢酸、酢酸、モノ
クロロ酢酸、安息香酸などの有機カルボニル酸ま
たはp−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン
酸等のスルホン酸をあげることができる。塩基触
媒としては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等
の無機塩基をあげることができる。無機金属触媒
としては酸化水銀、塩化第二水銀等の水銀触媒、
酸化銀、塩化銀等の触媒をあげることができる。
有機酸としては、トリフルオロ酢酸、トリクロロ
酢酸、ジクロロ酢酸、モノクロロ酢酸、酢酸等を
あげることができる。反応温度は触媒の種類にも
よるが、通常−80乃至100℃で行なわれる。反応
時間は30分乃至一昼夜である。反応終了後、必要
ならば反応液を中和したのち反応物を水にあけ、
有機溶媒で抽出したのち、有機溶媒抽出液を洗浄
し、乾燥後、有機溶媒を留去することにより得る
ことができる。 本発明の原料化合物()は次の工程式に従つ
て製造しうる。(工程A〜工程H) 本発明の製法における原料化合物であるアゼチ
ノン化合物()は公開公報明細書(特開昭57−
163362号および特開昭55−7251号)記載の方法に
よつて合成することができる。 (上記式中、R1,R2,R3およびR4は前述した
ものと同意義を有し、R5は低級アルキル基、ア
ラルキル基またはアリール基であり、Arはアリ
ール基を示し、Xはハロゲン原子である。) β−ヒドロキシ−α−ハロゲノカルボン酸
()とアリールアミンとから通常のアミド化縮
合方法、例えばN,N′−ジシクロヘキシルカル
ボジイミド法、混合酸無水物法等によりアミド化
合物()とした後(工程A)、脱ハロゲン化水
素剤を作用させてエポキシ化合物()とする
(工程B)。このエポキシ化合物()と置換チオ
メチルハライド化合物を脱ハロゲン化水素剤を作
用させてスルフイド化合物()としたのち(工
程C)、スルフイドの酸化剤として知られる試薬
を反応させてスルホン化合物()を得(工程
D)、これを塩基で処理することによつてアセチ
ジノン化合物()とする(工程E)。このアゼ
チジノンを得る反応は立体特異性を有することが
特徴である。すなわちエポキシ化合物()に含
まれる2位と3位の2つの不斉炭素原子が光学活
性であるような出発原料を反応させると、アゼチ
ジノン環の3位と側鎖
【式】基の2つの不斉
炭素原子が光学活性であるアゼチジノン化合物
()が得られる。すなわち、2R,3R配位のエ
ポキシ体()を用いると、アゼチジノン生成物
()のアゼチジノン環3位と4位の側鎖がトラ
ンス配位のもののみが得られる。このアゼチジノ
ン化合物()の1位アリール基を硝酸第二セリ
ウムアンモニウムあるいはオゾン等によつて除去
したのち(工程F)、チオアセチレンのグリニヤ
ール化合物を反応させて4−チオエチニル化合物
()とする(工程G)。このアゼチジノンの4位
にチオエチニル基を導入する反応はアゼチジノン
環3位と4位の側鎖はトランス配位のみが選択的
に得られる。このチオエチニル化合物()はヒ
ドロキシル基および1位のNH基が未置換である
が、目的とするチオエチニル化合物()がヒド
ロキシ基および/または1位のNH基が置換され
ている場合には、最後に通常の置換反応を行つて
ヒドロキシル置換および/またはN−置換チオエ
チニル化合物()とする(工程H)。 本発明の製法によつて得られる前記一般式
()を有するアゼチジノン化合物は、前述した
ようにチエナマイシン及びその類縁化合物製造に
おける重要な中間体化合物であるが、例えば以下
に示す反応経路に従つて、強力な抗菌作用を有す
るカルバペネム誘導体()を合成することが
できる。 上記式中、R6はアミノ低級アルキル基、アミ
ジノ低級アルキル基、環内に酸素原子、硫黄原
子、窒素原子若しくはカルボニル基を介していて
もよい4員環乃至8員環を形成する環状脂肪族ア
ミン残基〔上記の置換基における窒素原子はそれ
ぞれ低級アルキル基、低級脂肪族アシル基または
式
()が得られる。すなわち、2R,3R配位のエ
ポキシ体()を用いると、アゼチジノン生成物
()のアゼチジノン環3位と4位の側鎖がトラ
ンス配位のもののみが得られる。このアゼチジノ
ン化合物()の1位アリール基を硝酸第二セリ
ウムアンモニウムあるいはオゾン等によつて除去
したのち(工程F)、チオアセチレンのグリニヤ
ール化合物を反応させて4−チオエチニル化合物
()とする(工程G)。このアゼチジノンの4位
にチオエチニル基を導入する反応はアゼチジノン
環3位と4位の側鎖はトランス配位のみが選択的
に得られる。このチオエチニル化合物()はヒ
ドロキシル基および1位のNH基が未置換である
が、目的とするチオエチニル化合物()がヒド
ロキシ基および/または1位のNH基が置換され
ている場合には、最後に通常の置換反応を行つて
ヒドロキシル置換および/またはN−置換チオエ
チニル化合物()とする(工程H)。 本発明の製法によつて得られる前記一般式
()を有するアゼチジノン化合物は、前述した
ようにチエナマイシン及びその類縁化合物製造に
おける重要な中間体化合物であるが、例えば以下
に示す反応経路に従つて、強力な抗菌作用を有す
るカルバペネム誘導体()を合成することが
できる。 上記式中、R6はアミノ低級アルキル基、アミ
ジノ低級アルキル基、環内に酸素原子、硫黄原
子、窒素原子若しくはカルボニル基を介していて
もよい4員環乃至8員環を形成する環状脂肪族ア
ミン残基〔上記の置換基における窒素原子はそれ
ぞれ低級アルキル基、低級脂肪族アシル基または
式
【式】基(式中、R7およびR8は同一
または異なつて水素原子または低級アルキル基を
示す。)で置換されていてもよい。〕またはヘテロ
アリール基を示し、R9は前述したR2と同意義を
有する水酸基の保護基を示し、R10は前述したR6
と同意義を有してその窒素原子が保護されている
基を示し、R11はカルボキシ基の保護基を示し、
R12は低級アルコキシ基またはジ低級アルキルア
ミノ基を示し、Arはアリール基を示し、Xはハ
ロゲン原子を示す。 上記式中、好適な置換基として、以下に示すも
のをあげることができる。 R6としては、例えば−CH2CH2NH2、−
CH2CH2NH−CH=NH、
示す。)で置換されていてもよい。〕またはヘテロ
アリール基を示し、R9は前述したR2と同意義を
有する水酸基の保護基を示し、R10は前述したR6
と同意義を有してその窒素原子が保護されている
基を示し、R11はカルボキシ基の保護基を示し、
R12は低級アルコキシ基またはジ低級アルキルア
ミノ基を示し、Arはアリール基を示し、Xはハ
ロゲン原子を示す。 上記式中、好適な置換基として、以下に示すも
のをあげることができる。 R6としては、例えば−CH2CH2NH2、−
CH2CH2NH−CH=NH、
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
などがあげられ、
R9としては例えば
【式】
−COOCH2−CH=CH2、
【式】
−COOCH2CH2Si(CH3)3
などがあげられ、
R10における窒素原子の保護基としては例えば
【式】−COOCH2−
CH=CH2、−COOCH2CH2Si(CH3)3などがあげ
られ、R11としては例えば
られ、R11としては例えば
【式】−CH2CH=CH2、−
CH2CH2Si(CH3)3などがあげられ、
R12としては例えばメトキシ、エトキシ、ジメチ
ルアミノなどがあげられ、 Arとしては例えばフエニル、p−トリル、p−
ニトロフエニル、p−メトキシフエニル、p−ク
ロロフエニル、 Xとしては例えば塩素原子をあげることができ
る。 以下、上記の工程式に従つて説明すると、アゼ
チジノン化合物(a)とメルカプト化合物によ
るチオエステル交換反応により化合物(XI)とし
た後(工程A)、これにシユウ酸モノエステルハ
ライドを反応させてオキザロ誘導体(XII)となし
(工程B)、得られた化合物(XII)に亜リン酸トリ
アルキルエステル若しくはトリジアルキルアミド
を作用させてホスフアイトイリド()を得る
(工程C)。また、化合物(a)をオキザロ誘導
体となし(工程A′)、これをホスフアイトイリド
化合物()として後(工程B′)、チオエステ
ル交換反応によつて化合物()を得ることも
できる(工程C′)。 このようにして得られたホスフアイトイリド化
合物()を加熱閉環反応に付して、カルバペ
ネム化合物()を得(工程D)、これを常法
に従つて水酸基の保護基R9、置換基R10における
窒素原子の保護基およびカルボキシル基の保護基
R1 11を除去して(工程E)、目的の抗菌作用を有
するカルバペネム誘導体()を得ることがで
きる。 以下、実施例ならびに参考例をあげて本発明を
さらに詳細に説明する。 実施例 1 (3S,4R)−3−〔1−(R)−t−ブチルジ
メチルシリルオキシ〕エチル−4−フエニルチ
オカルボニルメチル−アゼチジン−2−オン (3S,4S)−3−〔1−(R)−t−ブチルジメ
チルシリルオキシ〕エチル−4−フエニルチオエ
チニル−アゼチジン−2−オン(3.28g)の無水
ジクロロメタン(75.0ml)溶液に、窒素雰囲気中
にて氷冷撹拌下、トリフルオロ酢酸(3.5ml)を
加え、氷冷下で30分間と更に室温で1.5時間撹拌
する。ついで、反応液を重曹(1.14g)、水(75
ml)及び酢酸エチル(300ml)からなる混液に注
加する。混合溶液を食塩で飽和させたのち分液し
て有機層を分け取り、水層は酢酸エチルにて2回
抽出操作を行なう。得られた有機層と酢酸エチル
層を合わせて炭酸水素ナトリウム水溶液と飽和食
塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥する。溶媒
を減圧で留去したのち得られる残渣をシリカゲル
カラムクロマトグラフイー(シクロヘキサン−酢
酸エチル/3:1)にて精製して、目的とするチ
オエステル化合物(3.09g)を無定形固化物とし
て得た。(収率89.8%) IR スペクトル(CHCl3):1765cm-1 NMRスペクトル(CDCl3)δppm:0.07(6H,
s)、0.87(9H,s)、1.20(3H,d,J=
6)、2.7−3.3(3H,m)、3.8−4.4(2H,
m)、6.12(1H,bs)、7.38(5H,s)。 実施例 2 (3S,4R)−3−〔1−(R)−ヒドロキシエ
チル〕−4−フエニルチオカルボニルメチル−
アゼチジン−2−オン (3S,4S)−3−〔1−(R)−ヒドロキシエチ
ル〕−4−フエニルチオエチニル−アゼチジン−
2−オン(718mg)の無水ジクロロメタン(8ml)
溶液に、窒素雰囲気中にて氷冷撹拌下、トリフル
オロ酢酸(1.1ml)を加え、氷冷下で30分間と更
に室温で1.5時間撹拌する。ついで、反応液を重
曹(2.44g)、水(15ml)及び酢酸エチル(30ml)
からなる混液に注加する。混合溶液を食塩で飽和
させたのち分液して有機層を分け取り、水層は酢
酸エチルにて2回抽出操作を行なう。得られた有
機層と酢酸エチル層を合わせて炭酸水素ナトリウ
ム水溶液と飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウム
で乾燥する。溶媒を減圧で留去したのち得られる
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフイー(シ
クロヘキサン−酢酸エチル/1:3)にて精製し
て、目的とするチオエステル化合物(281mg)を
得た。酢酸エチル−n−ヘキサンから再結晶。融
点121.5〜123.5℃。(収率36.5%) IR スペクトル(KBr):1730cm-1 NMRスペクトル(acetone−d6)δppm:1.23
(3H,d,J=6)、2.77(1H,s)、2.8−
3.3(3H,m)、3.8−4.2(2H,m)、7.25
(1H,bs)、7.50(5H,s) 実施例 3 (3S,4R)−3−〔1−(R)−p−ニトロベ
ンジルオキシカルボニルオキシ〕エチル−4−
フエニルチオカルボニルメチル−アゼチジン−
2−オン (3S,4S)−3−〔1−(R)−p−ニトロベン
ジルオキシカルボニルオキシ〕エチル−4−フエ
ニルチオエチニル−アゼチジン−2−オン(448
mg)の無水ジクロロメタン(5ml)溶液に窒素雰
囲気中にて氷冷撹拌下、トリフルオロ酢酸(0.4
ml)を加え、氷冷下で30分間と更に室温で1.5時
間撹拌する。ついで、反応液を重曹(1.0g)、水
(10ml)及び酢酸エチル(20ml)からなる混液に
注加する。混合溶液を食塩で飽和させたのち分液
して有機層を分け取り、水層は酢酸エチルにて2
回抽出操作を行なう。得られた有機層と酢酸エチ
ル層を合わせて炭酸水素ナトリウム水溶液と飽和
食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥する。溶
媒を減圧で留去したのち得られる残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフイー(シクロヘキサン−
酢酸エチル/1:1)にて精製して、目的とする
チオエステル化合物(95.0mg)を粘調性油状物と
して得た。(収率63.0%) IR スペクトル(CHCl3):1770cm-1 NMRスペクトル(CDCl3)δppm:1.43(3H,
d,J=6)、2.9−3.3(3H,m)、3.8−4.2
(1H,m)、4.7−5.4(1H,m)、5.13(2H,
s)、6.40(1H,bs)、7.33(5H,s)、7.75
(4H,A2B2q,Δδ=44Hz,J=9)。 参考例 1 N−(4−メトキシフエニル)−2S−ブロム
−3R−ヒドロキシ−n−ブチルアミド 2S−ブロム−3R−ヒドロキシ−n−酪酸
(4.61g)とp−アニシジン(3.10g)のテトラ
ヒドロフラン(30ml)溶液に氷冷下、N,N′−
ジシクロヘキシルカルボジイミド(5.2g)を加
え、混合物を1時間撹拌する。沈澱物を去し、
沈澱物をクロロホルムでよく洗浄後、液にクロ
ロホルムを加えて、溶液を重硫酸カリ水溶液、重
曹水で洗浄する。無水硫酸マグネシウムで乾燥
後、溶媒を留去し、結晶性残留物をベンゼンから
再結晶して目的物(3.5g)を得る。母液を濃縮
して得た残留物をシリカゲル・カラムクロマト
(クロロホルム−酢酸エチル/4:1)に付して、
結晶性目的物(3.0g)を得た。全収量6.5g。ベ
ンゼンから再結晶。融点111〜113℃。 IR スペクトル(nujol):3370,3250,1655,
1535,1510cm-1。 NMRスペクトル(CDCl3)δppm:1.35(3H,
d,J=6)、3.25(1H,brd,J=6、重
水で消失)、3.81(3H,s)、4.17(1H,
m;重水によりd,q,J=2.5,6)、
4.39(1H,d,j=2.5)、7.12(4H,
A2B2q,Δδ=37Hz,J=9)、8.45(1H,
brs)。 参考例 2 N−(4−メトキシフエニル)−2R,3R−エ
ポキシ−n−ブチルアミド N−(4−メトキシフエニル)−2S−ブロム−
3R−ヒドロキシ−n−ブチルアミド(850mg)の
ジクロルメタン(10ml)溶液にベンジルトリエチ
ルアンモニウムヨーダイド(50mg)ついで50%カ
性ソーダ水溶液(2ml)を加え、室温で30分撹拌
する。有機溶媒層を分離し、重硫酸カリ水溶液、
水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶
媒を留去すると、結晶性目的物(0.63g)が得ら
れた。融点75℃。 IR スペクトル(nujol):3250,1665cm-1 NMRスペクトル(CDCl3)δppm:1.37(3H,
d,J=5.5)、3.15−3.6(2H,m)、3.79
(3H,s)、7.11(4H,A2B2q,Δδ=37Hz,
J=9)、7.81(1H,brs)。 参考例 3 N−(4−メトキシフエニル)−N−(フエニ
ルチオメチル)−2R,3R−エポキシ−n−ブ
チルアミド N−(4−メトキシフエニル)−2R,3R−エポ
キシ−n−ブチルアミド(9.3g)とフエニルチ
オメチルクロリド(11.3g)の混合物に氷冷下、
ベンジルトリエチルアンモニウムヨーダイド
(0.5g)、50%カ性ソーダ水溶液(10ml)を加え、
つぎに室温で1.5時間撹拌する。クロロホルム、
重硫酸カリ水溶液を加え、クロロホルム層を分
離、水洗、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒
を留去する。残留物をシリカゲル・カラムクロマ
ト(クロロホルム−酢酸エチル/20:1および
10:1)に付して、シロツプ状の目的物(13.5
g)を得た。 IR スペクトル(CHCl3溶液):1670,1510,
1245cm-1。 NMRスペクトル(CDCl3)δppm:1.16(3H,
d,J=5.5)、2.8−3.15(2H,m)、3.83
(3H,s)、5.24(2H,ABq,Δδ=48Hz,
J=14)、6.8−7.5(9H,m)。 参考例 4 N−(4−メトキシフエニル)−N−(フエニ
ルスルホニルメチル)−2R,3R−エポキシ−
n−ブチルアミド N−(4−メトキシフエニル)−N−(フエニル
チオメチル)−2R,3R−エポキシ−n−ブチル
アミド(1.34g)のジクロルメタン(10ml)溶液
に氷冷下、m−クロル過安息香酸(純度85%)
(1.75g)のジクロルメタン(30ml)溶液を加え、
室温で16時間放置する。沈澱物を去し、液を
重曹水で洗浄し、無水流硫酸マグネシウムで乾燥
後、濃縮する。残留物をシリカグゲル・カラムク
ロマト(クロロホルム−酢酸エチル/9:1)に
付して、結晶性の目的物(1.18g)を得た。 ベンゼンから再結晶。融点158〜159℃。 IR スペクトル(nujol):1700,1510,1150cm
-1。 NMRスペクトル(CDCl3)δppm:1.19(3H,
d,J=5.5)、2.8−3.2(2H,m)、3.81
(3H,s)、5.09(2H,ABq,Δδ=35Hz,
J=13.5)、7.09(4H,A2B2q,Δδ=22Hz,
J=9)、7.4−8.0(5H,m)。 参考例 5 3S−(1R−ヒドロキシエチル)−1−(4−メ
トキシフエニル)−4R−(フエニルスルホニル)
アゼチジン−2−オン N−(4−メトキシフエニル)−N−(フエニル
スルホニルメチル)−2R,3R−エポキシ−n−
ブチルアミド(0.50g)のテトラヒドロフラン
(10ml)−リン酸ヘキサメチルトリアミド(以下
HMPTと略す)(1.5ml)溶液に窒素ガス雰囲気
下、エタノール−ドライアイス沿冷却下、1.6Mn
−ブチルリチウム−ヘキサン溶液(1.82ml)を加
え、30分間撹拌する。反応液に重硫酸カリ水溶
液、酢酸エチルを加え、酢酸エチル層を分離し、
水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を
留去する。残留物をシリカゲル・カラムクロマト
(クロロホルム−酢酸エチル/3:1)に付して、
結晶性の目的物(0.41g)を得た。エタノールか
ら再結晶。融点186〜187℃。 IR スペクトル(Nujol):3540,1780,1510,
1250,1150cm-1。 NMRスペクトル(DMSO−d6)δppm:0.86
(3H,d,J=6.5)、3.45(1H,d,d,
J=2,3)、3.76(3H,s)、4.0(1H,
m,重水でd,q,J=3,6.5)、5.10
(1H,d,J=5,重水で消失),5.77
(1H,d,J=2)、7.08(4H,A2B2q,
Δδ=28Hz,J=9)、7.5−8.0(5H,m)。 参考例 6 (3S,4R)−〔1R−(t−ブチルジメチルシ
リルオキシ)エチル〕−1−(4−メトキシフエ
ニル)−4−(フエニルスルホニル)アゼチジン
−2−オン (3S,4R)−(1R−ヒドロキシエチル)−1−
(4−メトキシフエニル)−4−(フエニルスルホ
ニル)アゼチジン−2−オン(300mg)のN,N
−ジメチルホルムアミド(3ml)溶液にイミダゾ
ール(414mg)およびt−ブチルジメチルシリル
クロライド(450mg)を加える。反応液を室温で
一昼夜撹拌後、反応液を酢酸エチルで希釈し、水
で充分に洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥す
る。溶媒を減圧留去したのち、残留物をシリカゲ
ル・カラムクロマト(シクロヘキサン−酢酸エチ
ル/4:1)に付して、シロツプ状の目的物395
mgを得た。(収率:100%) IR スペクトル(CHCl3):1770cm-1 NMRスペクトル(CDCl3)δppm:0.12(6H,
s)、0.85(9H,s)、1.28(3H,d,J=
6)、3.48(1H,t,J=2)、3.87(3H,
s)、4.38(1H,dq,J=2,6)、5.33
(1H,d,J=2)、7.05(4H,A2B2q,
Δδ=28Hz,J=9)、7.3−7.9(5H,m) 参考例 7 (3S,4R)−〔1R−(t−ブチルジメチルシ
リルオキシ)エチル〕−4−(フエニルスルホニ
ル)アゼチジン−2−オン (3S,4R)−〔1R−(t−ブチルジメチルシリ
ルオキシ)エチル〕−1−(4−メトキシフエニ
ル)−4R−(フエニルスルホニル)アゼチジン−
2−オン(49mg)のアセトニトリル(1.8ml)溶
液に氷冷撹拌下硝酸セリウム()アンモニウム
(259mg)の水溶液(10.5ml)をゆつくりと滴下
し、滴下終了後、更に氷冷にて2時間撹拌する。
反応終了後、反応液を減圧濃縮したのち残留水溶
液を食塩で飽和し、酢酸エチルで抽出する。次い
で酢酸エチル抽出液を10%亜硫酸ナトリウム水溶
液で水層が無色になるまで洗浄し、更に飽和重曹
水ならびに飽和食塩水で洗浄する。無水硫酸ナト
リウムで乾燥後、溶媒を留去する。残留物をプリ
パラテイブシリカゲルクロマト(シクロヘキサン
−酢酸エチル/3:1)に付して、結晶状の目的
物17.5mgを得た。(収率46.1%)n−ヘキサン−
エタノールから再結晶。融点164〜168℃。 IR スペクトル(KBr):1780cm-1 NMSスペクトル(CDCl3)δppm:0.10(3H,
s)、0.13(3H,s)、0.92(9H,s)、1.18
(3H,d,J=6)、3.47(1H,t,J=
2)、4.30(1H,dq,J=2,6)、4.80
(1H,d,J=2)、6.62(1H,bs)、7.6−
8.1(5H,m) 参考例 8 (3S,4R)−3−〔(1R)−ヒドロキシエチ
ル)−4−(フエニルスルホニル)アゼチジン−
2−オン 3S,4R−〔3−(1R)−ヒドロキシエチル〕−1
ー(4−メトキシフエニル)−4−(フエニルスル
ホニル)アゼチジン−2−オン(1.80g)のアセ
トニトリル(50ml)溶液に室温撹拌下硝酸セリウ
ム()アンモニウム(8.19g)の水溶液(90
ml)をゆつくりと滴下し、滴下終了後、更に室温
にて2時間撹拌する。反応終了後、反応液を減圧
濃縮したのち残留水溶液を食塩で飽和し、酢酸エ
チルで抽出する。次いで酢酸エチル抽出液を10%
亜硫酸ナトリウム水溶液で水層が無色になるまで
洗浄し、更に飽和重曹水ならびに飽和食塩水で洗
浄する。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留
去する。残留物をn−ヘキサン−酢酸エチルにて
再結晶して、結晶性の目的物(890mg)を得た。
融点141〜143℃。(収率70.1%) IR スペクトル(KBr):1775cm-1 NMRスペクトル(acetone−d6)δppm:1.13
(3H,d,J=6)、2.70(1H,s)、3.45
(1H,t,J=2)、4.4−3.9(2H,m)、
4.92(1H,d,J=2)、7.6−8.1(5H,
m)。 参考例 9 (3S,4S)−3−〔1−(R)−t−ブチルジ
メチルシリルオキシ〕エチル−4−フエニルチ
オエチニル−アゼチジン−2−オン マグネシウム(2.72g)の無水テトラヒドロフ
ラン溶液(150ml)中にゆつくりと氷冷下エチル
ブロマイド(8.37ml)の無水テトラヒドロフラン
溶液(10ml)を滴下し、更に室温にて2時間撹拌
してエチルマグネシウムブロマイド溶液を調整す
る。この溶液を−30℃に冷却し、フエニルチオア
セチレン(18.5g)をゆつくりと加え、滴下終了
後、室温にて2.5時間撹拌する。再び反応溶液を
−60℃に冷却したのち、(3S,4R)−3−〔(1R)
−t−ブチルジメチルシリルオキシエチル−4−
ベンゼンスルホニル−アゼチジン−2−オン
(8.28g)を加え、−20℃まで徐々に温度を上昇し
たのち、氷冷下40分間及び室温にて一晩撹拌す
る。反応終了後、氷冷まで下げ、塩化アンモニウ
ム(12.0g)、水(150ml)及び酢酸エチル(370
ml)からなる混液に注加する。混合溶液を食塩で
飽和させたのち分液して有機層を分け取り、水層
は酢酸エチルにて2回抽出操作を行なう。得られ
た有機層と酢酸エチル層を合わせて飽和食塩水で
洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥する。溶媒を減圧
で留去したのち得られる残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフイー(ベンゼン及びベンゼン−酢
酸エチル/1:1)にて精製して、チオアセチレ
ン化合物(7.50g)を無定形固化物として得た。
(収率92.6%) IR スペクトル(CHCl3):1770cm-1 NMRスペクトル(CDCl3)δppm:0.10(6H,
s)、0.90(9H,s)、1.27(3H,d,J=
6)、3.35(1H,t,J=2)、4.27(1H,
dq,J=2,6)、4.55(1H,d,J=
2)、6.07(1H,bs)、7.1−7.5(5H,m) 参考例 10 (3S,4S)−3−〔1−(R)−ヒドロキシエ
チル〕−4−フエニルチオエチニル−アゼチジ
ン−2−オン マグネシウム(143mg)の無水テトラヒドロフ
ラン溶液(10ml)中にゆつくりと氷冷下エチルブ
ロマイド(0.44ml)の無水テトラヒドロフラン
(2ml)を滴下し、更に室温にて2時間撹拌して
エチルマグネシウムブロマイド溶液を調整する。
この溶液を−30℃に冷却し、フエニルチオアセチ
レン(0.85ml)のn−ヘキサン(0.84ml)溶液を
ゆつくりと加え、滴下終了後、室温にて1時間撹
拌する。再び反応溶液を−30℃に冷却し、t−ブ
チルマグネシウムクロライド溶液(2.1モル/
溶液、5.6ml)を加え室温にて30分間撹拌したの
ち、反応液を−30℃に冷却する。(3S,4R)−3
−(ヒドロキシエチル)−4−ベンゼンスルホニル
−アゼチジン−2−オン(1.0g)を加えたのち、
徐々に温度を上昇したのち室温で2時間撹拌す
る。反応終了後、氷冷まで下げ、塩化アンモニウ
ム(1.67g)、水(20ml)及び酢酸エチル(50ml)
からなる混液に注加する。混合溶液を食塩で飽和
させたのち分液して有機層を分け取り、水層は酢
酸エチルにて2回抽出操作を行なう。得られた有
機層と酢酸エチル層を合わせて飽和食塩水で洗浄
し、硫酸ナトリウムで乾燥する。溶媒を減圧で留
去したのち得られる残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフイー(シクロヘキサン−酢酸エチル/
1:1及びシクロヘキサン−酢酸エチル/1:
2)にて精製して、チオアセチレン化合物(807
mg)を油状物として得た。(収率83.3%) IR スペクトル(CHCl3):1765cm-1 NMRスペクトル(CDCl3)δppm:1.28(3H,
d,J=7)、2.40(1H,bs)、3.3−3.5
(1H,m)、4.0−4.5(1H,m)、4.53(1H,
d,J=2.5)、6.30(1H,bs)、7.1−7.6
(5H,m) 参考例 11 (3S,4S)−3−〔1−(R)−p−ニトロベ
ンジルオキシカルボニルオキシ〕エチル−4−
フエニルチオエチニル−アゼチジン−2−オン (3S,4S)−3−〔1−(R)−ヒドロキシエチ
ル〕−4−フエニルチオエチニル−アゼチジン−
2−オン(245mg)の無水テトラヒドロフラン
(10ml)溶液に室温撹拌下、ピリジン(0.17ml)
を加え、次いでp−ニトロベンジルオキシカルボ
ニルクロライド(661mg)の無水テトラヒドロフ
ラン(10ml)溶液を1.5時間かけてゆつくりと滴
下する。滴下終了後、更に室温で1時間撹拌す
る。反応終了後、反応液を酢酸エチルで希釈した
のち、硫酸水素カリウム水溶液及び飽和食塩水で
洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥する。溶媒を減圧
にて留去したのち、得られる残渣を減圧にて留去
したのち得られる残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフイー(シクロヘキサン−酢酸エチル/
2:1)にて精製して、p−ニトロベンジルオキ
シカルボニル化合物(422mg)を油状物(放置後、
固化)として得た。融点80〜81℃(n−ヘキサン
−酢酸エチルより再結晶)(収率69.1%) IR スペクトル(CHCl3):1770cm-1 NMRスペクトル(CDCl3)δppm:1.47(2H,
d,J=6)、3.53(1H,dd,J=2,
6)、4.52(1H,d,J=2)、4.9−5.2
(1H,m)、5.20(2H,s)、6.60(1H,
bs)、7.30(5H,s)、7.80(4H,A2B2q,
Δδ=42Hz、J=9) 参考例 12 (3S,4R)−3−〔1−(R)−P−ニトロベ
ンジルオキシカルボニルオキシ〕エチル−4−
フエニルチオカルボニルメチル−アゼチジン−
2−オン (3S,4R)−3−〔1−(R)−ヒドロキシエチ
ル〕−4−フエニルチオカルボニルメチル−アゼ
チジン−2−オン(265mg)の無水テトラヒドロ
フラン(10ml)溶液に氷冷撹拌下、ピリジン
(0.08ml)を加え、次いでp−ニトロベンジルオ
キシカルボニルクロライド(322mg)の無水テト
ラヒドロフラン(3ml)溶液をゆつくりと滴下
し、滴下終了後更に氷冷下3時間撹拌する。反応
終了後、反応液を酢酸エチルで希釈したのち、10
%塩酸水及び飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウ
ムで乾燥する。溶媒を減圧にて留去したのち、得
られる残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフイ
ー(シクロヘキサン−酢酸エチル/1:1)にて
精製して、p−ニトロベンジルオキシカルボニル
化合物(276mg)を油状物として得た。(収率62.2
%)ここで得られた化合物の赤外吸収スペクトル
及び核磁気共鳴スペクトルは実施例3で得られた
サンプルと全く一致した。
ルアミノなどがあげられ、 Arとしては例えばフエニル、p−トリル、p−
ニトロフエニル、p−メトキシフエニル、p−ク
ロロフエニル、 Xとしては例えば塩素原子をあげることができ
る。 以下、上記の工程式に従つて説明すると、アゼ
チジノン化合物(a)とメルカプト化合物によ
るチオエステル交換反応により化合物(XI)とし
た後(工程A)、これにシユウ酸モノエステルハ
ライドを反応させてオキザロ誘導体(XII)となし
(工程B)、得られた化合物(XII)に亜リン酸トリ
アルキルエステル若しくはトリジアルキルアミド
を作用させてホスフアイトイリド()を得る
(工程C)。また、化合物(a)をオキザロ誘導
体となし(工程A′)、これをホスフアイトイリド
化合物()として後(工程B′)、チオエステ
ル交換反応によつて化合物()を得ることも
できる(工程C′)。 このようにして得られたホスフアイトイリド化
合物()を加熱閉環反応に付して、カルバペ
ネム化合物()を得(工程D)、これを常法
に従つて水酸基の保護基R9、置換基R10における
窒素原子の保護基およびカルボキシル基の保護基
R1 11を除去して(工程E)、目的の抗菌作用を有
するカルバペネム誘導体()を得ることがで
きる。 以下、実施例ならびに参考例をあげて本発明を
さらに詳細に説明する。 実施例 1 (3S,4R)−3−〔1−(R)−t−ブチルジ
メチルシリルオキシ〕エチル−4−フエニルチ
オカルボニルメチル−アゼチジン−2−オン (3S,4S)−3−〔1−(R)−t−ブチルジメ
チルシリルオキシ〕エチル−4−フエニルチオエ
チニル−アゼチジン−2−オン(3.28g)の無水
ジクロロメタン(75.0ml)溶液に、窒素雰囲気中
にて氷冷撹拌下、トリフルオロ酢酸(3.5ml)を
加え、氷冷下で30分間と更に室温で1.5時間撹拌
する。ついで、反応液を重曹(1.14g)、水(75
ml)及び酢酸エチル(300ml)からなる混液に注
加する。混合溶液を食塩で飽和させたのち分液し
て有機層を分け取り、水層は酢酸エチルにて2回
抽出操作を行なう。得られた有機層と酢酸エチル
層を合わせて炭酸水素ナトリウム水溶液と飽和食
塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥する。溶媒
を減圧で留去したのち得られる残渣をシリカゲル
カラムクロマトグラフイー(シクロヘキサン−酢
酸エチル/3:1)にて精製して、目的とするチ
オエステル化合物(3.09g)を無定形固化物とし
て得た。(収率89.8%) IR スペクトル(CHCl3):1765cm-1 NMRスペクトル(CDCl3)δppm:0.07(6H,
s)、0.87(9H,s)、1.20(3H,d,J=
6)、2.7−3.3(3H,m)、3.8−4.4(2H,
m)、6.12(1H,bs)、7.38(5H,s)。 実施例 2 (3S,4R)−3−〔1−(R)−ヒドロキシエ
チル〕−4−フエニルチオカルボニルメチル−
アゼチジン−2−オン (3S,4S)−3−〔1−(R)−ヒドロキシエチ
ル〕−4−フエニルチオエチニル−アゼチジン−
2−オン(718mg)の無水ジクロロメタン(8ml)
溶液に、窒素雰囲気中にて氷冷撹拌下、トリフル
オロ酢酸(1.1ml)を加え、氷冷下で30分間と更
に室温で1.5時間撹拌する。ついで、反応液を重
曹(2.44g)、水(15ml)及び酢酸エチル(30ml)
からなる混液に注加する。混合溶液を食塩で飽和
させたのち分液して有機層を分け取り、水層は酢
酸エチルにて2回抽出操作を行なう。得られた有
機層と酢酸エチル層を合わせて炭酸水素ナトリウ
ム水溶液と飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウム
で乾燥する。溶媒を減圧で留去したのち得られる
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフイー(シ
クロヘキサン−酢酸エチル/1:3)にて精製し
て、目的とするチオエステル化合物(281mg)を
得た。酢酸エチル−n−ヘキサンから再結晶。融
点121.5〜123.5℃。(収率36.5%) IR スペクトル(KBr):1730cm-1 NMRスペクトル(acetone−d6)δppm:1.23
(3H,d,J=6)、2.77(1H,s)、2.8−
3.3(3H,m)、3.8−4.2(2H,m)、7.25
(1H,bs)、7.50(5H,s) 実施例 3 (3S,4R)−3−〔1−(R)−p−ニトロベ
ンジルオキシカルボニルオキシ〕エチル−4−
フエニルチオカルボニルメチル−アゼチジン−
2−オン (3S,4S)−3−〔1−(R)−p−ニトロベン
ジルオキシカルボニルオキシ〕エチル−4−フエ
ニルチオエチニル−アゼチジン−2−オン(448
mg)の無水ジクロロメタン(5ml)溶液に窒素雰
囲気中にて氷冷撹拌下、トリフルオロ酢酸(0.4
ml)を加え、氷冷下で30分間と更に室温で1.5時
間撹拌する。ついで、反応液を重曹(1.0g)、水
(10ml)及び酢酸エチル(20ml)からなる混液に
注加する。混合溶液を食塩で飽和させたのち分液
して有機層を分け取り、水層は酢酸エチルにて2
回抽出操作を行なう。得られた有機層と酢酸エチ
ル層を合わせて炭酸水素ナトリウム水溶液と飽和
食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥する。溶
媒を減圧で留去したのち得られる残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフイー(シクロヘキサン−
酢酸エチル/1:1)にて精製して、目的とする
チオエステル化合物(95.0mg)を粘調性油状物と
して得た。(収率63.0%) IR スペクトル(CHCl3):1770cm-1 NMRスペクトル(CDCl3)δppm:1.43(3H,
d,J=6)、2.9−3.3(3H,m)、3.8−4.2
(1H,m)、4.7−5.4(1H,m)、5.13(2H,
s)、6.40(1H,bs)、7.33(5H,s)、7.75
(4H,A2B2q,Δδ=44Hz,J=9)。 参考例 1 N−(4−メトキシフエニル)−2S−ブロム
−3R−ヒドロキシ−n−ブチルアミド 2S−ブロム−3R−ヒドロキシ−n−酪酸
(4.61g)とp−アニシジン(3.10g)のテトラ
ヒドロフラン(30ml)溶液に氷冷下、N,N′−
ジシクロヘキシルカルボジイミド(5.2g)を加
え、混合物を1時間撹拌する。沈澱物を去し、
沈澱物をクロロホルムでよく洗浄後、液にクロ
ロホルムを加えて、溶液を重硫酸カリ水溶液、重
曹水で洗浄する。無水硫酸マグネシウムで乾燥
後、溶媒を留去し、結晶性残留物をベンゼンから
再結晶して目的物(3.5g)を得る。母液を濃縮
して得た残留物をシリカゲル・カラムクロマト
(クロロホルム−酢酸エチル/4:1)に付して、
結晶性目的物(3.0g)を得た。全収量6.5g。ベ
ンゼンから再結晶。融点111〜113℃。 IR スペクトル(nujol):3370,3250,1655,
1535,1510cm-1。 NMRスペクトル(CDCl3)δppm:1.35(3H,
d,J=6)、3.25(1H,brd,J=6、重
水で消失)、3.81(3H,s)、4.17(1H,
m;重水によりd,q,J=2.5,6)、
4.39(1H,d,j=2.5)、7.12(4H,
A2B2q,Δδ=37Hz,J=9)、8.45(1H,
brs)。 参考例 2 N−(4−メトキシフエニル)−2R,3R−エ
ポキシ−n−ブチルアミド N−(4−メトキシフエニル)−2S−ブロム−
3R−ヒドロキシ−n−ブチルアミド(850mg)の
ジクロルメタン(10ml)溶液にベンジルトリエチ
ルアンモニウムヨーダイド(50mg)ついで50%カ
性ソーダ水溶液(2ml)を加え、室温で30分撹拌
する。有機溶媒層を分離し、重硫酸カリ水溶液、
水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶
媒を留去すると、結晶性目的物(0.63g)が得ら
れた。融点75℃。 IR スペクトル(nujol):3250,1665cm-1 NMRスペクトル(CDCl3)δppm:1.37(3H,
d,J=5.5)、3.15−3.6(2H,m)、3.79
(3H,s)、7.11(4H,A2B2q,Δδ=37Hz,
J=9)、7.81(1H,brs)。 参考例 3 N−(4−メトキシフエニル)−N−(フエニ
ルチオメチル)−2R,3R−エポキシ−n−ブ
チルアミド N−(4−メトキシフエニル)−2R,3R−エポ
キシ−n−ブチルアミド(9.3g)とフエニルチ
オメチルクロリド(11.3g)の混合物に氷冷下、
ベンジルトリエチルアンモニウムヨーダイド
(0.5g)、50%カ性ソーダ水溶液(10ml)を加え、
つぎに室温で1.5時間撹拌する。クロロホルム、
重硫酸カリ水溶液を加え、クロロホルム層を分
離、水洗、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒
を留去する。残留物をシリカゲル・カラムクロマ
ト(クロロホルム−酢酸エチル/20:1および
10:1)に付して、シロツプ状の目的物(13.5
g)を得た。 IR スペクトル(CHCl3溶液):1670,1510,
1245cm-1。 NMRスペクトル(CDCl3)δppm:1.16(3H,
d,J=5.5)、2.8−3.15(2H,m)、3.83
(3H,s)、5.24(2H,ABq,Δδ=48Hz,
J=14)、6.8−7.5(9H,m)。 参考例 4 N−(4−メトキシフエニル)−N−(フエニ
ルスルホニルメチル)−2R,3R−エポキシ−
n−ブチルアミド N−(4−メトキシフエニル)−N−(フエニル
チオメチル)−2R,3R−エポキシ−n−ブチル
アミド(1.34g)のジクロルメタン(10ml)溶液
に氷冷下、m−クロル過安息香酸(純度85%)
(1.75g)のジクロルメタン(30ml)溶液を加え、
室温で16時間放置する。沈澱物を去し、液を
重曹水で洗浄し、無水流硫酸マグネシウムで乾燥
後、濃縮する。残留物をシリカグゲル・カラムク
ロマト(クロロホルム−酢酸エチル/9:1)に
付して、結晶性の目的物(1.18g)を得た。 ベンゼンから再結晶。融点158〜159℃。 IR スペクトル(nujol):1700,1510,1150cm
-1。 NMRスペクトル(CDCl3)δppm:1.19(3H,
d,J=5.5)、2.8−3.2(2H,m)、3.81
(3H,s)、5.09(2H,ABq,Δδ=35Hz,
J=13.5)、7.09(4H,A2B2q,Δδ=22Hz,
J=9)、7.4−8.0(5H,m)。 参考例 5 3S−(1R−ヒドロキシエチル)−1−(4−メ
トキシフエニル)−4R−(フエニルスルホニル)
アゼチジン−2−オン N−(4−メトキシフエニル)−N−(フエニル
スルホニルメチル)−2R,3R−エポキシ−n−
ブチルアミド(0.50g)のテトラヒドロフラン
(10ml)−リン酸ヘキサメチルトリアミド(以下
HMPTと略す)(1.5ml)溶液に窒素ガス雰囲気
下、エタノール−ドライアイス沿冷却下、1.6Mn
−ブチルリチウム−ヘキサン溶液(1.82ml)を加
え、30分間撹拌する。反応液に重硫酸カリ水溶
液、酢酸エチルを加え、酢酸エチル層を分離し、
水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を
留去する。残留物をシリカゲル・カラムクロマト
(クロロホルム−酢酸エチル/3:1)に付して、
結晶性の目的物(0.41g)を得た。エタノールか
ら再結晶。融点186〜187℃。 IR スペクトル(Nujol):3540,1780,1510,
1250,1150cm-1。 NMRスペクトル(DMSO−d6)δppm:0.86
(3H,d,J=6.5)、3.45(1H,d,d,
J=2,3)、3.76(3H,s)、4.0(1H,
m,重水でd,q,J=3,6.5)、5.10
(1H,d,J=5,重水で消失),5.77
(1H,d,J=2)、7.08(4H,A2B2q,
Δδ=28Hz,J=9)、7.5−8.0(5H,m)。 参考例 6 (3S,4R)−〔1R−(t−ブチルジメチルシ
リルオキシ)エチル〕−1−(4−メトキシフエ
ニル)−4−(フエニルスルホニル)アゼチジン
−2−オン (3S,4R)−(1R−ヒドロキシエチル)−1−
(4−メトキシフエニル)−4−(フエニルスルホ
ニル)アゼチジン−2−オン(300mg)のN,N
−ジメチルホルムアミド(3ml)溶液にイミダゾ
ール(414mg)およびt−ブチルジメチルシリル
クロライド(450mg)を加える。反応液を室温で
一昼夜撹拌後、反応液を酢酸エチルで希釈し、水
で充分に洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥す
る。溶媒を減圧留去したのち、残留物をシリカゲ
ル・カラムクロマト(シクロヘキサン−酢酸エチ
ル/4:1)に付して、シロツプ状の目的物395
mgを得た。(収率:100%) IR スペクトル(CHCl3):1770cm-1 NMRスペクトル(CDCl3)δppm:0.12(6H,
s)、0.85(9H,s)、1.28(3H,d,J=
6)、3.48(1H,t,J=2)、3.87(3H,
s)、4.38(1H,dq,J=2,6)、5.33
(1H,d,J=2)、7.05(4H,A2B2q,
Δδ=28Hz,J=9)、7.3−7.9(5H,m) 参考例 7 (3S,4R)−〔1R−(t−ブチルジメチルシ
リルオキシ)エチル〕−4−(フエニルスルホニ
ル)アゼチジン−2−オン (3S,4R)−〔1R−(t−ブチルジメチルシリ
ルオキシ)エチル〕−1−(4−メトキシフエニ
ル)−4R−(フエニルスルホニル)アゼチジン−
2−オン(49mg)のアセトニトリル(1.8ml)溶
液に氷冷撹拌下硝酸セリウム()アンモニウム
(259mg)の水溶液(10.5ml)をゆつくりと滴下
し、滴下終了後、更に氷冷にて2時間撹拌する。
反応終了後、反応液を減圧濃縮したのち残留水溶
液を食塩で飽和し、酢酸エチルで抽出する。次い
で酢酸エチル抽出液を10%亜硫酸ナトリウム水溶
液で水層が無色になるまで洗浄し、更に飽和重曹
水ならびに飽和食塩水で洗浄する。無水硫酸ナト
リウムで乾燥後、溶媒を留去する。残留物をプリ
パラテイブシリカゲルクロマト(シクロヘキサン
−酢酸エチル/3:1)に付して、結晶状の目的
物17.5mgを得た。(収率46.1%)n−ヘキサン−
エタノールから再結晶。融点164〜168℃。 IR スペクトル(KBr):1780cm-1 NMSスペクトル(CDCl3)δppm:0.10(3H,
s)、0.13(3H,s)、0.92(9H,s)、1.18
(3H,d,J=6)、3.47(1H,t,J=
2)、4.30(1H,dq,J=2,6)、4.80
(1H,d,J=2)、6.62(1H,bs)、7.6−
8.1(5H,m) 参考例 8 (3S,4R)−3−〔(1R)−ヒドロキシエチ
ル)−4−(フエニルスルホニル)アゼチジン−
2−オン 3S,4R−〔3−(1R)−ヒドロキシエチル〕−1
ー(4−メトキシフエニル)−4−(フエニルスル
ホニル)アゼチジン−2−オン(1.80g)のアセ
トニトリル(50ml)溶液に室温撹拌下硝酸セリウ
ム()アンモニウム(8.19g)の水溶液(90
ml)をゆつくりと滴下し、滴下終了後、更に室温
にて2時間撹拌する。反応終了後、反応液を減圧
濃縮したのち残留水溶液を食塩で飽和し、酢酸エ
チルで抽出する。次いで酢酸エチル抽出液を10%
亜硫酸ナトリウム水溶液で水層が無色になるまで
洗浄し、更に飽和重曹水ならびに飽和食塩水で洗
浄する。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留
去する。残留物をn−ヘキサン−酢酸エチルにて
再結晶して、結晶性の目的物(890mg)を得た。
融点141〜143℃。(収率70.1%) IR スペクトル(KBr):1775cm-1 NMRスペクトル(acetone−d6)δppm:1.13
(3H,d,J=6)、2.70(1H,s)、3.45
(1H,t,J=2)、4.4−3.9(2H,m)、
4.92(1H,d,J=2)、7.6−8.1(5H,
m)。 参考例 9 (3S,4S)−3−〔1−(R)−t−ブチルジ
メチルシリルオキシ〕エチル−4−フエニルチ
オエチニル−アゼチジン−2−オン マグネシウム(2.72g)の無水テトラヒドロフ
ラン溶液(150ml)中にゆつくりと氷冷下エチル
ブロマイド(8.37ml)の無水テトラヒドロフラン
溶液(10ml)を滴下し、更に室温にて2時間撹拌
してエチルマグネシウムブロマイド溶液を調整す
る。この溶液を−30℃に冷却し、フエニルチオア
セチレン(18.5g)をゆつくりと加え、滴下終了
後、室温にて2.5時間撹拌する。再び反応溶液を
−60℃に冷却したのち、(3S,4R)−3−〔(1R)
−t−ブチルジメチルシリルオキシエチル−4−
ベンゼンスルホニル−アゼチジン−2−オン
(8.28g)を加え、−20℃まで徐々に温度を上昇し
たのち、氷冷下40分間及び室温にて一晩撹拌す
る。反応終了後、氷冷まで下げ、塩化アンモニウ
ム(12.0g)、水(150ml)及び酢酸エチル(370
ml)からなる混液に注加する。混合溶液を食塩で
飽和させたのち分液して有機層を分け取り、水層
は酢酸エチルにて2回抽出操作を行なう。得られ
た有機層と酢酸エチル層を合わせて飽和食塩水で
洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥する。溶媒を減圧
で留去したのち得られる残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフイー(ベンゼン及びベンゼン−酢
酸エチル/1:1)にて精製して、チオアセチレ
ン化合物(7.50g)を無定形固化物として得た。
(収率92.6%) IR スペクトル(CHCl3):1770cm-1 NMRスペクトル(CDCl3)δppm:0.10(6H,
s)、0.90(9H,s)、1.27(3H,d,J=
6)、3.35(1H,t,J=2)、4.27(1H,
dq,J=2,6)、4.55(1H,d,J=
2)、6.07(1H,bs)、7.1−7.5(5H,m) 参考例 10 (3S,4S)−3−〔1−(R)−ヒドロキシエ
チル〕−4−フエニルチオエチニル−アゼチジ
ン−2−オン マグネシウム(143mg)の無水テトラヒドロフ
ラン溶液(10ml)中にゆつくりと氷冷下エチルブ
ロマイド(0.44ml)の無水テトラヒドロフラン
(2ml)を滴下し、更に室温にて2時間撹拌して
エチルマグネシウムブロマイド溶液を調整する。
この溶液を−30℃に冷却し、フエニルチオアセチ
レン(0.85ml)のn−ヘキサン(0.84ml)溶液を
ゆつくりと加え、滴下終了後、室温にて1時間撹
拌する。再び反応溶液を−30℃に冷却し、t−ブ
チルマグネシウムクロライド溶液(2.1モル/
溶液、5.6ml)を加え室温にて30分間撹拌したの
ち、反応液を−30℃に冷却する。(3S,4R)−3
−(ヒドロキシエチル)−4−ベンゼンスルホニル
−アゼチジン−2−オン(1.0g)を加えたのち、
徐々に温度を上昇したのち室温で2時間撹拌す
る。反応終了後、氷冷まで下げ、塩化アンモニウ
ム(1.67g)、水(20ml)及び酢酸エチル(50ml)
からなる混液に注加する。混合溶液を食塩で飽和
させたのち分液して有機層を分け取り、水層は酢
酸エチルにて2回抽出操作を行なう。得られた有
機層と酢酸エチル層を合わせて飽和食塩水で洗浄
し、硫酸ナトリウムで乾燥する。溶媒を減圧で留
去したのち得られる残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフイー(シクロヘキサン−酢酸エチル/
1:1及びシクロヘキサン−酢酸エチル/1:
2)にて精製して、チオアセチレン化合物(807
mg)を油状物として得た。(収率83.3%) IR スペクトル(CHCl3):1765cm-1 NMRスペクトル(CDCl3)δppm:1.28(3H,
d,J=7)、2.40(1H,bs)、3.3−3.5
(1H,m)、4.0−4.5(1H,m)、4.53(1H,
d,J=2.5)、6.30(1H,bs)、7.1−7.6
(5H,m) 参考例 11 (3S,4S)−3−〔1−(R)−p−ニトロベ
ンジルオキシカルボニルオキシ〕エチル−4−
フエニルチオエチニル−アゼチジン−2−オン (3S,4S)−3−〔1−(R)−ヒドロキシエチ
ル〕−4−フエニルチオエチニル−アゼチジン−
2−オン(245mg)の無水テトラヒドロフラン
(10ml)溶液に室温撹拌下、ピリジン(0.17ml)
を加え、次いでp−ニトロベンジルオキシカルボ
ニルクロライド(661mg)の無水テトラヒドロフ
ラン(10ml)溶液を1.5時間かけてゆつくりと滴
下する。滴下終了後、更に室温で1時間撹拌す
る。反応終了後、反応液を酢酸エチルで希釈した
のち、硫酸水素カリウム水溶液及び飽和食塩水で
洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥する。溶媒を減圧
にて留去したのち、得られる残渣を減圧にて留去
したのち得られる残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフイー(シクロヘキサン−酢酸エチル/
2:1)にて精製して、p−ニトロベンジルオキ
シカルボニル化合物(422mg)を油状物(放置後、
固化)として得た。融点80〜81℃(n−ヘキサン
−酢酸エチルより再結晶)(収率69.1%) IR スペクトル(CHCl3):1770cm-1 NMRスペクトル(CDCl3)δppm:1.47(2H,
d,J=6)、3.53(1H,dd,J=2,
6)、4.52(1H,d,J=2)、4.9−5.2
(1H,m)、5.20(2H,s)、6.60(1H,
bs)、7.30(5H,s)、7.80(4H,A2B2q,
Δδ=42Hz、J=9) 参考例 12 (3S,4R)−3−〔1−(R)−P−ニトロベ
ンジルオキシカルボニルオキシ〕エチル−4−
フエニルチオカルボニルメチル−アゼチジン−
2−オン (3S,4R)−3−〔1−(R)−ヒドロキシエチ
ル〕−4−フエニルチオカルボニルメチル−アゼ
チジン−2−オン(265mg)の無水テトラヒドロ
フラン(10ml)溶液に氷冷撹拌下、ピリジン
(0.08ml)を加え、次いでp−ニトロベンジルオ
キシカルボニルクロライド(322mg)の無水テト
ラヒドロフラン(3ml)溶液をゆつくりと滴下
し、滴下終了後更に氷冷下3時間撹拌する。反応
終了後、反応液を酢酸エチルで希釈したのち、10
%塩酸水及び飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウ
ムで乾燥する。溶媒を減圧にて留去したのち、得
られる残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフイ
ー(シクロヘキサン−酢酸エチル/1:1)にて
精製して、p−ニトロベンジルオキシカルボニル
化合物(276mg)を油状物として得た。(収率62.2
%)ここで得られた化合物の赤外吸収スペクトル
及び核磁気共鳴スペクトルは実施例3で得られた
サンプルと全く一致した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 (式中、R1は水素原子または低級アルキル基
を示し、R2は水素原子または水酸基の保護基を
示し、R3は低級アルキル基、シクロアルキル基、
ヘテロシクリル基、アリール基、アラルキル基、
ヘテロアリール基またはヘテロアラルキル基を示
し、R4は水素原子またはアミド基の保護基を示
す。) を有する化合物を水加反応に付すことを特徴とす
る。 一般式 (式中、R1,R2,R3およびR4は前述したもの
と同意義を示す。) を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58127143A JPS6019763A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | アゼチジノンチオエステル類の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58127143A JPS6019763A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | アゼチジノンチオエステル類の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6019763A JPS6019763A (ja) | 1985-01-31 |
JPH03384B2 true JPH03384B2 (ja) | 1991-01-07 |
Family
ID=14952678
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58127143A Granted JPS6019763A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | アゼチジノンチオエステル類の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6019763A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3689911D1 (de) | 1985-03-29 | 1994-07-21 | Merck & Co Inc | Enantioselektives Verfahren zur Herstellung von 1-beta-Methylcarbapenem-Antibiotikumzwischenprodukten. |
US6909910B2 (en) | 2002-02-01 | 2005-06-21 | Microsoft Corporation | Method and system for managing changes to a contact database |
US9639554B2 (en) | 2004-12-17 | 2017-05-02 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Extensible file system |
US8321439B2 (en) | 2004-12-17 | 2012-11-27 | Microsoft Corporation | Quick filename lookup using name hash |
-
1983
- 1983-07-13 JP JP58127143A patent/JPS6019763A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6019763A (ja) | 1985-01-31 |
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