JPH0338257A - 薬液処理槽 - Google Patents

薬液処理槽

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JPH0338257A
JPH0338257A JP17334189A JP17334189A JPH0338257A JP H0338257 A JPH0338257 A JP H0338257A JP 17334189 A JP17334189 A JP 17334189A JP 17334189 A JP17334189 A JP 17334189A JP H0338257 A JPH0338257 A JP H0338257A
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JP
Japan
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box
shaped lid
gas
chemical
duct
Prior art date
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Pending
Application number
JP17334189A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaaki Sadamori
貞森 將昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH0338257A publication Critical patent/JPH0338257A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B15/00Preventing escape of dirt or fumes from the area where they are produced; Collecting or removing dirt or fumes from that area
    • B08B15/02Preventing escape of dirt or fumes from the area where they are produced; Collecting or removing dirt or fumes from that area using chambers or hoods covering the area
    • B08B15/023Fume cabinets or cupboards, e.g. for laboratories

Landscapes

  • Devices For Use In Laboratory Experiments (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は所謂局所排気装置に係るもので、半導体産業
等で比較的小さな部品類を薬洗するのに用いる薬液処理
槽に関するもの。
〔従来の技術〕
第2図は従来より広範に用いられている薬液処理槽をド
ラフトチャンバーにセントした断面図であり、(1)は
ドラフト筐体、(1a)は流し台で、この上に薬液処理
槽(2)や水洗槽をセントしている。薬液処理槽(2)
には半導体材料等を洗浄する酸類、例えば硝酸、弗酸、
塩酸などやアルカリ類、例えばアンモニア水、苛性カリ
液など有機溶剤は例えば°イソプロピルアルコール、ア
セトン、キシレンなどやその他メツキ液などが入れられ
全体として箱状に形成されている。
この明細書では、これらを総称して単に薬液(3)と定
義する。
さて、ドラフト筐体(11には全面ドア(1b)があっ
て上下にスライドし、普通天井部には排気ダクト(1c
)が設けである。
従来の薬液処理槽(2)のドラフトチャンバーは上記の
様に構成され、半導体材料、例えば、半導体ウェハなど
を薬液処理槽(2)に浸漬すると化学反応や、薬液(3
)自体の蒸発によりガス(3a)が発生する。
このガス(3a)は排気ダクト(lc)より吸引されて
排出される訳であるが、実際には気流に乗って排気しな
いとうまく排出されないため前面ドア(1b〉を幾分開
放して外気(4)を呼び込み、この外気が排気ダクト(
lc)に吸引される際の気流に乗ってガス(3a)の排
出が行なわれる様になっている。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記のような従来の薬液処理槽をセットしたドラフトチ
ャンバーでは、このドラフト筐体(1)内にオペレータ
ー(5)が腕を入れて洗浄作業をするための空間(ld
)が必要である為に排気の対象はこの空間(1d)の容
積と、発生するガス(3a)の量と、ガス(3B〉がド
ラフト筐体(11外に流出しない様にドラフロ筐体内を
還流する吸入外気(匂となるが、この場合、上記空間(
1d)に薬液(3)からの発生ガス(3a)がばらまか
れてそれだけ排気負荷が増大するばかりか発生ガス(3
a)を希釈させてしまい、結局大量のガス(3a)を排
気せねばならないことになる。
又、従来のドラフトチャンバーでは発生ガスのドラフト
外流出を抑えつつ、外気を吸引する為に適当に前面ドア
(ld)を開閉せねばならないが、オペレータ(5)の
作業性を考慮するとき、丁度作業性が良い前面ドア(l
d)の開放位置が排気効率が良いとは限らず、一般に作
業性が良いときは前面ドア(ld)を開放しすぎて発生
ガス(3a〉がオペレーター(5)側に流出して来るこ
とが多い。
それ故に、通常の作業場に於いては排気ダクト(1c〉
より大量の排気を行う様に設計することになる。
しかし乍ら、特に半導体製造工場に於いては恒温恒温且
つ塵芥の極めて少ない空調を必要とすることから、ドラ
フトチャンバーよりコストの高い空調済みの空気を大量
に排出することは極めて不経済である。
尚、発生するガス量の例として半導体ウェハの脱脂洗浄
を挙げてみる0例えばトリメチルベンゼン(CiHs(
CHs)3)を用いた場合、これの1 mol が12
0gで85℃で煮沸洗浄を行って完全に気化するとシャ
ルルの法則により22.4jX(273+85)”K/
273°に−29,37,M!のガス量となり、これは
120gの体積のトリメチルベンゼンの比重が0.87
5であることから29.374d+ (12010,8
75) j−214、即ち214倍にガス化する。
実際に工場での操業レベルでは、薬液処理槽の表面積が
800−のとき1時間の煮沸洗浄では約241/時間の
ガス発生を確認したが、液面の減量はわずか140であ
り、液体のガス化量の規模が良く理解出来る。
この発明は、かかる問題点を解決する為になされたもの
で薬液処理槽から発生するガスのドラフトチャンバー内
への希釈飛散を防止し、薬液からのガスの発生段階で速
やかにこのガスを除去することを目的とし、併せて作業
性の良いドラフトチャンバーを得るためになされたもの
である。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る薬液処理槽は上方側部に排気孔を、設け
て独立して排気し、最上方開口部には箱形のフタをヒン
ジで取りつけ、このヒンジ後方に番よ別に独立したレシ
ーバ−型排気ダクトを設けてこの箱形フタが閉じている
ときはレシーバ−型ダクトも閉じ、箱形ダクトが開放し
たときはレシーバ−型ダクトが開通する様にしたもので
ある。
〔作 用〕
本発明に於ける上方側部排気孔は常時発生するガスの排
出を行うものであり、最上方の開口部に開閉自在に取り
つけた箱形フタは閉じているときは薬液からのガスの上
方への飛散を完全に防止し、ガスの流出は専ら上方側部
排気孔より行なわれてドラフト内空間には洩れない。
次に箱形フタを開けたとき、比重の軽いガスはドラフト
内空間に飛散せずに殆んどレシーバ−型ダクトにドラフ
トの開口部より流して来る″外気と共に吹き込まれる。
〔実施例〕
第1図は本発明の一実施例を示す要部の断面図であり、
ドラフト筐体+11、流し台(la)、前面ドア(lb
)及び薬液(3)は従来と同じである。(至)は本発明
に基づく薬液処理槽で、トリメチルベンゼン(3)が入
っている。N液処理槽(至)の下部には、ヒーター(2
0a)が埋め込まれ、比較的上方の側板には排気孔(2
0b)及び(20c)が穿孔されていて独立して主排気
ダクト(6)につながっている、尚、この排気孔(20
b)及び(20c)はトリメチルベンゼン(3)がこぼ
れない程度に十分に高い位置にある。
(20d)は箱形のフタで薬液処理槽(2a)の上方縁
部を囲う様に四方に囲い板を設けている。又、この箱形
フタ(20d)はドラフトの前面ドア(1b〉が開く様
に後方にヒンジ(20e) で取り付けられており上記
囲い板の後方囲い板(20d−1)は同じく薬液処理槽
の後方に設けたレシーバ−型ダクト(5)を箱形フタ(
20d)の開閉に伴って開閉するダンパーになっている
なお、レシーバ−型ダクト(5)も独立して主排気ダク
ト(6)につながっている、主排気ダクト(6)内の空
気搬送速度は約10m/秒に設定されている。
さて、薬液処理される材料として半導体ウェハ(7)を
例にとって更に詳しく説明する。一般に半導体ウェハプ
ロセスでは半導体ウェハ(7)の脱脂洗浄はあらゆる工
程に付随して行なわれており、強い脱脂とか化学反応を
要求する場合は薬液(3)を加熱するのが合理的である
0本実施例ではホトレジストの8M剤を除去する為にト
リメチルベンゼン浴にて半導体ウェハを煮沸する場合を
述べる。まず、トリメチルベンゼンを85℃に加温し、
半導体ウェハ(7)をバスケット(8)に収納してトリ
メチルベンゼン浴(3)に浸漬する。半導体ウェハ(7
)に付着しているホトレジストの剥離剤は順次、トリメ
チルベンゼンに溶けていくが、トリメチルベンゼン(3
)及び剥離剤から蒸気(3a)が発生する。この場合、
あまり加熱されていない蒸気(3b)は空気に対する比
重が比較的大きいためそれほど上昇せず上方の側部に設
けた排気孔(20b)及び(20c)より流出し主排気
ダクト(6)に入る。しかし十分に加熱された蒸気(3
c)は同時に間接的に加熱された周辺の空気の上昇気流
と共に上方に上昇していく、この場合、箱形フタ(20
d)を閉じていると加熱された蒸気(3C)は逃げ出せ
ずに上方側部排気孔(20b)及び(20c)より排気
される0次に、半導体ウェハ(7)の出し入れのために
、箱形フタ(20d)を開けた場合は蒸気(3C)はド
ラフトの空間(1d)にばらまかれようとする、しかし
、箱形フタ(20d) のヒンジ側に薬液処理槽−に近
接して設けたレシーバ−型ダクト(5)が開通して陰圧
となり、前面ドア(1b)側より流してきた外気(4)
によって蒸気(3c)はレシーバ−型ダクト(5)に吹
き込まれ、ドラフト空間(1d)に殆んどばらまかれな
い。
さて、この様に構成すると排気量に無駄がなく、薬液の
蒸発損失も最少に抑えることが出来る。即ち、レシーバ
−型ダクト(5)は、箱形フタ(2(M)が開いたとき
のみ作動するから、排気は専ら上方側部排気孔(20b
)及び(20c)の負担分だけで済み、通常は箱形フタ
を閉じているので薬液の蒸発損失は当然少ない、又、こ
の様に薬液から発生するガスは処理槽から出ればすぐに
排出されてしまうからドラフト空間(1d)に殆んど流
出しなくドラフト取扱作業も自由度が増すほか面前ドア
を大きく開けても空調済み空気(4)の大量損失はない
ところで、上記実施例ではトリメチルベンゼンの煮沸に
ついて述べたが、その他の薬液処理にも広範に利用可能
である。
〔発明の効果〕
本発明は以上説明した通り薬液処理の比較的上方側部に
設けた排気孔と最上方開口部に設けた箱形フタの効率の
良いそれぞれが独立した排気構造により、発生ガスの効
率的除去と薬液の蒸発損失を最少に抑えるほか、ドラフ
ト作業がより楽になると言う効果を有する。
尚、箱形フタ部分に冷却装置を設けてガスの凝縮を高め
る様にしても良い。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す要部の断面図、第2図
は従来の薬液処理槽及びドラフトチャンバーを示す断面
図である0図中、5はレシーバ型ダクト、6は主排気ダ
クト、20d は箱形フタである。 各図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 浸漬して使用する薬液処理槽に於いて、上記処理槽の比
    較的上方側部には少なくとも1ケ所以上の排気孔を設け
    て独立して排気し上記処理槽の最上方開口部にはドラフ
    ト開口部と反対側に設けたヒンジによって接続された開
    閉自在の箱形フタを上記最上方開口部の上記ヒンジ側に
    は別に独立したレシーバ型排気ダクトをそれぞれ設け、
    上記箱形フタを閉じている時は、上記レシーバ型排気ダ
    クトは上記箱形で遮蔽され、上記箱形フタを開けた時は
    、上記レシーバ型排気ダクトは開通する様にしたことを
    特徴とする薬液処理槽。
JP17334189A 1989-07-04 1989-07-04 薬液処理槽 Pending JPH0338257A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0528426U (ja) * 1991-09-27 1993-04-16 株式会社イトーキクレビオ ドラフトチヤンバー
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