JPH0337664A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は感光体、特に電子写真感光体に関するものであ
る。

〔従来技術〕

有機光導電性物質（ＯＰ　Ｃ）を使用する感光体は、無
機系光導電性物質に比べて一般に毒性が弱く、かつ可撓
性や軽量性、製膜性、コスト等において有利であること
から、最近注目されてきてぃる。

こう、した電子写真感光体において、電荷の発生と輸送
の両機能が分離した材料を用いる機能分離型感光体は、
この各々の機能を独立して設計することが可能で、感光
体設計上、選択の幅が拡がり有利であり、その結果、電
子写真緒特性を向上させることができ、感度、繰返し特
性、機械強度等の点で優れる。

かかる電子写真感光体は、一般に電子写真複写機、プリ
ンタ等に広く用いられている。例えば複写機では可視光
光源に対して光感度を有する感光体が開発されており、
一方コンピュータの末端に半導体レーザを光源とするプ
リンタが用いられている。プリンタに組込む電子写真感
光体は近赤外領域に高感度をもたなくてはならない。

又、半導体レーザ使用のプリンタに、白色光を光源とし
て複写機能をもたせた装置の開発も進められている。

この場合、感光体では、まず、プリンタ機能に適応する
ために近赤外領域に高感度を有し、かつ複写機能に適応
するために可視光領域の光に高感度でなければならない
。即ち、上記の如きプリンタ機能と白色光を光源とした
複写機能との両機能を備えた装置に適用できる複合化電
子写真感光体の開発が要請されている。

例えば、特開昭４７−３７５４３号、同５５−２２８３
４号、同５４−７９６３２号、同５６−１１６０４０号
等によりすでに知られているビスアゾ化合物を含有する
感光体では、短波長及び中波長域で比較的良好な感度を
示すが、長波長域での感度が低く、半導体光源を用いる
レーザプリンタには用いることができなかった。

現在広く使用されているガリウム−アルミニウムー砒素
（Ｇａ−Ａ（２−Ａｓ）系発光素子は発振波長が７５０
■以上であり、このような長波長域に感度を有する有機
系感光体としては、例えば、特公昭４９−４３３８号、
特開昭５８−１８２６３９号、同６０−１９１５１号に
記載されているＸ、τ、τ　、η、η′型無金属フタロ
シアニン化合物が挙げられる。

更に特開昭６１−２３９２４８号記載のα型タチニル７
タロシアニン、特開昭６２−６７０９４号に記載のβ型
チタニルフタロシアニン及び電子写真学会誌第２７巻第
４号（ｐ１９〜２４）に報告されたｍ型チタニルフタロ
シアニン等が挙げられる。

しかし、このような長波長域に高感度を有する電子写真
感光体は、中波長域から短波長域での光感度が十分では
なく、白色光源等を光源とする複写機能には対応できな
かった。

導体レーザ光用電子写真感光体は、それぞれ単独では比
較的良好な性能が得られているが、短波長域から長波長
域まで幅広く感度を有する感光体が求められている。

この求めに応じてパンクロマチックな感光体として、Ｎ
−ジメチルジフェニルアミン型及びアンスラキノン型の
ジスアゾ顔料の両方を含有する感光体（特開昭６３−２
３６０４８号）、或は前記感光体においてアンスラキノ
ン型に代えてフエナントラキノン型を併含する感光体（
特開昭６３−２３６０４９号）が提案されたが、未だ満
足すべき段階には到っていない。

更に、電子写真複写機、プリンタの高速化、感光体ドラ
ムの小径化を含む小型化に伴い、複写プロセスに要する
時間が著しく短縮されると共に、デジタル化も進み、更
に複写回数も増大して、感光体に対して高感度、帯電特
性の安定化、光減衰の迅速な応答性及び化学的な耐久性
、物理的な耐用性等多岐に亘る要求が重なって来ている
。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、可視光から近赤外領域に亘って高感度
の分光感度特性を有し、プリンタ機能と白色光を光源と
する複写機能との両機能を備えた装置に適用でき、かつ
繰返し特性に優れている複写プロセスの高速化に対応で
きるような感光体を提供することである。

〔発明の溝底及び作用効果〕

前記しＩ；本発明の目的は、基体上にキャアリ発生物質
とキャリア輸送物質を含有する感光層を設け、前記感光
層にキャリア物質として、チタニルフタロシアニンと、
下記−形成（ＢＡ）で示されるビスアゾ顔料とを別個に
又は混合して含有する本発明において好ましく用いられ
るチタニルフタロシアニンは、Ｃｕ−Ｋａ線（波長１．
５４１人）に対するＸ線回折スペクトルにおいて、測定
誤差±０．２°を含んでブラッグ角２θでのピーク位１
ｉｔ（以後の記述において±０，２°の誤差値は省略す
る）が、（１）７．５’、■２．３°、１６．３’、２
５．３°及び２８，７°に強いピークをもつα型チタニ
ルフタロシアニン、（２）９．３°、ｌ０１６°、１３
．２°、１５．１’、１５．ｒ、１６．１’、２０．８
°、２３．３°、２６．３°及び２７．１’に強いピー
クをもつβ型チタニルフタロシアニン、（３）６．９’
、１５．５’及び２３．４’に強いピークをもつｍ型チ
タニルフタロシアニン及び（４）９．６°及び２７．２
°に強いピークをもつチタニルフタロシアニン（本発明
においては、Ｙ型チタニルフタロシアニンと称し、前三
者と弁別する）である。

尚本発明に係るチタニルフタロシアニンのピークとは、
ノイズと明瞭に異った鋭角の錐状突起である。

本発明のチタニルフタロシアニンの基本構造は次の一般
式〔ＰＣ〕 で表される。

一般式（Ｐ　ｃ） 但し、Ｘ　ｌ、　Ｘ　２．　Ｘ　３．　Ｘ　４は水素原
子、ノ・ロゲン原子、アルキル基、或いはアルコキシ基
を表し、ｎ、ｍ、４．にはＯ〜４の整数を表す。

上記のＸ線回折スペクトルは次の条件で測定した反射回
折スペクトルである。（３２０型自記記録分光光度計（
日立製作新製）を使用） Ｘ線管球　　　　Ｃｕ 電　　　圧　　　　　　　４０．ＯＫＶ電　　　流　　
　　　　　１００　　　　　ｍ　Ａスタート角度　　　
６．００　　ｄｅｇ。

ストップ角度　　　３５．００　　ｄｅｇ。

ステノブ角度　　　０．０２０　ｄｅｇ。

測定時間　　　　　０．５０　　ｓｅｃ。

本発明に係るチタニルフタロシアニン（以後前記本発明
品に限定してＴｉ０Ｐｃと標記する）は、例えば下記製
造方法によって製造される。

１．３−ジイミノイソインドリンとスルホランを混合し
、これにチタニウムテトラプロポキシドを加え、窒素雰
囲気中で８０〜３００℃、好ましくは１００〜２６０°
Ｃで反応させる。反応終了後、放冷して析出物を濾取し
てタチニルフタロンアニン’１１゜処理に用いられる装
置としては一般的な撹拌装置の他に、ホモミキサ、ディ
スパーザ、アジター或はボールミル、サンドミル、アト
ライタ等を用いることができる。

前記したチタニルフタロシアニンにおいて、本発明に最
も好ましく用いられるものはＹ型チタニルフタロシアニ
ンであり、更に９．６°のピーク強度が２７．２°のピ
ーク強度の４０％以上である結晶状態のタチニルフタロ
シアニンが好ましく、更に好ましくは前記本発明に係る
フタロシアニンにおいて、２ｒのピーク強度を基準にし
て、９．６°のピーク強度が６０％以上を示す結晶状態
のチタニルフタロシアニン及び／又は９．６°のピーク
強度が５０％以上でかつ６．７°のピーク強度が３０％
以下である結晶状態であるチタニルフタロシアニンを含
有させることにより、高感度で帯電特性のよい感光体を
形成することができる。

Ｔｉ０Ｐｃのブラッグ角２θのＸ線回折図を第１図に、
分光吸収スペクトルを第２図に示す。Ｔｉ０Ｐｃ長波長
側に大きな吸収の山を有し、可視領域短波側に深い谷を
有する。

本発明に係る一般式（Ｂ　Ａ）で表されるビスアゾ顔料
において、 ここで、Ａｒ、は芳香族環基又は複素環基を表す。

Ａｒ、及びＡｒ３はそれぞれ芳香族環基を表す。

Ｒ１及びＲ１はそれぞれ水素原子、アルキル基又はアリ
ール基を表す。Ｒ８はアルキル基、カルボキシル基又は
そのエステル基を表す。Ｚは芳香族環又は複素環を形成
するのに必要な原子群を表す。

Ａｒ、、Ａｒ、又はＡｒ３で表される芳香族基は、例え
ばフェニル基、ナフチル基等であり、Ａｒｌで表される
複素環基は例えばジベンゾフラン環、カルバゾール環、
インドール等環である。

Ｒ、、Ｒ、又はＲ１で表されるアルキル基は例えばメチ
ル基、エチル基等の低級アルキル基であり、Ｒ７又はＲ
１で表されるアリール基は例えばフェニル基等である。

又Ｚにより形成される芳香族環又は複素環の具体例は上
記Ａｒ、〜Ａｒｓの具体例と同ようなものを挙げること
ができる。

Ａ　ｒ＋−Ａ　ｒ３．　Ｒｌ−Ｒ３及び２で表される多
基は置換を有してもよく、置換基としては例えばハロゲ
ン原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、置換ア
ミノ基、アシルアミノ基、シアノ基、カルボキシル基、
スルホン酸基、スルファモイル基等である。

一般式（Ｂ　Ａ）で示される化、金物（以下、ビスアゾ
（ＢＡ）と称す。）の代表的具体例を以下に示すが、こ
れらに限定されるものではない。

以上のごときアゾ化合物は例えば特開昭５３−２２８３
４号に記載の方法により容易に合皮することができる。

本発明に係るビスアゾ（Ｂ　Ａ）は４５０■〜６００ｎ
ａの領域で感度が高く、本発明に用いるＴｉ０Ｐｃの低
感度スペクトル領域の感度を補うものであり、かつ本発
明に係るＴ　１ＯＰｃと併用したとき、帯電電位、残留
電位などについての繰返し特性が著しく安定であるとい
う特徴を有する。

このような異種のキャリア発生物質の併用は必ずしも一
律的な選択手段があるというものでもなく、本発明にお
いても数多くの化合物の中から実験の積み重ねによって
前記Ｔｉ０Ｐｃとビスアゾ（ＢＡ）の組合せを決定した
ものである。

本発明のこの組合せによって、長波長から短波長まで広
いスペクトル領域に、高感度を保持でき、なおかつ繰返
し使用時も電位の履歴を小さくできＩこ　。

これによれば、可視域で主たる分光感度が必要な複写機
（例えば蛍光灯、ハロゲンラング、キセノンランプ等の
画像信号−アナログ信号）として好適となり、かつ可視
光領域中の長波長側あるいは赤外域で主たる分光感度が
必要なプリンタ（例えば発光ダイオード、Ｈｅ−Ｎｅレ
ーザ等の気体レーザ、半導体レーザ等の画像信号−デジ
タル信号）として好適となる。この意味で、アナログ／
デジタルの両方式を夫々実現できる。

次に本発明に用いられるキャリア輸送物質としては、特
に制限はないが、例えばオキサゾール誘導体、オキサジ
アゾール誘導体、チアゾール誘導体、チアジアゾール誘
導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、イミ
ダシロン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ビスイミダゾ
リジン誘導体、スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピ
ラゾリン誘導体、アミン誘導体、オキサシロン誘導体、
ベンゾチアゾール誘導体、ベイズイミダゾール誘導体、
キナゾリン誘導体、ベンゾフラン誘導体、アクリジン誘
導体、フェナジン誘導体、アミノスチルベン誘導体、ポ
リ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリー■・ビニルピレン
、ポリ−９−ビニルアントラセン等から選ばれた一種又
は二種類以上が例示される。

これらのうちキャリア輸送物質としては、光照射時発生
するキャリアの支持体側への輸送能力が優れている外、
本発明に係るＴｉｏＰｃ及びビスアゾ［：ＢＡ）との組
合せに好適なものが好ましく、かかる電荷輸送物質とし
ては下記−形成（Ａ　）、（Ｂ　）−形成（Ａ） 但し、Ａ　ｒ　’　＋　Ａ　ｒ　２＋　Ａ　ｒ　’はそ
れぞれ置換又は無置換のアリール基を表し、Ａｒ３は置
換又は無置換のアリーレン基を表し、Ｒ６は水素原子、
置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無
置換のアリール基を表す。

このような化合物の具体例は特開昭５８−６５４４０号
の第３〜４頁及び同５８−１９８０４３号の第３〜６頁
に詳細に記載されている。

’、　　　Ｎ　　Ｎ　−ＣＴＣＨ−ＣＨ）ｎ−Ｒ’パ・
−Ｉ ６ 但し、Ｒ２は置換、無置換のアリール基、置換。

無置換の複素環基であり、Ｒ１は水素原子、置換。

無置換のアルキル基、置換、無置換のアリール基を表し
、詳細には特開昭５８−１３４６４２号及び同５８−１
６６３５４号の公報に記載されている。

Ｒ嘗 但し、Ｒ′は置換、無置換のアリール基であり、Ｒ”水
素原子、ハロゲン原子、置換、無置換のアルキル基、置
換、無置換のアルコキシ基、置換。

無置換のアミノ基、ヒドロキシ基であり、Ｒ１１は置換
、無置換のアリール基、置換、無置換の複素環基を表す
。これらの化合物の合成法及びその例示は特公昭５７−
１４８７５０号に詳細に記載されており、本発明に援用
することができる。

その他の好ましいキャリア輸送物質としては、特開昭５
７−６７９４０号、同５９−１５２５２号、同５７−１
０１８４４号にはそれぞれ記載されているヒドラゾン化
合物を挙げることができる。

キャリア発生層或はキャリア輸送層の形成に用いられる
バインダ樹脂は任意のものを用いることができるが、疎
水性で、かつ誘電率が高く、電気絶縁性のフィルム形成
性高分子重合体を用いるのが好ましい。このような高分
子重合体としては、例えば次のものを挙げることができ
るが、これらに限定されるものではない。

Ｐ−１）ポリカーボネート Ｐ−２）ポリエステル Ｐ−３）メタクリル酸樹脂 Ｐ−４）アクリル樹脂 Ｐ−５）ポリ塩化ビニル Ｐ−６）ポリ塩化ビニリデン Ｐ−７）ポリスチレン Ｐ−８）ポリビニルアセテート Ｐ−９）スチレン−ブタジェン共重合体Ｐ−１０）塩化
ビニリデン−アクリロニトリル共重合体 Ｐ−１１）塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体Ｐ−１２）
塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体 Ｐ−１３）シリコーン１１ｉ１脂 Ｐ−１４）シリコーン−アルキッド樹脂Ｐ−１５）フェ
ノールホルムアルデヒド樹脂Ｐ−１６）スチレン−アル
キッド樹脂 Ｐ−１７）ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールｐ−１８）ポ
リビニルブチラール Ｐ　−　１’９）ポリビニル７オルマールこれらのバイ
ンダ樹脂は、単独であるいは２種類以上の混合物として
用いることができる。

本発明に係る感光層には、オゾン劣化防止の目的で酸化
防止剤を添加することができる。酸化防止剤としては、
ヒンダードフェノール、ヒンダードアミン、パラフェニ
レンジアミン、アリールアルカン、ハオドロキノン、ス
ピロクロマン、スピロインダノン及びそれらの誘導体、
有機硫黄化合物、有機燐化合物等が挙げられる。

これらの具体的化合物としては、特開昭６３−１４１５
３号、同６３−１８３５５号、同６３−４４６６２号、
同６３−５０８４８号、同６３−５０８４９号、同６３
−５８４５５号、同６３−７１８５６号、同６３−７１
８５７号及び同６３−１４６０４６号に記載がある。

キャリア発生層には感度の向上、残留電位長芋反復使用
時の疲労低減等を目的として、一種又は二種以上の電子
受容性物質を含有せしめることができる。

電子受容性物質の添加量は、重量比でキャリア発生物質
：電子受容性物質−１００　：　（０．旧〜２００）、
好ましくは１００　：　（０．１〜１００）である。

電子受容性物質はキャリア輸送層に添加してもよい。か
かる層への電子受容性物質の添加量は重量比でキャリア
輸送物質：電子受容性物質−１００：（０．０１〜１０
０）、好ましくはｔｏｏ　：　（０．１〜５０）である
。

電子受容性物質の具体例は、特開昭６３−１６８６５６
号等に記載されている。

又本発明の感光体には、その他、必要により感光層を保
護する目的で紫外線吸収剤等を含有させてもよく、又感
色性補正の染料を含有させてもよい。

本発明の感光体は支持体上に、キャリア発生層、キャリ
ア輸送層、更に必要に応じ、保護層、中間層、バリア層
、接着層等の補助層が積層されてもよい。

キャリア発生層については、下記方法が適宜用いられる
。

Ｉ）　キャリア発生物質を適当な溶媒に溶解した溶液を
、あるいは必要に応じてバインダ樹脂を加え混合溶解し
Ｉ；溶液を塗布する方法。

２）　キャリア発生物質をボールミル、ホモミキサ等に
よって分散媒中で微細粒子（好ましくは粒径５μｍ以下
、更に好ましくは１／Ｊ−以下）とし、必要に応じてバ
インダ樹脂を加え混合分散した分散液を塗布する方法。

キャリア発生層の形成に使用される溶媒あるいは分散媒
としては、ブチルアミン、ジエチルアミン、エチレンジ
アミン、インプロパノールアミン、トリエタノールアミ
ン、トリエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノ
ン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム、１
．２−ジクロルエタン、１．２−ジクロルプロパン、１
，１．２−トリクロルエタン、１，１．ｌトリクロルエ
タン、トリクロルエチレン、テトラクロルエタン、ジク
ロルメタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、メタノ
ール、エタノール、イングロバノール、酢酸エチル、酢
酸ブチル、ジメチルスルホキシド、メチルセロソルブ等
が挙げられる。

又、キャリア輸送層は上記キャリア発生層と同様にして
形成することができる。

感光体に用いられる導電性支持体としては、合金を含め
た金属板、金属ドラム又は導電性ポリマ、酸化インジウ
ム等の導電性化合物や合金を含めたアルミニウム、パラ
ジウム、金等の金属薄層を塗布、蒸着あるいはラミネー
トして、導電性化された紙、プラスチックフィルム等が
挙げられる。

゛接着層あるいはバリヤ層などの中間層としては、前記
バインダ樹脂として用いられる高分子重合体のほか、ポ
リビニルアルコール、エチルセルロース、カルボキシメ
チルセルロースなどの有機高分子物質又は酸化アルミニ
ウムなどが用いられる。

次に本発明の感光体の具体的構成について述べる。

第３図及び第４図は夫々本発明の感光体の態様例の感光
体の断面図である。

第３図はキャリア輸送層（ＣＴＬ）がキャリア発生層（
ＣＧＬ）の上に積層された態様であって負帯電用感光体
として好ましい態様であり、第４図はその逆にＣＴＬの
上にＣＧＬが積層された態様であって正帯電用感光体と
して好ましい態様である。

更に本発明においては、キャリア発生物質（ＣＧＭ）と
してＴｉ０Ｐｃとビスアゾ（ＢＡ）の２種を用いるので
、夫々別層のＣＧＬとする態様が可能である。

第３図（ａ）において、１は支持体、２はＣＧＬであり
かつ上下２層のＣＧＬ２Ａ及び２Ｂからなる。３はキャ
リア輸送物質（ＣＴＭ）を含むＣＴＬである。又第４図
の場合も同様の構成が可能であり、第３図と同記号は同
意味の層である。

’ＣＧ　Ｌに２層構成を採る場合、イオン化ポテンシャ
ル或はＣＴＬのエネルギー注入バリアに原因すると思わ
れるが、第３図の負帯電用にはＣＴＬに接するＣＧＬ２
ＡにＴｉ０Ｐｃを、支持体に接するＣＧＬ２Ｂにビスア
ゾ（ＢＡ）を振当ることが好ましい。又第４図の正帯電
用の場合にもＣＴＬに接する下層のＣＧＬ２ＢにＴｉ０
Ｐｃを、上層のＣＧＬ２Ａにビスアゾ（Ｂ　Ａ）を振当
ると性能が良好となる。

本発明の感光体の層ｍ戊は前記第３図（ａ）、第４図（
ａ）に限らず種々の態様が可能である。

第３図において、同図（ｂ）の４はＴｉ０Ｐｃ及びビス
アゾ（ＢＡ）で混成されたＣＧＬであり、同図（ｃ）の
５はＴｉ０Ｐｃ又はビスアゾ（ＢＡ）のいづれか一方が
ＣＴＭと混成されたキャリア発生−輸送複合層（ＣＧＴ
Ｌ）であり、更に同図（ｄ）の７は二種のＣＧＭとＣＴ
Ｍで混成されたＣＧＴＬである。

第４図に示される正帯電用の場合にも同様の構成を与え
ることができる。

本発明においては補助層が活用されてもよく、第３図に
おいて、保護層８、バリア層（又は接着層）９、中間層
１０を設けた態様例を示した。第４図の場合も同様であ
る。

前記ＣＧＬにおいて、ＣＧＭとバインダとの重量比は好
ましくはｔｏｏ　：　ｏ　−ｔｏｏｏがよい。ＣＧＭの
含有割合がこれより少ないと光感度が低く、残留電位の
増加を招き、又これより多いと暗減衰及び受容電位が低
下する。

第３図、第４図において、下側ＣＧＬ２Ｂの膜層は０．
０１−１０ｐｍ（更には０．０５−１７７　ｍ　）とす
るのが好ましく、上側ＣＧＬ２Ａの膜厚は０．Ｏ１〜１
０μ■（更には０．５〜５μｌ１１）とするのが好まし
い。

又ＣＴＬにおいて、ＣＴＭはＣＴＬ中のバインダ樹脂１
００重量部（ｗｔと標記）当たり２０〜２００ｗｔが好
ましく、特に好ましくは３０〜１５０ｗｔである。

又、形成されるＣＴＬの厚さは、好ましくは５〜５０μ
讃、特に好ましくは５〜３０μ−である。

第５図には、本発明の感光体ｌｌを用いた画像形成装置
の一例を示している。ここで、２０は帯電極、２１は長
波光用光源、２２は短波光用（可視光）光源、２３は現
像器、２５は転写電極、２６は分離電極、２７はクリー
ニングブレード、２８は除電ランプである。

又、光源２１．２２は使用可能な光源としては、白色光
、ハロゲンランプ光、タングステン光、蛍光灯光やレー
ザ光（半導体レーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ）、ＬＥＤ等が
あげられる。

現像器２３は、通常の順現像法、或は反転現像法のいず
れでもよい。除電ランプ２８は、順現像時、反転現像時
のいずれｊ：８いても有効である。

画像形成に際しては、まず白色光源を使用する場合は、
２０で帯電されＩ；感光体は２２で画像露光され、２３
で現像される。これを２５の転写電極で転写紙２４に転
写し、２６の分離電極で転写紙を分離する。

感光体１１に残ったトナーは２７で掻き落とし、クリニ
ングされる。

一方、レーザ光源を用いた場合は、２０で帯電された感
光体は２１のレーザ光源で画像露光され、２３で現像さ
れる。これを２５の転写電極で転写紙２４に転写し、２
６の分離電極で転写紙を分離する。残ったトナーは２７
でクリーニングされる。

この記録装置のように、ドラム状の感光体を用いるもの
にあＩ；っては、レーザ光源による画像露光は、＄６図
に示したようなレーザビームスキャナによるものが好ま
しい。

第６図のレーザビームスキャナの作動を次に述べる。

半導体レーザ４１で発生されたレーザビームは、駆動モ
ータ４２により回転されるポリゴンミラー４３により所
定振幅角内で左右に振られ、ｆ−θレンズ４４を経て反
射鏡４５により光路を曲げられて感光体２３の表面上に
投射され線４６上を走査する。

４７はビーム走査開始を検出するためのインデックスセ
ンサで、４８．４９は倒れ角補正用のシリンドリカルレ
ンズである。５０ａ　、５６ｂ　、５０ｃ　　は反射鏡
でビーム走査光路及びビーム検知の光路を形成する。

走査が開始されるとビームがインデックスセンサ４７に
よって検知され、信号によるビームの変調が図示省略し
た変調部によって開始される。変調されたビームは、帯
電器２０により予め一様に帯電されている感光体上を走
査する。レーザビーム５１による主走査と感光体の回転
による副走査によりドラム表面に潜像が形成されていく
。

又、感光体がベルト状のように平面状態をとる記録装置
にあたっては、画像露光を７ラツシユ露光とすることも
できる。

〔実施例〕

以下に本発明を実施例１〜２０を挙げ、比較例（１）〜
（３）を参照して説明するが、本発明の実施態様が以下
の例示に限定されるものではない。

次に本発明の詳細な説明に用いるＹ型チタニルフタロシ
アニンの合成例を挙げる。

合成例１ １．３−ジイミノイソインドリジン；　２９．２ｇとス
ルホラン；　２００＋ｏｆ２を混合し、チタニウムテト
ライソプロポキシド；　１７．Ｏｇを加え、窒素雰囲気
下に１４０°Ｃで２時間反応させた。放冷後、析出物を
濾取し、クロロホルムで洗浄し、２％塩酸で洗浄、水洗
し、更にメタノール洗浄を行い乾燥後２５．５ｇ　（８
１ｂ５％）のチタニルフタロシアニンを得た。

生成物は２０倍量の濃硫酸に溶解し、１００倍量の水に
あけて析出させ濾取した後に、ウェットケーキを１．２
−ジクロルエタンで５０℃、１０時間加熱して實１図（
ａ）に示すＸ線回折スペクトルをもつＹ型Ｔｉ０Ｐｃと
した。この結晶はブラッグ角２θの９．６゜のピーク強
度が２７．２°のそれの１０２％であった。

これをＴｉ０ＰｃＹ　１とする。

合成例２ 前記合成例１と全く同様に処理して得たウェットケーキ
を１．２−ジクロルエタン中で室温１時間の撹拌を行い
Ｙ型Ｔｉ０Ｐｃを得た。この結晶はブラッグ角２θの９
．６％のピーク強度が２７．２％のそれの７５％であっ
た。

これをＴｉ０ＰｃＹ　、とする。

合成例３ アクロジニトリル；　２５．６ｇとσ−クロルナフタレ
ン；　１５０ｍ＋２の混合物中に窒素気流中で６．５ｍ
ｆｆの四塩化チタンを滴下し、２００〜２２０°Ｃで５
時間反応させた。析出物を濾取し、ａ−クロルナフタレ
ンで洗浄した後、クロロホルム洗浄、続いてメタノール
洗浄を行った。次いでアンモニア水中で還流して加水分
解を完結させた後、水洗、メタノール洗浄し乾燥後、チ
タニルフタロシアニン；　２１．８ｇ（７５，６％）を
得に〇 生成物は１０倍量の濃硫酸に溶解し、１００倍量の水に
あけて析出させ濾取した後、ウェットケーキを１．２−
ジクロルエタン中で室温、１時間撹拌し第１図（ｂ）に
示すＸ線回折スペクトルをもつＹ型Ｔｉ０Ｐｃとした。

この結晶はブラッグ角２θの９．６°のピーク強度が２
７．２°のそれの４５％であった。

これをＴｉ０ＰｃＹ　、とする。

合成例４ 前記合成例３と全く同様に処理して得たウェットケーキ
を０−ジクロルベンゼン中で室１１Ｋ、１時間の撹拌を
行いＹ型Ｔｉ０Ｐｃを得た。この結晶はブラッグ角２θ
の９．６°のピーク強度が２７．２°のそれの３５％で
あった。これをＴｉ０ＰｃＹ＊とする。

感光体試料の作成要件は下記の通りであり、その要件を
総括して表１に掲げた。

（Ａ）感光体構成層塗料の調合 （１）実施例１〜２０並びに比較例（１）及び（２）ａ
、下引層（ＵＣＬ）塗料 ポリアミド樹脂（ＣＭ　８０００；束し製）　　　２５
ｇｒメタノール　　　　　　　　　　　　１０００−混
合溶解し、アルミニウム基体上に膜厚０．５μｍに塗布
した。

ｂ、ＣＧＬ塗料 ＣＧＭ　（表１掲示化合物）　　　　　　　２０ｇｒシ
リコーン樹脂 （ＫＲ５２４０；信越シリコン製）　　　　　　２０ｇ
ｒ酢酸イソプロピル　　　　　　　　　１００１００Ｏ
サンドグラインダでｌｏｏｏｒｐｍ、２ｈｒ混合し、膜
厚０．５μｍ（但し２層構成ＣＧＬの場合は各層０，２
５μｍ宛）に塗布した。

ｃ、ＣＴＬ塗料 ＣＴＭ（表１掲示化合物）　　　　　　　１３ｇｒポリ
カーボネート （ニーピロンＺ　−２００；三菱瓦斯化学製）　　２２
ｇｒ１．２−ジクロルエタン　　　　　　　　　１ｏ０
０＋ａ１２混合、溶解し、２０μｍ膜厚に塗布した。

尚、表１に記号で掲示したＣＧＭ、ＣＴＭは下記の通り
である。

ＣＧＭＩ　　Ａ・・・Ｙ型ＴｌＰｃ　（Ｙ　ｌｘ　Ｙ　
２、及びＹ、）Ｂ・・・ ＣＧＭ２ Ｃ−ｍ型ＴｉＱＰｃ Ｄ・・・ａ型Ｔｉ０Ｐｃ Ｅ　・・・β型Ｔｉ０Ｐｃ ａ　・・・例示化合物Ｎｏ、６ ａ′・・・例示化合物Ｎｏ、７ ａ“・・・例示化合物Ｎｏ、８ ａ″′・・・例示化合物Ｎｏ、９ ｂ・・・ ＣＴＭ （Ｘ） （Ｙ） 〔ｚ〕 （２） 比較例（３） アルミニウムシリンダ上にカゼインのアンモニア水溶液
を塗布し、 乾燥して膜厚０゜５μ−のＵＣ を形成しｔ；。

次に、 前記キャ リア発生物質す を１．Ｏｖｔ。

ポリ ビニルブチラール１ｗｔとイソプロピルアルコール３０
ｗ【をボールミル分散機で４時間分散した。この分散液
を先に形成したＵＣＬの上に浸漬コーティング法で塗布
し、乾燥してＣＧＬを形成した。

このときの膜厚は０．２５μｍであった。

次にキャリア発生物質Ｂを１．Ｏｖｔ、ポリビニルブチ
ラールｌｅｔとイソプロピルアルコール３０ｗｔをボー
ルミル分散機で４時間分散し、この分散液を先に形成し
たＣＧＬの上に浸漬コーティング法で塗布し、このとき
の膜厚０．２５μｍであった。

但しＣＧＭを混成して混合系ＣＧＬとする時（比較例（
３））は前記２つの塗料を等量混合し、膜厚０．５μｍ
のＣＧＬとした。

次に下記構造式のヒドラゾン化合物であるＣＴＭをｌｖ
ｔと ポリカーボネート樹脂１ｗｔとジクロルメタン６ｗｔを
混合し、撹拌機で撹拌溶解した。この液をＣＧＬの上に
浸漬コーティング法で塗布し、乾燥してＣＴＬを形成し
た。このときの膜厚は２０μｍでありｌ二　。

ＣＢ）感光体構成層の積層順位 構成■・・・ＣＧＭ混成系（第３図（ｂ）タイプ）構成
■・・・ＣＧＭ２層分離系（第３図（ａ）タイプ）Ｉ＋
　−１ＨＴｉｏＰｃ層ＣＴＬ隣接 ■−２；ビスアゾ（ＢＡ）層−ＣＴＬ隣接構戊溝底・・
ＣＧＭ２層の分離系 （第４図（ａ）タイプ） Ｉ［＋−１；Ｔｉ０Ｐｃ　ＭＩＣＴＬ隣接■−２；ビス
アゾ（ＢＡ）層−ＣＴＬ隣接（Ｃ）塗布方法 ＵＣＬ・・・デイツプコーテング法 ＣＧＬ・・・混合系：デップコーテング法２層分離系；
リングコーテング法 ＣＤ）特性評価 こうして得られた感光体試料Ｎｏ、ｌの特性評価試験を
以下のようにして行った。結果を表１に掲げた。

〔感度試験〕

静電帯電試験装置Ｅ　Ｐ　Ａ−８１００（川口電気（株
）製）を用いて、感光体表面電位が初期電位から半減す
るのに必要な露光量Ｅ＋Ａ（Ｉ２ｕｘ−８ｅｃ）を測定
した。

〔繰返し特性試験〕

上記静電帯電試験装置Ｅ　Ｐ　Ａ−８１００を用いて、
帯電−露光→除電を１００回繰返した時の１回目と１０
０回目の帯電電位の変化量ΔＯ−”’（Ｖ　’）を測定
した。（１ΔＶ　Ｈｌとして求めた。） 「長波長光感度測定〕 前述のＥ　Ｐ　Ａ−８１００を用いる測定計において光
源タングステンランプを使用し、モノクロメータ−を通
し特に問題とする７８０ｎｍｔｈｌｎｍの波長の光に対
するＥ　！４（Ｖ　Ｃａ＋”／　ｅｒｇ）を測定した。

これは値の大きい方が感度がよい。

〔発明の効果〕

表１の結果から明らかなように、本発明の実施例は白色
光、レーザ光に対する感度、繰返し特性等すべての点で
比較例より優れている。又本発明の中でも２ＭＣＧＬに
隣接していることが好ましいことが判る。

【図面の簡単な説明】

第１図は感光体に用いるＴｉ０ＰｃのＸ線回折スペクト
ル図、第２図はＴｉ０Ｐｃの分光吸収スペクトル図、第
３図、第４図は本発明の感光体の態様例の断面図である
。 第５図は本発明の感光体を用いる画像形成装置の１例の
概要図、第６図はレーザビームスキャナの作動説明図で
ある。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体上にキャリア発生物質とキャリア輸送物質を
   含有する感光層を設け、前記感光層にキャリア発生物質
   として、チタニルフタロシアニンと、下記一般式〔ＢＡ
   〕で示されるビスアゾ顔料とを別個に又は混合して含有
   する層を設けた電子写真感光体。 一般式〔ＢＡ〕▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ａは▲数式、化学式、表等があります▼、▲数
   式、化学式、表等があります▼ 又は▲数式、化学式、表等があります▼を表す。 ここで、Ａｒ＿１は芳香族環基又は複素環基を表す。 Ａｒ＿２及びＡｒ＿３はそれぞれ芳香族環基を表す。 Ｒ＿１及びＲ＿３はそれぞれ水素原子、アルキル基又は
   アリール基を表す。Ｒ＿２はアルキル基、カルボキシル
   基又はそのエステル基を表す。Ｚは芳香族環又は複素環
   を形成するのに必要な原子群を表す。〕
2. （２）前記チタニルフタロシアニンが、Ｃｕ−Ｋα線（
   波長１．５４１Å）に対するＸ線回折スペクトルにおい
   て、少くともブラッグ角２θの９．６±０．２゜と２７
   ．２±０．２゜にピークをもち、かつ９．６±０．２゜
   のピーク強度が２７．２±０．２゜のピーク強度の４０
   ％以上である結晶状態のチタニルフタロシアニンである
   請求項１に記載の電子写真感光体。