JPH033683A - マイクロ静電リニアモータ - Google Patents
マイクロ静電リニアモータInfo
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- JPH033683A JPH033683A JP13652189A JP13652189A JPH033683A JP H033683 A JPH033683 A JP H033683A JP 13652189 A JP13652189 A JP 13652189A JP 13652189 A JP13652189 A JP 13652189A JP H033683 A JPH033683 A JP H033683A
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- Micromachines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
マイクロ静電リニアモータに関し、
ロータの変形がなく、機械的強度が大きい安定したマイ
クロ静電リニアモータを構成することを目的とし、 1枚のシリコン基板から切り離されたシリコン分離基板
の上にロータ電極列が設けられたロータと、前記シリコ
ン分離基板が切り離された両側のシリコン周囲基板間が
、前記ロータの移動が可能な如くに空隙を残して上下絶
縁膜で橋架連結され、該絶縁膜上に前記ロータ電極列と
対向して1列以上のステータ電極列が配置されたステー
タとを少なくとも備え、前記ステータ電極列に多相パル
ス電圧を印加して、前記ロータを静電的に駆動するよう
にマイクロ静電リニアモータを構成する。
クロ静電リニアモータを構成することを目的とし、 1枚のシリコン基板から切り離されたシリコン分離基板
の上にロータ電極列が設けられたロータと、前記シリコ
ン分離基板が切り離された両側のシリコン周囲基板間が
、前記ロータの移動が可能な如くに空隙を残して上下絶
縁膜で橋架連結され、該絶縁膜上に前記ロータ電極列と
対向して1列以上のステータ電極列が配置されたステー
タとを少なくとも備え、前記ステータ電極列に多相パル
ス電圧を印加して、前記ロータを静電的に駆動するよう
にマイクロ静電リニアモータを構成する。
〔産業上の利用分野]
本発明はマイクロ静電リニアモータの改良に関する。
近年、メカトロニクス技術の進歩発展にともない、各種
ロボットや制御機器の応用が益々盛んになってきている
。
ロボットや制御機器の応用が益々盛んになってきている
。
と(に、最近は生体への応用や宇宙機器など超小形化が
要求される重要な分野が広がってきており、低消費電力
で比較的駆動力が大きく、かつ、超小形化が可能なマイ
クロ静電リニアモータが注目されるようになってきた。
要求される重要な分野が広がってきており、低消費電力
で比較的駆動力が大きく、かつ、超小形化が可能なマイ
クロ静電リニアモータが注目されるようになってきた。
すでに、マイクロ静電リニアモータには幾つかの提案が
なされているが、機械的強度が大きく安定に動作するマ
イクロ静電リニアモータの開発が強く求められている。
なされているが、機械的強度が大きく安定に動作するマ
イクロ静電リニアモータの開発が強く求められている。
超小形のマイクロ静電リニアモータとしては、たとえば
、シリコン基板の上にステータを形成し、ロータは薄膜
のポリシリコンで形成して全体を極めてコンパクトにま
とめる構成のものが提案されている(Sensors
and Actuators、 vol−14,p26
9.1988)。
、シリコン基板の上にステータを形成し、ロータは薄膜
のポリシリコンで形成して全体を極めてコンパクトにま
とめる構成のものが提案されている(Sensors
and Actuators、 vol−14,p26
9.1988)。
第5図は従来のマイクロ静電リニアモータの例を示す図
で、図中、50は単結晶シリコン基板、110は下部ス
テータ電極、111は上部ステータ電極、150はポリ
シリコン薄膜ロータ、201 はロータ上部電極である
。
で、図中、50は単結晶シリコン基板、110は下部ス
テータ電極、111は上部ステータ電極、150はポリ
シリコン薄膜ロータ、201 はロータ上部電極である
。
この例の特徴は単結晶シリコン基板50の上に、下部ス
テータ、下部ステータ電極110.こ\には図示してな
いロータ下部電極、ポリシリコン薄膜ロータ150、ロ
ータ上部電極201.上部ステータ電極。
テータ、下部ステータ電極110.こ\には図示してな
いロータ下部電極、ポリシリコン薄膜ロータ150、ロ
ータ上部電極201.上部ステータ電極。
上部ステータなどを必要に応じて絶縁膜あるいは選択エ
ツチング性中間層を介して積層形成したあと、適当な方
法、たとえば、選択エツチングによってポリシリコン薄
膜ロータ150の部分だけを、単結晶シリコン基板50
の上に形成されているステータ部分から切離して分離し
、移動可能なように構成していることである。すなわち
、ICプロセス技術を応用することによって小形化を図
っていることである。
ツチング性中間層を介して積層形成したあと、適当な方
法、たとえば、選択エツチングによってポリシリコン薄
膜ロータ150の部分だけを、単結晶シリコン基板50
の上に形成されているステータ部分から切離して分離し
、移動可能なように構成していることである。すなわち
、ICプロセス技術を応用することによって小形化を図
っていることである。
駆動方法は静電リニアモータの通常法に準じており、ポ
リシリコン薄膜ロータ150の両端の上下にロータ電極
を設け、それを挟むように構成された上下ステータ電極
を3相給電配置とし、3相パルスをステータ、電極に印
加してロータを静電駆動するようにしている。
リシリコン薄膜ロータ150の両端の上下にロータ電極
を設け、それを挟むように構成された上下ステータ電極
を3相給電配置とし、3相パルスをステータ、電極に印
加してロータを静電駆動するようにしている。
第4図は静電リニアモータの基本構成を説明する図で、
駆動原理を理解するために最小限必要とする構成部分の
みを示したものである。
駆動原理を理解するために最小限必要とする構成部分の
みを示したものである。
図中、lOOは下部ステータ、101は上部ステータ、
200a 、 200b 、 200cは下部ステータ
電極、201a。
200a 、 200b 、 200cは下部ステータ
電極、201a。
201b、201cは上部ステータ電極、300はロー
タ、400a 、 400bは下部ロータ電極、401
a、401bは上部ロータ電極、310.311は誘電
体膜である。
タ、400a 、 400bは下部ロータ電極、401
a、401bは上部ロータ電極、310.311は誘電
体膜である。
いま、たとえば、ロータ電極を接地電位としてステータ
電極200.201に多相パルス電圧を印加すると、そ
れに近接したロータ電極には静電誘導により反対符号の
電荷が誘起され、その結果、たとえば、ロータ電極40
0a、401aの部分がステータ電極200a、201
aの下に引き込まれる。すなわち、ロータ300は右側
矢印の方向に移動することになる。
電極200.201に多相パルス電圧を印加すると、そ
れに近接したロータ電極には静電誘導により反対符号の
電荷が誘起され、その結果、たとえば、ロータ電極40
0a、401aの部分がステータ電極200a、201
aの下に引き込まれる。すなわち、ロータ300は右側
矢印の方向に移動することになる。
以下、同様の過程が繰り返されてロータ300は次々と
静電的に移動し、また、パルス電圧の位相を逆にするこ
とによって、ロータ300の移動方向を反転させるよう
に制御している。
静電的に移動し、また、パルス電圧の位相を逆にするこ
とによって、ロータ300の移動方向を反転させるよう
に制御している。
しかし、上記の従来例ではロータとして薄膜ポリシリコ
ンを使用しているので、ポリシリコン薄膜を単結晶シリ
コン基板から分離したときに、薄膜中の残留応力よって
ロータが反るなどの変形を生じ滑らかな移動を妨げ、ま
た、機械的強度が弱く長時間の使用に耐えがたいなどの
問題があり、その解決が必要である。
ンを使用しているので、ポリシリコン薄膜を単結晶シリ
コン基板から分離したときに、薄膜中の残留応力よって
ロータが反るなどの変形を生じ滑らかな移動を妨げ、ま
た、機械的強度が弱く長時間の使用に耐えがたいなどの
問題があり、その解決が必要である。
上記の課題は、1枚のシリコン基板1から切り離された
シリコン分離基板1bの上にロータ電極列4が設けられ
たロータlOと、前記シリコン分離基、板1bが切り離
された両側のシリコン周囲基板1a。
シリコン分離基板1bの上にロータ電極列4が設けられ
たロータlOと、前記シリコン分離基、板1bが切り離
された両側のシリコン周囲基板1a。
10間が、前記ロータ10の移動が可能な如くに空隙2
0を残して上下絶縁膜で橋架連結され、該絶縁膜上に前
記ロータ電極列4と対向して1列以上のステータ電極列
8が配置されたステータ11とを少なくとも備え、前記
ステータ電極列8に多相パルス電圧を印加して、前記ロ
ータlOを静電的に駆動するように構成したマイクロ静
電リニアモータにより解決することができる。
0を残して上下絶縁膜で橋架連結され、該絶縁膜上に前
記ロータ電極列4と対向して1列以上のステータ電極列
8が配置されたステータ11とを少なくとも備え、前記
ステータ電極列8に多相パルス電圧を印加して、前記ロ
ータlOを静電的に駆動するように構成したマイクロ静
電リニアモータにより解決することができる。
本発明によれば、ロータ10はステータ11と同一のシ
リコン基板1から、異方性エツチングにより化学的に分
離された単結晶シリコン板であり、側面は極めて平滑で
、しかも、残留応力による変形がなく機械的にも堅牢な
ので、長期間にわたり安定に動作することが可能となる
。
リコン基板1から、異方性エツチングにより化学的に分
離された単結晶シリコン板であり、側面は極めて平滑で
、しかも、残留応力による変形がなく機械的にも堅牢な
ので、長期間にわたり安定に動作することが可能となる
。
(実施例〕
第1図は本発明の実施例装置の斜視図である。
図中、10はロータ、11はステータ、4はロータ電極
列、8はステータ電極列、2は絶縁膜である。
列、8はステータ電極列、2は絶縁膜である。
こ\で、ロータ10とステータ11は同一の単結晶シリ
コン基板から切り離されて分離したものである。ロータ
10の上面には複数の孤立した金属膜からなるロータ電
極列4が長さ方向、すなわち、ロータの移動方向に直列
に配設されている。
コン基板から切り離されて分離したものである。ロータ
10の上面には複数の孤立した金属膜からなるロータ電
極列4が長さ方向、すなわち、ロータの移動方向に直列
に配設されている。
ロータ10の両側のステータ11の上下面には絶縁膜2
がロータ10の上下面を跨ぎ、かつ、ロータ10が移動
可能なように空隙20を残して橋架連結している。そし
て、上側の絶縁膜にはロータ電極列4に対向して、複数
の孤立した金属膜からなるステータ電極列8が長さ方向
、すなわち、ロータの移動方向に直列に、かつ、2列に
配設されている。
がロータ10の上下面を跨ぎ、かつ、ロータ10が移動
可能なように空隙20を残して橋架連結している。そし
て、上側の絶縁膜にはロータ電極列4に対向して、複数
の孤立した金属膜からなるステータ電極列8が長さ方向
、すなわち、ロータの移動方向に直列に、かつ、2列に
配設されている。
一方、下側の絶縁膜には後で説明するように、ロータ部
をステータ部から分離する異方性エツチングと選択エツ
チングのためのエツチング液侵入口である穴5が設けら
れている。
をステータ部から分離する異方性エツチングと選択エツ
チングのためのエツチング液侵入口である穴5が設けら
れている。
なお、図には示してないがステータ電極列8には駆動用
の多相(たとえば、3相)パルス電圧印加端子が、また
、ロータ4には外部に駆動力を伝達するための駆動力伝
達部が設けられている。
の多相(たとえば、3相)パルス電圧印加端子が、また
、ロータ4には外部に駆動力を伝達するための駆動力伝
達部が設けられている。
さて、上記の本発明実施例を実現するための製造工程を
以下工程順に具体的に説明する。
以下工程順に具体的に説明する。
第2図(その1〜その3)は本発明の実施例装置の製造
工程を説明する断面図(その1〜その3)である。
工程を説明する断面図(その1〜その3)である。
工程(1):直径100mmφ、厚さ0.5 mm、面
方位(110)の表面処理を完了した単結晶シリコン基
板lを準備する。
方位(110)の表面処理を完了した単結晶シリコン基
板lを準備する。
工程(2):前記処理基板の両面に約500nmの熱酸
化SiO□膜2a、2bを形成する。
化SiO□膜2a、2bを形成する。
工程(3);前記熱酸化SiO□膜2a上に厚さ約30
0nmのAuまたはAj2からなるロータ電極膜3を真
空蒸着法などにより被着する。
0nmのAuまたはAj2からなるロータ電極膜3を真
空蒸着法などにより被着する。
工程(4):あとで述べるような配置のロータ電極列4
パターンを通常のホトエツチング法で巾0.25mmで
形成する。
パターンを通常のホトエツチング法で巾0.25mmで
形成する。
工程(5):前記処理基板の上面にロータ電極列4を覆
って厚さ約1μmのSiQ、膜2CをスパッタまたはC
VD法で被着する。
って厚さ約1μmのSiQ、膜2CをスパッタまたはC
VD法で被着する。
工程(6);前記処理基板の上面のロータ電極列4の両
側の5iOz膜2a、2cと、それと対応する位置で裏
面側のSiO□膜2bに300 μmのスペースをあけ
て、巾約5μmの溝状の穴5a、5b、5c、5dをフ
ッ酸による化学エツチングあるいはイオンエツチングで
形成する。
側の5iOz膜2a、2cと、それと対応する位置で裏
面側のSiO□膜2bに300 μmのスペースをあけ
て、巾約5μmの溝状の穴5a、5b、5c、5dをフ
ッ酸による化学エツチングあるいはイオンエツチングで
形成する。
工程(7):前記処理基板の両面に厚さ約2μmのポリ
シリコン膜6a、6bをCVD法で被着形成する。
シリコン膜6a、6bをCVD法で被着形成する。
工程(8):前記処理基板の両面のポリシリコン膜6a
。
。
6bをホトエツチング法により両側部分だけを除去し、
前記穴5a、 5b、 5c、 5dの外側までを覆う
ようなポリシリコンパターン60a、60bに形成する
。
前記穴5a、 5b、 5c、 5dの外側までを覆う
ようなポリシリコンパターン60a、60bに形成する
。
工程9):前記処理基板の両面に絶縁膜として厚さ約3
μmのSiO□膜26,2eをスパッタまたはCVD法
で被着する。
μmのSiO□膜26,2eをスパッタまたはCVD法
で被着する。
工程(10i前記処理基板の上面の5in2膜2d上に
、厚さ約300nmのAuまたはA2からなるロータ電
極膜3を真空蒸着法などにより被着する。
、厚さ約300nmのAuまたはA2からなるロータ電
極膜3を真空蒸着法などにより被着する。
工11):あとで述べるような配置のステータ電極列8
パターンを通常のホトエツチング法で約5μmのギャッ
プをあけて2列に形成する。
パターンを通常のホトエツチング法で約5μmのギャッ
プをあけて2列に形成する。
工程(12):前記処理基板の上面にパンシベーシゴン
膜として厚さ5μmの5iOz膜2fを蒸着法で形成す
る。
膜として厚さ5μmの5iOz膜2fを蒸着法で形成す
る。
工程a3):前記処理基板の裏面のSing膜2eに異
方性エツチング液を侵入させるための約10μm角の穴
5eを50μm間隔で複数個ロータ10の長さ方向に沿
ってフッ酸による化学エツチングあるいはイオンエツチ
ングで形成する。
方性エツチング液を侵入させるための約10μm角の穴
5eを50μm間隔で複数個ロータ10の長さ方向に沿
ってフッ酸による化学エツチングあるいはイオンエツチ
ングで形成する。
工程(14):前記処理基板を80°Cに加熱した15
χKOH溶液の中でエツチングすると、前記穴5eを通
してエツチング液が侵入して、先ず下面のポリシリコン
パターン6Qbが選択的に溶解し、下部の空隙20が形
成される。なお、この時5iOz膜はこのエツチング液
には殆ど侵されないので外形的な変化は生じない。 ポ
リシリコン膜60bが溶解されると、5int膜2bに
あけられた穴5c、5dの部分で単結晶シリコン基板1
がエツチング液に曝されることになり、異方性エツチン
グが進行することになる。このエツチング液はSiの(
111)面のエツチング速度が(110)面のエツチン
グ速度の1740以下で、この場合、基板面に垂直方向
にはエツチングが進行するが、基板面に平行方向には殆
どエツチングが進行しない、いわゆる、異方性エツチン
グによって側面の空隙20がシャープに形成され、それ
によってロータ部のシリコン基板は元のシリコン基板か
ら切り離される。
χKOH溶液の中でエツチングすると、前記穴5eを通
してエツチング液が侵入して、先ず下面のポリシリコン
パターン6Qbが選択的に溶解し、下部の空隙20が形
成される。なお、この時5iOz膜はこのエツチング液
には殆ど侵されないので外形的な変化は生じない。 ポ
リシリコン膜60bが溶解されると、5int膜2bに
あけられた穴5c、5dの部分で単結晶シリコン基板1
がエツチング液に曝されることになり、異方性エツチン
グが進行することになる。このエツチング液はSiの(
111)面のエツチング速度が(110)面のエツチン
グ速度の1740以下で、この場合、基板面に垂直方向
にはエツチングが進行するが、基板面に平行方向には殆
どエツチングが進行しない、いわゆる、異方性エツチン
グによって側面の空隙20がシャープに形成され、それ
によってロータ部のシリコン基板は元のシリコン基板か
ら切り離される。
その結果、基板1の上面の5iOz膜2a、2cにあけ
られた穴5a、5bの部分でポリシリコンパターン60
aがエツチング液と接触することになり、ポリシリコン
が選択エツチングを受けて溶出し上側の空隙20を形成
する。
られた穴5a、5bの部分でポリシリコンパターン60
aがエツチング液と接触することになり、ポリシリコン
が選択エツチングを受けて溶出し上側の空隙20を形成
する。
結局、ロータ部の上下左右に空隙20が形成された結果
、ステータ11の内部空間に移動可能な状態で閉じ込め
られたロータ10を形成することができる。
、ステータ11の内部空間に移動可能な状態で閉じ込め
られたロータ10を形成することができる。
なお、ロータ10の長さは1mmとし、マイクロ静電リ
ニアモータとしての外形寸法は高さ約0.6mm、巾約
4 mm、長さ約5mmである。
ニアモータとしての外形寸法は高さ約0.6mm、巾約
4 mm、長さ約5mmである。
第3図は本発明の実施例の電極配置を説明する図で、実
施例装置の上方から見た拡大配置を示したものである。
施例装置の上方から見た拡大配置を示したものである。
図中、11はステータ部分を示し、実線で示した電極は
ステータ電極列8で、中央部に約5μmのギャップをあ
けて2列に形成した。
ステータ電極列8で、中央部に約5μmのギャップをあ
けて2列に形成した。
左右の電極列は対象に配置し、ともに、クロスオーバを
介してR,S、T端子に接続する3相配線パターンを形
成しである。
介してR,S、T端子に接続する3相配線パターンを形
成しである。
一方、中央部分の2つの点線枠のうち、外側のものはロ
ータlOが移動するエリアを示しており、内側の点線は
ロータ10の輪郭を示している。点線斜線で示した長方
形の部分は、工程(4)で述べたように長辺が0.25
mmで形成されたロータ電極列4で、そのピッチはステ
ータ電極列8の1.5倍にしである。
ータlOが移動するエリアを示しており、内側の点線は
ロータ10の輪郭を示している。点線斜線で示した長方
形の部分は、工程(4)で述べたように長辺が0.25
mmで形成されたロータ電極列4で、そのピッチはステ
ータ電極列8の1.5倍にしである。
同図の電極配置を前記第4図のそれと比較すると、第4
図のステータ電極200と201を一定の間隔をあけて
一平面上に展開し、ロータをステータ電極列間の中央下
部に配置し、一方のロータ電極列を省略した構成になっ
ている。したがって、本実施例装置の駆動メカニズムは
第4図で説明したものと同様であり、ステータ電極列8
に3相パルス電圧を印加することによってロータlOを
駆動することができる。
図のステータ電極200と201を一定の間隔をあけて
一平面上に展開し、ロータをステータ電極列間の中央下
部に配置し、一方のロータ電極列を省略した構成になっ
ている。したがって、本実施例装置の駆動メカニズムは
第4図で説明したものと同様であり、ステータ電極列8
に3相パルス電圧を印加することによってロータlOを
駆動することができる。
本実施例において、I KHz、 10vの3相パルス
電圧印加によって約20mgの駆動力が得られ、しかも
、ロータ10の変形が生じることなく、長時間にわたっ
て極めて安定に動作することがわかった。
電圧印加によって約20mgの駆動力が得られ、しかも
、ロータ10の変形が生じることなく、長時間にわたっ
て極めて安定に動作することがわかった。
本実施例では、ロータ電極列、ステータ電極列ともに片
側に設けたが、上下両面に設けてより駆動力を高めるよ
うにすることもできる。
側に設けたが、上下両面に設けてより駆動力を高めるよ
うにすることもできる。
また、本実施例の製造方法は一例であり、本発明のマイ
クロ静電リニアモータを構成するために、適宜能の製造
法を組み合わせて使用できることは言うまでもない 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば、ロータ10はス
テータ11と同一のシリコン基板1から、異方性エツチ
ングにより化学的に分離された単結晶シリコン板であり
、側面は極めて平滑で、しかも、残留応力による変形が
なく機械的にも堅牢で、長期間にわたり安定に動作でき
るので、マイクロ静電リニアモータの性能、品質および
歩留りの向上に寄与するところが極めて大きい。
クロ静電リニアモータを構成するために、適宜能の製造
法を組み合わせて使用できることは言うまでもない 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば、ロータ10はス
テータ11と同一のシリコン基板1から、異方性エツチ
ングにより化学的に分離された単結晶シリコン板であり
、側面は極めて平滑で、しかも、残留応力による変形が
なく機械的にも堅牢で、長期間にわたり安定に動作でき
るので、マイクロ静電リニアモータの性能、品質および
歩留りの向上に寄与するところが極めて大きい。
第1図は本発明の実施例装置の斜視図、第2図(その1
〜その3)は本発明の実施例装置の製造工程を説明する
断面図(その1〜その3)、第3図は本発明の実施例の
電極配置を説明する図、 第4図は静電リニアモータの基本構成を説明する図、 第5図は従来のマイクロ静電リニアモータの例を示す図
である。 図において、 1は単結晶シリコン基板、 2 (2a、2b、2c、2d、2e)はSi0g膜(
Q*RL)、3はロータ電極膜、 4はロータ電極列、 5 (5a、 5b、 5c、 5d、 5e)は穴、
6a、6bはポリシリコン膜、 はステータ電極膜。 はステータ電極列、 0はロータ、 1はステータ、 0は空隙である。
〜その3)は本発明の実施例装置の製造工程を説明する
断面図(その1〜その3)、第3図は本発明の実施例の
電極配置を説明する図、 第4図は静電リニアモータの基本構成を説明する図、 第5図は従来のマイクロ静電リニアモータの例を示す図
である。 図において、 1は単結晶シリコン基板、 2 (2a、2b、2c、2d、2e)はSi0g膜(
Q*RL)、3はロータ電極膜、 4はロータ電極列、 5 (5a、 5b、 5c、 5d、 5e)は穴、
6a、6bはポリシリコン膜、 はステータ電極膜。 はステータ電極列、 0はロータ、 1はステータ、 0は空隙である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1枚のシリコン基板(1)から切り離されたシリコン分
離基板(1b)の上にロータ電極列(4)が設けられた
ロータ(10)と、 前記シリコン分離基板(1b)が切り離された両側のシ
リコン周囲基板(1a、1c)間が、前記ロータ(10
)の移動が可能な如くに空隙(20)を残して上下絶縁
膜で橋架連結され、該絶縁膜上に前記ロータ電極列(4
)と対向して1列以上のステータ電極列(8)が配置さ
れたステータ(11)とを少なくとも備え、前記ステー
タ電極列(8)に多相パルス電圧を印加して、前記ロー
タ(10)を静電的に駆動することを特徴としたマイク
ロ静電リニアモータ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13652189A JP2704950B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | マイクロ静電リニアモータ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13652189A JP2704950B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | マイクロ静電リニアモータ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH033683A true JPH033683A (ja) | 1991-01-09 |
JP2704950B2 JP2704950B2 (ja) | 1998-01-26 |
Family
ID=15177124
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13652189A Expired - Lifetime JP2704950B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | マイクロ静電リニアモータ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2704950B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03230779A (ja) * | 1990-02-02 | 1991-10-14 | Nec Corp | 微小可動機械機構 |
JPH03230780A (ja) * | 1990-02-02 | 1991-10-14 | Nec Corp | 微小可動機械 |
-
1989
- 1989-05-30 JP JP13652189A patent/JP2704950B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03230779A (ja) * | 1990-02-02 | 1991-10-14 | Nec Corp | 微小可動機械機構 |
JPH03230780A (ja) * | 1990-02-02 | 1991-10-14 | Nec Corp | 微小可動機械 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2704950B2 (ja) | 1998-01-26 |
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