JPH0334679B2 - - Google Patents
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- JPH0334679B2 JPH0334679B2 JP8469983A JP8469983A JPH0334679B2 JP H0334679 B2 JPH0334679 B2 JP H0334679B2 JP 8469983 A JP8469983 A JP 8469983A JP 8469983 A JP8469983 A JP 8469983A JP H0334679 B2 JPH0334679 B2 JP H0334679B2
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Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
［産業上の利用分野］
本発明は、高周波回路の形成に使用される銅張
積層基板に関するものである。 ［従来技術とその問題点］ 衛星放送、衛星通信のごときSHF帯域以上の
高周波信号を受信アンテナで扱うとき、プリント
回路基板の持つ高周波特性は極めて重要であり絶
縁体基材として例えばテフロン含浸ガラス布基材
のように、誘電率で2.5以下という低損失材料が
使用される。 更に、その絶縁体材料に積層される銅箔も、従
来使用されているような粗化面を持つ電解銅箔は
必然的にリアクタンスを大きくして高周波損失を
起すために使用することはできない。 従つて、粗化面を持たない圧延銅箔が好ましい
のであるが、本発明等の研究によれば一般電気銅
（タフピツチ銅）では亜酸化銅の存在により容量
リアクタンスが発生し、共振時の帯域幅を挟める
のには制限がある。 このため、酸素含有量が10ppm以下の無酸素銅
素材より製造した圧延銅箔が高周波特性に優れて
いることに着目し、10GHzの共振時のＱ値を測定
したところ、無酸素銅箔を積層したテフロン基板
の方がタフピツチ銅を積層したテフロン基板より
も12〜18％もＱ値が向上する事実を把握してい
る。 この理由として本発明は次のように考えてい
る。金属銅は、常態では極めて多数の微細結晶か
らなつており、結晶と結晶の境界、つまり結晶粒
界には酸化物、硫化物等の不純物が集りやすく、
これらは長さ方向にあたかも微小容量を持つたコ
ンデンサが直列に１ｍ当り数千個から数万個も接
続され、また断面方向には並列に接続された状態
にあると考えられる。このため、結晶粒界の誘電
的作用がＱ値に大きく影響することになる。 しかし、タフピツチ銅に比して優れた特性を有
する無酸素銅といえども、依然として不純物を含
んだ多数の結晶よりなり、より高度の電気特性を
追及する上では不十分である。 ［発明の目的］ 本発明は上記に基づいたもので、高周波におけ
る電気特性、とりわけ極めて優れたＱ値を与える
高周波プリント回路用銅張積層基板の提供を目的
とするものである。 ［発明の概要］ 本発明の高周波プリント回路用銅張積層基板
は、平均結晶粒径が少なくとも0.4mmとなるよう
に結晶粒を巨大化した酸素含有量が10ppm以下の
無酸素銅素材からなる銅箔に絶縁体基材を積層し
てなることを特徴とするものである。 本発明における平均結晶粒径が少なくとも0.4
mmの巨大結晶無酸素銅素材は、無酸素銅素材を通
常の焼鈍温度を越える温度で加熱し、２次再結晶
により結晶粒を異常成長させることにより得るこ
とができる。すなわち、無酸素銅素材を850〜
1000℃の高温に0.5〜３時間保持して加熱すると、
平均結晶粒径が0.4〜0.6mmの巨大化した結晶粒が
形成されるようになる。 通常の焼鈍により得られる得られる無酸素銅の
平均結晶粒径は0.02〜0.03mm程度であることか
ら、結晶粒界密度は、結晶粒の巨大化によつて
１／20以下に減少することになる。 なお、巨大結晶素材を実現する手段としては、
無酸素銅の高温加熱による２次再結晶を利用した
ものに限定されるものではなく、加熱溶融した無
酸素銅を凝固させる条件を制御することによつて
も得られることは一般に知られた事項である。 本発明では酸素含有量が10ppm以下である無酸
素銅素材が使用されるが、その理由は、第一に亜
酸化銅等の不純物を含まないことで信号伝送特性
が向上するからであり、第二に亜酸化銅等の不純
物が含まれると、これらが結晶核となつて結晶粒
の巨大化が妨げられるからである。 結晶粒の巨大化のための加熱は、素材を構成す
る金属の酸化を防止するため、アルゴンガス等の
不活性ガス雰囲気下で行うのが望ましい。 銅箔の片面又は両面に直接あるいは接着剤を介
して絶縁体基材が積層されて銅張積層板となる。
絶縁体基材としては、高周波特性に優れたテフロ
ン含浸ガラス布が好適であるが、これに限定され
るものではない。 ［実施例および比較例］ 実施例 酸素含有量が5ppmの無酸素銅からなる厚さ
35μｍの銅箔（硬銅）を、900℃の温度に設定し
たアルゴンガス雰囲気の炉中に２時間保持して結
晶粒を巨大化させ、その後冷却した。 この銅箔の両面にポリテトラフルオロエチレン
含浸ガラス布を接着剤を介して積層して基板を製
造した。 比較例 １ 酸素含有量が350ppmのタフピツチ銅からなる
厚さ35μｍの圧延銅箔（硬銅）の両面にポリテト
ラフルオロエチレン含浸ガラス布を接着剤を介し
て積層して基板を製造した。 比較例 ２ 酸素含有量が5ppmの無酸素銅からなる厚さ
35μｍの圧延銅箔（硬銅）の両面にポリテトラフ
ルオロエチレン含浸ガラス布を接着剤を介して積
層して基板を製造した。 実施例および比較例１、２による基板を用いて
回路を形成し、10GHzにおける共振周波数特性Ｑ
を測定した。この結果を下表に示す。
積層基板に関するものである。 ［従来技術とその問題点］ 衛星放送、衛星通信のごときSHF帯域以上の
高周波信号を受信アンテナで扱うとき、プリント
回路基板の持つ高周波特性は極めて重要であり絶
縁体基材として例えばテフロン含浸ガラス布基材
のように、誘電率で2.5以下という低損失材料が
使用される。 更に、その絶縁体材料に積層される銅箔も、従
来使用されているような粗化面を持つ電解銅箔は
必然的にリアクタンスを大きくして高周波損失を
起すために使用することはできない。 従つて、粗化面を持たない圧延銅箔が好ましい
のであるが、本発明等の研究によれば一般電気銅
（タフピツチ銅）では亜酸化銅の存在により容量
リアクタンスが発生し、共振時の帯域幅を挟める
のには制限がある。 このため、酸素含有量が10ppm以下の無酸素銅
素材より製造した圧延銅箔が高周波特性に優れて
いることに着目し、10GHzの共振時のＱ値を測定
したところ、無酸素銅箔を積層したテフロン基板
の方がタフピツチ銅を積層したテフロン基板より
も12〜18％もＱ値が向上する事実を把握してい
る。 この理由として本発明は次のように考えてい
る。金属銅は、常態では極めて多数の微細結晶か
らなつており、結晶と結晶の境界、つまり結晶粒
界には酸化物、硫化物等の不純物が集りやすく、
これらは長さ方向にあたかも微小容量を持つたコ
ンデンサが直列に１ｍ当り数千個から数万個も接
続され、また断面方向には並列に接続された状態
にあると考えられる。このため、結晶粒界の誘電
的作用がＱ値に大きく影響することになる。 しかし、タフピツチ銅に比して優れた特性を有
する無酸素銅といえども、依然として不純物を含
んだ多数の結晶よりなり、より高度の電気特性を
追及する上では不十分である。 ［発明の目的］ 本発明は上記に基づいたもので、高周波におけ
る電気特性、とりわけ極めて優れたＱ値を与える
高周波プリント回路用銅張積層基板の提供を目的
とするものである。 ［発明の概要］ 本発明の高周波プリント回路用銅張積層基板
は、平均結晶粒径が少なくとも0.4mmとなるよう
に結晶粒を巨大化した酸素含有量が10ppm以下の
無酸素銅素材からなる銅箔に絶縁体基材を積層し
てなることを特徴とするものである。 本発明における平均結晶粒径が少なくとも0.4
mmの巨大結晶無酸素銅素材は、無酸素銅素材を通
常の焼鈍温度を越える温度で加熱し、２次再結晶
により結晶粒を異常成長させることにより得るこ
とができる。すなわち、無酸素銅素材を850〜
1000℃の高温に0.5〜３時間保持して加熱すると、
平均結晶粒径が0.4〜0.6mmの巨大化した結晶粒が
形成されるようになる。 通常の焼鈍により得られる得られる無酸素銅の
平均結晶粒径は0.02〜0.03mm程度であることか
ら、結晶粒界密度は、結晶粒の巨大化によつて
１／20以下に減少することになる。 なお、巨大結晶素材を実現する手段としては、
無酸素銅の高温加熱による２次再結晶を利用した
ものに限定されるものではなく、加熱溶融した無
酸素銅を凝固させる条件を制御することによつて
も得られることは一般に知られた事項である。 本発明では酸素含有量が10ppm以下である無酸
素銅素材が使用されるが、その理由は、第一に亜
酸化銅等の不純物を含まないことで信号伝送特性
が向上するからであり、第二に亜酸化銅等の不純
物が含まれると、これらが結晶核となつて結晶粒
の巨大化が妨げられるからである。 結晶粒の巨大化のための加熱は、素材を構成す
る金属の酸化を防止するため、アルゴンガス等の
不活性ガス雰囲気下で行うのが望ましい。 銅箔の片面又は両面に直接あるいは接着剤を介
して絶縁体基材が積層されて銅張積層板となる。
絶縁体基材としては、高周波特性に優れたテフロ
ン含浸ガラス布が好適であるが、これに限定され
るものではない。 ［実施例および比較例］ 実施例 酸素含有量が5ppmの無酸素銅からなる厚さ
35μｍの銅箔（硬銅）を、900℃の温度に設定し
たアルゴンガス雰囲気の炉中に２時間保持して結
晶粒を巨大化させ、その後冷却した。 この銅箔の両面にポリテトラフルオロエチレン
含浸ガラス布を接着剤を介して積層して基板を製
造した。 比較例 １ 酸素含有量が350ppmのタフピツチ銅からなる
厚さ35μｍの圧延銅箔（硬銅）の両面にポリテト
ラフルオロエチレン含浸ガラス布を接着剤を介し
て積層して基板を製造した。 比較例 ２ 酸素含有量が5ppmの無酸素銅からなる厚さ
35μｍの圧延銅箔（硬銅）の両面にポリテトラフ
ルオロエチレン含浸ガラス布を接着剤を介して積
層して基板を製造した。 実施例および比較例１、２による基板を用いて
回路を形成し、10GHzにおける共振周波数特性Ｑ
を測定した。この結果を下表に示す。
【表】
［発明の効果］
以上説明してきた通り、本発明は、平均結晶粒
径が少なくとも0.4mmとなるように結晶粒を巨大
化した無酸素銅素材からなる銅箔を用いた銅張積
層基板を提供するものであり、これを回路導電体
として使用することにより、電気特性に優れた回
路を実現できることになる。
径が少なくとも0.4mmとなるように結晶粒を巨大
化した無酸素銅素材からなる銅箔を用いた銅張積
層基板を提供するものであり、これを回路導電体
として使用することにより、電気特性に優れた回
路を実現できることになる。
Claims (1)
- １ 平均結晶粒径が少なくとも0.4mmとなるよう
に結晶粒を巨大化した酸素含有量が10ppm以下の
無酸素銅素材からなる銅箔に絶縁基材を積層して
なることを特徴とする高周波プリント回路用銅張
積層板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8469983A JPS59208896A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 高周波プリント回路用銅張積層基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8469983A JPS59208896A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 高周波プリント回路用銅張積層基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59208896A JPS59208896A (ja) | 1984-11-27 |
| JPH0334679B2 true JPH0334679B2 (ja) | 1991-05-23 |
Family
ID=13837909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8469983A Granted JPS59208896A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 高周波プリント回路用銅張積層基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59208896A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017005002A (ja) * | 2015-06-04 | 2017-01-05 | 住友電工プリントサーキット株式会社 | プリント配線板用基板 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0632354B2 (ja) * | 1988-03-31 | 1994-04-27 | 株式会社住友金属セラミックス | セラミック回路基板およびセラミック回路基板の製造方法 |
| WO2013147115A1 (ja) | 2012-03-29 | 2013-10-03 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 表面処理銅箔 |
| DE102015224464A1 (de) * | 2015-12-07 | 2017-06-08 | Aurubis Stolberg Gmbh & Co. Kg | Kupfer-Keramik-Substrat, Kupferhalbzeug zur Herstellung eines Kupfer-Keramik-Substrats und Verfahren zur Herstellung eines Kupfer-Keramik-Substrats |
-
1983
- 1983-05-13 JP JP8469983A patent/JPS59208896A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017005002A (ja) * | 2015-06-04 | 2017-01-05 | 住友電工プリントサーキット株式会社 | プリント配線板用基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59208896A (ja) | 1984-11-27 |
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