JPH0331224B2 - - Google Patents
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- JPH0331224B2 JPH0331224B2 JP58084480A JP8448083A JPH0331224B2 JP H0331224 B2 JPH0331224 B2 JP H0331224B2 JP 58084480 A JP58084480 A JP 58084480A JP 8448083 A JP8448083 A JP 8448083A JP H0331224 B2 JPH0331224 B2 JP H0331224B2
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- C12—BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はPH感応性イオン選択的電界効果トラン
ジスタを用いたトリグリセライドセンサに関する
ものである。糖尿病、動脈硬化症、ネフローゼ症
候群、甲状腺機能低下症、家族性高脂血症等の患
者の血清中のトリグリセライド濃度は異常に高
く、これらの疾患の臨床に血清中のトリグリセラ
イド濃度の測定は欠かせない。従来よりかかる血
清トリグリセライドの濃度測定方法として(1)クロ
モトロープ酸を用いる方法、(2)アセチルアセトン
法、(3)酵素法、(4)ネフエロメーターを用いる方法
等が用いられている。しかし、これらの方法はい
ずれも煩雑な分析操作と長い分析時間を必要とす
るという問題があつた。
ジスタを用いたトリグリセライドセンサに関する
ものである。糖尿病、動脈硬化症、ネフローゼ症
候群、甲状腺機能低下症、家族性高脂血症等の患
者の血清中のトリグリセライド濃度は異常に高
く、これらの疾患の臨床に血清中のトリグリセラ
イド濃度の測定は欠かせない。従来よりかかる血
清トリグリセライドの濃度測定方法として(1)クロ
モトロープ酸を用いる方法、(2)アセチルアセトン
法、(3)酵素法、(4)ネフエロメーターを用いる方法
等が用いられている。しかし、これらの方法はい
ずれも煩雑な分析操作と長い分析時間を必要とす
るという問題があつた。
本発明者らは従来のトリグリセライド濃度の測
定方法の問題点を解消した新規な測定技術を提供
するため、まずトリグリセライドに選択性を有す
る酵素について検討したところ、グリセロールエ
ステル加水分解酵素がトリグリセライドの高い加
水分解能力と選択性を有していることを見出し、
かかるグリセロールエステル加水分解酵素を誘導
ノイズを捨いにくい入力インピーダンスの極めて
小さいPH電極と組み合せることにより、トリグリ
セライドを連続的に測定するトリグリセライドセ
ンサが製作可能であることに着目し、さらに鋭意
検討した結果本発明に到達したものである。すな
わち本発明はPH感応性イオン選択的電界効果トラ
ンジスタのゲート絶縁膜上に被覆された多孔質高
分子膜または親水性の均質高分子膜にグリセロー
ルエステル加水分解酵素を固定化したことを特徴
とするトリグリセライドセンサである。
定方法の問題点を解消した新規な測定技術を提供
するため、まずトリグリセライドに選択性を有す
る酵素について検討したところ、グリセロールエ
ステル加水分解酵素がトリグリセライドの高い加
水分解能力と選択性を有していることを見出し、
かかるグリセロールエステル加水分解酵素を誘導
ノイズを捨いにくい入力インピーダンスの極めて
小さいPH電極と組み合せることにより、トリグリ
セライドを連続的に測定するトリグリセライドセ
ンサが製作可能であることに着目し、さらに鋭意
検討した結果本発明に到達したものである。すな
わち本発明はPH感応性イオン選択的電界効果トラ
ンジスタのゲート絶縁膜上に被覆された多孔質高
分子膜または親水性の均質高分子膜にグリセロー
ルエステル加水分解酵素を固定化したことを特徴
とするトリグリセライドセンサである。
本発明に用いるPH感応性イオン選択的電界効果
トランジスタ(以下PHISFETという)は、特開
昭51−139289号、同52−26292号等に開示されて
いる。かかるISFETは、IC技術を用いて作製さ
れた絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート
部に、PH感応性の膜を形成した極めて小形なもの
で、このPH感応性の膜表面における電界質との界
面電位の変化を検出して、電界質中のPHを測定す
るものである。上記PH感応膜として、たとえば特
開昭54−66194には窒化ケイ素、特開昭55−24603
には酸化アルミニウムもしくは五酸化タンタル、
P.T.McBride、Anal.Chim.Acta101239(1978)
にはシリコーンゴム等が記載されている。この電
極はPH感応ガラス電極や固体電極などにくらべ入
力インピーダンスが極めて小さいため誘導ノイズ
を捨いにくく、シグナル/ノイズ比が大きくなつ
ている。そのために脂肪酸のような弱酸の生成を
とらえることが可能である。
トランジスタ(以下PHISFETという)は、特開
昭51−139289号、同52−26292号等に開示されて
いる。かかるISFETは、IC技術を用いて作製さ
れた絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート
部に、PH感応性の膜を形成した極めて小形なもの
で、このPH感応性の膜表面における電界質との界
面電位の変化を検出して、電界質中のPHを測定す
るものである。上記PH感応膜として、たとえば特
開昭54−66194には窒化ケイ素、特開昭55−24603
には酸化アルミニウムもしくは五酸化タンタル、
P.T.McBride、Anal.Chim.Acta101239(1978)
にはシリコーンゴム等が記載されている。この電
極はPH感応ガラス電極や固体電極などにくらべ入
力インピーダンスが極めて小さいため誘導ノイズ
を捨いにくく、シグナル/ノイズ比が大きくなつ
ている。そのために脂肪酸のような弱酸の生成を
とらえることが可能である。
PH ISFETのゲート絶縁膜上にグリセロール
エステル加水分解酵素を固定化するために被覆さ
れた高分子膜としてはトリアセチルセルロース、
架橋アルブミン、ポリヒドロキシエチルメチルメ
タクリレート、ポリビニルアルコール、エチレン
−ビニルアルコール共重合体、その他各種のもの
を用いることができる。これらの高分子膜に求め
られる条件は、(1)多孔質であるか、または(2)均質
膜である場合は親水性であることである。この条
件は加水分解反応によつて生成する水素イオン
(ヒドロニウムイオン)が測定溶液とISFET表面
(PH感応部)の間を自由に拡散することを可能と
するために必要な条件である。
エステル加水分解酵素を固定化するために被覆さ
れた高分子膜としてはトリアセチルセルロース、
架橋アルブミン、ポリヒドロキシエチルメチルメ
タクリレート、ポリビニルアルコール、エチレン
−ビニルアルコール共重合体、その他各種のもの
を用いることができる。これらの高分子膜に求め
られる条件は、(1)多孔質であるか、または(2)均質
膜である場合は親水性であることである。この条
件は加水分解反応によつて生成する水素イオン
(ヒドロニウムイオン)が測定溶液とISFET表面
(PH感応部)の間を自由に拡散することを可能と
するために必要な条件である。
PH ISFET上に多孔質高分子膜を形成させる
方法としてはたとえば(1)トリアセチルセルロース
ートリアミン−グルタルアルデヒドを用いる方
法、(2)ポリビニルアルコール、ポリエチレングリ
コール、ホウ酸、酢酸の混合水溶液をアルカリ溶
液中で凝固させた後グルタルアルデヒド等で架橋
する方法(特開昭52−21420)号、(3)エチレン−
ビニルアルコール共重合体のジメチルスルホキサ
イド溶液を水中で凝固させる方法(特開昭51−
145474号)等があげられる。またPH ISFET上
に親水性高分子の均質膜を作る方法としてはたと
えば、(4)ポリビニルアルコールの水溶液をグルタ
ルアルデヒドと硫酸ナトリウムを含む水溶液中で
凝固させる方法、(5)エチレン−ビニルアルコール
共重合体のエタノール水溶液を蒸発凝固させる方
法、(6)ポリ−ヒドロキシエチルメチルメタクリレ
ートのエタノール溶液を蒸発乾固させる方法等が
あげられる。
方法としてはたとえば(1)トリアセチルセルロース
ートリアミン−グルタルアルデヒドを用いる方
法、(2)ポリビニルアルコール、ポリエチレングリ
コール、ホウ酸、酢酸の混合水溶液をアルカリ溶
液中で凝固させた後グルタルアルデヒド等で架橋
する方法(特開昭52−21420)号、(3)エチレン−
ビニルアルコール共重合体のジメチルスルホキサ
イド溶液を水中で凝固させる方法(特開昭51−
145474号)等があげられる。またPH ISFET上
に親水性高分子の均質膜を作る方法としてはたと
えば、(4)ポリビニルアルコールの水溶液をグルタ
ルアルデヒドと硫酸ナトリウムを含む水溶液中で
凝固させる方法、(5)エチレン−ビニルアルコール
共重合体のエタノール水溶液を蒸発凝固させる方
法、(6)ポリ−ヒドロキシエチルメチルメタクリレ
ートのエタノール溶液を蒸発乾固させる方法等が
あげられる。
上記高分子膜に固定化されるグリセロールエス
テル加水分解酵素は別名リポプロテインリパーゼ
(あるいは単にリパーゼ)と称されているもので
ある。リポプロテインリパーゼとしては
Rhizopusarrhizus、Candida cylindracea、
Porcine pancreas、Pseudomonas species等を
抽出源としたものが市販されているが、とりわけ
Rhizopus arrhizusを抽出源としたものは比活性
が高く、純度も高いので本発明で用いる酵素とし
て適している。
テル加水分解酵素は別名リポプロテインリパーゼ
(あるいは単にリパーゼ)と称されているもので
ある。リポプロテインリパーゼとしては
Rhizopusarrhizus、Candida cylindracea、
Porcine pancreas、Pseudomonas species等を
抽出源としたものが市販されているが、とりわけ
Rhizopus arrhizusを抽出源としたものは比活性
が高く、純度も高いので本発明で用いる酵素とし
て適している。
かかるグリセロールエステル加水分解酵素は下
式で示される反応にしたがつてトリグリセライド
を加水分解し、脂肪酸とグリセロールとを生成す
る。
式で示される反応にしたがつてトリグリセライド
を加水分解し、脂肪酸とグリセロールとを生成す
る。
ここでR1、R2およびR3は飽和もしくは不飽和
アルキル基である。従つて、PH ISFETのゲー
ト絶縁膜に被覆した高分子膜にトリグリセライド
加水分解酵素を固定化すれば、上記の反応に伴う
PHの変化を測定することができる。
アルキル基である。従つて、PH ISFETのゲー
ト絶縁膜に被覆した高分子膜にトリグリセライド
加水分解酵素を固定化すれば、上記の反応に伴う
PHの変化を測定することができる。
これらの高分子膜にグリセロールエステル加水
分解酵素を固定化する方法としてはいわゆる包括
法、担体結合法等を用いることができる。包括法
は酵素を親水性高分子膜の中に包み込む方法であ
る。この場合には高分子膜としては親水性の均質
膜が用いられる。包括法によつて酵素を固定化す
る方法としてはたとえば親水性高分子の原液中に
所定量の酵素を溶存させておき、あとは上述の(4)
〜(6)と同様の方法によつて凝固させることができ
る。一方担体結合法においては、いつたん上述の
(1)〜(6)の方法によつて高分子膜をPH ISFET上
に形成させた後、該高分子膜上に化学結合によつ
て酵素を固定化する。化学結合の方法としては、
例えば上述の(1)の方法で作られたトリアセチルセ
ルロース−トリアミン−グルタルアルデヒド系多
孔性膜の場合には、この膜をさらにグルタルアル
デヒドで処理した後、酵素溶液と反応させること
によつて酵素を固定化することができる。また上
記(2)〜(6)のように水酸基を有する高分子膜の場合
にはたとえばまずアミノアセトアルデヒドジメチ
ルアセタールで処理してアミノ基を導入し、次い
でこのアミノ基にグルタルアルデヒドを反応させ
てアルデヒド基を導入し、最後にこのアルデヒド
基に酸素を反応させることによつて酵素の固定化
をおこなうことができる。
分解酵素を固定化する方法としてはいわゆる包括
法、担体結合法等を用いることができる。包括法
は酵素を親水性高分子膜の中に包み込む方法であ
る。この場合には高分子膜としては親水性の均質
膜が用いられる。包括法によつて酵素を固定化す
る方法としてはたとえば親水性高分子の原液中に
所定量の酵素を溶存させておき、あとは上述の(4)
〜(6)と同様の方法によつて凝固させることができ
る。一方担体結合法においては、いつたん上述の
(1)〜(6)の方法によつて高分子膜をPH ISFET上
に形成させた後、該高分子膜上に化学結合によつ
て酵素を固定化する。化学結合の方法としては、
例えば上述の(1)の方法で作られたトリアセチルセ
ルロース−トリアミン−グルタルアルデヒド系多
孔性膜の場合には、この膜をさらにグルタルアル
デヒドで処理した後、酵素溶液と反応させること
によつて酵素を固定化することができる。また上
記(2)〜(6)のように水酸基を有する高分子膜の場合
にはたとえばまずアミノアセトアルデヒドジメチ
ルアセタールで処理してアミノ基を導入し、次い
でこのアミノ基にグルタルアルデヒドを反応させ
てアルデヒド基を導入し、最後にこのアルデヒド
基に酸素を反応させることによつて酵素の固定化
をおこなうことができる。
かくして得られたトリグリセライドの酵素固定
化高分子膜の厚みは0.1〜100μmが望ましい。厚
みが0.1μm以下では固定化酵素の量が不足し、且
つピンホールが生成しやすくなるために感度が低
くなる。一方厚みが100μm以上だと、高分子膜
中の反応物質や生成物質の拡散が遅くなり、その
ためにセンサの応答が遅くなる。
化高分子膜の厚みは0.1〜100μmが望ましい。厚
みが0.1μm以下では固定化酵素の量が不足し、且
つピンホールが生成しやすくなるために感度が低
くなる。一方厚みが100μm以上だと、高分子膜
中の反応物質や生成物質の拡散が遅くなり、その
ためにセンサの応答が遅くなる。
次に実施例によつて本発明のセンサの詳細につ
いて説明する。
いて説明する。
実施例
第1図は実施例に用いたPH ISFETの構造を
示す平面図である。このISFET1は例えば巾0.4
mm、長さ5.5mmの長尺のもので一端部にゲート部
2を他端部にドレインおよびソースコンタクト3
および4を具えている。ゲート部2は第2図にA
−A断面図を示すように、シリコン基板5にドレ
イン拡散領域6およびソース拡散領域7、8を形
成し、全体を1000〓の酸化膜9および1000〓の窒
化シリコン膜10で順次に被覆している。
示す平面図である。このISFET1は例えば巾0.4
mm、長さ5.5mmの長尺のもので一端部にゲート部
2を他端部にドレインおよびソースコンタクト3
および4を具えている。ゲート部2は第2図にA
−A断面図を示すように、シリコン基板5にドレ
イン拡散領域6およびソース拡散領域7、8を形
成し、全体を1000〓の酸化膜9および1000〓の窒
化シリコン膜10で順次に被覆している。
まず、ISFETのゲート絶縁膜である窒化シリ
コンの表面をγ−アミノプロピルトリエトキシシ
ラン(γ−APTES)で化学修飾して官能基を導
入した後、γ−APTESの10%水溶液を塩酸を用
いてPH7に調整し、この中に素子のゲート部2を
浸漬して50℃で約1時間放置した後、水洗、乾燥
させた。次にこの素子の表面に以下に述べる方法
で酵素固定化膜を調整した。すなわち、トリアセ
チルセルロース250mgを10mlの塩化メチレンに溶
解させた後、これに50%グルタルアルデヒド
200μを加え、十分攪拌して分散させた。次に
1,8−ジアミノ−4−アミノメチルオクタン
1000μを添加して激しく攪拌し均一にさせた
後、γ−APTES処理したゲート部表面に薄く塗
布した。これを室温で風乾させながら2日間放置
し反応させた。反応後、素子を1%グルタルアル
デヒド中に浸漬し、1時間反応させて水洗した
後、酸素溶液(20mg.ml-1)に浸漬して室温で約
2時間、4℃で一晩反応させた。次に素子を
0.1Mグリシン溶液に浸漬し、室温で約1時間反
応させて未反応のアリデヒド基とグリシンを結合
させた。
コンの表面をγ−アミノプロピルトリエトキシシ
ラン(γ−APTES)で化学修飾して官能基を導
入した後、γ−APTESの10%水溶液を塩酸を用
いてPH7に調整し、この中に素子のゲート部2を
浸漬して50℃で約1時間放置した後、水洗、乾燥
させた。次にこの素子の表面に以下に述べる方法
で酵素固定化膜を調整した。すなわち、トリアセ
チルセルロース250mgを10mlの塩化メチレンに溶
解させた後、これに50%グルタルアルデヒド
200μを加え、十分攪拌して分散させた。次に
1,8−ジアミノ−4−アミノメチルオクタン
1000μを添加して激しく攪拌し均一にさせた
後、γ−APTES処理したゲート部表面に薄く塗
布した。これを室温で風乾させながら2日間放置
し反応させた。反応後、素子を1%グルタルアル
デヒド中に浸漬し、1時間反応させて水洗した
後、酸素溶液(20mg.ml-1)に浸漬して室温で約
2時間、4℃で一晩反応させた。次に素子を
0.1Mグリシン溶液に浸漬し、室温で約1時間反
応させて未反応のアリデヒド基とグリシンを結合
させた。
PH ISFETは溶液中の水素イオン濃度により
窒化シリコン界面での界面電位が変化する。そこ
で、第3図に示す回路を用いてこの界面電位の変
化を測定した。この回路図から明らかなようにオ
ペアンプから成る帰還回路によつてISFET22に
は常に一定の電流が流れ、またソース・ドレイン
間には一定の電圧が加えられている。こため溶液
のPH変化によつて生ずる溶液一窒化シリコン界面
の界面電位変化が直接出力として得られる。この
出力電位をエレクトロメータ20を介して記録計21
で記録した。23は参照電極である。
窒化シリコン界面での界面電位が変化する。そこ
で、第3図に示す回路を用いてこの界面電位の変
化を測定した。この回路図から明らかなようにオ
ペアンプから成る帰還回路によつてISFET22に
は常に一定の電流が流れ、またソース・ドレイン
間には一定の電圧が加えられている。こため溶液
のPH変化によつて生ずる溶液一窒化シリコン界面
の界面電位変化が直接出力として得られる。この
出力電位をエレクトロメータ20を介して記録計21
で記録した。23は参照電極である。
基準液として1%Tritonx−100、0.15M
NaCl、5mM KClを含む2×10-4Mトリス塩酸
緩衝液(PH7)を用いた。トリグリセライドの標
準試料としてトリオレインを選び、均一な懸濁液
とした。すなわち、トリオレイン約500mgを
Tritonx−100、20mlと混合し、70℃で10分間加
熱した。これに70℃に加熱しておいた0.15M
NaCl溶液100mlを加え、室温まで冷却した後、容
量10mlの試験官に分注して3000gで5分間遠心分
離した。溶液の上層、下層約1mlを除いて中間層
部の溶液を標準試料溶液とした。これにKCl、ト
リス塩酸緩衝液を加えて、組成を測定用の基準液
と一致させた。この標準試料溶液のトリオレイン
濃度はトリグリセライド測定用、Triglyceride
C−Test Wakoで定量した。
NaCl、5mM KClを含む2×10-4Mトリス塩酸
緩衝液(PH7)を用いた。トリグリセライドの標
準試料としてトリオレインを選び、均一な懸濁液
とした。すなわち、トリオレイン約500mgを
Tritonx−100、20mlと混合し、70℃で10分間加
熱した。これに70℃に加熱しておいた0.15M
NaCl溶液100mlを加え、室温まで冷却した後、容
量10mlの試験官に分注して3000gで5分間遠心分
離した。溶液の上層、下層約1mlを除いて中間層
部の溶液を標準試料溶液とした。これにKCl、ト
リス塩酸緩衝液を加えて、組成を測定用の基準液
と一致させた。この標準試料溶液のトリオレイン
濃度はトリグリセライド測定用、Triglyceride
C−Test Wakoで定量した。
半導体酵素センサー22を参照電極の銀−塩化銀
電極23とともに基準液1ml中に浸漬して、出力
電位が安定した後、この溶液にPHをあらかじめ基
準液のPHに一致させたトリオレイン試料溶液1ml
を静かに加え、出力電位の変化を測定した。
電極23とともに基準液1ml中に浸漬して、出力
電位が安定した後、この溶液にPHをあらかじめ基
準液のPHに一致させたトリオレイン試料溶液1ml
を静かに加え、出力電位の変化を測定した。
基準液1mlに対してトリオレイン溶液1mlを加
え、Vgの経時変化を測定した結果を第4図に示
す。反応溶液は二重ビーカーを用いて温度を37℃
に保ち、攪拌を行なわずに測定した。トリオレイ
ン溶液添加後、Vgは急激に上昇しその後減少し、
再びゆるやかに上昇した。最初の急激な変化は、
溶液の流れによつて素子表面の界面二重層が乱さ
れたことと、温度変化によるものと思われる。実
際トリオレインを含まない溶液を添加した場合に
もこのような出力電位の変化が認められた。Vg
はその後1時間以上上昇を続けたが、これは酸素
反応によつて有機酸を生成し、PHが低下したため
と推定される。そこで、トリオレイン添加後5〜
15分の電位増加速度をこのセンサーの反応として
以下の測定を行なつた。
え、Vgの経時変化を測定した結果を第4図に示
す。反応溶液は二重ビーカーを用いて温度を37℃
に保ち、攪拌を行なわずに測定した。トリオレイ
ン溶液添加後、Vgは急激に上昇しその後減少し、
再びゆるやかに上昇した。最初の急激な変化は、
溶液の流れによつて素子表面の界面二重層が乱さ
れたことと、温度変化によるものと思われる。実
際トリオレインを含まない溶液を添加した場合に
もこのような出力電位の変化が認められた。Vg
はその後1時間以上上昇を続けたが、これは酸素
反応によつて有機酸を生成し、PHが低下したため
と推定される。そこで、トリオレイン添加後5〜
15分の電位増加速度をこのセンサーの反応として
以下の測定を行なつた。
(1) 一般に酵素反応速度は反応溶液の濃度、PH等
によつて著しく影響を受ける。そこで温度のセ
ンサの反応値におよぼす影響について検討した
結果を第5図に示す。40℃付近で反応は最大値
を示した。これ以上の温度では逆に反応が減少
したがこれは酵素が失活したためと考えられ
る。このセンサはヒト血清中の中性脂質の定量
に応用することを目的としているため、測定は
37℃付近で行なうことが好ましい。
によつて著しく影響を受ける。そこで温度のセ
ンサの反応値におよぼす影響について検討した
結果を第5図に示す。40℃付近で反応は最大値
を示した。これ以上の温度では逆に反応が減少
したがこれは酵素が失活したためと考えられ
る。このセンサはヒト血清中の中性脂質の定量
に応用することを目的としているため、測定は
37℃付近で行なうことが好ましい。
(2) 出力電位変化におよぼすPHの影響について検
討した結果を第6図に示す。PH8付近において
応答は最大値を示すことがわかつた。
討した結果を第6図に示す。PH8付近において
応答は最大値を示すことがわかつた。
(3) 種々の濃度のトリオレイン溶液を添加した場
合の応答値の変化を第7図に示す。トリオレイ
ン濃度の対数に対して出力電位上昇速度をプロ
ツトすると0.5mMから2.0mMの範囲で直接関
係が認められた。
合の応答値の変化を第7図に示す。トリオレイ
ン濃度の対数に対して出力電位上昇速度をプロ
ツトすると0.5mMから2.0mMの範囲で直接関
係が認められた。
以上のように本発明のトリグリセライドセンサ
は実用上血清中のトリグリセライドを連続的に測
定するに十分な感度、選択性を有しており、その
利用価値は極めて大きいものである。
は実用上血清中のトリグリセライドを連続的に測
定するに十分な感度、選択性を有しており、その
利用価値は極めて大きいものである。
第1図は本発明で用いるISFETの平面図であ
り第2図は第1図のA−A断面図である。第3図
は本発明のトリグリセライドセンサを用いた電気
回路図である。第4図〜第7図はトリグリセライ
ドセンサを用いた測定結果を示すグラフである。
り第2図は第1図のA−A断面図である。第3図
は本発明のトリグリセライドセンサを用いた電気
回路図である。第4図〜第7図はトリグリセライ
ドセンサを用いた測定結果を示すグラフである。
Claims (1)
- 1 PH感応質イオン選択的電界効果トランジスタ
のゲート絶縁膜上に被覆された多孔性高分子膜ま
たは親水性の均質高分子膜にグリセロールエステ
ル加水分解酵素を固定化したことを特徴とするト
リグリセライドセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58084480A JPS59210356A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | トリグリセライドセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58084480A JPS59210356A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | トリグリセライドセンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59210356A JPS59210356A (ja) | 1984-11-29 |
JPH0331224B2 true JPH0331224B2 (ja) | 1991-05-02 |
Family
ID=13831803
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58084480A Granted JPS59210356A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | トリグリセライドセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59210356A (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL8400916A (nl) * | 1984-03-22 | 1985-10-16 | Stichting Ct Voor Micro Elektr | Werkwijze voor het vervaardigen van een isfet en een aldus vervaardigde isfet. |
DE3688489T2 (de) * | 1985-08-29 | 1993-09-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Einen feldeffekttransistor benutzender fuehler und dessen herstellungsverfahren. |
JPS63131057A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-03 | Terumo Corp | 酵素センサ |
IT1198226B (it) * | 1986-12-04 | 1988-12-21 | Eniricerche Spa | Dispositivo sensibile agli ioni |
IT1215491B (it) * | 1987-05-15 | 1990-02-14 | Enricerche Spa | Biosensore con membrana enzimatica legata chimicamente a un dispositivo semiconduttore. |
JPH0743338B2 (ja) * | 1987-07-03 | 1995-05-15 | テルモ株式会社 | マルチセンサ |
KR101226264B1 (ko) | 2005-03-29 | 2013-01-25 | 유겐가이샤 얼티자임 인터내셔널 | 바이오센서 |
-
1983
- 1983-05-13 JP JP58084480A patent/JPS59210356A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59210356A (ja) | 1984-11-29 |
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