JPH0330216B2 - - Google Patents
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- JPH0330216B2 JPH0330216B2 JP58112250A JP11225083A JPH0330216B2 JP H0330216 B2 JPH0330216 B2 JP H0330216B2 JP 58112250 A JP58112250 A JP 58112250A JP 11225083 A JP11225083 A JP 11225083A JP H0330216 B2 JPH0330216 B2 JP H0330216B2
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 15
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 6
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 6
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 5
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 5
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 3
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 2
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 238000007761 roller coating Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光学式情報処理装置に使用される記
録媒体に関する。
録媒体に関する。
この記録媒体は、第1図に示すように、レーザ
光を円板状透明基板1側よりレンズで集光、照射
し、記録層2を局部的に溶融、昇華せしめ、約
1μmの直径を有する小孔、いわゆる記録ピツトを
形成し、その記録ピツトの有無による反射率の変
化により情報再生を行うものである。そして、本
例では、記録層2を被着させた円板状透明基板1
を2個用意して、記録層2を相互に対向させて、
透明基板1の内周端及び外周端にスペーサ3,4
を挿入して、中空領域5を設け、透明基板1とス
ペーサ3,4との間に接着剤6を塗布して貼り合
せ構造にしている。
光を円板状透明基板1側よりレンズで集光、照射
し、記録層2を局部的に溶融、昇華せしめ、約
1μmの直径を有する小孔、いわゆる記録ピツトを
形成し、その記録ピツトの有無による反射率の変
化により情報再生を行うものである。そして、本
例では、記録層2を被着させた円板状透明基板1
を2個用意して、記録層2を相互に対向させて、
透明基板1の内周端及び外周端にスペーサ3,4
を挿入して、中空領域5を設け、透明基板1とス
ペーサ3,4との間に接着剤6を塗布して貼り合
せ構造にしている。
このような構造により、記録層2は外気と遮断
密閉され、湿気などの影響による劣化を防止し、
また、外気に露出された記録層2の記録媒体と対
比して、記録再生を透明基板1側より行う本例
は、記録層2の表面に付着するごみ、ちり及びキ
ズ等の影響を100万分の1程度にまで低減するこ
とができ、その結果、記録層2の安定化及び記
録・再生時の誤り率の低減ついて一応満足してい
る。
密閉され、湿気などの影響による劣化を防止し、
また、外気に露出された記録層2の記録媒体と対
比して、記録再生を透明基板1側より行う本例
は、記録層2の表面に付着するごみ、ちり及びキ
ズ等の影響を100万分の1程度にまで低減するこ
とができ、その結果、記録層2の安定化及び記
録・再生時の誤り率の低減ついて一応満足してい
る。
しかし、このような光学式情報記録媒体は、記
録感度、安定性及び信号コントラストについて次
のような欠点があつた。すなわち、記録感度につ
いては、レーザ光は記録時において、そのレーザ
光量の20〜30%が記録層2を透過し、記録ピツト
形成のために有効利用されていないこと、記録層
2の劣化防止手段として保護膜を記録層2上に被
着した場合、記録感度が低下することなどの欠点
があり、安定性については、記録層2の表面は遮
断密閉されているとは言え、中空領域5の下にあ
ることから、酸化による反射率の低下、膜はがれ
及びきれつなどが起きやすいこと、記録層2は透
明基板1に直接被着しているために、基板表面の
数μm程度のきず、凹凸などの影響を受けやすい
ことなどの欠点があり、更に、記録感度及び安定
性を信号コントラストとの関係については、記録
感度を向上させるために記録層2の膜厚を薄くし
た場合、(R0−R1)/(R0+R1)(ここで、R0及
びR1はそれぞれ未記録部分及び記録部分から得
られた反射光信号である。)で表現される信号コ
ントラストが低下し、前述した安定性も著しく劣
化すること、逆に、信号コントラストを高くし、
記録層2の劣化を防止するために、記録層2の膜
厚を厚くした場合、記録感度が低下するといつた
相反する性質を持つていることから、両者を共に
良好な状態にすることが不可能であつた。
録感度、安定性及び信号コントラストについて次
のような欠点があつた。すなわち、記録感度につ
いては、レーザ光は記録時において、そのレーザ
光量の20〜30%が記録層2を透過し、記録ピツト
形成のために有効利用されていないこと、記録層
2の劣化防止手段として保護膜を記録層2上に被
着した場合、記録感度が低下することなどの欠点
があり、安定性については、記録層2の表面は遮
断密閉されているとは言え、中空領域5の下にあ
ることから、酸化による反射率の低下、膜はがれ
及びきれつなどが起きやすいこと、記録層2は透
明基板1に直接被着しているために、基板表面の
数μm程度のきず、凹凸などの影響を受けやすい
ことなどの欠点があり、更に、記録感度及び安定
性を信号コントラストとの関係については、記録
感度を向上させるために記録層2の膜厚を薄くし
た場合、(R0−R1)/(R0+R1)(ここで、R0及
びR1はそれぞれ未記録部分及び記録部分から得
られた反射光信号である。)で表現される信号コ
ントラストが低下し、前述した安定性も著しく劣
化すること、逆に、信号コントラストを高くし、
記録層2の劣化を防止するために、記録層2の膜
厚を厚くした場合、記録感度が低下するといつた
相反する性質を持つていることから、両者を共に
良好な状態にすることが不可能であつた。
本発明は、上記した欠点を除去するためになさ
れたものであり、透明基板上に少なくとも光吸収
性及び光干渉性を有する第1層と、レーザ光によ
り情報記録を行う記録層と、少なくとも光吸収性
を有する第2層とを順次被着することにより、記
録感度を向上させ、記録層を安定化させ、更に信
号コントラストを高くさせた光学式情報記録媒体
を提供することを目的とする。
れたものであり、透明基板上に少なくとも光吸収
性及び光干渉性を有する第1層と、レーザ光によ
り情報記録を行う記録層と、少なくとも光吸収性
を有する第2層とを順次被着することにより、記
録感度を向上させ、記録層を安定化させ、更に信
号コントラストを高くさせた光学式情報記録媒体
を提供することを目的とする。
第2図は、本発明による光学式情報記録媒体の
主要部を示し、同図a及びbはそれぞれレーザ光
照射前及びレーザ光照射後の状態であり、全体構
造としては、同図に示す円板状透明基板1を2個
用意して、第1図に示すように各層を対向させ
て、スペーサを介して接合した遮断密閉構造にな
つている。
主要部を示し、同図a及びbはそれぞれレーザ光
照射前及びレーザ光照射後の状態であり、全体構
造としては、同図に示す円板状透明基板1を2個
用意して、第1図に示すように各層を対向させ
て、スペーサを介して接合した遮断密閉構造にな
つている。
図示する光学式情報記録媒体は、円板状透明基
板と、該円板状透明基板1上に順次被着された第
1層7、レーザ光により情報記録を行なう記録層
8、及び第2層9を備えている。
板と、該円板状透明基板1上に順次被着された第
1層7、レーザ光により情報記録を行なう記録層
8、及び第2層9を備えている。
前記第1層7と第2層9は、前記レーザ光を吸
収する光吸収体を分散した状態で含有した基材
(基礎材料)から成り、該基材は有機重合体又は
酸化珪素から構成される。従つて、前記第1層7
と第2層9は共にレーザ光に対する光吸収性を有
する。
収する光吸収体を分散した状態で含有した基材
(基礎材料)から成り、該基材は有機重合体又は
酸化珪素から構成される。従つて、前記第1層7
と第2層9は共にレーザ光に対する光吸収性を有
する。
又、前記第1層7は、光吸収体の含有量が5〜
40原子%、その膜厚が1000〜3000Åと選定されて
いるので、光吸収性のみならず光干渉性も併わせ
持つている。
40原子%、その膜厚が1000〜3000Åと選定されて
いるので、光吸収性のみならず光干渉性も併わせ
持つている。
先ず、第1層7は光吸収性であることから、レ
ーザ光が円板状透明基板1側より照射したとき、
この第1層7にて熱を発生し、記録層8における
記録ピツト10の形成に有効な熱として利用して
記録感度を向上させる。また、この第1層7に光
干渉性を持たせるこにより、第1層7の内部でレ
ーザ光を何回か多重反射させ、記録層8との界面
においてその多重反射毎にレーザ光を記録層8側
に誘導させ、記録感度を向上させる。更に、未記
録部分の反射光信号R0が前述した多重反射によ
り増大することから、信号コントラストも高くな
る。又、光吸収体を分散した状態で含有する、有
機重合体又は酸化珪素は比較的熱伝導率が低いこ
とから、レーザ光照射による記録層8で発生した
熱の伝導がこの第1層7にて阻止され、透明基板
1側への熱伝導を防止し、前述した光吸収による
第1層7内部で発生した熱の伝導が記録層8側に
一層誘導され、更に、透明基板1の凹凸などの表
面欠陥があつたとしても、その影響を第1層7に
て緩和し、記録層8への影響を少なくする。
ーザ光が円板状透明基板1側より照射したとき、
この第1層7にて熱を発生し、記録層8における
記録ピツト10の形成に有効な熱として利用して
記録感度を向上させる。また、この第1層7に光
干渉性を持たせるこにより、第1層7の内部でレ
ーザ光を何回か多重反射させ、記録層8との界面
においてその多重反射毎にレーザ光を記録層8側
に誘導させ、記録感度を向上させる。更に、未記
録部分の反射光信号R0が前述した多重反射によ
り増大することから、信号コントラストも高くな
る。又、光吸収体を分散した状態で含有する、有
機重合体又は酸化珪素は比較的熱伝導率が低いこ
とから、レーザ光照射による記録層8で発生した
熱の伝導がこの第1層7にて阻止され、透明基板
1側への熱伝導を防止し、前述した光吸収による
第1層7内部で発生した熱の伝導が記録層8側に
一層誘導され、更に、透明基板1の凹凸などの表
面欠陥があつたとしても、その影響を第1層7に
て緩和し、記録層8への影響を少なくする。
又、この第1層7の基材たる有機重合体又は酸
化珪素は、比較的軟化し易いため、記録層8に記
録ピツト10を形成する際に、容易に変形又は除
去され、記録ピツト10の形成を促進する。
化珪素は、比較的軟化し易いため、記録層8に記
録ピツト10を形成する際に、容易に変形又は除
去され、記録ピツト10の形成を促進する。
次に、第2層9は光吸収性であることから、レ
ーザ光照射時に熱を発生し、記録層8の記録ピツ
ト10の形成に対して有効な熱として利用される
と共に、この第2層9を軟化させることから、記
録層8に記録ピツト10を形成する際に、この第
2層9が容易に取り除かれ、硬化状態のままであ
つたときと対比して、記録層8の記録ピツト10
の形成を促進し、結局、記録感度が向上する。
又、この第2層9も第1層7と同様、光吸収体を
含有する基材が、比較的熱伝導率が低い、有機重
合体又は酸化珪素から成るので、レーザ光照射に
よつて記録層8で発生した熱の伝導を阻止するこ
とができる。更に、この第2層9は記録層8の表
面を覆うことから、保護膜としても作用する。以
下、本発明の具体的実施例を説明する。
ーザ光照射時に熱を発生し、記録層8の記録ピツ
ト10の形成に対して有効な熱として利用される
と共に、この第2層9を軟化させることから、記
録層8に記録ピツト10を形成する際に、この第
2層9が容易に取り除かれ、硬化状態のままであ
つたときと対比して、記録層8の記録ピツト10
の形成を促進し、結局、記録感度が向上する。
又、この第2層9も第1層7と同様、光吸収体を
含有する基材が、比較的熱伝導率が低い、有機重
合体又は酸化珪素から成るので、レーザ光照射に
よつて記録層8で発生した熱の伝導を阻止するこ
とができる。更に、この第2層9は記録層8の表
面を覆うことから、保護膜としても作用する。以
下、本発明の具体的実施例を説明する。
円板状透明基板1として超精密加工、研磨、洗
浄の各工程を経た板厚1.2mmのソーダライムガラ
スを使用した。
浄の各工程を経た板厚1.2mmのソーダライムガラ
スを使用した。
第1層7は、13.54MHz、100Wの高周波電力で
エチレンガスを1〜10-3Torrのガス圧でグロー
放電させ、同時に波長30nmの半導体レーザ光に
吸収性を持つ材料として銅フタロシアニンを蒸着
してソーダライムガラス上に被着した。この結
果、光吸収体たる銅フタロシアニンを分散した状
態で含有したエチレン重合膜から成る第1層7が
得れた。このエチレン重合膜中の銅フタロシアニ
ンの含有量は15atomic%程度である。この含有
量は5〜40atomic%の範囲にあればよく、好ま
しくは10〜20atomic%である。この第1層7の
膜厚は、光干渉性により反射率が最大になり、ま
た断熱効果が得られるように設定され、本例では
約2000Åであり、その範囲は1000Å〜3000Åであ
ればよいが、好ましくは1500Å〜2500Åである。
ソーダライムガラス基板上にこの第1層7のみを
被着させて、同基板側から求めた反射率は約10%
でつた。
エチレンガスを1〜10-3Torrのガス圧でグロー
放電させ、同時に波長30nmの半導体レーザ光に
吸収性を持つ材料として銅フタロシアニンを蒸着
してソーダライムガラス上に被着した。この結
果、光吸収体たる銅フタロシアニンを分散した状
態で含有したエチレン重合膜から成る第1層7が
得れた。このエチレン重合膜中の銅フタロシアニ
ンの含有量は15atomic%程度である。この含有
量は5〜40atomic%の範囲にあればよく、好ま
しくは10〜20atomic%である。この第1層7の
膜厚は、光干渉性により反射率が最大になり、ま
た断熱効果が得られるように設定され、本例では
約2000Åであり、その範囲は1000Å〜3000Åであ
ればよいが、好ましくは1500Å〜2500Åである。
ソーダライムガラス基板上にこの第1層7のみを
被着させて、同基板側から求めた反射率は約10%
でつた。
次に、99.99%の純度のテルルを1×10-6Torr
の真空度で真空蒸着により膜厚100Åの記録層8
を先の第1層7上に被着した。この記録層8の膜
厚は20Å〜500Åの範囲にあればよく、好ましく
は500Å〜150Åである。
の真空度で真空蒸着により膜厚100Åの記録層8
を先の第1層7上に被着した。この記録層8の膜
厚は20Å〜500Åの範囲にあればよく、好ましく
は500Å〜150Åである。
次に、第2層9はエチレンガスを第1層1と同
様な方法及び条件によりグロー放電させ、同時に
テルルを蒸着して記録層8上に被着した。この結
果、光吸収体たるテルルを分散した状態で含有す
るエチレン重合膜から成る第2層9が得られた。
本例のエチレン重合膜中のテルルの含有量は約
10atomic%であるが、その範囲は5〜40atomic
%であればよく、好ましくは10〜20atomic%で
ある。また、エチレン重合膜の膜厚は、記録感度
を低下させずに、記録層8の保護効果を奏するた
めに、本例では約1000Åに設定したが、その範囲
は300Å〜3000Åであればよく、好ましくは500Å
〜2500Åである。
様な方法及び条件によりグロー放電させ、同時に
テルルを蒸着して記録層8上に被着した。この結
果、光吸収体たるテルルを分散した状態で含有す
るエチレン重合膜から成る第2層9が得られた。
本例のエチレン重合膜中のテルルの含有量は約
10atomic%であるが、その範囲は5〜40atomic
%であればよく、好ましくは10〜20atomic%で
ある。また、エチレン重合膜の膜厚は、記録感度
を低下させずに、記録層8の保護効果を奏するた
めに、本例では約1000Åに設定したが、その範囲
は300Å〜3000Åであればよく、好ましくは500Å
〜2500Åである。
記録及び再生時のレーザ照射パワーは、記録媒
体面でそれぞれ6mW及び0.6mWであつた。レー
ザスポツトの直径は約1.6μmであつた。記録感度
はレーザパルス幅で30nsと高い値が得られた。未
記録部及び記録部の反射率は、それぞれ39%及び
6%となつて、73%という高い信号コントラスト
を得た。記録部分の反射率が10%以下になつたの
は、第2図bに示すように第1層7中の銅フタロ
シアニンの一部においても昇華が行われたためと
思われる。
体面でそれぞれ6mW及び0.6mWであつた。レー
ザスポツトの直径は約1.6μmであつた。記録感度
はレーザパルス幅で30nsと高い値が得られた。未
記録部及び記録部の反射率は、それぞれ39%及び
6%となつて、73%という高い信号コントラスト
を得た。記録部分の反射率が10%以下になつたの
は、第2図bに示すように第1層7中の銅フタロ
シアニンの一部においても昇華が行われたためと
思われる。
次に、比較例として第1図に示したような構
造、すなわちソーダライムガラス基板(板厚:
1.2mm)⊥に1×10-6Torrの真空度で純度99.99%
のテルルを膜厚約10Åで真空蒸着法により被着
し、ソーダライムガラス基板側よりレーザ光をこ
の記録媒体に照射し、記録感度及び信号コントラ
ストをそれぞれ測定した。なお、レーザ光照射パ
ワーは前述しと同様の条件とした。測定結果によ
れば、未記録部分及び記録部分の反射率はそれぞ
れ30%及び5%であり、信号コントラストが70%
程度、記録感度がレーザパルス幅で100nsを得て、
いずれも本発明と対比して特性が低下していた。
造、すなわちソーダライムガラス基板(板厚:
1.2mm)⊥に1×10-6Torrの真空度で純度99.99%
のテルルを膜厚約10Åで真空蒸着法により被着
し、ソーダライムガラス基板側よりレーザ光をこ
の記録媒体に照射し、記録感度及び信号コントラ
ストをそれぞれ測定した。なお、レーザ光照射パ
ワーは前述しと同様の条件とした。測定結果によ
れば、未記録部分及び記録部分の反射率はそれぞ
れ30%及び5%であり、信号コントラストが70%
程度、記録感度がレーザパルス幅で100nsを得て、
いずれも本発明と対比して特性が低下していた。
本発明は以上の実施例に挙げた物質に限定され
ず、透明基板として、石英ガラス、塩化ビニール
樹脂、酢酸ビニール樹脂、アクリル樹脂、メタク
リル樹脂、ポリエステル樹脂、ニトロセルロー
ス、ポリスチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポ
リアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ
樹脂等を用いてもよい。次に、第1層に含有させ
る光吸収体としては、鉛フタロシアニンなどの金
属フタロシアニン、テルル(Te)、セレン(Se)、
及びイオウ(S)のカルコゲン元素又はビスマス
(Bi)、インジウム(In)、鉛(Pb)、カドミウム
(Cd)、ヒ素(As)、スズ(Sn)の単体及びその
化合物又はその酸化物でも良い。又、光吸収体を
分散させる第1層及び第2層の基材としては、エ
チレン重合体以外のオレフイン化合物、ベンゼン
類、ポリエステル、ポリスチレン、アクリル系ポ
リマー、酢酸セルロース、硝酸セルロース、臭素
化ポリヒドロキシスチレン、塩化ゴム等の有機重
合体SiO、SiO2などの酸化珪素などを用いてもよ
い。次に、記録層8として、カドミウム(Cd)、
ビスマス(Bi)、インジウム(In)、鉛(Pb)、イ
オウ(S)、スズ(Sn)、セレン(Se)の単体、
それらの化合物、それらの酸化物又はフタロシア
ニン誘導体などを用いてもよい。尚、第2層の基
材に含有させる光吸収体は、上述した第1層に含
有させる光吸収体以外に金(Au)、銀(Ag)、白
金(Pt)、銅(Cu)及びクロム(Cr)などを用い
ることができる。また、実施例の成膜方法として
真空蒸着及びグロー放電を挙げたが、使用する物
質によつて直流スパツクリング、高周波スパツタ
リング、反応性スパツタリング、イオンプレーテ
イング、イオンクラスター、メツキ、CVD、共
蒸着、気相成長、キヤスト、ドクタープレード、
マグネトロンスパツタ又はスプレー、ローラーコ
ーテイング、デイツピング。スピニング等の塗布
法を用いてもよい。
ず、透明基板として、石英ガラス、塩化ビニール
樹脂、酢酸ビニール樹脂、アクリル樹脂、メタク
リル樹脂、ポリエステル樹脂、ニトロセルロー
ス、ポリスチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポ
リアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ
樹脂等を用いてもよい。次に、第1層に含有させ
る光吸収体としては、鉛フタロシアニンなどの金
属フタロシアニン、テルル(Te)、セレン(Se)、
及びイオウ(S)のカルコゲン元素又はビスマス
(Bi)、インジウム(In)、鉛(Pb)、カドミウム
(Cd)、ヒ素(As)、スズ(Sn)の単体及びその
化合物又はその酸化物でも良い。又、光吸収体を
分散させる第1層及び第2層の基材としては、エ
チレン重合体以外のオレフイン化合物、ベンゼン
類、ポリエステル、ポリスチレン、アクリル系ポ
リマー、酢酸セルロース、硝酸セルロース、臭素
化ポリヒドロキシスチレン、塩化ゴム等の有機重
合体SiO、SiO2などの酸化珪素などを用いてもよ
い。次に、記録層8として、カドミウム(Cd)、
ビスマス(Bi)、インジウム(In)、鉛(Pb)、イ
オウ(S)、スズ(Sn)、セレン(Se)の単体、
それらの化合物、それらの酸化物又はフタロシア
ニン誘導体などを用いてもよい。尚、第2層の基
材に含有させる光吸収体は、上述した第1層に含
有させる光吸収体以外に金(Au)、銀(Ag)、白
金(Pt)、銅(Cu)及びクロム(Cr)などを用い
ることができる。また、実施例の成膜方法として
真空蒸着及びグロー放電を挙げたが、使用する物
質によつて直流スパツクリング、高周波スパツタ
リング、反応性スパツタリング、イオンプレーテ
イング、イオンクラスター、メツキ、CVD、共
蒸着、気相成長、キヤスト、ドクタープレード、
マグネトロンスパツタ又はスプレー、ローラーコ
ーテイング、デイツピング。スピニング等の塗布
法を用いてもよい。
また、実施例ではレーザ光源に830nmの波長の
半導体レーザを用いたが、使用波長は830nm以外
のものでもよく、その際、各層の膜厚、光吸収性
物質の配合割合はその波長により機能的に定める
ことができる。
半導体レーザを用いたが、使用波長は830nm以外
のものでもよく、その際、各層の膜厚、光吸収性
物質の配合割合はその波長により機能的に定める
ことができる。
以上のとおり、本発明によれば、記録層8の長
期安定化が得られると共に、第1層7と第2層8
によるサンドイツチ構造により信号コントラスト
を高くした状態で、記録感度を向上させることが
できる。
期安定化が得られると共に、第1層7と第2層8
によるサンドイツチ構造により信号コントラスト
を高くした状態で、記録感度を向上させることが
できる。
第1図は従来の光学式情報記録媒体の断面図、
第2図は本発明による光学式情報記録媒体の主要
部分断面図である。 1…円板状透明基板、7…第1層、8…記録
層、9…第2層。
第2図は本発明による光学式情報記録媒体の主要
部分断面図である。 1…円板状透明基板、7…第1層、8…記録
層、9…第2層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 透明基板と、該透明基板上に順次被着された
第1層、レーザ光により情報記録を行なう記録
層、及び第2層とを備え、 前記第1層及び第2層は、前記レーザ光を吸収
する光吸収体を分散させた状態で含有する基礎材
料から成り、更に該基礎材料は有機重合体又は酸
化珪素で構成され、 前記第1層の基礎材料が含有する光吸収体の含
有量を5〜40原子%、及び前記第1層の膜厚を
1000〜3000Åに各々選定したことを特徴とする光
学式情報記録媒体。 2 光吸収体は、金属フタロシアニン、カルコゲ
ン元素又はBi、In、Pb、Cd、As、Snの中から選
択された少なくとも一種であることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の光学式情報記録媒
体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58112250A JPS605438A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 光学式情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58112250A JPS605438A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 光学式情報記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS605438A JPS605438A (ja) | 1985-01-12 |
JPH0330216B2 true JPH0330216B2 (ja) | 1991-04-26 |
Family
ID=14582000
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58112250A Granted JPS605438A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 光学式情報記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS605438A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9009142B2 (en) | 2011-07-27 | 2015-04-14 | Google Inc. | Index entries configured to support both conversation and message based searching |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6163940A (ja) * | 1984-09-05 | 1986-04-02 | Hitachi Ltd | 情報記録媒体 |
US6641978B1 (en) * | 2000-07-17 | 2003-11-04 | Creo Srl | Dry multilayer inorganic alloy thermal resist for lithographic processing and image creation |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5174632A (ja) * | 1974-12-24 | 1976-06-28 | Canon Kk |
-
1983
- 1983-06-22 JP JP58112250A patent/JPS605438A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5174632A (ja) * | 1974-12-24 | 1976-06-28 | Canon Kk |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9009142B2 (en) | 2011-07-27 | 2015-04-14 | Google Inc. | Index entries configured to support both conversation and message based searching |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS605438A (ja) | 1985-01-12 |
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