JPH03297174A - 磁気遮蔽器 - Google Patents
磁気遮蔽器Info
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- JPH03297174A JPH03297174A JP2100759A JP10075990A JPH03297174A JP H03297174 A JPH03297174 A JP H03297174A JP 2100759 A JP2100759 A JP 2100759A JP 10075990 A JP10075990 A JP 10075990A JP H03297174 A JPH03297174 A JP H03297174A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Details Of Measuring And Other Instruments (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、医療診断機器等で必要とされる１０１０テス
ラ程度の極低磁場を形成し得る磁気遮蔽器に関する。
ラ程度の極低磁場を形成し得る磁気遮蔽器に関する。
例えば人間から発する磁界を測定して診断する生体磁気
測定装置等には１０−１ｏテスラ程度の極低磁場がａ・
要な為、マイスナー効果を示す超電導体の応用が検討さ
れている。
測定装置等には１０−１ｏテスラ程度の極低磁場がａ・
要な為、マイスナー効果を示す超電導体の応用が検討さ
れている。
しかしながら、例えば超電導体製筒状体を冷却して超電
導状態となして、外部からの磁場の侵入を防止する従来
の方法では、上記筒状体内を超電導状態にする前から既
に存在していた地球磁場等の環境磁場が残る為に上記筒
状体内は１０４テスラ程度の低磁場にしかできなかった
。
導状態となして、外部からの磁場の侵入を防止する従来
の方法では、上記筒状体内を超電導状態にする前から既
に存在していた地球磁場等の環境磁場が残る為に上記筒
状体内は１０４テスラ程度の低磁場にしかできなかった
。
このようなことから、超電導体製筒状体内に残存してい
る環境磁場（以下既存磁場と称す）を外部から既存磁場
と逆方向の磁場をかけて外部へ流出せしめるフラックス
フロー現象を利用する方法が提案された。しかしながら
このような方法によっても、フラックスフローの際に磁
束が超電導体製筒状体内にピンニングされて残り、これ
が後に、上記筒状体内側に漏出する為該超電導体製筒状
体内側の磁場は１０−”テスラ程度にしか低減すること
ができなかった。
る環境磁場（以下既存磁場と称す）を外部から既存磁場
と逆方向の磁場をかけて外部へ流出せしめるフラックス
フロー現象を利用する方法が提案された。しかしながら
このような方法によっても、フラックスフローの際に磁
束が超電導体製筒状体内にピンニングされて残り、これ
が後に、上記筒状体内側に漏出する為該超電導体製筒状
体内側の磁場は１０−”テスラ程度にしか低減すること
ができなかった。
本発明はかかる状況に鑑み鋭意研究の結果なされたもの
で、その目的とするところは１Ｏ−Ｔｏテスラ程度の極
低磁場を必要とする医療診断機器に適用し得る磁気遮蔽
器を提供することにある。
で、その目的とするところは１Ｏ−Ｔｏテスラ程度の極
低磁場を必要とする医療診断機器に適用し得る磁気遮蔽
器を提供することにある。
即ち、本発明は、臨界温度がＴ、の超電導体製筒状層Ａ
、の外周に臨界温度がＴ、より高いＴ２の超電導体製筒
状層Ａ２を配置し、更に前記超電導体製筒状層Ａ２の外
周に磁束の大きさを可変制御可能な磁場発生コイルを配
置したことを特徴とするものである。
、の外周に臨界温度がＴ、より高いＴ２の超電導体製筒
状層Ａ２を配置し、更に前記超電導体製筒状層Ａ２の外
周に磁束の大きさを可変制御可能な磁場発生コイルを配
置したことを特徴とするものである。
以下に本発明の磁気遮蔽器を図を参照して具体的に説明
する。
する。
第１図は本発明の磁気遮蔽器の一態様を示す横断面図で
ある。
ある。
径の異なる２個のＡｇ製筒の外周に臨界温度がＴ、の超
電導体Ｃ３と臨界温度がＴ、より高い超電導体Ｃ２とが
それぞれ層状に形成された２ケのセラミックス超電導体
製筒状層Ａ、、Ａ、がＡ１を内側にして同心状に配置さ
れ、その外側に磁束の大きさを可変制御可能な磁場発生
コイルが電源に接続して配置されている。
電導体Ｃ３と臨界温度がＴ、より高い超電導体Ｃ２とが
それぞれ層状に形成された２ケのセラミックス超電導体
製筒状層Ａ、、Ａ、がＡ１を内側にして同心状に配置さ
れ、その外側に磁束の大きさを可変制御可能な磁場発生
コイルが電源に接続して配置されている。
上記磁気遮蔽器を用いて極低磁場を形成する方法は、例
えば上記磁気遮蔽器全体を冷却媒体内に保持してＴ、よ
り高く、Ｔ、より低い温度Ｔ、に冷却して超電導体製筒
状層Ａｔのみを超電導状態となし、次いで超電導体製筒
状層Ａ２の外周に配置した磁場発生コイルにより超電導
体製筒状層Ａ。
えば上記磁気遮蔽器全体を冷却媒体内に保持してＴ、よ
り高く、Ｔ、より低い温度Ｔ、に冷却して超電導体製筒
状層Ａｔのみを超電導状態となし、次いで超電導体製筒
状層Ａ２の外周に配置した磁場発生コイルにより超電導
体製筒状層Ａ。
内に所定の強度及び向きの磁場を発生せしめて前記筒状
体層Ａ２内の既存磁場を超電導体製筒状層Ａ２外に流出
せしめ、次いで上記磁気遮蔽器全体をＴ、より低い温度
Ｔ、に冷却して超’を導体製筒状層Ａ、を超電導状態と
なして、上記超１に導体製筒状層Ａ２にピンニングされ
ていた磁束の起電導体製筒状層Ａ、内側への侵入を遮断
して超電導体製筒状層Ａ、内側を極低磁場となすもので
ある。
体層Ａ２内の既存磁場を超電導体製筒状層Ａ２外に流出
せしめ、次いで上記磁気遮蔽器全体をＴ、より低い温度
Ｔ、に冷却して超’を導体製筒状層Ａ、を超電導状態と
なして、上記超１に導体製筒状層Ａ２にピンニングされ
ていた磁束の起電導体製筒状層Ａ、内側への侵入を遮断
して超電導体製筒状層Ａ、内側を極低磁場となすもので
ある。
本発明の磁気遮蔽器の他の態様例を第２図に示した。こ
の磁気遮蔽器はＡｇ製筒の内側と外側に第１図に示した
のと同じ臨界温度の異なるセラミックス超電導体Ｃ１及
びＣ２をそれぞれ層状に形成して超電導体製筒状層Ａ１
の外側に超電導体製筒状層Ａ！をＡｇ製筒を介在させて
配置したもので、第１図に示した遮蔽器に較べて構造が
簡略化されている。
の磁気遮蔽器はＡｇ製筒の内側と外側に第１図に示した
のと同じ臨界温度の異なるセラミックス超電導体Ｃ１及
びＣ２をそれぞれ層状に形成して超電導体製筒状層Ａ１
の外側に超電導体製筒状層Ａ！をＡｇ製筒を介在させて
配置したもので、第１図に示した遮蔽器に較べて構造が
簡略化されている。
本発明において、超電導体には液体Ｎ２温度で超電導と
なるＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系、Ｂ１−３ｒＣａ−Ｃｕ−０
系等のセラミックス超電導体を用いるのが経済的である
が、Ｎｂ−Ｔｉ系やＮｂ−３ｎ系等の金属系超電導体を
適用しても差支えない。
なるＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系、Ｂ１−３ｒＣａ−Ｃｕ−０
系等のセラミックス超電導体を用いるのが経済的である
が、Ｎｂ−Ｔｉ系やＮｂ−３ｎ系等の金属系超電導体を
適用しても差支えない。
尚、上記セラミックス超電導体は脆いので、Ａｕ、Ａｇ
、Ｃｕ等の展延性に冨む金属材料と複合して用いるのが
好ましい、特にＡｇは酸素が透過し易い為、超電導体へ
の酸素供給が充分になされて高い超電導特性が得られ、
又熱及び電気伝導性にも優れるので使用中のクエンチに
対しても有利である。
、Ｃｕ等の展延性に冨む金属材料と複合して用いるのが
好ましい、特にＡｇは酸素が透過し易い為、超電導体へ
の酸素供給が充分になされて高い超電導特性が得られ、
又熱及び電気伝導性にも優れるので使用中のクエンチに
対しても有利である。
本発明の磁気遮蔽器は、臨界温度Ｔ、の超電導体製筒状
層Ａ、の外側に臨界温度がＴ１より高い超電導体製筒状
層Ａ、を、更にその外側に磁束の大きさを可変制御可能
な磁場発生コイルを配置したものなので、先ず超電導体
製筒状層Ａ２だけを超電導状態となして外部磁場の侵入
を防止し、次いで上記超電導体製筒状層Ａ２内の既存磁
場の磁束を、上記の磁場発生コイルから発生する磁束と
ともに上記超電導状態の超電導体製筒状層Ａ２を通るフ
ラックスフローとして上記超電導体製筒状層Ａ２の外部
へ流出せしめ、しかるのち上記磁気遮蔽器全体を更に冷
却して超電導体製筒状層Ａ。
層Ａ、の外側に臨界温度がＴ１より高い超電導体製筒状
層Ａ、を、更にその外側に磁束の大きさを可変制御可能
な磁場発生コイルを配置したものなので、先ず超電導体
製筒状層Ａ２だけを超電導状態となして外部磁場の侵入
を防止し、次いで上記超電導体製筒状層Ａ２内の既存磁
場の磁束を、上記の磁場発生コイルから発生する磁束と
ともに上記超電導状態の超電導体製筒状層Ａ２を通るフ
ラックスフローとして上記超電導体製筒状層Ａ２の外部
へ流出せしめ、しかるのち上記磁気遮蔽器全体を更に冷
却して超電導体製筒状層Ａ。
をも超電導状態となして、上記超電導体製筒状層Ａ２内
にピンニングされて残留していた磁束の侵入を遮断して
超電導体製筒状層Ａ、内側を極低磁場となすことができ
るものである。
にピンニングされて残留していた磁束の侵入を遮断して
超電導体製筒状層Ａ、内側を極低磁場となすことができ
るものである。
上記において、磁場発生コイルに通電することによって
起電導状態にある超電導体製筒状層Ａ２内の既存磁場を
超電導体製筒状層Ａ２の外部に流出せしめる方法は、前
述の如きフランクスフロー現象を利用して行うもので、
以下にその詳細を図を参照して具体的に説明する。
起電導状態にある超電導体製筒状層Ａ２内の既存磁場を
超電導体製筒状層Ａ２の外部に流出せしめる方法は、前
述の如きフランクスフロー現象を利用して行うもので、
以下にその詳細を図を参照して具体的に説明する。
第３図イ２口はフランクスフロー現象の説明図である。
図中、超電導体製筒状層Ａ２内に配置する超電導体製筒
状層Ａ１は省略した。
状層Ａ１は省略した。
磁場発生コイルに通電することにより発生する磁束は上
記コイルの内、外を通り且つ超電導体製筒状層Ａ２の内
側に位置する磁束経路Ｐｏが構成され（図イ）、これに
より超電導体製筒状層Ａ２内側に磁束密度Ｂｊの磁場が
形成される。
記コイルの内、外を通り且つ超電導体製筒状層Ａ２の内
側に位置する磁束経路Ｐｏが構成され（図イ）、これに
より超電導体製筒状層Ａ２内側に磁束密度Ｂｊの磁場が
形成される。
一方超電導体製筒状層Ａ２の外側の磁場の磁束密度をＢ
ｅとすると、超電導体製筒状層Ａ、の内外の磁束密度の
差Ｂｄ＝Ｂｊ−Ｂｅが駆動力となって、超電導筒状体Ａ
２内側の磁束が超電導体製筒状層Ａ２を通過して外側に
流出する。
ｅとすると、超電導体製筒状層Ａ、の内外の磁束密度の
差Ｂｄ＝Ｂｊ−Ｂｅが駆動力となって、超電導筒状体Ａ
２内側の磁束が超電導体製筒状層Ａ２を通過して外側に
流出する。
上記においてＢｊはＢｅの１．２倍以上とするのが好ま
しい。
しい。
かくして、第３図口に示した如く磁場発生コイルにより
作られる磁束の一部の磁束Φ１は、超電導体製筒状層Ａ
２を通り抜け、超電導体製筒状層Ａ２の内側を通る磁束
経路Ｐ１を構成する。
作られる磁束の一部の磁束Φ１は、超電導体製筒状層Ａ
２を通り抜け、超電導体製筒状層Ａ２の内側を通る磁束
経路Ｐ１を構成する。
この状態で磁場発生コイルの通電を切ると、超電導体製
筒状層Ａ２内例の磁束Φ１のみが残る。
筒状層Ａ２内例の磁束Φ１のみが残る。
そこで、この磁束Φ１の大きさを適宜に設定することに
より、第３図イに示した既存磁場の磁束Φ０を低減する
ことができる。例えばΦ１＝−Φ０となるように設定す
れば磁束Φ０を零とすることができる。
より、第３図イに示した既存磁場の磁束Φ０を低減する
ことができる。例えばΦ１＝−Φ０となるように設定す
れば磁束Φ０を零とすることができる。
上記の磁束Φ１の設定は、磁場発生コイルの電流値と通
電時間の操作により行われる。この場合−度の通電で磁
束Φ０を零としなくても、通電を繰返し行い磁束Φ０を
徐々に減少させてもよい。
電時間の操作により行われる。この場合−度の通電で磁
束Φ０を零としなくても、通電を繰返し行い磁束Φ０を
徐々に減少させてもよい。
このようにして超電導体製筒状層Ａ２内側の既存磁場が
上記筒状層の外側に流出した後も、上記趨を導体製筒状
層Ａ、には磁束が微細な析出物等にピンニングして残留
するもので、この残留磁束は超電導体製筒状層Ａ、内側
に入り込んで磁場を発生せしめるものである。
上記筒状層の外側に流出した後も、上記趨を導体製筒状
層Ａ、には磁束が微細な析出物等にピンニングして残留
するもので、この残留磁束は超電導体製筒状層Ａ、内側
に入り込んで磁場を発生せしめるものである。
本発明においては、上記超電導体製筒状層Ａ２の内側に
超電導体製筒状層Ａ１を配置し、これを超電導状態に冷
却するので、上記超電導体製筒状層Ａ２にピンニングさ
れていた磁束が超電導体製筒状層Ａ、の内側に侵入する
ようなことはなく、超電導体製筒状層Ａ１内側は極低磁
場となる。
超電導体製筒状層Ａ１を配置し、これを超電導状態に冷
却するので、上記超電導体製筒状層Ａ２にピンニングさ
れていた磁束が超電導体製筒状層Ａ、の内側に侵入する
ようなことはなく、超電導体製筒状層Ａ１内側は極低磁
場となる。
以下に本発明を実施例により詳細に説明する。
実施例Ｉ
Ｂ ｉ ｔｓ ｒ ｔｃ ａ Ｃｕ ！ｏＸ＆Ｉ成のＢ
ｉｉセラミックス超電導体の仮焼成粉を有Ｉ！溶剤中に
懸濁せしめ、次いでこれを、長さ５００閣、肉厚ＩＩＩ
Ｉ、内径が１１０ｍと１００ｍの２種のＡｇ製簡の外表
面に噴霧したのち、大気中にて８８０°Ｃに加熱して上
記Ａｇ製筒上に厚さ０．２５−のＢｉｉセラミックス超
電導体を膜状に形成し、しかるのち、このＢｉ系超超電
導体製筒状体うちの内径が１００閣の筒状体を酸素含有
雰囲気中で５００℃×１０Ｈ更に４００°Ｃ×２０Ｈ加
熱処理して臨界温度（Ｔｃ）を低下させた。
ｉｉセラミックス超電導体の仮焼成粉を有Ｉ！溶剤中に
懸濁せしめ、次いでこれを、長さ５００閣、肉厚ＩＩＩ
Ｉ、内径が１１０ｍと１００ｍの２種のＡｇ製簡の外表
面に噴霧したのち、大気中にて８８０°Ｃに加熱して上
記Ａｇ製筒上に厚さ０．２５−のＢｉｉセラミックス超
電導体を膜状に形成し、しかるのち、このＢｉ系超超電
導体製筒状体うちの内径が１００閣の筒状体を酸素含有
雰囲気中で５００℃×１０Ｈ更に４００°Ｃ×２０Ｈ加
熱処理して臨界温度（Ｔｃ）を低下させた。
このようにして作製した２本のセラミックス超電導筒状
体を第１図に示したように同心状に配置し、更に筒状層
Ａ２の外周にコイルを配置して磁気遮蔽器を構成した。
体を第１図に示したように同心状に配置し、更に筒状層
Ａ２の外周にコイルを配置して磁気遮蔽器を構成した。
上記のＢｉ系超超１導体製筒状層ＡＩ、Ａ２のＴｃは、
それぞれ７７Ｋ及び９０にであった。
それぞれ７７Ｋ及び９０にであった。
実施例２
内径１１０閣、長さ５００■、肉厚１閣のＡｇ製簡の外
表面にＢ ｉ ｚ Ｓ ｒ ｚ Ｃａ Ｃｕ ２０ 、
組成の仮焼成粉を、又内面にＢ ｉｔｓ ｒｚｃａｏ、
ｗＹｏ、＋ｃｕｔｏ＊組成の仮焼成粉をそれぞれ有機バ
インダーと混練して膜状に塗布し、脱バインダー処理後
、大気中で８７５℃Ｘ４Ｈ加熱処理して第２図に示した
ようにＡｇ製筒表面にＴ、が９ＯＫのＢｉ系超電導体製
筒状層Ａ、を、又裏面にＴ、が７５にのＢｉ系超超電導
体製筒状層Ａ１それぞれ０．２５ｍ厚さに形成して磁気
遮蔽器を構成した。
表面にＢ ｉ ｚ Ｓ ｒ ｚ Ｃａ Ｃｕ ２０ 、
組成の仮焼成粉を、又内面にＢ ｉｔｓ ｒｚｃａｏ、
ｗＹｏ、＋ｃｕｔｏ＊組成の仮焼成粉をそれぞれ有機バ
インダーと混練して膜状に塗布し、脱バインダー処理後
、大気中で８７５℃Ｘ４Ｈ加熱処理して第２図に示した
ようにＡｇ製筒表面にＴ、が９ＯＫのＢｉ系超電導体製
筒状層Ａ、を、又裏面にＴ、が７５にのＢｉ系超超電導
体製筒状層Ａ１それぞれ０．２５ｍ厚さに形成して磁気
遮蔽器を構成した。
実施例３
実施例２で用いたのと同じＡｇ製簡の表面にＹＢａｚＣ
ｕ、Ｏヨ組成の仮焼成粉を、又裏面にＢｉｔＳｒｚＣａ
ＣｕｚＯ，の仮焼成粉をそれぞれ有機バインダーと混練
して膜状に塗布し、脱バインダー処理後、大気中で８５
０°ＣＸｔＨ加熱処理して、Ａｇ製筒表面にＴ、が９２
にのＹ超超電導体製筒状層Ａ２を、又裏面にＴ、が７８
にのＢｉ系超電導体製筒状層Ａ、をそれぞれ０．２５■
厚さに形成し、更に上記超電導体製筒状層Ａ２の外周に
コイルを配置して磁気遮蔽器を構成した。
ｕ、Ｏヨ組成の仮焼成粉を、又裏面にＢｉｔＳｒｚＣａ
ＣｕｚＯ，の仮焼成粉をそれぞれ有機バインダーと混練
して膜状に塗布し、脱バインダー処理後、大気中で８５
０°ＣＸｔＨ加熱処理して、Ａｇ製筒表面にＴ、が９２
にのＹ超超電導体製筒状層Ａ２を、又裏面にＴ、が７８
にのＢｉ系超電導体製筒状層Ａ、をそれぞれ０．２５■
厚さに形成し、更に上記超電導体製筒状層Ａ２の外周に
コイルを配置して磁気遮蔽器を構成した。
斯くの如くして得られた各々の磁気遮蔽器について、以
下の手順に従って超電導体製筒状層Ａ１内を磁気シール
ドした。
下の手順に従って超電導体製筒状層Ａ１内を磁気シール
ドした。
先ず磁気遮蔽器を各々冷却容器内の液体窒素中に浸漬し
て超電導体製筒状層Ａ１とＡ２のそれぞれの臨界温度の
中間の温度Ｔ、に冷却して筒状層Ａ１を超電導体状態と
なして外部からの磁場の侵入を防止した上で、筒状層Ａ
！の内側の既存磁場の強さ及び向きを５ＱＵＩＤを用い
て測定し、上記既存磁場と同じ強さで逆向きの磁場を、
前記コイルに所定電流を所定時間通電することにより発
生せしめて上記既存磁場を筒状層Ａ、の外部に流出せし
めた。しかるのち前記冷却容器内を減圧して液体窒素温
度を超電導体製筒状層Ａ１のＴ、より低い温度Ｔ４に低
下させて、筒状層Ａ１を超電導状態となして、外周の筒
状層Ａ２にピンニングされていた磁束の侵入を遮断して
、起電導体製筒状層Ａ１内を磁気シールドした。
て超電導体製筒状層Ａ１とＡ２のそれぞれの臨界温度の
中間の温度Ｔ、に冷却して筒状層Ａ１を超電導体状態と
なして外部からの磁場の侵入を防止した上で、筒状層Ａ
！の内側の既存磁場の強さ及び向きを５ＱＵＩＤを用い
て測定し、上記既存磁場と同じ強さで逆向きの磁場を、
前記コイルに所定電流を所定時間通電することにより発
生せしめて上記既存磁場を筒状層Ａ、の外部に流出せし
めた。しかるのち前記冷却容器内を減圧して液体窒素温
度を超電導体製筒状層Ａ１のＴ、より低い温度Ｔ４に低
下させて、筒状層Ａ１を超電導状態となして、外周の筒
状層Ａ２にピンニングされていた磁束の侵入を遮断して
、起電導体製筒状層Ａ１内を磁気シールドした。
比較例１
実施例１において、超電導体製筒状層Ａ、を用いず、超
電導体製筒状層Ａ、の外周に磁場発生コイルを配置した
他は実施例１と同じ方法により磁気遮蔽器を構成した。
電導体製筒状層Ａ、の外周に磁場発生コイルを配置した
他は実施例１と同じ方法により磁気遮蔽器を構成した。
上記磁気遮蔽の超電導体製筒状層Ａ２内例の磁気シール
ドは、超電導体製筒状層Ａ工を液体窒素中にてＴ、の温
度に冷却し、次いで前記コイルに所定電流を所定時間通
電して、上記起電導体製筒状層Ａ、の内側の既存磁場を
超電導体製筒状層Ａ２の外側にフランクスフロー現象に
より流出せしめて行った。
ドは、超電導体製筒状層Ａ工を液体窒素中にてＴ、の温
度に冷却し、次いで前記コイルに所定電流を所定時間通
電して、上記起電導体製筒状層Ａ、の内側の既存磁場を
超電導体製筒状層Ａ２の外側にフランクスフロー現象に
より流出せしめて行った。
斯くの如くして得られた各々超電導体製筒状層Ａ、又は
Ａ２の内側の磁場強度を５ＱＵＩＤを用いて測定した。
Ａ２の内側の磁場強度を５ＱＵＩＤを用いて測定した。
結果は冷却温度Ｔ、 、Ｔ、を併記して第１表に示した
。
。
第１表
ば、１０−１°程度の極低磁場を形成することができ、
生体磁気測定用医療機器等の分野において、顕著な効果
を奏する。
生体磁気測定用医療機器等の分野において、顕著な効果
を奏する。
すそれぞれ横断面図、第３図イ５口は、それぞれフラッ
クスフロー現象の説明図である。
クスフロー現象の説明図である。
Ａ、、Ａ、・・・セラミックス超電導体製筒状層。
第１表より明らかなように本発明実施別品（Ｎ。
１〜３）では、ＩＱ−１＊テスラの極低磁場が容易に形
成された。これに対し比較別品（Ｎｏ４）では、１０−
”テスラ程度の低磁場しか形成されなかった。
成された。これに対し比較別品（Ｎｏ４）では、１０−
”テスラ程度の低磁場しか形成されなかった。
これはフラックスフロー時に超電導体製筒状層Ａ２にピ
ンニングされた磁束が上記筒状層Ａ２内側に漏出したこ
とによるものである。
ンニングされた磁束が上記筒状層Ａ２内側に漏出したこ
とによるものである。
Claims (1)
- 臨界温度がＴ＿１の超電導体製筒状層Ａ＿１の外周に
臨界温度がＴ＿１より高いＴ＿２の超電導体製筒状層Ａ
＿２を配置し、更に前記超電導体製筒状層Ａ＿２の外周
に磁束の大きさを可変制御可能な磁場発生コイルを配置
したことを特徴とする磁気遮蔽器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2100759A JPH03297174A (ja) | 1990-04-17 | 1990-04-17 | 磁気遮蔽器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2100759A JPH03297174A (ja) | 1990-04-17 | 1990-04-17 | 磁気遮蔽器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03297174A true JPH03297174A (ja) | 1991-12-27 |
Family
ID=14282440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2100759A Pending JPH03297174A (ja) | 1990-04-17 | 1990-04-17 | 磁気遮蔽器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03297174A (ja) |
-
1990
- 1990-04-17 JP JP2100759A patent/JPH03297174A/ja active Pending
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